产品 | 三相无刷电机驱动器IC，兼具低FET发热量和低EMI特性
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出适用于中等耐压系统（12V～48V系统）的采用“TriC3™”技术的三相无刷直流电机驱动器IC“BD67871MWV-Z”。通过配备ROHM自有的驱动逻辑，该电机驱动器IC成功地在降低FET发热量的同时实现了低EMI*1特性，而这两项之间存在此消彼长的关系，通常很难同时兼顾。 电机的耗电量约占全球耗电量的60%，从能源效率的角度来看，进一步提升其控制技术越来越重要。尤其是在12V～48V电压等级的应用产品中，电机驱动的主流方案通常采用通过MCU控制3个栅极驱动器的简单架构。然而近年来，对高效率控制且精密控制的需求日益高涨，MCU与一体化三相电机驱动器相结合的解决方案正在加速普及。另一方面，三相电机驱动器还存在技术课题—“抑制功耗”与“降低噪声”之间存在着此消彼长的权衡关系，长期以来被认为两者很难同时兼顾。针对这些课题，ROHM充分利用其在电机驱动器等各种栅极驱动器IC开发过程中积累的先进电路控制技术，成功开发出可同时抑制“功耗”和“噪声”的新技术“TriC3™”。 新产品采用ROHM自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”，能够高速感测来自FET的电压信息，并实时进行栅极控制。采用这种控制方式，不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量，同时还抑制了振铃*2的产生，实现了低EMI特性。经实际电机验证，与ROHM以往的恒流驱动产品相比，新产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外，新产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形式（UQFN28）和引脚排列，有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。 新产品已于2025年9月开始量产（样品价格800日元/个，不含税）。此外，ROHM还提供可助力应用产品开发和设计的评估板（BD67871MWV-EVK-003）。本产品也已开通电商销售路径，通过电商平台均可购买。 另外，ROHM还推出了与新产品采用相同封装和引脚配置的恒压驱动通用电机驱动器（BD67870MWV-Z、BD67872MWV-Z）。从通用型到此次采用TriC3™技术的高附加值型产品，ROHM可提供满足客户多样化需求的丰富产品群，未来ROHM将继续致力于提升电机效率、助力应用产品增强功能、提升性能并降低能耗。 BD67871MWV-Z BD67870MWV-Z BD67872MWV-Z 查看更多 应用示例 工业设备：电动钻头、电动螺丝刀、工业风扇等设备所用的各种电机 消费电子：吸尘器、空气净化器、空调、换气扇等设备所用的各种电机、电助力自行车 ROHM开发的适时细分恒流控制驱动技术。通过三段式精确设定控制栅极电流，实现高速且高效运行，同时抑制振铃现象，有助于降低噪声并实现稳定工作。 “TriC3™”是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。 术语解说 *1) EMI（Electromagnetic Interference：电磁干扰） EMI是用来衡量对象产品的运行产生多少噪声、是否给外围IC和系统带来问题的指标。“低EMI特性”意味着产生的噪声很少。 *2) 振铃 开关时产生的高频振荡和过冲现象。这是由MOSFET在开、关动作时，电路中的寄生电感和寄生电容发生的谐振所导致的现象。
罗姆
罗姆半导体集团 . 2小时前 215
方案 | 用大容量MLCC代替聚合物电容器，有哪些优点？
在服务器和基站设备中的CPU和存储器的电源需要处理大电流因而需要使用大容量电容器，尤其是聚合物电容器用作DC-DC转换器的平滑电容器。另一方面，电子设备对多功能化、轻薄、体积小及节省能源的要求越来越高，因此，对陶瓷电容器的小型大容量化、低ESR化、高可靠性等方面寄予了更高的期待。通过将电解电容器互换成独石陶瓷电容器，可大幅改良特性，并实现低高度化。 近来，MLCC在增加容量方面取得了进展，现在，村田可以提供超过100uF的MLCC，例如220uF或330uF。在这里，我们将展示一个用大容量MLCC代替聚合物电容的例子，这些MLCC有助于缩小尺寸、提高可靠性和减少噪音。本内容以DC-DC转换器测试板为例，介绍了将输出电容器从聚合物电容器替换为大容量MLCC的好处。 MLCC替换聚合物电容的优点 用MLCC来替换聚合物电容器，有如下三个主要优势。 首先，纹波和尖峰噪声显著降低（图1）。与聚合物电容器相比，MLCC具有更低的ESR和ESL，大大降低了输出噪声。 （a）阻抗，ESR与频率的关系。图中的Polymer Ta是聚合物钽电容器，SWF指开关频率。 （b）S21曲线：可以看出S21低于聚合物电容器，纹波和尖峰噪声可以进一步降低。 图1 阻抗曲线和插入损耗 其次，MLCC来替换聚合物电容器，可以提高可靠性高，产品的使用寿命更长（图2）。这是由于MLCC的ESR较小，因此纹波电流产生的热量很小，比聚合物电容器寿命更长。 a）聚合物电容器 / 1411 size / 100uF （b）MLCC / 1206 size / 100uF。可以看出，MLCC的温升斜率比聚合物电容器的温升斜率更小，因此，使用寿命长，可靠性高。 图2 温度拉米曲线 第三，MLCC来替换聚合物电容器，有助于缩小设备尺寸。因为，MLCC的尺寸比聚合物电容器小，因此使得设备可以做得更小。 DC-DC转换器的替换评估 更换并评估电路的如下。作为替代品进行评估的DC-DC转换器测试板的电路如图3所示，输出侧的聚合物电容C1和C2将被替换。该DC-DC转换器规格如下： C1，C2 : 聚合物钽电容器 330uF/4V/2917尺寸 开关频率 : 400kHz 输入电压 : 14V，输出电压 : 1.5V 输出电流 : 30A （a）DC-DC转换器电路 b）DC-DC转换器测试板 图3 更换并评估电路 将输出电容器从聚合物电容器替换为MLCC，如下所示。更换时，相位补偿电路常数也会根据电源特性进行调整（图4）。 图4 相位补偿电路的调整. 由于高频范围的阻抗低，因此可以降低容值。同时，占用面积可减少83%！ 评估项目及结果 为了评估项目及用MLCC来替换聚合物电容器之后改进的结果，我们测量和比较了以下四个参数： 纹波和尖峰噪声 负载瞬态 稳定性 电源转换效率 Ripple and Spike noise 图5 纹波 / 尖峰噪声 从上图可以看出，纹波减少了24%，尖峰噪声降低了16%！ （a）负载瞬态改变 （b）负载瞬态说明 图6 负载瞬态结果和负载瞬态概念说明 结果显示：负载瞬态等于或小于其初始状态（图6）。 负载瞬态是观察负载电流变化引起的电压波动幅度。在电流突然增加的情况下，DC-DC转换器无法瞬时响应。同时，会产生不足的电荷“⊿Q”。此时，输出电容暂时放电电荷以赶上电流的增加。当输出电压因放电而瞬时下降时，观察到电压降“⊿V”。 ⊿V＝⊿Q/C 如果负载电流突然减小，输出电压将反向瞬间上升。 （a）稳定性结果 （b）DCDC converter circuit （c）Gain/Phase vs. frequency（Bode diagram） 图7 稳定性的结果和说明 在电源电路等反馈电路中，通过观察反馈电路的增益和相位特性（图7b中的蓝色虚线）来检查稳定性。改变输出电容会改变增益和相位特性。此时，如果相位延迟而增益变大，则电源电路将根据条件振荡。如果更换导致不稳定情况，请调整相位补偿电路常数以确保稳定性。评估指标包括相位裕度、增益裕度和交叉频率（图7c）。 从图7a的结果可以看出，用MLCC来替换聚合物电容器，相位裕度、增益裕度、交叉频率均满足稳定性标准值！ _ 初始 替换 方案 标准 Phase margin (deg) 60.8 51.9 ≥45 Gain margin (dB) −8.84 −11.3 ≤−10 Cross over freq. (kHz) 53.1 72.4 ≤80 表一 稳定性的测试参数的标准和结果对比（注：SWF/5=400kHz/5） 图8 更换前后的效率对比 图8显示更换前后的转换效率保持等效。 总 结 我们介绍了一个在DC-DC转换器测试板中使用具有低ESR和低ESL特性的MLCC替换聚合物电容器来作为输出电容的案例研究。通过用MLCC代替聚合物电容器，我们能够降低纹波和尖峰噪声。 此外，负载瞬态和效率特性相当，并且符合稳定性标准；所占面积减少了83%；还提高了电容器的可靠性。对于DC-DC转换器中的大容量电容器，我们建议使用具有小型、可靠性高、噪声遏制效果好的MLCC产品（单击下图搜索村田超过100uF的产品）。
村田
Murata村田中国 . 2小时前 205
产品 | 思特威推出“暗光之王”超星光级全高清智能安防应用图像传感器
近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens，股票代码688213)，推出 “暗光之王” Star Light (SL) 超星光级全高清智能安防应用图像传感器——SC285SL。产品基于思特威SmartClarity®-3工艺技术打造，搭载了SmartAOV®2.1、SFCPixel®、Lightbox IR®等多项先进技术，具备高感度、低噪声、高动态范围等性能优势，能够显著提升AI黑光全彩摄像头在户外极低照度场景下的成像质量，让摄像头无需补光即可实现清晰细腻的全彩影像捕捉。同时，SC285SL支持全时录像(AOV)，并对功耗和高温性能进行了全面优化，能够为户外无线摄像头等太阳能及电池供电设备的全天候稳定运行提供可靠支持。 高感度低噪声、打造清晰暗光全彩视界 相较普通红外或星光摄像头，AI黑光全彩摄像头需要图像传感器在暗光环境下捕捉到足够清晰、干净的原始图像数据，以更好地配合AI ISP技术算法处理。SC285SL搭载思特威SFCPixel®先进技术，有着出色的感光度和噪声抑制性能，能够在夜晚户外极暗场景中，为AI黑光全彩摄像头轻松捕捉到清晰细腻的全彩影像画面。 高感度 黑光全彩摄像头通常需要借助补光才能实现暗光环境中的彩色成像。SC285SL搭载思特威专利SFCPixel®技术，拥有4.0μm像素尺寸，感光度高达12236mV/lux*s，SNR1s值低至0.1lux，能够在户外极低照度且无补光的环境条件下，帮助摄像头实现清晰明亮、色彩真实的全彩影像。 并且，SC285SL搭载Lightbox IR®近红外增强技术，近红外感度显著提升，其在850nm波段下的峰值量子效率(peak QE)高达40%，在940nm波段下的峰值量子效率(peak QE)较前代产品提升约25%，能够提供更加明亮清晰的近红外成像效果。 低噪声 SC285SL搭载思特威SFCPixel®专利技术，支持CMS2和CMS4相关多采样模式以及12bit量化模式，具备优异的噪声抑制性能。SC285SL在高增益长曝光下的读取噪声(RN)低至0.82e-，较前代产品显著降低约39%，能够让暗光成像画面更干净、细节更清晰。 SmartAOV®2.1升级技术，7*24小时全天候稳定录像 SC285SL搭载思特威全新升级SmartAOV®2.1技术，支持全时录像(AOV, Always-On Video)功能。在无事件触发时，SC285SL以每秒1帧的低帧率在低功耗状态下持续录制；遇到事件触发时，SC285SL能够快速切换到30fps的常规帧率录制，确保影像信息完整不丢失，实现7*24小时全天候录像，适配户外无线摄像头等太阳能及电池供电设备应用。 与前代技术相比，SmartAOV®2.1技术具有以下升级优势： · 快启时间优化：通过大幅减少寄存器配置数量，进一步提升了CIS启动速度和图像传输效率。 · 新增动态功耗指示功能：通过控制补光灯上升和下降沿的触发时间，实现补光与CIS曝光的精准同步，消除非曝光时段的无效功耗。 · 多颗CIS快启联动：在主从模式下，可实现多摄方案中多颗CIS的快速启动与曝光同步，减少拍摄延迟，提升拍摄响应速度。 · 图像处理效果增强：将CIS自动白平衡功能提升至16x增益，拓宽色温范围，实现更准确的图像色彩还原。 · 支持中断模式：CIS完成启动后，能够主动向主控SoC发送提醒信号，无需主控通过寄存器读取CIS的启动状态，减少主控资源占用，提高运行效率。 低功耗与高温性能优化，长时间持续稳定拍摄 在偏远郊区、乡村小路等户外场景中，依靠太阳能或电池供电的无线摄像头逐渐成为主流的安防监控选择，而这些设备在应用中常需要面对长时间连续拍摄和户外高温环境等难点。基于思特威先进的SmartClarity®-3工艺，SC285SL拥有低功耗和高温成像稳定等性能优势，可充分满足无线摄像头等智能安防应用的长时间及高温拍摄需求。 低功耗 基于内部电路模块的精准化控制设计， SC285SL在30fps、60fps和90fps工作帧率下的功耗分别低至91mW、148mW和205mW，能够有效减少摄像头拍摄发热，助力安防监控的长时间稳定运行。 高温性能优化 SC285SL采用思特威先进的SmartClarity®-3工艺技术，高温成像性能稳定。在80℃高温条件下，SC285SL的暗电流(Dark Current)和白点(White Pixel)较前代产品分别大幅降低约91%和43%，可适用于户外高温以及设备长时间录制的发热等情况，帮助摄像头输出稳定清晰的影像画面。 多种高动态范围模式，明暗细节全面捕捉 SC285SL搭载思特威先进的InSensor HDR™技术，动态范围可达92dB，能够满足安防监控在户外明暗不同光线环境下的视频拍摄需求。InSensor HDR™支持DR100、DR200、DR400三种增益比，可灵活适配从均匀光照到强明暗对比等多种光线场景，让摄像头成像准确，明暗清晰。并且，基于InSensor HDR™片上单帧多增益图像融合技术，SC285SL在实现高动态范围的同时，还能有效抑制运动拖影，为摄像头提供准确无拖影的动态影像信息。此外，SC285SL还支持Staggered HDR模式，可有效提升动态范围，保留更多明暗细节，灵活适配客户多元应用选择。 SC285SL目前已接受送样，将于2026年Q1量产。想了解更多关于SC285SL的产品信息，请与思特威销售人员联系。
思特威
思特威 SmartSens . 2小时前 275
产品 | 东芝推出双通道标准数字隔离器，助力工业应用实现稳定的高速隔离数据传输
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款面向工业设备双通道高速标准数字隔离器——全新的“DCL52xx00系列”，新产品能够以100kV／μs（典型值）[1]的高共模瞬态抑制（CMTI）和50Mbps（最大值）[2]的高速数据速率支持稳定的工作。该系列产品于今日开始支持出货。 “DCL52xx00系列”包含四款产品。其中“DCL520C00”和“DCL520D00”的通道配置为两个正向通道，“DCL521C00”和“DCL521D00”具有一个正向通道和一个反向通道。这些全新双通道产品与之前发布的“DCL54xx01系列”四通道产品一起，将作为工业设备的标准数字隔离器。随着这些新产品的加入，东芝的整体产品线将涵盖14款产品，不仅可提供丰富的通道配置选择，而且还有助于提高设计灵活性。 最新DCL52xx00系列产品采用东芝专有的磁耦合型隔离传输方式，实现了高达100kV／μs（典型值）的CMTI，这一点与DCL54xx01系列产品相同。这种技术提高了输入到输出间隔离信号传输时抗电噪声能力，从而确保了信号的稳定传输和设备操作的可靠性。 此外，新产品还可实现0.8ns（典型值）[3]的低脉宽失真和高达150Mbps（最大值）的高速数据速率，十分适用于I／O接口等支持UART[4]和I2C[5]通信的多通道高速通信应用。 东芝已经开始量产面向工业设备和车载设备的标准数字隔离器。未来，公司将继续扩大在这两个方面的封装产品线和通道数量，并将一如既往地提供高质量隔离器件及光耦合器，为实现工业及车载设备所需的可靠性和实时数据传输做出贡献。 应用 工业设备 工业自动化系统（可编程逻辑控制器和I／O接口等） 电机控制 逆变器 特性 双通道： - 两个正向通道 - 一个正向通道和一个反向通道 高共模瞬态抑制：CMTI＝100kV／μs（典型值） 高速数据速率：tbps＝150Mbps（最大值） 主要规格 注： [1] 测试条件：VI＝VDDI或0V；VCM＝1500V；Ta＝25°C（VDDI为输入端的VDD1或VDD2） [2] 测试条件：VDD1＝VDD2＝2.25至5.5V；Ta＝–40°C至125°C [3] 测试条件：VDD1＝VDD2＝5V；Ta＝25°C [4] UART（通用异步收发器）：异步串行通信。无需时钟信号，即可发送并接收数据的通信方法。 [5] I2C（内部集成电路总线）：同步串行通信。通信方法，用于发送和接收与时钟信号同步的数据。
东芝
东芝半导体 . 7小时前 220
应用 | 氮化镓赋能厨电：美的油烟机采用InnoGaN
双十一购物季即将到来，各大品牌纷纷推出旗舰产品。在美的商城近期主推的美的蒸汽洗AK9pro抽油烟机中，一项突破性技术正悄然改变着家电行业的竞争格局。 美的（Media）AK9pro抽油烟机的电机驱动采用英诺赛科氮化镓芯片，实现了氮化镓技术首次在白色家电电机驱动系统中的量产，也标志着厨房电器正式步入氮化镓高能效时代。 GaN, 重塑油烟机电机强劲内核 传统油烟机大多采用硅基功率器件，其在能效和体积上存在先天局限。而氮化镓所具备的超低开关损耗及无反向恢复损耗特性，尤为适合高能效需求的电机驱动应用。 此次美的推出的AK9pro抽油烟机实现了三大核心突破，打造了运行高效、便捷智能的升级版油烟机产品，提升用户厨居新体验。 新一代30㎡/min新风系统，厨间空气一键焕新 GaN电机驱动出色驾驭厨居新风系统，实现高能效、强静压性能 升级AI感烟芯片与自清洁技术，拥有变频巡航能力，实现自主吸排与智能清洁 在英诺赛科高压氮化镓芯片INN700TK350B 的加持下，美的AK9pro拥有以下出众性能： 强大吸力：25m³/min强劲风量瞬间吸走油烟 超强静压：1000Pa静压，即使在烹饪高峰期也能有效防止油烟倒灌 高效转换：满载效率提升5.4%，驱动损耗降低50%，电能更大程度转化为吸风动能，能耗显著降低 出色温控：最高运行温度降低5℃，电机寿命更持久，性能更稳定 紧凑设计：电驱系统整体尺寸减小52.14%，为烟机内部结构优化提供充足空间 GaN 家电时代正式启幕 今年5月，美的集团（厨热事业部）与英诺赛科正式达成战略合作，共推氮化镓在家电领域的创新和应用。此次美的AK9pro油烟机的上市，展现了氮化镓在家电领域的无限潜力，是家电行业向高能效迈出的关键一步。未来双方将持续推进合作，有望将GaN技术应用于净饮机、洗碗机、空调、洗衣机、冰箱等更多家电产品中，推动整个行业向更高效、节能的方向发展。
英诺赛科
英诺赛科 INNOSCIENCE . 7小时前 200
产品 | 新唐科技推出车规等级、无滤波器的 3 瓦 D 类音频放大器 NAU83U25YG
新唐科技宣布推出全新的 D 类音频放大器 – NAU83U25YG。这款 D 类音频放大器具有高效能立体声、数字输入和高达 3 瓦（负载 4 Ω）／1.7 瓦（负载 8 Ω）的输出功率，并透过两线接口调整增益，非常适合应用于汽车仪表板、紧急呼叫功能（eCall）及车载终端盒（T-Box）等汽车电子产品。 随着汽车电子进入“智能座舱”时代，汽车智能化趋势成为行业热点，车载应用对音频产品的技术提供商提出越来越高的功能要求。新唐科技严格执行汽车行业规范标准，为车载应用提供符合 AEC-Q100 认证的产品，同时减少外围设计，基于 I2S 输入可直接支持由车机主控输出的 I2S 音频信号，节省外围电路设计，减小 PCB 的尺寸。此外，数字音频功率放大器能更好的避免电路干扰和解决 EMI 问题。 NAU83U25YG 立体声 Class-D 音讯功率放大器具备多项先进特性，包括 80 dB 电源抑制比（PSRR）、90% 高效率、超低静态电流（即在 3.7V、双声道时仅 2.1 mA），以及卓越的 EMI 抗干扰表现。其具备更低的失真、更低的背景噪声，以及更宽广的动态范围。此外，这款新型放大器还支持完整的装置保护机制。 NAU83U25YG 关键特色 可以透过 I2C 接口设定增益，范围22 dB 至 -62 dB 立体声 Class-D 功率放大器，2 声道 x 3.0W（4 Ω @ 5V，10% THD+N） 低输出噪声：18 μVrms（@ 0 dB 增益） 丰富的装置保护机制 过电流保护（OCP） 输入过低压保护（UVLO） 过温保护（OTP） 时脉终止保护（CTP） 抑制 Click-and-Pop 封装：QFN20 操作温度可达 -40°C ~ +105°C 车规等级：通过 AEC-Q100 认证并符合 TS16949 标准 优异的 EMI 性能与无滤波器设计 NAU83U25YG 放大器透过展频振荡器技术及回转率控制法，有效降低电磁干扰（EMI），因而不需使用外部输出滤波器。此外，NAU83U25YG 还提供优异的抗干扰能力与在 217 Hz 时大于 80 dB 的电源供应抑制比（PSRR），使 NAU83U25YG 非常适合应用于汽车无线及 AM（调幅）频段的 Class-D 音讯放大器。 突破性的高效能与低功耗特性 D 类放大器在音频装置的功耗效率及噪声最小化上皆具有突破性的进展。D 类放大器能产生方波，使波型为二进制，因此可经由功率装置的交换功能进行放大，使其功率效能高出 AB 类放大器达 66.6%。 NAU83U25YG 数字输入 D 类放大器可高效驱动 4 Ω 负载，提供高达 3W 的卓越输出功率。此外，它实现仅 14 毫秒的快速启动时间，确保高效能运作。
新唐
新唐MCU . 7小时前 1 240
技术 | 从600V到2000V：“隔离+” 如何赋能光伏与储能系统升级？
2025年，“2000V”成为光伏与储能领域的热词。继600V、1000V、1500V之后，行业正加速迈向更高电压平台。随着器件耐压、绝缘与标准体系的完善，更高母线电压正成为提升功率密度与系统经济性的关键方向。 电压提升的背后，安全挑战同步升级。隔离芯片作为系统的核心防线，既防止触电风险，又保障设备稳定运行。数字隔离器、隔离驱动、隔离采样与隔离接口等多类器件协同作用，以确保高低压间信号传输与绝缘安全的可靠性。 纳芯微基于双边增强隔离电容与 Adaptive OOK® 调制技术，构建通过多项国际安规认证的“隔离+”产品体系，为全电压范围与全功率段的光伏与储能系统提供高可靠、高性能的系统级解决方案。本文将聚焦两个方向：一是解析电压升级背景下隔离类器件在绝缘设计与安规标准的最新变化；二是探讨 2000V 与 500+kW 级光储系统中，功率拓扑、驱动与采样架构的技术演进。 面对光储新绝缘安规，隔离类器件耐压、宽度如何变化？ 母线电压升高的原因主要有两点： 光伏板能力持续增强，输出电压和功率不断提升； 根据功率公式（P = U × I），在功率不变的情况下，电压升高可使得电流减小，从而降低导线横截面需求，节省整体系统成本。 母线电压升高，会导致隔离类芯片的工作电压要求提高。纳芯微在售隔离类器件已经支持最高达2121Vdc工作电压的稳定运行，可帮助实现2000V系统下的基本绝缘。同时，纳芯微已经在开发能力更强的隔离技术，可在更高的Vdc下可靠运行。 另一方面，防触电绝缘系统的 CLR（绝缘间距）和 CPG（爬电距离）至关重要。CLR 防止瞬态电压产生空气电离或电弧（短期），CPG 防止在工作电压下产生绝缘击穿或漏电起痕（长期）。一般来说，芯片的宽度需要同时大于等于安规对应用场景下的CLR与CPG的要求。 随着母线电压升高，绝缘需求增加，常规爬电距离的芯片难以满足安全标准，宽体甚至超宽体设计成为必然选择。目前，纳芯微已有多款基于专利Adaptive OOK®调制技术的宽体与超宽体隔离器件，例如超宽体数字隔离器NSI82xx、超宽体隔离驱动NSI6801EC等，可适用于2kV超高母线电压平台。 NSI82xx系列选型表 NSI6801功能框图与Pin脚定义 同时，多款集成隔离功能与隔离供电功能的通讯接口芯片（如RS485 NSI8308xE、CAN NSI1042、NSI1050、NSI1052）也可满足不同应用需求，系统性帮助客户差异化实现系统集成化与低成本。 RS485 NSI8308xE 选型表 NSI1042、NSI1052Pin脚定义 2kV与500+kW：光储场景拓扑与功率器件、驱动、采样如何变化？ 在 600V 至 1500V 进化路径中，组串式系统的 MPPT 级和逆变级拓扑已从 Si 两电平演进成 Si 三电平或 SiC 两电平，系统功率也从 100+kW、200+kW 持续提升至 300+kW。当前，业内针对2000V系统推出的初代组串式光伏逆变器与储能变流器产品普遍已经达到450kW左右。在2000V系统下，大型组串式系统单机功率将快速推进到500+kW级别。 更高的输入电压和功率要求，将直接影响系统方案设计： 系统架构上，MPPT数量、串数及单路功率随系统规模不断提升，保证高效能量转化与功率跟踪。 拓扑结构持续进化，功率器件耐压与通流等级不断提升、驱动方案做出调整。 近年来，SiC碳化硅器件因其高耐压、高开关速度、低损耗、高过载能力等优势开始崭露头角。随着光伏与储能系统的持续进化与SiC器件的持续普及，下一代的光伏与储能逆变器系统将更为广泛地应用SiC器件。针对SiC特性，纳芯微推出了优化的隔离栅极驱动解决方案（如NSI660x系列），能够满足系统高压、高效率升级需求。纳芯微同时还提供电流型输入的隔离栅极驱动器（如NSI6801系列），以高速响应、高拉灌电流能力以及强抗扰能力应对更复杂的电磁环境与设计，确保整机系统的高效稳定运行。 纳芯微隔离驱动功能框图 高压侧电流检测的可靠性与精准度直接影响系统效率与安全。更大的功率带来更高的电流与更具挑战的电磁环境，更先进的功率器件带来更快的暂态特性。这需要电流检测拥有更高的通流、更高的信噪比与抗干扰性、更高的带宽。 现有光储系统中基于半导体芯片的电流检测方案可分为两类： 基于霍尔原理的电流传感器，通过磁场耦合实现天然隔离，简化高低压绝缘设计； 基于分流器的采样方案，需搭配隔离运放或调制器完成电气隔离，但精度更高、非线性度更低、温漂和失调电压特性更优，同时能有效抵御外部磁场干扰，是高精度场景优选方案。 为应对更大的工作电流，纳芯微霍尔电流传感器NSM201x系列采用隔离的方式将±65A以内的电流转换成线性电压输出，适用于多种隔离电流采样场合，满足光伏组串式逆变器DC输入侧MPPT（最大功率点）跟踪的电流检测。其升级版本NSM201x-P系列今年发布，能显著降低灵敏度误差与漂移、零点误差与漂移，同时大幅提升了EMC（电磁兼容性）抗干扰能力。 NSM201x-P系列全温度范围内零点误差和灵敏度误差批量数据分布情况 与此同时，在更具挑战电磁环境下，纳芯微NSI13xx系列电流采样芯片提供适配性解决方案：增强隔离型运放NSI1300、NSI1200及Sigma-delta调制器NSI1306可精准用于相电流采样；NSI1311则以高输入阻抗与2V线性输入范围，满足直流母线电压检测需求，为MPPT DC-DC在高压环境下提供可靠信号支撑。 NSI1311 功能框图 纳芯微从“隔离”迈向“隔离+”，以全生态产品矩阵构筑系统安全防线。“+”不仅意味着超越基础隔离标准的安全保护，为客户系统打造更坚固的高低压屏障，也代表完整的产品生态——以成熟的电容隔离技术 IP 为核心，涵盖数字隔离器、隔离驱动、隔离采样、隔离接口和隔离电源，实现一站式解决方案，深度赋能大功率光储充系统等核心场景。 随着母线电压从600V提升至2000V，光伏逆变器面临更高电压应力与功率密度挑战，纳芯微“隔离+”产品矩阵配合 SiC/IGBT 功率器件，为系统在高压环境下提供精准、高效、稳定的运行保障，为光伏与储能系统安全升级提供坚实支撑。
纳芯微
纳芯微电子 . 7小时前 225
方案 | NVIDIA IGX Thor 机器人处理器将实时物理 AI 引入工业和医疗边缘场景
AI 正由数字世界走向物理世界。在工厂车间和手术室等场景中，机器正逐步进化为能够实时观察、感知并作出决策的协作伙伴。 为加速这一变革，NVIDIA 今日推出了 NVIDIA IGX Thor，这是一个功能强大的工业级平台，专为将实时物理 AI 直接部署于边缘端而打造。该平台将高速传感器处理、企业级可靠性和功能安全性整合到桌面级紧凑模组中。相较于上一代产品 NVIDIA IGX Orin，IGX Thor 的 AI 计算性能提升至 8 倍，能够帮助开发者构建感知、推理和行动更快速、更安全、更智能的智能系统。 工业、机器人、医疗和健康领域的领先企业已经率先使用该平台，如 Diligent Robotics、EndoQuest Robotics、Hitachi Rail、Joby Aviation、Maven 和 SETI Institute。同时，CMR Surgical 正在评估 IGX Thor，以提升其医疗能力。 NVIDIA Jetson IGX Thor 开发者套件 Mini 版 IGX Thor 为边缘 AI 应用提供突破性性能 长期以来，医疗与工业企业在推进医学影像、手术机器人和工业 AI 自动化等应用时面临诸多限制，原因在于边缘系统缺乏处理实时数据的速度和能力，或无法在不影响性能的前提下安全地运行多个生成式 AI 模型。 IGX Thor 通过提供专为工业和医疗领域打造的强大可靠的 AI 计算能力，克服了这些挑战。该平台具备实时智能处理、无缝数据连接、以及内置安全保障功能。 该平台配备两款 NVIDIA Blackwell GPU——集成 GPU（iGPU）和独立 GPU （dGPU），可提供 5,581 FP4 TFLOPS 的 AI 计算能力，并支持 400 GbE 连接。与 NVIDIA IGX Orin 相比，IGX Thor 在 iGPU 上的 AI 算力可提升至 8 倍，在 dGPU 上可提升至 2.5 倍，与此同时，连接性能提升至 2 倍，可在边缘无缝运行大语言模型和视觉语言模型。 该工业级平台提供 10 年产品生命周期支持和 NVIDIA AI 软件栈的长期技术支持，可确保企业和物理 AI 应用即使在最具挑战性的环境中，也能保持加速和安全运行。IGX Thor 可支持运行 NVIDIA AI Enterprise 软件栈，包括可加速从云端到边缘设备的物理 AI 应用开发的 NVIDIA NIM 微服务、用于机器人开发的 NVIDIA Isaac、用于视觉 AI 的 NVIDIA Metropolis 和用于传感器处理的 NVIDIA Holoscan。 另外，NVIDIA IGX Thor 还将 NVIDIA Halos 全栈安全系统的元素集成到机器人开发、医疗和工业 AI 系统中，利用板载和基础设施传感器，确保传统和由外至内的安全，实现可靠的人机协作。 NVIDIA 合作伙伴生态系统加速工业和医疗边缘应用开发 全球工业和机器人领域的领先企业，包括 Hitachi Rail、Maven、SETI Institute 和 Joby Aviation，正在使用 IGX Thor 构建和部署先进的 AI 解决方案，以增强安全性、提高效率，并提升工厂、仓库和交通运输系统的自动化水平。 Hitachi Rail 正在使用 IGX Thor 在轨道网络中部署先进的预测性维护和自主检测系统，从而提高运营效率和可靠性。 Hitachi Rail 集团首席执行官 Giuseppe Marino 表示：“AI 和数据正在改变轨道交通行业。通过采用 NVIDIA IGX Thor，我们正在将全球最强大的工业级实时 AI 性能直接引入边缘设备，帮助运营商更好地优化其轨道和基础设施。同时，这种能力将为乘客和运营商带来更加可靠、高效和优质的体验。” Maven Robotics 将 NVIDIA IGX Thor 集成到其下一代工业机器人中，将先进的具身 AI 性能与内置安全性和大规模实时决策制定相结合。 Maven Robotics 首席执行官 Hamza Derbas 表示：“Maven Robotics 正将通用机器人引入工业环境，并与全球领先的制造业和物流企业合作，实现大规模部署。NVIDIA IGX Thor 是我们下一代机器人的核心，将安全级算力与运行先进的具身 AI 模型的性能相结合，从而同步提升能力和合规性。” 全球医疗设备和健康领域的领先企业 Diligent Robotics 和 Endoquest Robotics 已经开始使用 IGX Thor。CMR Surgical 正在评估 IGX Thor，为其外科手术机器人系统配备先进的 AI 功能，实现手术室内的实时分析和适应性决策。CMR 的愿景是通过提供智能辅助提高手术精度、效率并改善患者治疗效果，而 IGX Thor 的安全性、可靠性和计算性能，正为这一愿景的实现提供有力支撑。 CMR Surgical 首席技术官 Chris Fryer 表示：“精准和患者安全是每台手术的核心。借助 IGX Thor，我们有望部署下一代 AI 助手和实时手术指导，这些功能可实时处理物理真实的数据，从而简化手术流程，实现更安全、更智能的微创手术。” NVIDIA 的设备制造商生态合作伙伴，包括 Advantech、ADLINK、ASRock Rack、Barco、Curtiss-Wright、Dedicated Computing、EIZO Rugged Solutions、Inventec、NEXCOM 旗下的 NexCOBOT、Onyx、WOLF Advanced Technology 以及 YUAN 等企业，提供一系列由 IGX Thor 驱动的边缘服务器、定制载板、设计服务、摄像头和传感器，以及 AI 和系统软件，以加速解决方案开发。 NVIDIA IGX Thor 平台包含两款量产就绪系统——NVIDIA IGX T5000 模组和 NVIDIA IGX T7000 板卡套件，专为具备功能安全需求的多样化物理 AI 应用场景打造。IGX Thor 量产系统和开发者套件计划于 12 月上市。
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NVIDIA . 7小时前 490
产品 | Microchip推出高精度时间传输解决方案TimeProvider® 4500 v3主时钟
各国政府正要求关键基础设施运营商在现有GNSS（全球导航卫星系统）基础上增加备用时间源，以提升系统韧性和可靠性，确保在存在潜在干扰或服务受限情况下能够持续稳定运行。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出TimeProvider® 4500 v3主时钟（TP4500），可在长达800公里的远距离光传输网络中实现亚纳秒级授时精度，为关键基础设施提供独立于GNSS的高精度时间同步解决方案。 这项创新解决方案填补了行业长期以来在定位、导航与授时（PNT）备用技术方面的空白。当全球导航卫星系统（GNSS）无法提供精准授时时，TP4500可提供具备韧性的地面解决方案，有效降低因依赖 GNSS 部署而产生的处理物理遮挡、安全风险及信号干扰的成本。 当前多数部署需在主时钟站点配置GNSS接收机，而TP4500可在无需依赖 GNSS 的情况下实现高韧性时间同步。该设备支持基于UTC(k)（国家实验室提供的协调世界时）的时间基准，是首款符合ITU-T G.8271.1/Y.1366.1（2024年1月）标准的高精度时间传输（HA-TT）主时钟，可实现在800公里传输距离内达到5纳秒级时延（按10个节点计算，单节点平均时延仅500皮秒），树立了行业新的精度标杆。 TP4500 系统可通过多种工作模式进行配置，构建端到端架构——即虚拟主参考时钟（vPRTC），可在长距离光网络中实现主参考时钟（PRTC）级的时间精度。 vPRTC 是一项面向运营商级网络的地面高精度时间传输（HA-TT）架构，已在全球多家运营商网络中得到广泛部署。 与其他尚未在关键基础设施网络中广泛应用、技术成熟度低且仍依赖GNSS作为最终时间源的PNT解决方案相比，HA-TT是经验证且经济高效的方案。 Microchip负责频率与时间系统业务部的公司副总裁Randy Brudzinski表示：“TimeProvider 4500 v3主时钟是一项突破性的解决方案，使运营商能够部署基于标准的地面授时网络，实现前所未有的精度与韧性。这项创新方案体现了Microchip致力于为全球关键服务提供最先进且可靠授时解决方案的承诺。” TimeProvider 4500 v3 是迈向支持 ITU-T G.8272.2 标准的重要一步。该标准在其 2024 年修订版（修订案 2）中定义了一致性网络参考时钟（cnPRTC）的概念。 cnPRTC 架构能够在整个电信网络中实现高精度、强韧性且可靠的时间同步。即使在区域性或全网 GNSS 信号不可用，或因其他故障及中断导致授时中断时，仍能维持网络范围内的 ePRTC 时间精度与稳定性。 TimeProvider 4500 v3系列核心特性包括： - 亚纳秒级精度：在800公里超长距离传输中实现5纳秒时间延迟 - GNSS地面替代方案：使关键基础设施能够在不依赖 GNSS 的情况下，通过具韧性的同步机制保持稳定运行。 - 无缝集成：基于标准的地面网络实现时间传输，可轻松集成商用小型可插拔模块及现有以太网和光纤部署 - 专属功能：高级软件功能仅在 TP4500 v3 上提供，集成Microchip 的 PolarFire® FPGA 与 Azurite 频率合成器，实现无与伦比的精度表现 TP4500主时钟专为电信、公用事业、交通运输、政府及防务等领域优化设计，确保在最关键的应用场景中实现精准可靠的授时。最新版本为运营商提供了一种可扩展的解决方案，能够在长距离传输中实现安全且可靠的时间分配。 TP4500是Microchip IEEE®-1588精密时间协议（PTP）主时钟产品线的最新成员，提供了业界领先的性能与价值。这些经现场验证的解决方案可满足从低密度室内应用到高容量5G网络授时需求的扩展要求。如需了解更多有关Microchip主时钟产品组合的信息，请访问网页。 https://www.microchip.com/en-us/products/clock-and-timing/systems/ptp-grandmaster-clocks/timeprovider-4500
Microchip
Microchip微芯 . 昨天 320
产品 | Littelfuse推出首款新型汽车级低压侧栅极驱动器IX4352NEAU
Littelfuse宣布推出 IX4352NEAU汽车级低压侧栅极驱动器，旨在满足电动汽车（EV）动力总成和DC-DC转换器应用中对SiC MOSFET和IGBT控制日益增长的需求。 IX4352NEAU栅极驱动器 IX4352NEAU是首款符合AEC-Q100标准的低压侧栅极驱动器，提供集成且可调的负栅极驱动偏压，无需外部负电压轨或昂贵的DC-DC转换器来抑制高速功率器件的寄生导通。这一独特功能简化了栅极驱动器设计，改善了开关性能，并降低了系统总成本。 “通过将IX4352NEAU集成到他们的最新设计中，我们的客户可以开发出更安全、更紧凑、更高效的电源系统。”Littelfuse集成电路部产品经理June Zhang表示。“这有助于加快产品上市时间，同时降低不断增长的汽车DC-DC转换器和汽车动力传动系统市场的系统总成本。” 主要功能与特色 · 可调负栅极驱动偏压（低至-10V）：提高dv/dt抗扰度，抑制寄生导通，并确保SiC MOSFET和IGBT的更快关断； · 9A峰值拉/灌电流驱动能力（独立引脚）：支持量身定制的导通和关断时序，以优化效率并降低开关损耗； · 集成保护：DESAT检测、主动软关断、UVLO、TSD和故障输出：提高系统可靠性，并在故障条件下保护宝贵的电源开关； · 3.3V TTL/CMOS兼容输入：耐受电压高达7V，可轻松与大多数控制逻辑连接； · 符合AEC-Q100标准，热稳定性好：确保在很宽的温度范围内保持一致的性能，提高热阈值精度，并在热关断期间保持电荷泵运行。 市场与应用 · 汽车DC-DC转换器； · 电动汽车动力传动系统；· 电动汽车逆变器和电机驱动器； · 开关功率电源。 市场差异化优势 · 与传统的低压侧栅极驱动器相比，IX4352NEAU提高了功率密度，减少了元件数量，并提供了更安全的过流关断过渡。其内置电荷泵调节器具有可调节负偏压，为市场首款，为汽车设计师提供了克服寄生导通并改善基于SiC和IGBT的系统中的开关行为的完全集成解决方案； · IX4352NEAU是久经考验的商业级IX4352NE的汽车级扩展产品，经过优化，可满足汽车环境对可靠性和性能的严格要求。 常见问答（FAQ） 快速解答有关IX4352NEAU栅极驱动器的常见问题。 1. 与其他栅极驱动器相比，IX4352NEAU有何独特之处？ IX4352NEAU是首款符合AEC-Q100标准的低压侧栅极驱动器，集成式可调负栅极偏压低至-10V。因此无需外部负电压电源，从而减少了元件数量和系统成本。 2. IX4352NEAU可以驱动哪些功率器件？ 它专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计，具有独立的9A峰值拉/灌电流输出，可提供量身定制的开关性能，是电动汽车和其他汽车系统中快速开关应用的理想选择。 3. 设备内置了哪些保护功能？ IX4352NEAU包括DESAT检测、有源软关断、热关断和欠压锁定（UVLO）。这些功能可在发生过电流或其他故障情况时保护栅极驱动器和功率晶体管。 4. IX4352NEAU对电动汽车应用有何益处？ IX4352NEAU可帮助电动汽车设计师在牵引逆变器和DC-DC转换器等系统中实现更高的功率密度和开关效率。其符合汽车标准、集成负栅极偏压和强大的保护功能，可简化设计、提高可靠性并减少对额外组件的需求，使其成为要求严苛的电动汽车动力总成环境的理想选择。 供货情况 IX4352NEAU采用卷带封装的16引脚窄型封装（每卷2,000个）。可通过全球授权的Littelfuse经销商提交样品申请。
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Littelfuse . 昨天 355
产品 | 高通发布两款AI芯片AI200和AI250
高通发布面向数据中心的下一代AI推理优化解决方案，包括基于云端AI芯片Qualcomm AI200和AI250的加速卡及机架。两款芯片均采用高通Hexagon NPU，预计将分别于2026年和2027年实现商用。高通称，凭借该公司在NPU技术方面的优势，这些解决方案可提供机架级性能和出色的内存容量，以高性价比实现快速的生成式AI推理，有助于实现可扩展、高效且灵活的生成式AI。沙特支持的AI创企Humain将从2026年开始部署200兆瓦的高通新型AI机架。受此消息影响，高通股价飙升11%。 Qualcomm AI200推出一款专用机架级AI推理解决方案，旨在为大语言模型和多模态模型（LLM、LMM）推理及其他AI工作负载提供更高的内存容量、更低的总拥有成本（TCO）和优化的性能，支持每卡768GB LPDDR。Qualcomm AI250解决方案将首次采用基于近存计算的创新内存架构，通过提供超过10倍的有效内存带宽和更低的功耗，不仅支持分解式AI推理，还能高效利用硬件资源，同时满足客户对性能和成本的要求。两种机架解决方案均采用直接液冷以提高热效率，采用PCIe进行纵向扩展，采用以太网进行横向扩展，采用机密计算以确保安全的AI工作负载，机架级功耗为160kW。 这些解决方案都具有丰富的软件栈和与AI框架的无缝兼容性，使企业和开发人员能够跨数据中心部署安全、可扩展的生成式AI。其AI软件栈端到端覆盖从应用层到系统软件层，并针对AI推理进行了优化。开发者可通过高通的Efficient Transformers Library和高通AI推理套件，获得无缝模型导入和Hugging Face模型的一键部署。高通高级副总裁兼技术规划、边缘解决方案和数据中心总经理Durga Malladi称，凭借Qualcomm AI200和AI250，高通正在重新定义机架级AI推理的可能性。 Malladi还透露，高通将单独出售其AI芯片和其他部件，尤其是针对那些喜欢自行设计机架的超大规模数据中心客户。其他AI芯片公司也可能成为高通部分数据中心部件（如CPU）的客户。高通数据中心路线图每年更新一次，聚焦实现业界领先的AI推理性能、能效和业界领先的TCO。
高通
芯东西 . 昨天 2200
市场 | Omdia：2025年下半年，AMOLED显示屏营收将达290亿美元，低于2024年下半年水平
Omdia的最新《显示屏长期需求预测追踪报告》，到2025年底，全球主动式有机发光二极管(AMOLED)显示屏营收预计将达530亿美元，较2024年的540亿美元略有下降。尽管下半年受益于新智能手机机型发布及移动PC面板增长而实现复苏，但这一增长仍不足以抵消上半年面板价格竞争激烈带来的不利影响，最终导致全年营收停滞。 2025年第三季度和第四季度，AMOLED营收预计将分别实现19%和9%的环比增长。这一营收增长主要由低温多晶氧化物(LTPO)背板柔性AMOLED智能手机显示屏，以及低温多晶硅(LTPS)背板移动PC显示屏的出货量增长所推动。2025年，AMOLED出货量预计将在第三季度环比增长10%，第四季度环比增长7%。 2025年下半年增长的主要驱动因素： LTPO背板柔性智能手机OLED产能扩张，尤其针对新款iPhone 17系列OLED显示屏，以及Oppo、Vivo和Xiaomi等中国品牌新机型的显示屏需求。 移动PC OLED面板持续增长，预计2025年第四季度将创下季度出货量新高。 OLED电视和显示器面板需求上升。 然而，尽管这一强劲表现推动AMOLED营收在2025年下半年达到290亿美元，但总额仍略低于2024年同期的300亿美元。 这意味着2025年AMOLED营收增长陷入停滞。2025年上半年对AMOLED而言是充满挑战的时期：显示屏价格持续下跌，严重影响营收，而尽管多数OLED面板厂商因此亏损，但降价仍被视为刺激采用率的手段。 Omdia预计，2026年AMOLED营收将达560亿美元，较2025年同比增长5%。LTPO智能手机显示屏、OLED移动PC面板，以及65英寸至83英寸OLED电视面板等关键驱动因素，将继续推动2026年AMOLED营收增长。 图1：AMOLED季度营收与增长率 Omdia显示屏部门高级总监谢勤益（David Hsieh）表示：“在2026年迎来复苏前，当前AMOLED营收增长正面临价值缩水问题。智能手机OLED显示屏渗透率已超过50%，缺乏新增长动力，即便加入先进功能以刺激增长，智能手机OLED面板价格仍在持续下跌。与此同时，笔记本电脑OLED和平板电脑OLED虽有望凭借更高规格（尤其是更优形态与功耗表现）继续增长，但PC品牌与原始设备制造商(OEM)正寻求更低成本，导致OLED面板相对于液晶显示屏(LCD)的价格溢价不断缩小。未来几年，更多中国8.6代OLED产线将投入市场，这些产线可生产智能手机、平板电脑、笔记本电脑甚至显示屏等多应用场景面板，因此从现在起，AMOLED的价格和规格竞争将愈发激烈。”
AMOLED
Omdia . 昨天 715
方案 | 从5W到3kW+，安森美SMPS矩阵承包丰富场景电源管理需求
开关电源（SMPS）是一款经典产品，可根据终端负载将电网电力转换为直流电力。由于其通常包含两个电力转换阶段，因此更高能效始终是追求目标。提升能效的方式包括使用性能更优的功率开关，或采用不同的控制策略。此外，还需在不同工况下选择最适配的拓扑结构。本系统解决方案指南将介绍开关电源的基础知识，以及 安森美（onsemi） 提供的特色产品与解决方案。 框图 - SMPS 框图 - SMPS（桥式 PFC + 反激式转换器） 框图 - SMPS（图腾柱 PFC + LLC 谐振转换器） 易于使用的 SMPS 矩阵 安森美SMPS 矩阵（表 1） 提供了一系列全面的电源管理方案， 可根据各类应用场景进行定制， 覆盖的功率范围从 5W 到 3kW 以上。 例如， 其中包含专为以下应用配置设计的控制器、 栅极驱动器及开关器件：功率因数校正 (PFC)、 有源钳位反激 (ACF)、 准谐振反激 (QR) 及同步整流控制器 (SRC)。 这些方案经过优化， 能实现可靠且高效的电能转换， 可满足从低功率 USB-C PD 设计， 到高功率工业与通信应用的各类需求。 通过采用碳化硅 (SiC) 和增强型氮化镓 (iGaN) 等先进技术， 安森美确保 SMPS 矩阵方案能为各类电源管理需求提供出色的性能与能效。 表 1： 安森美“易于使用”的 SMPS 矩阵 图 1：各功率等级对应的应用 SMPS 参考设计 安森美提供品类丰富的开关模式电源 (SMPS) 方案， 可满足从 65W 到 3kW 以上的各类功率需求。 产品系列涵盖控制器、 栅极驱动器、 MOSFET 和先进的宽带隙 (WBG) 材料器件（SiC、 GaN 等） ， 旨在为多种应用场景提供高能效、高可靠性与高性能， 包括 USB-C PD、 工业电源及云服务器电源。 3kW EliteSiC 图腾柱 PFC + LLC PSU 高功率密度拓扑 - 图腾柱 PFC＋ LLC Vin = 85V-264V， Vout = 54V， Iout = 55.5A PFC 效率： 100% 负载时 > 98% 系统峰值效率： 115VAC 时 > 94%； 230VAC 时 > 96% PCBA 尺寸： 280mm x 110mm x 38mm 精选产品： 多模式 TP PFC NCP1681、 带 SR 控制器的 LLC NCP4390、 隔离式半桥栅极驱动器 NCP51561、 650V SiC MOSFET NTHL045N065SC1 应用：工业 PSU 1 kW 通用输入 48V 输出电源 高效图腾柱 CCM PFC + HF LLC Vin = 90-265VAC， Vout = 48V， Iout = 21A 满载效率：在 110VAC 和 230VAC 输入下，分别为 92.5%和 95.4% PCBA 尺寸： 328mm x 93mm x 50mm 功率密度： 10.74W/in^3 精选产品： TP PFC NCP1681、 LLC NCP13994、 iGaN NCP58921、 NCP58920 和 SR 控制器 NCP4306 应用： 计算电源、工业 PSU 图 2： 3 kW 图腾柱 PFC + LLC PSU 评估板 图 3： 1 kW 48V 输出电源评估板
安森美
安森美 . 昨天 465
企业丨瑞萨电子采用下一代功率半导体为800伏直流AI数据中心架构赋能
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流电源架构的高效电源转换和分配，推动下一代更智能、更快速的人工智能（AI）基础设施发展。 随着GPU驱动的AI工作负载日益密集，数据中心功耗攀升至数百兆瓦级别，现代数据中心亟需兼具能效优化与可扩展性的电源架构。GaN FET开关为代表的宽禁带半导体，凭借其更快的开关速度、更低的能量损耗，及卓越的热管理性能，正迅速成为关键解决方案。此外，GaN功率器件将推动机架内800V直流母线的发展，在通过DC/DC降压转换器支持48V组件复用的同时，显著降低配电损耗，并减少对大尺寸母线排的需求。 瑞萨基于GaN的电源解决方案特别适用于此类应用场景，支持高效且密集的DC/DC电源转换，工作电压范围覆盖48V至400V，并可通过选配叠加至800V。这些转换器基于LLC直流变压器（LLC DCX）拓扑结构，可实现高达98%的转换效率。在AC/DC前端，瑞萨采用双向GaN开关，以简化整流器设计并提升功率密度。同时，瑞萨的REXFET MOSFET、驱动器及控制器则为新型DC/DC转换器的物料清单（BOM）提供了有力补充。更多详情，请访问：renesas.com/power。 Zaher Baidas, Senior Vice President and General Manager of Power at Renesas表示：“AI正以前所未有的速度改变各行各业，电源基础设施必须同步快速演进，以满足激增的电力需求。依托我们全系列GaN FET、MOSFET、控制器及驱动器产品组合，瑞萨致力于以面向规模化应用的高密度能源解决方案，为AI的未来赋能。这些创新不仅带来卓越性能与能效，也具备支撑未来增长所需的可扩展性。” 瑞萨电源管理技术优势 作为全球卓越的电源管理产品供应商，瑞萨电子近年来的平均年出货量超15亿颗，其中大量产品服务于计算行业，其余则广泛应用于工业、物联网、数据中心以及通信基础设施等领域。瑞萨拥有业界广泛的电源管理器件产品组合，在产品质量、效率及电池寿命方面表现卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨拥有数十年的电源管理IC设计经验，并以双源生产模式、业界先进的工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
瑞萨电子
Renesas瑞萨电子 . 昨天 710
产品 | 不止多协议！泰凌微电子 TL321X 系列 SoC，藏着物联多面手实力
当智能家居需要更稳定的互联互通，可穿戴设备追求更持久的续航表现，无线控制产品期待更灵活的功能扩展 —— 物联网终端设备的多元化需求，正呼唤一款兼具性能、功耗与兼容性的高性价比芯片。 产品发布 今日，泰凌微电子基于深耕无线连接领域的技术沉淀，推出TL321X 系列 RISC-V 架构 SoC，以 “全能战将” 之姿，为多场景物联网应用提供高效核心支撑。 硬核性能：RISC-V内核+多协议，兼顾效率与灵活 TL321X系列搭载32位RISC-V内核，最高运行频率达96MHz，搭配128KB SRAM与大容量Flash，轻松应对复杂数据处理需求。同时集成FPU浮点运算单元，进一步提升计算效率，为设备流畅运行提供强劲算力支撑。 无线连接能力更是亮点十足。该系列全面支持Bluetooth® Core 5.4、Mesh Networking、802.15.4、Zigbee、Thread等多协议，其中支持的Matter协议，可轻松帮助客户实现不同品牌、不同品类智能设备的互联互通。此外，还支持Apple Find My、Google Nearby等生态功能，以及2.4GHz私有协议，满足多样化场景连接需求。 功耗优化：主流应用的高效能 选择 TL321X 系列在功耗控制上表现出色，适用于主流物联网应用。在低功耗模式下，其发射和接收电流较低，深度睡眠电流更是不到1μA，有效延长设备电池使用寿命。TL321X在性能与功耗之间实现了优化平衡，确保设备在实际使用中的高效运行。 同时，芯片支持 1.8V~4.3V、4.5V~5.5V 宽电压供电，适配不同类型电源方案，为设备设计提供更多灵活性。 丰富接口+全面安全：为开发“减负”，为数据“护航” TL321X系列配备超丰富外设接口，包括GPIO、I2C、UART、SPI、USB 2.0、PWM，以及12bit ADC、AMIC、DMIC等，可轻松连接传感器、显示屏、音频设备等外设，满足智能家居控制器、无线HID、遥控器等多场景硬件扩展需求。 安全方面，芯片内置Root of Trust与Secure Boot机制，搭配AES-128、ECC、Hash、TRNG等加密算法，以及Secure OTA功能，从启动、运行到固件升级全流程保障设备与数据安全，有效抵御恶意攻击。 灵活选型+完善工具：加速产品落地 为适配不同场景需求，TL321X系列提供多款细分型号，覆盖QFN、LGA等不同封装，提供多种Flash容量，USB接口、音频接口等配置灵活差异化，开发者可根据产品需求精准选型，降低成本的同时避免功能冗余。 同时，泰凌微电子提供配套开发板，支持RF传导测试、电流测试、音频输入输出测试等功能，内置调试接口与扩展Flash，搭配通用SDK及Matter、FMN+Nearby双模软件支持，帮助开发者快速完成原型验证与产品开发，大幅缩短研发周期。 从智能家居的互联互通，到可穿戴设备的长效续航，再到资产追踪的精准连接，TL321X系列SoC以“全能”实力为物联网创新注入新动力。未来，泰凌微电子将持续深耕无线连接芯片技术，以更优质的产品与服务，赋能更多万物互联应用场景！
泰凌微
泰凌微电子 . 昨天 575
企业 | Cadence发布财报，Q3营收 13.39 亿美元，同比增幅14%
2025 年第三季度，全球电子设计自动化（EDA）巨头楷登电子（Cadence）公布财报显示，公司当季营收达 13.39 亿美元，较市场预期的 13.2 亿美元高出 1.4%，同比增幅达 14%；核心业务硬件与 IP 板块均创下季度营收新高，推动公司在手订单规模突破 70 亿美元（约合人民币 500 亿元），刷新历史纪录。受益于业绩强势表现，Cadence 将 2025 全年营收指引上调至 52.6 亿至 52.9 亿美元区间，较此前预期显著提升。 财报明确指出，NVIDIA、TSMC、英特尔等核心客户在 AI 芯片与高性能计算（HPC）领域的持续加码，是业绩增长的关键驱动力。Cadence 首席执行官 Anirudh Devgan 强调：“AI 正从模型训练阶段，全面转向系统级设计优化的核心环节。客户如今不仅需要算力突破，更渴求可扩展、可验证的全流程设计能力。” 图片来自Cadence官网 为响应这一需求，Cadence 正通过 AI 驱动的系统设计平台及 JedAI 智能数据架构，构建芯片到系统层的自动化协同能力。据公司技术披露，其代理式 AI 技术已能自主处理 3nm 及以下先进制程的高复杂度设计任务，将工程师从重复性试错工作中解放，专注于架构创新。目前超过 50% 的 Cadence 工具已集成 “优化 AI”，预计未来两年这一比例将升至 80% 以上。 为巩固 AI 时代技术优势，Cadence 近期动作频频：完成对 Arm Artisan IP 的收购，并签署收购海克斯康设计与工程业务（D&E）的协议。这一系列布局与行业趋势高度契合 —— 当前 EDA 巨头正通过并购加速向多物理场仿真、系统级分析（SDA）等领域延伸，以应对 3D-IC 等复杂设计挑战。 不过财报也透露短期压力：公司预计第四季度调整后每股收益（EPS）为 1.88-1.94 美元，中值 1.91 美元略低于市场预期的 1.92 美元。路透社分析指出，这一预期反映出中美贸易关系的不确定性风险。尽管美国在 7 月暂时解除 EDA 软件出口限制，但政策反复已影响中国客户的采购节奏与授权周期。数据显示，中国市场占 Cadence 全球营收的 13%，是其重要增长极。 面对短期波动，Cadence 强调 AI 驱动的系统设计需求将支撑长期增长。公司计划加快在设计 IP、多物理场仿真、系统级分析（SDA）等领域的战略投入，同时通过收购完善 “芯片 - 封装 - 整机系统” 的协同设计能力。Devgan 表示：“数字孪生技术已成为我们的跨产业战略支点，结合近期并购的仿真技术，将进一步提升系统设计的覆盖率与效率。” 行业分析师指出，随着 3nm 及以下先进制程普及，芯片设计复杂度呈指数级增长，传统方法已逼近物理极限，Cadence 等巨头的 AI 驱动型工具链有望持续抢占市场份额。尽管政策不确定性仍存，但全球 AI 芯片市场的爆发式增长，将为其长期业绩提供强劲支撑。
Cadence
芯查查资讯 . 昨天 1095
方案 | 让SiC驱动更简更省：米勒钳位+负压自举供电方案来了！
碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET）凭借高速开关特性，大幅降低开关损耗，目前已在各行业应用中加速渗透。然而，其器件特性所伴随的高 dV/dt（电压变化率），易引发寄生开通风险，已成为各行业应用设计中需重点规避的核心挑战。 本篇应用笔记聚焦自举供电场景，重点介绍一种 SiC MOSFET 的可靠驱动方案，通过将简易负压生成电路与具备米勒钳位功能的驱动芯片相结合，从而省去了专门的负压隔离电路设计。这一方案不仅简化了驱动电路架构，还显著减小PCB 布板面积，并有效降低系统成本。 负压供电的主流方案比较 负压关断是一种常见的避免SiC MOSFET误导通的方式，而为栅极驱动芯片提供负压供电主要有两种方式。其一是通过隔离变压器产生独立的辅助电源，如下图所示： 图1 通过隔离变压器生成VEE的典型拓扑 其二是在SiC MOSFET的驱动回路上串联稳压管、电容、电阻等元器件，通过正常发波动作即可直接产生负压。 以下介绍这种负压发生的原理。如下图2所示，负压生成电路是由驱动电阻Rg，负压支撑电容Cneg，负压钳位稳压管Dz，电流控制电阻Rc组成。其中控制电阻Rc直接并联于SiC MOSFET的GS之间。 图2 负压生成电路的基本拓扑 在芯片内部置高时，内部PMOS将芯片VDD短接至芯片OUT。此时如下图3，VDD通过驱动电阻Rg、稳压管Dz与控制电阻Rc线路形成电流。此时Dz需要维持其在该电流下的钳位电压，Cneg的B-A间将形成负压Vneg，SiC MOSFET的栅极电压值则为VDD-|Vneg|。 图3 负压生成电路置高时的工作原理 置低时内部NMOS将芯片GND短接至芯片OUT输出。此时如下图4，Cneg的A点通过芯片内部短路MOS对接至了SiC MOSFET栅极的负端，即C点。此时SiC MOSFET的栅极电压等于Cneg的B-A点间电压，即负压Vneg。 图4 负压生成电路置低时的工作原理 这种负压生成电路正常发波便能够使SiC MOSFET负压关断，自然地便可以用于低成本的自举供电。一个经典的通过自举方式便能够在高低边产生负压的拓扑如下图所示： 图5 一个典型的自举供电加负压生成电路的拓扑 相对于使用隔离变压器方式生成负压，这个简易负压生成电路有以下明显优势： 1）省却了隔离变压器的单独供电回路，可以有效降低系统成本； 2）省却了占板面积较大的变压器等元器件，有利于实现更为紧凑的布板设计。 但在一些高dv/dt应用场景，如果SiC MOSFET仅采用负压关断仍然存在应用风险，此时就有必要将米勒钳位功能与负压关断相结合，从而实现最可靠的驱动方案。 有源米勒钳位功能介绍 SiC MOSFET由于米勒效应造成寄生导通的机理是，在本管闭合时，对管开通，本管DS间的电压瞬变通过Cgd会对栅极GS间造成浪涌电流。由于本管所串联的栅极驱动电阻影响，使得SiC MOSFET的栅极电压瞬态越过了开通阈值造成误开通可能。 而有源米勒钳位功能原理如下图6，芯片判断出本管闭合状态下（监测CLAMP与VEE管脚间电压低于V_THR），会将栅极驱动电阻R1通过内部MOS短路，使得SiC MOSFET栅极的GS间阻抗极大降低，最终使浪涌电流造成的栅极电压摆幅明显降低。 图6 有源米勒钳位工作原理 米勒钳位叠加负压关断的典型应用 下图7展示了使用纳芯微低边驱动芯片NSD1015MT与隔离驱动芯片NSI6601ME芯片组合而成的半桥拓扑的典型驱动电路，该电路将有源米勒钳位引脚连接到稳压二级管的阳极，从而与负压生成电路叠加使用，可最大程度实现SiC MOSFET的可靠关断，并适用于各类反激、半桥、全桥等电源拓扑。 图7 负压生成电路在半桥应用的典型拓扑 NSI6601ME是最新一代集成米勒钳位功能的隔离驱动，具备出色的驱动性能和抗干扰能力。NSD1015MT是单通道低边驱动，除有源米勒钳位外还具备DESAT功能，从而为SiC MOSFET提供快速短路保护；故障上报引脚可向MCU实时反馈欠压、过流等故障信息，同时内部集成5V LDO输出，可以为系统内其他芯片供电。注意，对3.3V的PWM信号输入，NSD1015MT需要前置一个缓冲器芯片将信号转至5V。 米勒钳位叠加 负压关断的效果 为对比SiC MOSFE在高速开关下，驱动走线距离、负压关断、米勒钳位等影响因素对米勒效应的影响，本文采用同样的驱动电阻大小（10欧姆），同款SiC MOSFET进行对比测试。 该SiC MOSFET的栅极开通阈值Vth为最低2V，栅极电压最大安全工作区为-5V至22V——即栅极过冲电压过高有误开通的风险，过低有损坏栅极的风险。下表是采用双脉冲测试，观测对管开关时，保持关断状态的SiC MOSFET的栅极过冲情况汇总。 表1 栅极驱动典型配置对比* *考虑到不同厂家不同型号的SiC MOSFET米勒比存在一定差异，同样条件下实测的米勒峰值电压可能也会不同。 从上表中可以得出如下结论： 1）栅极驱动回路的layout走线长度在SiC MOSFET的米勒效应影响中占据非常大的权重。无论是负压还是有源米勒钳位功能，在驱动回路走线很长的情况下，都很难使其过冲保留在栅极安全工作电压范围内。因此在SiC MOSFET应用中，应尽量实现良好的驱动回路layout设计。 图8 PCB layout长引线（左）与短引线（右）的对比示意 2）在驱动回路走线良好的情况下，如果仅采用负压关断，由于米勒效应造成的正向震荡尖峰幅值降低，可以避免寄生导通；但由于震荡摆幅仍然很大，会造成负向震荡尖峰超出安全工作电压范围。 3）有源米勒钳位功能可以极大抑制米勒效应造成的栅极电压摆幅，如果仅使用有源米勒钳位功能与零压关断，在驱动回路走线良好的情况下可以做到正向震荡尖峰不超过SiC MOSFET开通阈值，达到临界安全工作状态； 4）最佳方案是有源米勒钳位功能与负压关断措施同时使用，米勒钳位使得对管动作所造成的摆幅将被极大降低，同时负压的引入又能够将寄生上冲至开通阈值电压Vth的安全裕量控制于希望的位置，两者结合的效果将大于仅使用其中一种。由下图实测波形亦可以看出，若仅有负压，对管开通时依然有误开通风险，对管关断时产生的负压应力也更大。而同时施加了负压加米勒钳位功能后，效果远比单一措施更好。 图9 仅有负压（红）与负压加米勒钳位（绿）的实测波形对比 左图为对管开通时的波形，右图为对管分断时的波形 负压生成电路中的选型计算 根据上述分析，采用图7所介绍的自举驱动方案，将有源米勒钳位和负压关断电路相结合，可实现对SiC MOSFET的可靠驱动。以下将对一个典型的负压生成电路做选型计算，以实现将栅极驱动的正压维持于18V，负压维持于-3V左右的设计目标。 5.1 稳态正负电压值的设定 图7中的Rc即可控制Vneg的负压具体值。可通过型号稳压管对应的曲线来控制所需要稳定的负压。如使用下图10中2V7型号的稳压管，想控制其电压于-2.7V，可看到其对应的Iz电流为5mA。 对于VDD=21V的电源电压，SiC MOSFET的栅极正压会是Von=VDD-|Vneg|=VDD-Vz=21V-2.7V=18.3V。根据图2原理，可令控制电阻Rc=Von/Iz=18.3V/5mA=3700 Ohm。即Rc为3700欧姆时，可令负压维持在-2.7V。 图10 稳压二极管典型正向特性图 由于在每个功率管的开关周期，负压值会跳变，从而产生负压的纹波。如果Cneg的容值为SiC MOSFET的栅极电容量的N倍，则该跳变可估算为VDD/N。即N越大，跳变越可被忽略。也就是说，此Cneg本身的容值越大，功率管开关所造成的纹波也就越小，一般推荐该N值大于250。 5.2 负压建立时间估算 根据前述原理易知，只有在驱动芯片置高时才可以建立负压。驱动芯片输出置低时将维持该负压值。当置高时，VDD通过控制电阻Rc向Cneg充电至钳位电压Vz，负压达到稳定。即通过电流ic= (VDD-|Vneg|)/Rc为Cneg充电至Vneg，于是充电时间可表示为：t=|Vneg|*Cneg/ic 。对于刚才的设定，如果Cneg设定为1uF，则将Cneg从0V充电至-2.7V的电流为5mA，时间为2.7V*1uF/5mA=540us 。 在实际应用中，建议采用第一个PWM输出常高的方式为电容预充电，在负压稳定建立后再正常发波。 5.3 小占空比的稳态负压 在每个开关周期内，驱动芯片输出置高时负压电容被充电，驱动芯片输出置低时负压电容被放电。当占空比足够小时，芯片输出置高时Von为Cneg充电速度无法覆盖Voff时的放电速度，此时设定的Vneg会产生偏移，最终|Vneg|将维持在VDD*D伏（开通周期与关断周期达到安秒平衡后可有Von*D=|Vneg|*(1-D)，结合Von+|Vneg|=VCC，化简后可得|Vneg|=VDD*D） 。 如5%占空比时，Vneg负压的值将无法维持于-2.7V，将会维持在-1V左右 。由于该电路是将米勒钳位和负压关断叠加使用，因此-1V的关断负压仍然可以实现SiC MOSFET比较安全的关断。 结语 本文通过将驱动芯片的有源米勒钳位功能和简易负压关断电路结合，设计了一种适用于自举供电的SiC MOSFET可靠驱动方案。本文介绍了这个方案的基本原理和主要指标的设定方法，以及关键器件的选型方法，同时也通过实验比较展示了方案的优势。 本方案介绍的简易负压关断电路可以实现自举供电，相比隔离供电产生负压，在简化设计和降低成本方面都有很大收益。
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纳芯微电子 . 昨天 420
企业 | 芯科科技Works With开发者大会深圳站成功举办，展示全球AIoT先进科技与协同创新
中国，深圳 – 2025年10月27日 – 低功耗无线解决方案创新性领导厂商Silicon Labs（亦称“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）日前在深圳湾万丽酒店成功举办“2025年Works With开发者大会”深圳站。作为已成功举办六届的全球物联网（IoT）领域最具影响力的技术盛会之一，本届大会聚焦人工智能（AI）与无线连接技术创新，吸引了超过500名顶尖技术专家、行业领袖、开发人员及生态伙伴的积极参与，共同探讨人工智能物联网（AIoT）技术的前沿趋势与落地应用。芯科科技同期发布的Simplicity Ecosystem软件开发套件以其AI使能的开发流程亦获得广泛关注。 作为芯科科技立足全球创新积极投入中国市场和深度融入中国AIoT创新生态的重点项目之一，Works With开发者大会于去年在上海取得丰硕成果后，本届大会首次移师深圳，其目的是将全球领先的物联网技术带到以大湾区为核心的快速发展的新兴技术社群之中，在区域内外的创新企业、开发者、芯科科技及其生态伙伴之间搭建一座面对面沟通的桥梁。芯科科技亚太及日本地区业务副总裁王禄铭带领区内管理及技术支持团队莅临大会现场并与开发者展开全面的交流。 王禄铭在大会的开幕致辞中表示：“Works With开发者大会的目标是实现全球技术与本地需求的无缝对接，我们去年在上海举办的Works With开发者大会完美地实现了这个目标，因此促使了芯科科技继续加大投入在中国举办线下的开发者大会。地处大湾区核心的深圳市作为全球电子制造与充满活力的创新枢纽，拥有完整的物联网产业链和丰富的前沿应用场景，为全球物联网及边缘智能技术落地提供了理想环境。因此尽管本届大会是芯科科技首次在深圳举办Works With开发者大会，我们也相信中国开发人员将再一次从此项活动中充分了解全球领先的无线技术并在其实际工作实现更多创新。” 芯科科技携生态伙伴尽展前沿技术 大会期间，芯科科技通过主题演讲、圆桌论坛、技术培训及实作演示等形式，展示了其最新技术成果。在主题演讲环节，芯科科技总裁兼首席执行官Matt Johnson表示：人工智能正在从数据中心转移到边缘，因此行业的下一个巨大浪潮将是智能网联，设备将不是只是连接到网络，而且还要能够实时地了解、学习和行动，而低功耗且安全的无线连接以及嵌入式机器学习将引领下一个时代，芯科科技已抢占先机并愿意和在座的业界伙伴共同开拓物联网的新未来。 随后，涂鸦智能联席董事长兼总裁陈燎罕在其主题演讲中介绍了AI+IoT可能带来的更多应用，同时也预示着AI将很快进入价值实现之年；移远通信副总经理孙延明也介绍了物联网领域的最新发展趋势，即从连接万物到赋能智能世界转换的过程中，业界可以获得的巨大机会；松诺市场总监李楠分析了用跨生态、跨协议的方式实现从孤岛到互联，人车家生态进化与Matter构建智能新秩序；作为本次大会的赞助商伙伴，艾睿电子也发表了主题演讲。 大会还准备了精彩的圆桌论坛，连接标准联盟（CSA）中国区代表商瑞云、Wi-Fi联盟亚太区商务事务总经理黄家瑞、Wi-SUN联盟中国分部主席周明拓与CSHIA创始人周军，深入探讨了AI如何重塑无线连接标准，推动更智能的设备、网络与生态系统的发展。在下午的技术培训时段中，大会共开设了蓝牙、远距离连接（Long Range）、Matter和Wi-Fi四大主题，介绍了诸如蓝牙信道探测、Matter新协议、Amazon Sidewalk、Wi-SUN及Wi-Fi 6等业界最新无线技术，并现场演示了基于它们的创新解决方案和开发实践。 引领全产业链赋能创新 本届Works With开发者大会得到了众多行业领军企业的鼎力支持，赞助商阵容涵盖芯片、模组、设备、测试、测量、电子元器件分销及代理等物联网全产业链。其中，铂金赞助商包括艾睿电子和贸泽电子；黄金赞助商有得捷、泰克、Teledyne LeCroy、涂鸦智能；银牌赞助商包括益登科技、华普微、移远通信和松诺等。这些赞助商不仅展示了各类智能网联解决方案，覆盖了多个应用场景，还为参会者提供了全方位的产业化和落地支持，共同推动智能物联网产业和市场的发展。 涂鸦智能展示了基于Matter协议的智能照明系统，通过芯科科技的无线模块实现跨品牌设备互联，用户可通过同一APP控制不同厂商的灯具，提升了智能家居的便捷性与兼容性；华普微演示了Sub-GHz无线组网技术在工厂环境中的远程监控方案，其低功耗特性支持传感器在恶劣条件下长期运行，助力实现设备预测性维护；移远通信分享了基于Wi-SUN的智慧城市部署案例，芯科科技的芯片方案为高密度人流区域提供稳定连接，支持智慧交通与安防系统的实时数据传输；松诺展示了便携式医疗监测设备，利用蓝牙信道探测技术实现亚米级定位，确保患者生命体征数据的精准采集与低延迟传输。 从集成开发环境（IDE）到AI赋能的生态系统 同期，芯科科技还宣布推出Simplicity Ecosystem软件开发套件，它不仅是下一代模块化的软件开发套件，而且还计划增添人工智能（AI）增强功能，旨在全面变革嵌入式物联网开发流程。该生态系统以Simplicity Studio 6为核心，并辅以最新发布的Simplicity AI SDK框架，从而将安装、配置、调试和分析功能整合到一个智能的、且以开发人员优先的环境中，可在产品开发的每个阶段提供自动化和洞察力。Simplicity Ecosystem代表了实现智能、内容感知开发的重要一步。通过将人工智能集成到我们工具的每一层中，我们将为开发人员提供一个在整个物联网生命周期中学习、适应和加速创新的平台。 总结与展望：开启AIoT新时代 Works With开发者大会深圳站的举办，是芯科科技全球技术落地中国的重要里程碑。通过与中国开发者的紧密合作，共同推动了AIoT从概念到规模化部署的进程，为全球物联网生态注入了新动能。 芯科科技对于无法到现场参加实体活动的专业人士，还将在11月19至20日以完全免费、线上直播的形式盛大举办Works With在线开发者大会，为大家提供更多了解最新物联网和人工智能技术的机会。
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芯科科技 . 昨天 640
企业 | 赋能边缘人工智能：2025贸泽与你大咖说即将重磅启幕
2025年10月27日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布，2025年“贸泽与你大咖说”系列技术活动将于11月1日14:00-17:00在线举办。本期贸泽电子将联袂半导体巨头恩智浦和电子元器件领导企业国巨，汇聚多位资深技术专家，以“边缘AI 破晓，技术变革驱动产业新生”为主题，共同探讨边缘智能时代的关键技术突破，为产业升级注入强劲动能。 贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平表示：“随着算力下沉至边缘，低延迟、高效率的边缘AI正成为产业智能化的关键驱动力。未来，它将向‘泛智能化’演进，深度融合千行百业，构建分布式智能新生态。为此，贸泽联合恩智浦与国巨，不仅探讨技术创新，更致力于厘清规模化应用路径，为产业落地扫除障碍。” 边缘AI作为人工智能与边缘计算深度融合的前沿技术，通过将AI算法部署在数据产生源的终端设备，不仅能够实现数据的实时处理与毫秒级响应，还能有效避免原始数据上传至云端，从源头保障数据隐私与安全。本期直播将聚焦边缘AI解决方案的市场现状与技术热点，解析行业变革趋势，并深入介绍恩智浦与国巨的整体产品与市场战略。专家将分享全面产品线如何精准匹配市场需求，涵盖工业自动化（如电机驱动）、AI边缘服务器（电源管理）、汽车智能化与机器人等关键领域的完整落地方案，同时展望边缘AI的未来发展方向。通过多维度、深层次的探讨与前瞻洞察，本次活动旨在助力行业突破技术瓶颈，激发创新活力，推动边缘AI在更多场景中实现规模化应用。 “贸泽与你大咖说” 是贸泽2020 年推出的系列技术访谈栏目，深度聚焦前沿产业发展。节目每期特邀来自国际知名半导体及电子元器件厂商及行业大咖，以圆桌形式在线分享最新应用趋势与创新解决方案。本期活动将通过贸泽电子B站账号与微信视频号平台同步直播。
边缘AI
贸泽电子 . 昨天 1 610
产品丨8通道高压同步采样ADC，专为直流与交流精密采集场景设计
AD4858是ADI最新发布的高压同步采样ADC，属于ADI同步采样ADC家族系列产品，目前已在ADI官网正式发布，配套的数据手册、软件资源及评估板资源均可在官网获取。作为该家族中聚焦高压场景的代表性产品，AD4858主打8通道高压同步采样功能，专为直流与交流精密采集场景设计，可适配ATE（自动测试设备）、半导体测试、电能质量分析、高/低边电压电流采样等仪器仪表领域，能满足不同场景下对宽电压输入、高动态范围及简化系统设计的需求。 作为一款完全缓冲的8通道同步采样、20位、1 MSPS数据采集系统(DAS)，AD4858具有差分、宽共模范围输入。其采用5 V低电压电源、灵活的输入缓冲器电源供电，并使用精密低漂移内部基准电压源和基准电压源缓冲器，支持独立配置每个通道的SoftSpan范围，以匹配本机应用信号摆幅，从而尽可能地减少额外的外部信号调理。为了进一步充分扩大单次转换动态范围，AD4858采用了无缝高动态范围(SHDR)技术。通道的输入信号路径增益使能后会逐个样本地自动优化，从而在不影响线性度的情况下，尽可能地降低每个样本上的转换器噪声。 AD4858具有11 MHz带宽、皮安级输入模拟缓冲器、宽输入共模范围和120dB共模抑制比(CMRR)，因此该DAS能直接将INx+和INx−上任意摆幅的输入信号数字化。AD4858不仅提供输入信号灵活性，而且具有±160 μV积分非线性(INL)、20位无失码特性、97.2 dB信噪比(SNR)和111.4 dB动态范围(DR)，使其非常适用于需要在紧凑的解决方案中实现高准确性、吞吐量和精度的应用。使能24位过采样可进一步改善SNR和动态范围。可选的每通道失调、增益和相位调整提供了校准和消除DAS上游系统级误差的能力。 AD4858具有串行外设接口(SPI)寄存器配置总线（0.9 V至5.25 V），并支持低压差分信号总线(LVDS)和互补金属氧化物半导体(CMOS)转换数据输出总线，可使用LVDS/CMOS引脚进行选择。可在CMOS模式下采用1至8条数据输出线路，使用户能够优化总线宽度和吞吐量。 AD4858的7.00 mm × 7.00 mm、64引脚球栅阵列(BGA)包括所有关键电源和基准电压源旁路电容，充分缩减了完整解决方案尺寸和元件数量，并降低了对应用印刷电路板(PCB)布局的敏感性。其工作温度范围为−40°C至+125°C的扩展工业温度范围。 图片来源：芯片框图，来源ADI
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亚德诺半导体 . 2025-10-27 1 400
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