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2V7002WT1G与VBK162K参数对比报告

N沟道小信号MOSFET参数对比分析报告一、产品概述 2V7002WT1G：安森美（onsemi）N沟道小信号MOSFET，耐压60V，低导通电阻，具备ESD保护（HBM 2kV），采用小型SC-70（SOT-323）封装。该型号符合AEC-Q101标准，适用于汽车及便携式电子产品的低侧开关、电平转换和DC-DC转换。 VBK162K： VBsemi N沟道60V小信号MOSFET，采用沟槽（Trench）工艺，具有低阈值电压和低输入电容，开关速度快。封装为SC-70（SOT-323）。适用于逻辑电平接口、继电器/螺线管驱动及电池供电系统。二、绝对最大额定值对比参数符号 2V7002WT1G VBK162K 单位漏-源电压 VDSS 60 60 V 栅-源电压 VGSS ±20 ±20 V 连续漏极电流 (Tc=25°C) ID 310 300 mA 脉冲漏极电流 IDM 1.4 800 mA 最大功率耗散 (Tc=25°C) PD 280 350 mW 沟道/结温 Tch/TJ 150 150 °C 存储温度范围 Tstg -55 ~ +150 -55 ~ +150 °C 雪崩能量（单脉冲） EAS 未提供未提供 mJ 源极电流（体二极管） IS 250 - mA 分析：两款器件的耐压与结温等级相同。2V7002WT1G 在脉冲电流能力上更强（1.4A vs 800mA），而 VBK162K 的最大功率耗散略高（350mW vs 280mW）。三、电特性参数对比 3.1 导通特性参数符号 2V7002WT1G VBK162K 单位漏-源击穿电压 V(BR)DSS 60 (最小) 60 (最小) V 栅极阈值电压 VGS(th) 1.0 ~ 2.5 1.0 ~ 未提供 (典型2.5) V 导通电阻 (VGS=10V， ID=500mA) RDS(on) 1.19典型/1.6最大 2 (典型) Ω 正向跨导 gfs 530 (典型) 100 (典型) mS 分析：2V7002WT1G 的导通电阻显著更低（最大1.6Ω vs 典型2Ω），意味着在相同电流下导通损耗更小。其跨导也更高，表明栅极电压对漏极电流的控制能力更强。 3.2 动态特性参数符号 2V7002WT1G VBK162K 单位输入电容 Ciss 24.5 (典型) 30 (最大) pF 输出电容 Coss 4.2 (典型) 6 (最大) pF 反向传输电容 Crss 2.2 (典型) 2.5 (最大) pF 总栅极电荷 (VGS=4.5V) Qg 0.7 (典型) 0.4~0.6 (典型) nC 分析：两款器件的电容和栅极电荷都非常小，适合高频开关应用。2V7002WT1G 的输入和输出电容典型值略低，而 VBK162K 的总栅极电荷范围在同等测试条件下可能稍低，栅极驱动需求极低。 3.3 开关时间参数符号 2V7002WT1G VBK162K 单位测试条件开通延迟时间 td(on) 12.2 (典型) 25 (典型) ns VGS=10V，条件不同上升时间 tr 9.0 (典型) - ns - 关断延迟时间 td(off) 55.8 (典型) 35 (典型) ns VGS=10V，条件不同下降时间 tf 29 (典型) - ns - 分析：由于测试电路条件（VDD， RG， ID）不同，开关时间参数无法直接等价比较。从数据看，2V7002WT1G 提供了更完整的开关参数，而 VBK162K 标称的“快速开关速度（25ns）”可能指代整体开关时间。四、体二极管特性参数符号 2V7002WT1G VBK162K 单位二极管正向压降 VSD 0.8典型/1.2最大 @ 200mA 1.3 (典型) @ 200mA V 反向恢复时间 trr 未提供未提供 ns 反向恢复电荷 Qrr 未提供未提供 μC 分析：2V7002WT1G 提供了体二极管正向压降的典型值和最大值，在200mA电流下最大为1.2V。VBK162K 仅提供了典型值1.3V。对于小信号应用，此参数主要用于续流或保护，两者差异不大。五、热特性参数符号 2V7002WT1G VBK162K 单位条件结-环境热阻 RθJA 450 (最大) 350 (最大) °C/W 稳态， FR4板 - - 375 (最大， t≤5s) - °C/W 瞬态分析：VBK162K 标称的稳态结到环境热阻更低（350°C/W vs 450°C/W），结合其稍高的功率耗散额定值，表明其在相似封装下的散热能力可能略有优势，但实际表现严重依赖PCB布局。六、总结与选型建议 2V7002WT1G (onsemi) 优势 VBK162K (VBsemi) 优势 ◆ 更低的导通电阻 (RDS(on))，导通损耗小 ◆ 更高的跨导 (gfs)，驱动效率高 ◆ 更高的脉冲电流能力 (1.4A) ◆ 提供完整的开关时间参数 ◆ AEC-Q101认证，适用于汽车电子 ◆ 标称热阻稍低，散热性能可能更优 ◆ 总栅极电荷可能更低，驱动更简单 ◆ 强调快速开关特性 ◆ 更具成本与供货优势 (作为替代型号) 选型建议选择 2V7002WT1G：当应用对导通损耗和电流能力有更高要求，特别是用于汽车电子或需要明确AEC-Q101认证时。其更优的导通特性和完整的参数描述适合对性能有精准要求的场景。选择 VBK162K：当应用更关注成本、供货稳定性，且对极低的栅极驱动电荷和快速开关有明确需求时。其作为一款性能均衡的通用型小信号MOSFET，在消费电子、逻辑驱动等场合是不错的替代选择。备注：本报告基于 2V7002WT1G（onsemi）和 VBK162K（VBsemi）官方数据手册内容生成。所有参数值均来源于原厂文档，部分参数因测试条件不同可能无法直接对比。实际设计选型请以最新官方数据手册和具体应用验证为准。

微碧

微碧半导体 . 50分钟前 147
人形机器人量产在即，40V-60V“黄金电压带”如何成为国产MOS管替代的加速引擎？

人形机器人快速迭代，行业关注点早已不再局限于 “实现基础运动”，而是聚焦动作精度、运行稳定性与量产落地能力。决定整机表现的核心，就藏在关节驱动 MOS管功率器件上。不少硬件工程师深有体会：关节MOS管选型最大的坑就是耐压乱配、参数错配。低压关节盲目上高压管，徒增成本与体积；高压重载关节误用低压器件，容易击穿宕机，带来严重可靠性风险。 40‑60V 是人形机器人关节驱动公认的黄金电压带，适配高低压两大主流供电体系。今天用合科泰两款MOS管，帮大家理清高低压关节选型逻辑！行业痛点人形机器人关节工况远比普通工控设备严苛，高频启停、瞬时堵转、快速换向、密闭散热差、动态负载波动大，这也让MOS管选型稍有不慎，就会出现各类问题：耐压错配，隐患极大：低压场景滥用高压器件，造成体积、成本冗余浪费；高压重载场景误用低压器件，浪涌冲击极易击穿芯片，导致整机宕机。功率密度不足：普通器件载流能力弱，需要多颗并联使用，占用大量PCB空间，阻碍机器人轻量化、小型化设计。抗冲击能力差：关节堵转、瞬间换向产生的大电流、浪涌电压，容易导致器件早衰、失效，降低机器人使用寿命。产品核心优势针对高低压两类关节的差异化需求，合科泰两款mos管形成完美互补，分别从“耐压精准匹配+高载流密度”和“高耐压冗余+强抗冲击”两个维度，精准对应上述三大痛点。 HKTD120N04（40V）：低压精密关节专用该型号的核心亮点是超低导通损耗，精准控温保精度。适配精密关节高频启停、低速调速工况，让机器人细微动作更平顺、精准。具备120A大载流能力，单颗器件即可应对瞬时峰值电流，无需多管并联，节省PCB空间，契合人形机器人轻量化设计趋势。产品参数一致性高、批量稳定性强，国产化供应链保障交期稳定，适配整机规模化量产。 HKTD80N06（60V）：高压重载核心关节专用该型号具有高耐压冗余、强抗冲击、优散热、高可靠核心优势。60V耐压为48V系统预留安全余量，可抵御浪涌电压。80A高连续载流能力，可充分满足大扭矩电机的持续驱动需求。更关键的是，它拥有高雪崩耐受能量，抗堵转、抗过载、抗浪涌能力拉满，从容应对重载关节的复杂工况，开关响应灵敏，重载运行无顿挫，兼顾高性能与量产稳定性。选型建议整机设计需严格遵循“低压配40V、高压配60V”的黄金选型逻辑。 HKTD120N04（40V）：适配手指、腕部、肘部、颈部等轻载关节，核心需求是高精度、低功耗、小体积。 HKTD80N06（60V）：适配肩部、髋部、膝盖等核心重载关节，核心需求是大扭矩、高稳定、强抗冲击。最后结语 40V–60V的电压区间，之所以被称为人形机器人关节驱动的黄金带，核心是精准适配行业主流供电架构、贴合真实工况、兼顾性能与量产。合科泰两款器件HKTD120N04与HKTD80N06，一低一高、一精一重，适配机器人全场景关节驱动需求，精准破解多个痛点。在人形机器人产业化爆发的当下，这套黄金搭配，将成为整机性能升级、降本量产的核心功率器件解决方案。

半导体

厂商投稿 . 51分钟前 168
市场 | 预估iPhone 18 Pro成本大增近40%，苹果或调整毛利策略以稳健出货

根据TrendForce集邦咨询最新手机产业研究，由于以存储器为首的零部件价格上涨，推升Apple（苹果）将发布的iPhone 18系列整机成本。以该系列的256GB版本BOM（物料清单）成本为例，预估年增幅度达38%左右，整机售价势必提高。为避免影响消费者购买意愿，Apple可能借由降低毛利的方式控制售价涨幅，以换取市占扩张。分析近两代iPhone Pro系列256GB的BOM成本，存储器占比从一年前约10%，至2026年第三季已快速成长至34%左右，预计至2027年上半年将突破40%，改变了过往由AP（应用处理器）、面板主导的局面。受存储器价格高涨影响，TrendForce集邦咨询预估第三季iPhone 18 Pro 256GB的成本将较2025年同期新机高出约38%；2027年因预估存储器价格维持上行，iPhone 18 Pro 256GB的成本涨幅可能进一步扩大。 TrendForce集邦咨询表示，参照近期MacBook新品的定价策略，Apple可能会以调整毛利率的方式压低iPhone 18 Pro系列的调价幅度，借此稳定出货量。此外，Apple也可能重新思考旧机型的定价机制，不排除待新机发布后同步上调旧机售价，以缓冲存储器涨势带来的影响。盈利表现优异的Apple尚且面临如此压力，Android（安卓）阵营所承受的毛利率考验将更为显著。若要在维持基本运营、避免陷入负毛利的前提下反映成本，其整机售价涨幅将比iPhone更加显著。其中，中低端机型市场因毛利率缓冲空间有限，面对2025年初至今累计五至七倍的存储器价格上涨，品牌只能大幅调价或限缩、停供已陷入负毛利的产品线。TrendForce集邦咨询预估，由于存储器成本维持上扬，2026年下半年至2027年全球智能手机产出规模将持续面临下修压力。

存储

TrendForce集邦咨询 . 19小时前 518
市场周讯 | Anthropic正在组建一支芯片团队；长鑫存储成为全球增长最快的DRAM厂商；宇树科技股票发行价150.8元/股

| 政策速览 1. 日本：2026年8月7日，日本内阁发布第254号政令，对原产于中国和韩国的热镀锌钢带和钢板征收临时反倾销税，措施自公告发布次日起生效，有效期至2026年12月7日。 2. 中国江苏：江苏省政府召开“6+6”产业（集成电路）高质量发展专题推进会。会议强调，要抢抓新一轮科技革命和产业变革的历史机遇，优化创新要素供给配置，坚持省市县三级联动、财政金融协同发力、有效市场有为政府更好结合，加大对基础材料、核心器件、前沿工艺、先进架构研发的支持力度，加速形成产业规模和集群效应。构建协同创新生态体系，整合高校、科研院所和企业建立产业联盟，着力打造高能级平台，提升产业话语权和影响力。健全人才“引、育、用、留”全链条政策体系，靶向引进高层次人才、领军人才，建设集成电路人才培养主阵地。分层分类培育壮大领军企业、细分赛道标杆企业，加大精准扶持力度，牵引带动产业能级整体跃升。 3. 国务院：国务院总理李强日前签署国务院令，公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》（以下简称《条例》），自2026年10月15日起施行。《条例》旨在保护集成电路布图设计专有权，鼓励集成电路技术创新，促进科学技术发展。《条例》共6章54条，修订的主要内容如下。一是明确总体要求。规定集成电路布图设计保护工作应当贯彻党和国家知识产权战略部署，扩展保护范围，强调诚实信用。二是完善申请、审查程序。规制虚假申请，细化材料要求，完善驳回、撤销程序，增加权利恢复程序。三是加强专有权保护。明确权利范围界定标准，加大侵权赔偿力度。四是促进布图设计运用。加强公共服务，明确奖酬措施，完善转让、许可、出质要求，规范共有人权利行使。 4. 国家能源局：国家能源局今日印发《电力安全生产“十五五”行动计划》，其中提到加大关键电力装备自主研发、推动电力芯片、特高压组部件等关键技术突破。 5. 中国&美国：7月28日，美国联邦通信委员会将外国生产的先进机器人设备和电力逆变器列入“覆盖清单”。7月31日，美国国土安全部宣布将43家中国实体列入所谓“维吾尔强迫劳动预防法实体清单”，相关进口产品将受到限制。针对美方上述做法，中国商务部等部门8月5日集中公布5项反制措施：对列入两用物项清单的无人机及其关键零部件、相关技术对美出口逐案从严审核；暂停中国强制性产品认证指定机构委托在美认证机构实施获证后工厂跟踪检查；将美国合规性测试公司列入反制清单；对装有外国系统软件的进口打印复印办公设备发起对外贸易国家安全调查；将应用DNA科学公司等6家美国实体列入反制清单。对上述7家美国实体，禁止中国境内组织、个人与其开展有关交易、合作。中国商务部表示，美方有关措施严重损害中方正当权益，中方反制总体上是克制的。中方敦促美方立即撤销有关措施，停止错误做法，回到通过协商合作解决分歧的轨道上来。 | 市场动态 6. WSTS：全球半导体销售额在 2026 年第 2 季度达到 4,033 亿美元，环比增幅达到 35.1%。如果从月度来看，2026 年 6 月的半导体销售额达到 1,344.5 亿美元（现汇率约合 9,093.43 亿元人民币），同比和环比增幅分别是 123.6% 和 9.7%。美洲在同比增幅方面居首，中国市场则录得最高环比增幅，所有细分区域市场在 6 月均实现同比和环比正增长。 7. 洛图科技：2026年上半年，中国运动相机市场在线上全渠道的销量为311.9万台，销额为82.0亿元，同比增幅双双超过90%。市场的增长动力由专业户外拍摄转向全民日常短视频创作。大疆、影石形成双寡头主导的品牌格局，合计占据了线上市场89.4%的销量和97.9%的销额，低端杂牌持续出清。 8. 海关总署：中国7月集成电路出口金额达387.4亿美元，1至7月累计出口金额达2160亿美元，同比增长99.5%。中国7月稀土出口4223.5吨，1-7月稀土出口34706.3吨，同比下降10%。 9. Sigmaintell：2026年上半年全球主流DRAM厂商合计营收达到2841亿美元，同比增幅超300%，各存储厂商在产能策略、产品结构、技术代际方面的差异化路线决定了厂商上半年的经营表现，也为下半年行业走势奠定了核心基调。 10. Counterpoint：三星在2026年第二季度以39%的市场份额重返全球DRAM市场第一，市场份额恢复至2024年水平。相比之下，尽管SK海力士的季度营收同比增长高达214%，但其市场份额由2025年第二季度的39%降至2026年第二季度的26%。美光以25%的市场份额几乎与SK海力士争夺第二的位置。除此之外，长鑫存储同比增长716%，南亚科技同比增长690%。长鑫存储成为全球增长最快的DRAM厂商，主要受益于中国市场传统DRAM需求旺盛及产能持续扩张；南亚科技则受益于DDR及LPDDR4/5产品供需改善。 11. Omdia：2026 年第 2 季度全球平板电脑出货量为 3556.6 万台，同比下降 10%。苹果在 2026 年第 2 季度仍居全球平板电脑市场首位，出货量为 1345.9 万台，同比下降 7.5%，市场份额为 37.8%，相比较 2025 年同期增加 1 个百分点。其次是三星、联想、小米。 | 上游厂商动态 12. AMD：AMD宣布已达成协议收购位于多伦多的初创公司Taalas。Taalas是一家生产推理芯片的公司，其加速器是定制的，或针对特定人工智能模型进行硬编码，而非通用型芯片。 13. 盛群：因晶圆及封装成本持续攀升，2026年9月1日起，盛群对在售产品进行价格调整，依产品线不同涨幅调整幅度为10%~20%起。由于交期约需6至8个月，预计最快明年第一季开始反映在营收表现上。 14. 松翰：由于上游存储器及相关零组件成本持续上涨，公司已陆续调高产品售价。由于上游存储器及相关零组件成本持续上涨，公司已陆续调高产品售价。 15. 豪威：豪威正式成为此前就已经控股的兴豪通信技术（浙江）有限公司的最大股东。兴豪通信专注射频前端芯片设计，核心产品包括 LNA 低噪声放大器、 Switch 射频开关、Tuner 调谐器等，采用 RF-SOI 工艺，具备芯片量产交付能力。 16. 瑞萨：瑞萨计划在未来两到三年内逐步关闭位于日本群马县高崎的6英寸晶圆工厂，并将该工厂逐步转型为研发基地。这意味着，这座承担了多年模拟芯片和功率器件生产任务的工厂，将结束晶圆制造的历史。 17. SK海力士&闪迪：SK海力士宣布联手闪迪共同发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF）的首个标准规范。HBF是介于HBM和固态硬盘之间的新型存储层级，不仅具备与HBM类似的高速数据传输能力，还可基于NAND闪存大幅提升容量。在AI推理普及、数据处理需求激增的背景下，其高带宽与可扩展容量特性优势备受瞩目。 18. SK集团：SK集团宣布以约2.3万亿韩元（约109亿元人民币）的价格，将其持有的SK siltron 70.6%股权出售给斗山集团。SK siltron是全球第三大12英寸硅晶圆供应商，1983年成立，2017年加入SK集团。 19. 恩智浦：恩智浦半导体公司正在洽谈收购另一家汽车芯片供应商安霸公司。 20. SK海力士：SK海力士将在韩国龙仁和清州新建晶圆厂，以应对AI时代持续增长的存储器需求。当天，公司董事会决议通过，在龙仁“Y2”和清州“M17”晶圆厂建设项目中分别投资35.2万亿韩元和19.1万亿韩元，合计投资约54万亿韩元（约384亿美元）。 21. 台积电：台积电3纳米制程产能有望较原先预期提前2至3个月扩张，预计在今年第四季度初，将把3纳米制程每月投片量提升至18万片。在2纳米制程方面，2026年上半年每月投片量约为5万至6万片，预计到第4季初将增至8万片以上，年底前则有望接近10万片。 22. 诺基亚：诺基亚收购恩智浦位于美国亚利桑那州钱德勒市的半导体工厂，计划将其改造成磷化铟（InP）半导体生产线，提升光通信零部件制造能力。 23. 南亚科：南亚科宣布，将今年资本支出由原定的520亿新台币（约合108亿元）提高至697亿新台币（约合145亿元）。5A新厂预计四年内投入3466亿新台币（约合725亿元），目标将第一阶段月投片产能提升至3万5900片，并导入EUV光刻机，作为下一代DRAM制程的重要生产基地。 24. 锴威特：锴威特发布发行股份及现金支付购买资产并配套募集资金交易草案。锴威特收购晶艺半导体100%股权的交易价格正式确定为16.5亿元。 25. 环球晶：公司既有12吋、8吋及6吋硅片产线几乎全面满载。公司正与多家客户洽谈新长约，范围不只涵盖存储，也延伸至逻辑、先进制程及特殊晶圆硅片。 26. 世界先进：AI服务器电源管理晶圆需求持续增长，预估三季度晶圆出货量环比增1%至3%、平均销售单价（ASP）环比增增2%至4%，产能利用率则将进一步升至约90%；不过，部分瓶颈设备已面临产能限制，也压缩出货量进一步成长的空间。 27. 三星电子：三星电子旗下Foundry（晶圆代工）业务部门预计将在今年下半年内实现100%的产能利用率。目前，该业务的利用率估计在70%至80%之间。 | 应用端动态 28. 苹果：传台积电为了应对苹果A20 Pro处理器的需求，正在全力拉升2nm产能，但是因为DRAM短缺，堆积了价值10亿美元的苹果处理器，需要等待DRAM到货后才能完成最后的封装。 29. Anthropic：Anthropic正在组建一支团队，以设计其自有的人工智能芯片，原因是其模型的需求量正急剧攀升。 30. 宇树科技：公司首次公开发行股票并在科创板上市，发行价格为 150.80 元 / 股。本次发行数量为 4044.6434 万股，占发行后总股本 10%。 31. 特斯拉：SpaceX 宣布将与特斯拉首期投入 168 亿美元（1,136.05 亿元人民币），在美国得克萨斯州格赖姆斯县建设 Terafab 先进 AI 芯片制造基地。

半导体

芯查查资讯 . 22小时前 777
企业 | Wolfspeed 与光宝科技携手合作 800 VDC 电源解决方案，支持超大规模 AI 数据中心部署

2026 年 8 月 10 日，美国北卡罗来纳州达勒姆市、中国上海市 — 全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. 公司（纽约证券交易所代码：WOLF）与领先的人工智能 (AI) 电源解决方案提供商光宝科技股份有限公司 (LITEON Technology Corporation) 宣布达成战略合作，Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 技术在光宝科技 (LITEON) 800VDC sidecar 及计算机架电源供应单元 (PSU) 等平台成功完成适配。上述平台专为支持超大规模数据中心客户的下一代人工智能 (AI) 数据中心而设计，并有望在多家云服务提供商 (Cloud Service Provider, CSP) 平台及未来部署中获得更广泛采用。人工智能 (AI) 驱动的增长正在加速行业向 800 VDC 电源架构的转型。数据中心在电源供应单元 (Power Supply Units, PSUs) 和电池备份单元 (Battery Backup Units, BBUs) 等关键应用中，越来越重视效率、功率密度、可扩展性及总系统成本。Wolfspeed 碳化硅 (SiC) MOSFET 产品能够在宽范围工作条件下实现更高效的电力传输，帮助电源系统设计人员在最大化效率的同时，降低物料清单 (BOM) 成本并简化采购流程。光宝科技 (LITEON) 正与 Wolfspeed 合作，凭借 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 技术及 200mm 碳化硅 (SiC) 制造平台，以支持超大规模人工智能 (AI) 基础设施的部署。此次合作体现了两家公司致力于提供高度可靠的 800 VDC 电源解决方案的承诺，这些解决方案可快速实现规模化部署，同时满足下一代人工智能 (AI) 数据中心严苛的性能和耐久性要求。 Wolfspeed 首席执行官 Robert Feurle 表示：“我们与光宝科技 (LITEON) 的合作展示了 Wolfspeed 凭借先进的碳化硅 (SiC) 技术和稳固、可扩展的供应链，致力于支持快速增长的人工智能 (AI) 数据中心市场的承诺。随着超大规模客户加速对人工智能 (AI) 基础设施的投资，Wolfspeed 在支持行业向更高效率电源架构转型方面具有独特的优势。” 光宝科技 (LITEON) 云端基础设施平台与解决方案事业群总经理 John Chang 表示：“将 Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 技术融入到我们的 800V VDC 电源架构中，增强了光宝科技 (LITEON) 满足下一代人工智能 (AI) 基础设施在性能、效率和可靠性方面要求的能力。随着人工智能 (AI) 基础设施需求的持续加速，此次合作进一步强化了我们支持下一代数据中心平台的能力。”

AI数据中心

芯查查资讯 . 23小时前 665
产品 | 意法半导体推出新型电隔离栅极驱动器，借助先进隔离技术简化电源设计

2026年8月7日，中国——意法半导体（STMicroelectronics）扩展了 STGAP3S 栅极驱动器系列，该系列采用增强型电隔离设计，提升可靠性；此次推出的是一款高效且经济的 3A 驱动能力产品，适用于需要较低驱动电流的电路。新产品 STGAP3S3S 针对碳化硅（SiC）MOSFET 进行了优化，而 STGAP3S3IF 则适用于 IGBT。所有 STGAP3S 驱动器均可在高达 1200V 的高压母线电路中工作，适用于功率因数校正（PFC）、电源、DC/DC 转换器和逆变器等应用。包括 UL 1577 和 IEC 60747-17 在内的国际安全与绝缘认证，独立验证了其强隔离性能、安全运行能力以及在高电压下长期可靠的表现。典型应用包括充电站、储能系统（ESS）、太阳能逆变器、叉车等工业电动车、感应加热设备，以及通用驱动、泵和风机等。意法半导体先进的加强绝缘隔离技术可保护功率级电路免受高达 9.6kV 的瞬态干扰，并确保高达 200V/ns 的共模瞬态抗扰度（CMTI）。该系列包含三种驱动能力版本，分别可提供最高 10A、6A 和新增加的 3A 灌/拉电流能力，每种版本均配有针对 IGBT 和碳化硅 MOSFET 优化的型号。全新的 STGAP3S3 系列具有 3A 驱动能力，集成主动米勒钳位功能，包括钳位 MOSFET，可防止功率开关发生不希望的感应导通，从而避免直通电流。集成 MOSFET 可节省 PCB 空间、简化电路设计并降低物料清单成本，同时在高达 3A 的栅极驱动条件下仍能提供合适的钳位性能。6A 的 STGAP3S6 和 10A 的 STGAP3SX 系列则内置用于外部 MOSFET 的预驱动器，可在高栅极驱动电流系统中为钳位速度优化提供更大的灵活性。所有 STGAP3S 驱动器都具备去饱和检测和软关断功能，以确保电压和电流的受控转换，从而在危险的过载或短路情况下保护功率开关。6A 和 10A 驱动器，以及面向 SiC MOSFET 的新款 3A 驱动器，允许设计人员连接外部电阻，以优化软关断速度。所有器件都配有诊断引脚，可指示去饱和保护、欠压锁定（UVLO）和过热关断是否处于激活状态。驱动器支持负栅极电压，可进一步增强对误导通的抑制，在故障关断期间保护器件，并确保在正常关断过程中实现稳健开关且无振铃。每款 STGAP3S 驱动器都提供评估板，包括最新的 3A 型号。这两款评估板 EVLSTGAP3S3S 和 EVLSTGAP3S3IF 均为半桥板，已预先配置好保护功能，并提供测试点和诊断 LED 以辅助开发。完整的 STGAP3S 系列现已量产，可用于驱动 IGBT 和 SiC MOSFET，包括 STGAP3S3、STGAP3S6 和 STGAP3SX 系列。该系列器件采用 SO16W 宽体封装。

栅极驱动器

芯查查资讯 . 23小时前 651
产品 | 芯科科技推出其功耗最低的低功耗蓝牙SoC产品BG2B

中国，北京 – 2026年8月4日 – 低功耗无线解决方案创新性领导厂商Silicon Labs（亦称“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）今日宣布推出全新BG2B芯片，该产品是基于第二代无线开发平台打造的下一代低功耗蓝牙TM（Bluetooth® Low Energy）无线片上系统（SoC）。该芯片旨在通过提供业界优异的能效、安全性与集成度组合，帮助开发人员构建更小巧、更安全且续航更持久的电池供电物联网（IoT）设备。随着低功耗蓝牙应用日益复杂，开发人员面临着一项挑战：在满足当今无线物联网设备对电池续航和紧凑设计要求的同时，还要增加安全测距、位置感知、先进安全功能以及集成更丰富的外设等功能，BG2B通过芯科科技最低功耗的蓝牙架构满足了这些需求。该架构在单一高度集成的平台上集成了完整的蓝牙TM信道探测功能、Secure Vault™ High安全性以及包括CAN-FD、LED驱动器和双通道模数转换器（ADC）在内的集成外设。 BG2B专为安全测距、资产追踪、电子货架标签（ESL）、智能家居、工业监控和车辆诊断等应用而设计，可帮助开发人员延长电池续航时间，同时满足日趋严苛的低功耗蓝牙应用需求。芯科科技高级副总裁兼首席技术官Daniel Cooley表示：“低功耗蓝牙技术正从基础连接功能扩展至安全测距、接近感知和位置感知体验，而客户仍然需要具有低功耗、小尺寸和高性价比的产品，这些正是使蓝牙成为电池供电物联网基础的原因。BG2B将这些需求整合到一个平台中，结合了我们迄今为止最低功耗的低功耗蓝牙架构、先进的信道探测功能、Secure Vault High安全技术以及集成外设，帮助客户以更少的外部组件构建出功能更强大、更互联的产品。” 超低功耗蓝牙的新标准随着产品不断增加更多传感、智能和无线功能，电池续航时间仍然是电池供电物联网设备面临的最大挑战之一。BG2B采用双通道输出DC-DC电源架构和多核设计，显著提升了在主动模式、接收模式和睡眠模式下的能效。 BG2B是芯科科技产品组合中功耗最低的低功耗蓝牙器件，与芯科科技此前功耗最低的低功耗蓝牙SoC相比，其MCU工作电流降低了14%–15%，更低的蓝牙接收电流，且在保持RAM数据的同时，EM2睡眠电流仅为1.1 µA，从而为无线传感器、资产标签、智能门锁、遥控器、可穿戴设备和电子货架标签等处于休眠状态的产品提供了更长的电池续航时间。增强的信道探测功能和扩展的外设对于当前正在构建位置感知产品的开发人员而言，BG2B支持先进的蓝牙信道探测功能，包括模式3、归一化攻击检测指标（NADM）和内联相位校正项（Inline PCT）。BG2B设计旨在满足苹果和谷歌的蓝牙信道探测规范，帮助开发人员构建可在业界领先的移动生态系统中互操作的产品，并得到了芯科科技完整的信道探测开发解决方案的支持，其中包括免版税的测距算法库、软件、工具和工程支持。与芯科科技此前推出的信道探测解决方案相比，BG2B通过缩短信道探测步进时间、降低工作电流以及低功耗蓝牙接收电流，实现了每次测距操作的能耗进一步降低。此外，BG2B集成了丰富的外设功能，能够简化系统设计，同时降低物料清单（BOM）成本并减少PCB占用面积。该SoC将低功耗蓝牙与集成的CAN-FD相结合，无需额外的蓝牙桥接设备，即可为商用车辆、车队管理、工业设备及维护应用提供无线诊断和监控功能。集成的LED升压和4通道LED灌电流消除了对外部LED驱动电路的需求，使BG2B非常适合用于电子货架标签、智能零售设备以及需要使用RGBW LED进行状态指示的电池供电产品。其他集成功能还包括双通道12位ADC，可实现同时进行模拟采样；可变电阻负载（VRL），用于更精确地评估电池健康状况；扩展的内存和丰富的通信外设，帮助开发人员构建功能更强大的物联网设备，同时减少外部组件的使用。为未来的安全需求而设计随着联网设备面临日益严格的网络安全要求，BG2B集成了芯科科技的Secure Vault™安全技术，以保护设备身份、固件、加密密钥和敏感数据。 BG2B专为支持PSA 3级合规性而设计，可帮助制造商应对不断演变的安全要求，例如欧盟《网络韧性法案》等。此外，结合芯科科技的定制化元件制造服务（CPMS），开发人员可以在制造过程中为设备安全地配置唯一标识、证书和加密凭证。供货 BG2B SoC目前可通过早期客户参与计划获取。首批量产硬件（包括模块）计划于2027年推出。

低功耗蓝牙

芯查查资讯 . 23小时前 525
技术 | 欧洲力推Chiplet芯粒开放架构与UCIe异构集成以加速其汽车产业生态智能化进程

欧洲拥有全球领先的汽车产业集群和成熟的汽车芯片产业，但是当汽车业从设计生产高性能汽车转向开发智能化汽车时，欧洲的汽车产业链开始感受到了巨大的压力。在车用芯片领域，虽然欧洲依然在车用模拟芯片（IC）、微控制器（MCU）、车规级安全芯片、MEMS传感器和宽禁带半导体器件和模组等领域保持领先，但欧洲在汽车智能化芯片方面的竞争力还需快速提高。在美国，英伟达、高通和德州仪器等公司在高算力智驾、智能座舱SoC和ADAS芯片领域持续拉高门槛；日本有瑞萨这样的半导体巨头牢牢卡住车规ADAS芯片和控制器的基本盘；中国独立智驾芯片设计公司和车企则在自研智驾芯片上不断加码，而且各个车企都在加速推动智驾平民化。而整车工业体量全球领先的欧洲，核心车用算力芯片却高度依赖外部供应。汽车智能化势不可挡，因此与智能驾驶和智能座舱相关的芯片在决定未来汽车电子电气架构（EEA，Electrical/Electronic Architecture）方面起着至关重要的作用。在各国各地都在推动半导体产业战略自主的今天，欧洲汽车芯片项目CHASSIS应运而生，它是一项由欧盟Chips联合委员会（Chips JU，Chips Joint Undertaking）资助的三年期研究计划，核心重点是推动‌软件定义汽车，以及‌构建安全、可扩展和开放的芯粒（Chiplet）生态系统‌。 CHASSIS是一个什么项目？ CHASSIS（Chiplet-based Hardware Architectures for Software-Defined Vehicles）是一项为期三年的欧洲联合研究计划，由博世（Bosch）牵头协调，共有18家欧洲厂商和机构共同参与，覆盖整车厂（OEM）、一级供应商（Tier-1）、半导体公司、EDA工具商、硅知识产权（IP）提供商、软件企业与研究机构。项目资金来自欧盟Chips JU，并由法、德、荷、比等参与国提供配套资金支持。参与方包括宝马（BMW）、雷诺（Renault）/安培（Ampere）、斯特兰蒂斯（Stellantis）三家欧洲头部整车企业，一级供应商法雷奥（Valeo），芯片企业包括英飞凌（Infineon）、恩智浦（NXP）、Tenstorrent、Axelera AI，EDA工具和IP包括西门子EDA（Siemens EDA）和Imagination Technologies，研究机构则包括欧洲微电子中心（IMEC）、德国科学院（Fraunhofer）和CEA等。项目于2025年底正式启动，核心交付物之一便是采用5nm工艺制造的汽车基础芯粒（Automotive Base Die，ABD），也就是通过芯粒（Chiplet）这种新的开放架构，打造出一颗符合通用芯粒高速互连（UCIe）标准、覆盖智能汽车核心功能的“基础芯粒”，并能灵活地面向不同车型和应用，与其他来自不同供应商的芯粒进行合封，从而可以让不同的整车厂和Tier-1厂商根据自己需求打造所需的智能车用芯片。该ABD基础芯粒异构集成了获得功能安全认证的图形处理器（GPU）、视频处理流水线与互连基础设施，目的是支持车载摄像头系统（ADAS、环视、信息娱乐）和多路高分辨率视频流，以及智能座舱越来越多的显示屏幕和算力需求，确保图形处理符合汽车级安全标准，并满足内存带宽优化和低延迟要求。该ABD基础芯粒还作为中央通信枢纽，通过UCIe互连标准将来自不同供应商的CPU、AI加速器、安全岛、域控制器逻辑芯粒连接在一起，使用户能够采用先进封装技术将其他支持UCIe连接的芯粒快速集成。功能安全GPU是ABD的核心组件之一 2026年6月，领先的GPU IP厂商Imagination宣布其DXS GPU IP被选中集成进入CHASSIS项目的ABD基础芯粒，成为该主芯粒的功能安全GPU单元。 DXS GPU IP于2024年9月推出，当年底获得SGS-TÜV Saar颁发的ISO 26262 ASIL-B认证。该IP提供单核至四核灵活配置，1GHz主频下像素填充率覆盖8~196 GPixel/s，算力从1 TOPS扩展至24 TOPS，可灵活匹配不同车型需求。相比上一代汽车GPU，DXS峰值性能提升50%。但图形提升只是一部分，计算能力的跃升更为突出：DXS较上一代BXS面积增大50%，叠加FP16双速率计算带来的2倍提升，再配合计算SDK优化的3~4倍加速，在计算机视觉、驾驶员监测、雷达数据预处理等场景下，性能可达前代10倍。参数之外，DXS真正拉开差距的创新有四点：第一，分布式安全机制（DSM）。其专利Safety Pairs技术不同于传统“双核锁步”（面积翻倍）或“工作负载重复执行”（性能折半），而是利用GPU的大规模并行性与线程冗余，将线程成对组合，在空闲周期注入安全测试，在ISO 26262规定时限内完成故障检测。DSM在达成ASIL-B的同时，面积开销与性能损耗均显著降低。这正是DXS入选ABD基础芯粒的关键原因——该芯粒在5nm工艺上面临极为紧张的面积与功耗预算，若GPU为功能安全牺牲一半性能或翻倍面积，系统可行性将大打折扣。第二，原生支持Chiplet架构。DXS多核架构支持两核、三核与四核配置，内核间通过总线互联并支持硬件隔离，无需额外桥接逻辑或封装改造，即可作为高性能GPU单元集成进入ABD基础芯粒。第三，硬件虚拟化赋能软件定义汽车。HyperLane技术让单颗DXS同时运行最多八个操作系统实例，通过完整内存隔离实现多任务安全拆分。在一颗支持Chiplet的软件定义汽车智能芯片中，同一颗DXS既可支持QNX上运行ASIL-B仪表盘渲染，又可承载Linux上的3D导航界面，还能抽调部分计算单元用于ADAS视觉预处理——三套任务功能安全等级、操作系统、实时性要求各异，HyperLane硬件隔离即可轻松应对。第四，开放的软件栈。DXS支持OpenGL ES、Vulkan、OpenCL等API，计算方面采用将优化后端延伸至上游主流框架的策略，使开发者通过ONNX、PyTorch、llama.cpp等常用框架即可直接获得加速，提升GPU利用率。Imagination的路线清晰：标准化API、开放生态、不做绑定。由此可见，在ABD基础芯粒架构中，GPU绝非“锦上添花”的选配。软件定义汽车的人机交互入口——仪表盘、中控屏、HUD到后排娱乐系统——全是图形密集型场景。随着Unity/Unreal引擎进入车载领域，3D车控、实时导航渲染、游戏级座舱体验正成为差异化卖点，这些仅靠CPU难以高效支撑，必须搭配具备功能安全等级的GPU。重构欧洲战略产业优势如果单从Imagination被选中进入ABD基础芯粒这一新闻来看，这只不过是CHASSIS项目向前推进的又一个里程碑。但6月3日，欧盟委员会正式提出《芯片法案2.0》立法提案，首次明确将汽车SoC纳入战略级扶持方向，且该法案明确指向以Chiplet替代单片集成，从而走出与美国、日本和中国芯片企业多数选择的大型平面智能SoC不同的道路。 CHASSIS项目与芯片法案2.0的叠加，就是欧洲的回应：欧洲不仅需要加速其半导体产业从传统优势领域迈向智能时代，同时也要支持其有着一百多年造车历史的汽车业抓住智能化的发展机遇。于是，CHASSIS使欧洲的汽车业成为软件定义汽车这波浪潮中的创新主体群落之一，体量足够大的汽车智能化芯片需求成为欧洲芯片行业新产品的应用场景。在技术路径上，Chiplet架构、基于UCIe的异构集成和先进封装技术成为欧洲下一步推动芯片产业发展的方向，这不仅可以帮助本土厂商在竞争中对抗其他区域领先厂商推出的大型先进工艺SoC，而且还可以让欧洲已有的半导体产业和汽车电子行业发挥自己的优势，并给这些领域内的厂商提供更多样化的创新空间和合作机会。在市场及应用方面，CHASSIS项目通过软件定义汽车与Chiplet架构等新型模式，改变了传统产业协同方式，从而更充分地发挥各参与主体的竞争优势。例如，随着ABD基础芯粒在未来完成流片、互操作验证及功能安全验证，一旦该基础芯粒与其他供应商的芯粒实现互联互通并完成先进封装集成，将拓宽DXS GPU IP在车载领域的落地场景与授权范围，从而被更多车用芯片所采用，推动其进入加速发展的轨道。

Chiplet

芯查查资讯 . 昨天 427
人形机器人关节“卡顿”要点：六管BLDC驱动桥MOS管如何影响运动质感？

人形机器人从“能动”走向“能稳”，关节驱动的硬件底子正在成为分水岭。同样的控制算法，在不同整机上的运动表现却天差地别——流畅与抖动的差距，往往不在代码层，而在于六管BLDC驱动桥中6颗MOS管的一致性、损耗特性和抗冲击能力。一、关节驱动MOS管：三个容易被低估的硬指标人形机器人关节工况具有高频启停、变负载、瞬时堵转等特点，对BLDC驱动桥MOS管的要求远高于传统工业电机驱动。行业普遍存在的三类问题，归根结底指向三个核心参数：导通电阻与热管理。关节持续工作时，MOS管导通损耗是发热的主要来源。RDS(on)每升高1mΩ，相同工况下导通损耗增加约30%，直接影响驱动效率与整机续航。发热累积若突破散热设计边界，将触发过热保护或导致器件寿命衰减。栅极电荷与动态损耗。高频PWM调制下，开关损耗与成正比。传统MOS管偏高，在频繁调速场景中动态损耗占比迅速上升，进一步拉低驱动效率。雪崩耐量与堵转鲁棒性。机器人运动中的电压尖峰和瞬时堵转电流，对MOS管雪崩击穿能量(EAS)提出明确要求。抗雪崩能力不足的器件，在长期运行中易出现参数漂移或突发失效，影响伺服控制精度和运动一致性。二、合科泰两款MOS管的技术定位与选型逻辑针对上述痛点，合科泰基于六管BLDC驱动桥架构，推出两款面向不同负载场景的MOS管方案，已在多家整机厂进入批量验证阶段。 HKTD80N03：中轻载关节的均衡型选择该型号核心优势在于参数一致性的批量管控。六管BLDC驱动桥要求六路MOS管对称工作，参数离散性过大会导致相电流不平衡，进而引发转矩脉动和异常振动。HKTD80N03在量产批次间保持较低的参数偏差，同时具备良好的雪崩耐受能力，可覆盖手臂、小腿等常规运动关节的日常工况，兼顾性能与量产成本。 HKTD100N03：重载关节的低损耗标杆该型号聚焦降低导通损耗与发热功耗，适用于肩、髋、大腿等长时间高负载作业的承重关节。器件在电流余量和散热性能上留有充分裕度，抗过载、抗击穿能力强化，可应对负重冲击和突发堵转场景，有助于提升关节伺服持续工作效率并延长整机续航。三、场景化选型参考基于不同关节的功率等级与工况特征，可参考以下选型路径：手臂、小腿等常规运动关节：HKTD80N03，适配高频启停与变频调速场景；肩、髋、大腿等重载承重关节：HKTD100N03，适配长时间高负载作业场景。批量选型阶段，建议预留1.2~1.5倍电压电流余量，并结合整机散热结构匹配对应封装，同时优化驱动芯片外围电路设计，以提升驱动系统整体稳定性与兼容性。四、行业视角人形机器人从原型验证走向规模化量产，硬件的可制造性、一致性和成本结构正在成为核心竞争要素。六管BLDC驱动桥作为关节动力单元的关键环节，MOS管选型直接影响运动质感、整机可靠性与单台BOM成本。合科泰国产MOS管在参数一致性、损耗控制和抗冲击能力上的持续优化，为整机厂商提供了一条可落地的国产替代路径，也为人形机器人关节驱动硬件的标准化提供了参考样本。

厂商投稿 . 昨天 266
HKT合科泰多线并进：南充封测基地摘“一级能效”，电阻产线闭环，政企共研国产化攻关

成功往往是长久的努力，半导体的竞争更在于对每道工序的耐心打磨。近期，HKT合科泰集团在绿色智造、产能建设及产业协同方面迎来多项实质性进展。绿色标杆：顺芯半导体一级能效站房挂牌作为合科泰集团位于南充高新区的半导体封测生产基地，四川顺芯半导体科技有限公司近日正式通过一级能效站房认证。该项目依据《压缩空气站能效分级指南》对站房进行系统性优化，经严格检测，综合能效达到行业最高一级标准。此举不仅是企业对“双碳”目标的切实落地，也为川内半导体及高端制造行业的节能改造提供了具备实操价值的参考样本。产能闭环：安昊电子电镀线正式开线产能建设方面，合科泰集团旗下安昊电子全自动电镀生产线已于近期正式开线投产。该产线的落地，标志着合科泰电阻产品已完成从前端制造到后端电镀的全流程自主构建，品质管控贯穿全链条，实现了关键制程的自主可控，进一步夯实了供应链韧性。产业协同：顺庆区人大调研组深入顺芯调研此外，南充市顺庆区人大调研组近日走进HKT合科泰顺芯生产基地，实地走访了固晶焊线、塑封等核心车间，重点听取了企业在突破关键技术壁垒、自主研发高端功率器件方面的汇报。调研组鼓励企业紧盯产业需求与技术前沿，持续加码研发投入，加速技术优势向产品与市场优势转化。这三大动态分别对应了合科泰在绿色制造、产能闭环与政产协同上的布局，后续小编将持续关注其在功率器件及分立器件领域的国产化替代进展。

半导体

厂商投稿 . 昨天 329
瑞萨电子将携多款具身智能机器人解决方案，首次亮相2026中国具身智能机器人产业大会

瑞萨电子宣布，将携多款面向具身智能、工业机器人、服务机器人及AI开发平台的先进解决方案，首次亮相中国具身智能机器人产业大会暨展览会（以下简称：EAI Show）。本届EAI Show将于2026年8月12日至14日在上海新国际博览中心举行，瑞萨展位号为N3 Hall, 3B230。随着人工智能技术加速向物理世界延伸，边缘智能与物理AI正成为瑞萨长期增长的重要机遇，其中人形机器人市场展现出广阔发展潜力。人形机器人并非单一产品，而是由“大脑/感知、传感、执行及电源管理”等多个互联子系统构成的复杂系统。依托在嵌入式处理、模拟、电源及连接领域的专业知识，瑞萨已在该市场建立坚实切入点，并将通过覆盖“感知、控制、通信与电源管理”全链路的半导体解决方案，以及Renesas 365软件平台，帮助客户加速机器人系统开发与生态应用落地。围绕具身智能机器人对高性能计算、实时控制、精准感知与可靠连接的需求，瑞萨将在本次展会上展示多项面向机器人应用的解决方案，包括：传感器融合灵巧手解决方案该方案面向智能机器人与边缘AI应用，融合视觉、触觉与力觉等多模态感知能力，支持物体识别、受力判断与自适应抓取控制。通过本地AI推理、精准传感反馈与运动控制协同，该方案有助于提升灵巧手在复杂场景下的操作稳定性、安全性与交互体验。方案整合瑞萨RZ/V2H处理器、传感器信号调节器RAA2S4251、触控感知（电容式传感器）RAA2S4704等硬件，并结合Renesas 365软件平台，覆盖从设计、开发、部署到管理、监控及OTA更新的完整流程，体现瑞萨从硬件到软件的一站式解决方案能力。机器人关节解决方案该方案面向具身机器人关键部件之一的机器人关节，基于瑞萨高性能RA8T2微控制器，支持EtherCAT工业以太网、BLDC电机驱动及高精度位置传感等应用，并提供电机控制算法、紧凑的电路设计和包括源代码的全套设计资料，帮助客户加速机器人关节系统开发。 RZ/T2H 9轴电机控制解决方案该方案基于瑞萨面向工业应用打造的电机控制与主从多协议工业网络专用微处理器（MPU）RZ/T2H，凭借强大的应用处理能力和实时性能，可实现高达9轴电机的高速、高精度控制，并在单芯片上支持包括工业以太网在内的多种网络主从通信。永磁同步马达控制解决方案该方案基于瑞萨RA8T2平台，支持永磁同步电机（24V）、增量编码器和EtherCAT从站（Beckhoff SSC生成），并提供完整硬件设计资料、用户指南和例程代码，便于客户快速评估和开发RA8T2工业直流伺服电机控制系统。机器人关节编码器该方案基于瑞萨RAA2P3226双路电涡流位置传感器，专为机器人关节应用设计，可同时检测电机端与减速机端位置。与传统光学或磁性编码器相比，该方案无需磁铁，具备抗杂散磁场干扰、可靠性高、设计灵活和高性价比等优势，有助于提升机器人关节位置检测的精度与稳定性。展会期间，瑞萨技术专家将在现场介绍更多展品亮点与应用场景，并为参展观众提供技术咨询与交流。欢迎莅临瑞萨展位，了解更多面向具身智能机器人应用的先进解决方案。

瑞萨电子 . 昨天 1 1 287
大联大诠鼎集团携手Infineon以固态变压器重构配电效率新标杆

大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手英飞凌（Infineon）举办“Infineon SST技术与应用解析”线上研讨会。本次研讨会围绕固态变压器（SST）的设计与应用，重点介绍英飞凌的功率器件如何提升系统效率、简化级联设计，推动SST在数据中心、储能及电动汽车充电等场景中的落地。随着AI数据中心的电力需求迈向千兆瓦级别，以及电网规模储能和高效电动汽车充电需求的激增，传统工频变压器在效率和空间上已面临瓶颈。SST作为一种新型电能转换设备，通过电力电子技术将电气隔离、电压变换、无功补偿等功能集于一身，不仅能够将系统效率提升至少1%，更能减少30%以上的空间占用与重量，同时具备更快的响应速度和更灵活的模块化扩展能力，能够极大简化电能变换链路，提升整体能源利用效率。 SST的一个主要应用场景是数据中心。大联大诠鼎集团产品经理陈外华表示，从早期UPS供电，到HVDC主导阶段、巴拿马电源集成优化，再到如今SST，随着供电架构持续演进，供电效率与系统集成度也不断提升。作为“能源路由器”，SST不仅具备中压侧高频隔离的直流或交流接口，支持局部自治的单向或双向潮流，还集成电能管理、能源管理与故障管理能力，可实现多种发电、储能及用电单元之间的灵活电力交互。从拓扑层面来讲，SST主要可以分为两电平架构和三电平架构。整体由高压整流级、隔离变换级和低压逆变级三部分构成。其中高压整流级多采用级联H桥（CHB）或多电平模块化多电平换流器（MMC）。在中压侧AC/DC级方案中，CHB拓扑凭借分散式独立直流母线设计，具备电气隔离优势。该方案器件数量少、无需桥臂电感，功率密度更高，且能完美匹配ISOP架构的分布式高频变压器，并支持旁路降额运行。虽然无法直接输出中压直流，但其控制复杂度适中，THD表现优异，尤其适用于数据中心供电、储能系统及V2G充电站等场景，是目前SST工程应用中的主流架构。而在SST方案设计中，陈外华强调，碳化硅器件是提升其性能的核心支撑。相比硅基产品，碳化硅在禁带宽度、临界击穿场强、热导率和电子饱和漂移速率等方面均具有显著优势。针对不同电压等级的母线需求，英飞凌提供了1200V、2000V、2300V及3300V的碳化硅器件组合，可有效减少级联数量、简化拓扑结构，从而提升整体可靠性与功率密度。在产品层面，英飞凌CoolSiC™系列提供从单管到模块的完整封装选择，包括TO-247、QDPAK单管，以及Easy、62mm和XHP系列功率模块，灵活覆盖不同功率等级的应用需求。其中，Easy家族以卓越的灵活性与可扩展性，成为众多应用的理想选择。该产品家族提供高度为12mm的无基板封装组合，并支持特殊应用定制，充分满足客户的差异化需求。目前，Easy B系列已实现量产，Easy C与Easy HD3系列也在有序推进中，将进一步拓宽高压场景下的效率优化空间。面向中高功率场景，英飞凌62mm模块已形成1200V与2000V两大成熟产品系列，导通电阻覆盖宽泛，均采用半桥拓扑，支持灵活组合构建复杂电路。在高压大功率领域，XHP系列模块提供2300V电压等级，可选铜基板或铝碳化硅来降低热阻，充分满足光伏逆变器、储能系统等严苛应用需求。此外，英飞凌还配套提供丰富的碳化硅MOSFET、碳化硅二极管以及专为CoolSiC™ MOSFET设计的栅极驱动器IC，形成从功率器件到驱动控制的完整解决方案，为SST系统设计提供全方位、高可靠性的支撑。作为全球领先电子元器件分销商，大联大诠鼎集团凭借多年的渠道经验，不仅是零件供应商，更是客户的技术战略伙伴。为迎战全球化布局，自2026年起，原品佳、诠鼎、友尚三大集团整合为全新的诠鼎集团，深度聚合三方优势资源，实现资源更集中、服务更全面、供应链韧性更强的综合效益。通过整合数字化供应链管理与专业技术支持优势：在开发端，协助解决技术难题，加速产品上市；在量产端，提供精准的库存管理与实时交货服务，致力于为客户优化营运成本、应对市场变局，并提供稳定、及时的交付承诺。本次研讨会全程通过大联大旗下平台“诠鼎大大芯”进行直播，无需注册登录即可观看，“诠鼎大大芯”平台每月举办多场研讨会，分享市场最新技术趋势与热门应用实例。欢迎业界同仁随时回顾精彩内容，深入了解Infineon SST技术解决方案。

大联大诠鼎集团 . 昨天 357
BSS123LT3 与 VB1106K 参数对比报告

N沟道功率MOSFET参数对比分析报告一、产品概述 BSS123LT3：安森美（onsemi）N沟道硅MOSFET，耐压100V，低导通电阻，适用于小功率开关和信号处理应用。封装：SOT-23。该型号为优选器件。 VB1106K：VBsemi N沟道100V沟槽（Trench）功率MOSFET，具有低阈值电压、低输入电容、快速开关速度及符合RoHS、无卤素环保要求。封装：SOT-23。适用于小功率转换、开关和信号调理等应用。二、绝对最大额定值对比参数符号 BSS123LT3 VB1106K 单位漏-源电压 VDSS 100 100 V 栅-源电压（连续） VGSS/VGS ±20 ±20 V 栅-源电压（非重复） VGSM ±40 未提供 V 连续漏极电流 (Tc=25°C) ID 0.17 0.26 A 脉冲漏极电流 IDM 0.68 0.8 A 最大功率耗散 (Tc=25°C) PD 0.225 0.37 W 结温 TJ 150 150 °C 存储温度范围 Tstg -55 ~ +150 -55 ~ +150 °C 雪崩能量（单脉冲） EAS 未提供未提供 mJ 分析：两款器件均为100V耐压等级，最大栅极驱动电压（连续）均为±20V。VB1106K 在电流和功率耗散能力上具备优势，其连续漏极电流（260mA vs 170mA）和功率耗散（0.37W vs 0.225W）更高。BSS123LT3 则提供了更高的非重复栅极耐压（±40V）。三、电特性参数对比 3.1 导通特性参数符号 BSS123LT3 VB1106K 单位漏-源击穿电压 V(BR)DSS 100 (最小) 100 (最小) V 栅极阈值电压 VGS(th) 0.8 ~ 2.8 1 ~ 2.5 V 导通电阻 (VGS=10V, ID=100mA) RDS(on) 5 典型 / 6 最大 2.8 典型 / 3.0 最大 Ω 正向跨导 gfs 80 最小 100 典型 mS 分析：VB1106K 的导通电阻（3Ω 最大）显著低于 BSS123LT3（6Ω 最大），意味着其导通损耗更低，电流通过能力更强。两者的阈值电压范围部分重叠，VB1106K 的范围更集中。 3.2 动态特性参数符号 BSS123LT3 VB1106K 单位输入电容 Ciss 20 典型 30 最大 pF 输出电容 Coss 9.0 典型 7 典型 pF 反向传输电容 Crss 4.0 典型 2.0 典型 pF 总栅极电荷 Qg 未提供 0.5 典型 nC 分析：VB1106K 的反向传输电容 Crss（2pF）低于 BSS123LT3（4pF），有利于减少米勒效应，提升开关速度。其总栅极电荷极低（0.5nC），表明栅极驱动非常容易。BSS123LT3 的输入电容更小。 3.3 开关时间参数符号 BSS123LT3 VB1106K 单位开通延迟时间 td(on) 20 典型 20 典型 ns 关断延迟时间 td(off) 40 典型 30 典型 ns 分析：两款器件的开通延迟时间相同（20ns）。VB1106K 的关断延迟时间（30ns）优于 BSS123LT3（40ns），表明其关断过程可能更快。四、体二极管特性参数符号 BSS123LT3 VB1106K 单位二极管正向压降 VSD 1.3 最大 @ 340mA 1.3 典型 @ 100mA V 反向恢复时间 trr 未提供未提供 ns 反向恢复电荷 Qrr 未提供未提供 μC 分析：在相近的测试电流下，两款器件的体二极管正向压降参数相近（约1.3V）。文档中均未提供详细的反向恢复特性。五、热特性参数符号 BSS123LT3 VB1106K 单位结-环境热阻 RθJA 556 350 最大 °C/W 结-壳热阻 RθJC 未提供未提供 °C/W 分析：VB1106K 的最大结-环境热阻（350°C/W）显著低于 BSS123LT3（556°C/W），这表明在相同的功耗和散热条件下，VB1106K 的芯片结温上升更慢，具备更优的散热性能。六、总结与选型建议 BSS123LT3 优势 VB1106K 优势 ◆ 器件历史久远，品牌认知度高 ◆ 栅极阈值电压范围更宽（0.8-2.8V） ◆ 输入电容更小（20pF 典型） ◆ 体二极管正向压降有明确最大值保证 ◆ 更低的导通电阻（3Ω vs 6Ω 最大） ◆ 更强的电流能力（260mA vs 170mA 连续） ◆ 更高的功率耗散能力（0.37W vs 0.225W） ◆ 更优的热性能（RθJA 更低） ◆ 栅极电荷极低（0.5nC），驱动简单 ◆ 开关速度稍快（td(off) 30ns vs 40ns） ◆ 符合无卤素等更严苛环保要求选型建议选择 BSS123LT3：当设计对阈值电压范围有特殊要求、或输入电容是关键考量因素、且对成本敏感的传统应用中。选择 VB1106K：当应用追求更高效率（低 RDS(on)）、更强电流/功率处理能力、或需要快速开关及更佳散热性能时。其更低的导通电阻和栅极电荷，以及优良的热特性，使其在小功率高频开关、信号调理等应用中能提供更优的性能表现。备注：本报告基于 BSS123LT3（安森美 onsemi）和 VB1106K（VBsemi）官方数据手册生成。所有参数值均来源于原厂数据手册，设计选型请以官方最新文档为准。

微碧

微碧半导体 . 昨天 266
便携无刷筋膜枪分立器件选型方案｜MOS管、肖特基二极管、三极管组合

全民健身热潮持续升温，便携无刷筋膜枪已成为居家与运动恢复场景中的高频使用设备。随着市场竞争加剧，终端厂商在保证产品性能的同时，对驱动板的散热效率、功耗控制、使用寿命及综合成本提出了更高要求。如何在不牺牲品质的前提下实现量产降本，成为众多厂商关注的重点。行业常见挑战在便携无刷筋膜枪驱动板的量产与应用过程中，以下问题较为普遍：部分通用MOS管导通内阻偏高，工作损耗较大，长期高负载运行下温升明显，可能影响电机输出稳定性及电池续航表现；普通二极管反向恢复速度有限，开关损耗较高，易产生电压波动，可能引发电机运转时的抖动或噪音；多品牌器件混用导致参数匹配度不足，增加调试周期与兼容性风险；中小厂商采购渠道分散，供货稳定性难以保障，影响量产效率与品质一致性。方案概述：三款核心器件协同适配合科泰针对便携无刷筋膜枪驱动板的应用需求，推出由MOS管、肖特基二极管、三极管组成的组合方案。三款器件均为合科泰自主设计与生产，在参数匹配与兼容性方面进行了系统考量，旨在帮助终端厂商简化选型与采购流程，兼顾性能、稳定性与成本控制。 HKTQ65N03 MOS管｜低导通内阻，关注温升控制该器件为N沟道低压大电流MOS管，采用TO-252封装，适配主流驱动板PCB设计。其导通内阻较低，有助于降低工作损耗与发热量，在高负载工况下维持相对稳定的输出性能。器件参数一致性好，适合批量生产场景。 SS24肖特基二极管｜快速恢复，关注电压稳定该器件负责电路整流与防反流保护，具有较快的反向恢复速度和较低的正向压降，有助于抑制高频开关产生的电压尖峰，稳定驱动板供电电压。同时可抵御瞬时大电流冲击，对主控芯片与MOS管起到一定的保护作用。 MMBT3904三极管｜小尺寸封装，关注开关响应该器件采用SOT-23贴片封装，适用于小型化驱动板设计。具备稳定的电流放大性能与较快的开关响应速度，可用于信号触发与开关控制等环节，适配多档位调速需求。器件工艺成熟，抗干扰能力满足筋膜枪手持场景的电磁环境要求。方案价值该组合方案覆盖驱动板的核心分立器件需求，可一站式采购，有助于减少多品牌适配带来的调试工作量。三款器件在性能指标上针对筋膜枪应用场景进行了适配，同时兼顾了成本与供货稳定性，可作为便携无刷筋膜枪驱动板国产化选型的参考方案之一。

半导体

厂商投稿 . 昨天 343
技术 | 消费级高速SSD给PMIC带来的挑战，思远有什么解法？

高速SSD颗粒持续迭代升级，消费端迷你高速SSD、AI PC配套高性能游戏快速普及，消费级 SSD的供电痛点愈发受到行业关注。AI 终端性能升级、高端消费电子算力提升，推动SSD技术迎来跨越式迭代。当前PCIe 5.0 SSD已渗透消费级市场，伴随新一代高速SSD硬件架构全面升级、带来性能飞跃，也催生了功耗激增、电流波动剧烈、供电精度更高要求等一系列新需求。在此背景下，电源管理芯片不再是单纯的配套元器件，而是决定高速SSD运行稳定性、持续性能、使用寿命及数据安全性的核心器件。针对PCIe 5.0/6.0 SSD全新的供电痛点，思远半导体精准布局，打造消费级专属电源产品矩阵，以自研核心技术破解高速存储供电难题，为新一代SSD规模化落地保驾护航。PCIe 5.0/6.0消费级高速 SSD 五大供电挑战 1. 瞬态负载波动剧烈，高精度稳压难度激增传统电源芯片瞬态响应速度较弱，容易出现电压跌落、纹波超标的问题。导致SSD降频、掉盘、数据读写异常等故障，影响设备稳定性。 2. 功耗场景两极分化，性能与续航难以平衡 PCIe 5.0/6.0 SSD高负载工况下峰值功耗可达10W以上，对电源满载效率、散热能力要求极高；而笔记本、便携终端等应用场景，又要求SSD在休眠状态下维持极低功耗，保障设备续航。传统电源方案较难适配“高速满载运行+超低功耗待机”的双向场景需求，需要兼顾极致性能与长效续航。 3. 小型化模组普及，PCB 布局空间极度受限当下消费 SSD 持续向 2230、2242 迷你形态演进，留给电源电路的布板面积持续压缩。分立电源方案器件数量多、外围元器件繁杂，布线难度大，极易产生信号干扰，难以适配紧凑型消费 SSD 模组小型化设计趋势。 4. 高负载发热集中，效率与散热矛盾突出新一代高速SSD持续高吞吐运行时，整机发热量大幅提升。若PMIC电源转换效率偏低，会产生额外功耗损耗与热量堆积，叠加高密度布局的散热压力，极易触发SSD温控降频机制，直接限制设备持续读写性能上限，影响高速存储的长期稳定运行。思远半导体消费级SSD PMIC产品矩阵应运而生，精准匹配PCIe 5.0/6.0需求面向笔记本、迷你主机、AI PC、游戏主机等多元终端的消费级高速 SSD 场景，思远半导体打造高适配、高可靠的 SSD 专用 PMIC 产品线，全方位解决新一代消费高速 SSD 供电痛点。思远四大核心自研技术，筑牢高速SSD供电壁垒 1. 低纹波高速稳压技术，适配超高速信号传输思远全系列 SSD PMIC 搭载优化型 COT 补偿环路，可快速应对 PCIe 5.0 读写瞬时大电流跳变，有效抑制电压骤升、跌落。芯片输出电压精度达 ±1%，实现毫伏级超低纹波输出，保障高速信号完整，从硬件层面降低传输误码、SSD 掉盘等故障风险。 2. 高集成单芯片架构，极致精简硬件设计依托自研集成化电路设计，单颗 PMIC 可替代传统多颗分立降压、LDO 与负载开关，大幅减少外围电感、电容物料，相比分立方案 PCB 占用面积最高缩减 50%，轻松适配 2242迷你 SSD 紧凑布线需求。同时支持可编程上下电时序，规避多轨电源时序错乱问题，缩短客户硬件调试与量产周期。 3. 智能动态功耗管控，兼顾性能与节能搭载自研 DVS 动态调压、多级休眠双技术，实现负载自适应功耗调节：高负载满压输出释放 SSD 全速性能，轻载场景自动降压降低无效功耗；休眠模式整机功耗可控制在 2mW 以内，毫秒级快速唤醒，平衡高速读写性能与便携设备续航。 4. 全维度硬件防护体系，保障终端稳定运行芯片集成过压、欠压、过流、过热、短路多重保护机制，实时监测供电状态，在异常工况下及时响应，规避电压异常引发的盘体故障，持续保障消费 SSD 日常读写稳定运行。消费级SSD专属PMIC：SY5883/SY5884/SY5885系列思远半导体消费级SSD PMIC解决方案相比传统分立方案，器件数量减少50%、占板空间减少50%，具备精确时序控制及输出电压动态调节功能，整盘PS4待机功耗小于2mW，代表产品包括存储电源PMIC芯片SY5883、SY5884、SY5885，为消费级SSD产品提供高效的电源解决方案。 SY5883：赋能SSD模组迭代升级 SY5883专为Gen5 SSD场景量身打造，一站式解决功耗、性能、小型化、稳定性四大核心难题，助力客户的SSD产品在激烈市场竞争中精准破局。SY5883适配主流主控芯片已完成慧荣SM2504XT平台验证测试，I2C支持软件灵活配置，无需重构电路设计兼容现有生产流程，大幅缩短研发周期、降低适配成本；简化的外围电路设计，助力制造商快速实现产品迭代、抢占市场先机。思远成熟的供应链体系保障批量供货稳定。 SY5884：跨平台 SSD 高密度集成供电方案 SY5884 面向 SSD、笔记本、台式机与嵌入式计算平台开发，以高集成度 PMIC 方案解决小型化 SSD 模组 PCB 布局受限痛点。芯片集成三路 DC‑DC 转换器与两路 LDO，为主控、NAND 闪存提供高效精密供电。 SY5884 BOM to BOM SY8686 ，已通过联芸Gen3/Gen4平台验证。芯片内置全套故障保护功能，包含过流、输出过压、输出欠压、短路、输入过压及过温保护，夯实 SSD 长期运行可靠性。器件采用 CSP2.4×2.8‑36 微型封装，满足无卤无铅 RoHS 要求，凭借优秀平台通用性，支撑客户 SSD 产品覆盖多类终端，降低多产品线硬件开发成本。 SY5885：消费类SSD的PTH PCB解决方案作为针对Gen5消费类SSD应用的电源管理芯片，SY5885最显著的优势在于对通孔（PTH）PCB板的原生支持，打破了高端PMIC依赖高密度互联（HDI）PCB的行业惯性。这一特性从源头实现成本控制：板材成本直降30%以上、工艺兼容性提升、设计容错率优化。同时，SY5885性能均衡，能够满足消费类SSD全场景供电需求。而针对消费类电子快速迭代的需求，SY5885也通过集成化灵活性设计，实现降低研发与生产门槛。高速SSD的技术迭代，本质是对电源管理系统集成度、稳压精度、能效水平、智能化程度的全方位升级。面对新一代消费存储带来的大电流波动、低噪声、小型化、高可靠等多重挑战，思远半导体依托自主研发的模拟芯片技术，构建完整消费级 SSD PMIC 解决方案。思远将持续聚焦消费高速存储赛道，凭借全矩阵、高适配、国产化的核心优势，破解高速 SSD 供电设计难题，助力存储厂商快速落地高品质产品，持续推动国内高端消费存储产业的国产化、规模化发展。

SSD

思远官网 . 2026-08-07 294
展会 | 半导体全链聚合，IICIE国际集成电路创新博览会9月深圳举办

IICIE国际集成电路创新博览会（IC创新博览会）将于9月9-11日在深圳国际会展中心举办，今年展会呈现芯片及芯片设计、功率半导体、晶圆制造及封装测试服务、半导体设备、半导体材料、半导体核心零部件等全产业链环节。并且与CIOE 中国光博会、elexcon深圳国际电子展联动举办，总展示面积达32万平方米，参展企业超5000家，专业观众预计超24万人，覆盖半导体、光电、电子嵌入式三大关键领域，凭参观证件可以一证通览三展，高效实现资源对接。贯通半导体制造全产业链，覆盖晶圆制造到核心零部件全环节作为半导体全链条专业展示平台，本届IICIE展会完整覆盖晶圆制造-封装测试-半导体设备-半导体材料-核心零部件全产业链，聚焦底层工艺支撑与先进技术迭代，集中展示2.5D/3D先进封装、混合键合异构集成、硅光、CPO、HBM存储等前沿技术与产品，为产业规模化商用提供核心支撑。在晶圆制造与封测领域，积塔半导体、华虹集团、晶合集成、武汉新芯、通富微电、华天科技等龙头企业，将带来 12 英寸晶圆 (28 纳米高效能精简型工艺) 、硅光晶圆、三维集成晶圆、先进逻辑工艺和数模混合工艺等晶圆制造和先进封装技术等技术。本次展会集结全产业链优质企业，各细分领域核心参展阵容如下： ▶晶圆制造及封装测试技术与服务：华虹集团、积塔半导体、晶合集成、武汉新芯、增芯科技、通富微电、华天科技、芯植微、佰维存储、时代民芯、锐立平芯、新核芯、Advinno、安吉海万欣… ▶半导体设备：盛美上海、拓荆科技、华海清科、微崇半导体、华煜半导体、精测电子、北京中电科、中科飞测、隆友德、华卓精科、迈为技术、东方晶源、维嘉科技、三丰精密、容道社、冠礼科技、光粒半导体… ▶半导体材料：沪硅产业、天科合达、安集科技、中船特气、上海新阳、清溢微、西陇科学、方大炭炭、木林升、奔朗新材、亦盛科技、中宝新材… ▶半导体核心零部件：中科仪、新松半导体、万瑞冷电、上银科技、新莱集团、灿锐科技、司倍克、基恩士、冠业传动、欧莱新材、四达全、星奇半导体、中科四点零… IWAPS 光刻展示区汇集光刻量测检测、精密光学、工艺热管理、光刻胶原料、设备清洗运维领域企业，覆盖曝光、图形检测、材料供应、设备保障全配套，展示支撑先进光刻工艺稳定量产的一体化解决方案，助力光刻工艺良率提升与技术迭代。参与企业：赛默飞、爱德万测试、捷热科技、滴水微光、聚铭化工、锐越贸易、长沙艾森等。三展联动现场还可看到更多晶圆制造与封测服务及设备厂商：GlobalFoundries、Tower Semiconductor、芯联集成、联合微电子、PIC、ASTRO PLASMA、ASMPT、JEOL、Raith、E-Globaledge、Samco、纳微科毅、润华全芯微、施密科、思立康、华创智能、Finetech、MRSI(Mycronic Group)、MKS、OXFORD INSTRUMENTS、智立方、深圳科瑞、铭赛机器人、凯格精密、快克芯装备、轻蜓、思波微、诚锋电子、中科光智、MPI、和林微纳、森美协尔、PI、东方马达、ACS运动控制（中国）等。聚焦热门赛道，国产芯片创新产品密集亮相依托深圳华南电子信息产业核心腹地优势，本届展会聚焦高性能算力、汽车电子、消费电子三大热门赛道，集中展示芯片及核心元器件创新产品与解决方案。展会已成功吸引中兴微电子、华润微电子、比亚迪半导体、爱特微、北京君正、兆芯集成、澜起科技、紫光国微、广立微、复旦微电子等企业。在高性能算力方面，澜起科技、达摩院玄铁、复旦微电子、云联半导体、华强半导体等企业将带来超高性能云安全芯片、内存扩展控制器、RISC-V CPU、可编程片上系统芯片、昇腾边缘AI智算系统等前沿产品，全方位展现国产算力的硬核实力。汽车领域，中兴微电子、比亚迪半导体、AXD安信达等企业携车规级核心产品亮相，涵盖车规级5G+V2X芯片、4nm智驾芯片、嵌入式存储芯片、汽车电子AI MCU芯片等，助力车载芯片国产化、高端化升级。在消费电子赛道，智芯科、泰芯半导体、微界半导体等企业带来超低功耗端侧多模态推理芯片、高精度加速度计传感器、音视频Wi-Fi SOC芯片等创新产品，适配智能穿戴、终端消费等多元应用场景。展会围绕芯片设计、开源生态、算力应用等核心方向，打造多个特色专题展区，携手垂直媒体“芯师爷”打造AI应用特色展示区，围绕汽车电子、高性能算力、智能穿戴等热门主题，邀请京微齐力、极海半导体、六岳微电子、灿芯半导体等企业；同时，联合漫话IC、芯片说IC TIME打造RISC-V生态应用展示区，集结达摩院玄铁、中德工业、算能科技、国芯科技、进迭时空等国内RISC-V优质企业，集中展示处理器IP、高性能算力芯片、软硬件平台及全场景落地解决方案，完整呈现国产RISC-V从底层架构研发到实景应用的全链条生态能力。专属芯片及设计展示区全面覆盖算力GPU、机器人主控、光电互连、存内计算AI、物联网无线SoC、工业嵌入式存储等多条核心赛道，集结智现未来、象帝先、珠海一微、安信达等企业，集中展示多元化国产芯片创新成果与一体化行业解决方案。三展联动一站式的参观还将看到光通信芯片、传感器芯片、存储芯片及模组、功率半导体及电源更多的企业及产品的展示，部分参展企业包括COHERENT高意、MITSUBISHI ELECTRIC、SICOYA、SIFOTONICS、WD PHOTONICS、芯思杰、奇芯、铌奥光电、长光华芯、赛勒、羲禾、国科光芯、仕佳、鼎芯、剑桥、云岭、曦智科技、上海贝岭、爱浦、荣和美、芯龙、台懋、信安半导体、江智科技、源博科技等。集结高校科研力量，直击半导体技术最前沿为推动半导体技术成果转化、助力产业创新升级，本届展会特设高校科研成果展示区（16号馆），集结国内顶尖高校与科研院所，搭建产学研精准对接平台。参展机构涵盖广东中科半导体微纳制造技术研究院、广州市香港科大霍英东研究院、中山大学集成电路学院、清华大学集成电路学院、深圳理工大学、深圳技术大学集成电路学院等十余所高校及科研院所。现场将集中展示晶圆级薄膜铌酸锂光子芯片、大规模混合集成光量子计算机、先进封装界面失效可靠性解决方案、玻璃基板及TGV工艺、光敏聚酰亚胺封装材料等前沿科研成果，精准对接企业技术需求与投融资资源，加速高端技术从实验室走向产业化落地。 20+场专业论坛同期举办，共探产业新未来展会同期将重磅推出20余场高质量专业会议，覆盖芯片及应用、半导体制造、先进封装测试、宽禁带半导体、智能制造、绿色厂务等核心领域，汇聚数百位全球行业龙头高管、权威专家、资深分析师，聚焦产业痛点、拆解技术趋势、分享落地经验，为行业发展提供前瞻性指导。其中，第十届国际先进光刻技术研讨会（IWAPS）作为年度学术与产业标杆盛会，将聚焦光刻领域前沿技术，推动先进光刻工艺创新突破；全球半导体分析师大会，以“2026-2030 导航半导体新纪元——重塑产业驱动力，从零和博弈走向协同创新”为主题，汇聚全球行业智慧，预判未来五年半导体产业转型路径与增长新动能，赋能产业高质量协同发展。点击此处或扫描下方二维码，观众可一键报名，一证通览同期三展及各类论坛活动。9月9日-11日，深圳国际会展中心，IICIE国际集成电路创新博览会诚邀全球行业同仁齐聚，共筑半导体产业新生态！即刻扫码登记，一证参观三展！

展会

IICIE国际集成电路创新博览 . 2026-08-07 1253
企业 | 罗姆即将亮相2026深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会

中国上海，2026年8月6日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，将于8月26日～28日参展深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会（简称PCIM Asia Shenzhen）。作为电力电子领域技术创新与发展的专业平台，该展会聚焦工业、智能运动及电动汽车等核心应用场景，集中展示前沿解决方案。在本次展会上，罗姆将围绕“AI服务器”、“车载”、“工业设备”和“应用案例”四大主题设置展区，集中展示其在功率半导体领域的最新技术和系统级解决方案。与此同时，展位内另设技术演讲区，围绕“AI服务器”、“汽车电子”等热点主题举办现场演讲。诚邀莅临现场，近距离体验罗姆先进的功率半导体技术！此外，罗姆工程师还将在大会同期举办的“AI电源应用”和“碳化硅应用”两场主题论坛上发表演讲，分享罗姆在功率半导体领域的最新成果，进一步展现其在电力电子技术创新与产业化应用方面的实力。【展位概览】 AI服务器展区针对市场快速增长的AI服务器和数据中心领域，将展出以搭载EcoGaN™电源解决方案为首、适合新一代HVDC电源架构的功率器件。此外，还将介绍面向热插拔控制器的Wide-SOA MOSFET以及MPC/SPS解决方案等各类产品。车载展区除用于xEV驱动逆变器和OBC等的SiC器件、IGBT及功率MOSFET外，还将演示搭载罗姆PMIC的车载SoC。同时，还将介绍面向ADAS和驾驶舱等车载应用的产品，助力整车系统实现小型化和高效化。工业设备展区将展出采用DOT-247-7L封装的小型SiC模块、采用TOLL封装及顶面散热封装的SiC MOSFET，以及搭载EcoGaN™ Power Stage IC的电源解决方案。此外，还将展出隔离式开关驱动器和分流电阻器等产品，助力太阳能光伏逆变器、ESS（能源存储系统）等工业设备的创新，并推动能源设备的节能。应用案例展区将通过客户应用案例和合作项目，展示功率模块、分立器件及电源解决方案的应用实例。同时，将介绍罗姆产品在电动空调压缩机、主动悬架、主驱动逆变器、工业用振动传感器、商用空调、650V GaN电源等广泛领域的应用。 EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。【展会信息】时间：2026年8月26日（周三）～28日（周五）09:30-17:00 （28日下午16：00结束）会场：深圳国际会展中心（宝安新馆）展位号：16号馆D12 地址：‌深圳市宝安区福海街道展城路1号‌

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芯查查资讯 . 2026-08-07 294
市场 | 2026上半年中国运动相机市场规模近翻倍，大疆和影石极致双寡头垄断；全年电商销额预测破200亿元

数据发布根据洛图科技（RUNTO）数据显示，2026年上半年，中国运动相机市场在线上全渠道的销量为311.9万台，销额为82.0亿元，同比增幅双双超过90%。市场的增长动力由专业户外拍摄转向全民日常短视频创作。大疆、影石形成双寡头主导的品牌格局，合计占据了线上市场89.4%的销量和97.9%的销额，低端杂牌持续出清。产品结构方面，在线上市场，2000-3999元中高端机型的销量、销额份额分别为66.6%和75.3%，是品牌最主要的利润核心。一、整体大盘：全民创作拉动上半年中国线上市场规模超300万台；价格结构呈现“中高端集中化” 从上半年的市场表现来看，中国运动相机市场的销量规模整体上呈现了逐月螺旋式上升的节奏，周度销量最高达24万台。 2026H1 中国运动相机线上市场周度销量及节奏数据来源：洛图科技（RUNTO）线上数据，单位：万台洛图科技（RUNTO）认为，在消费电子大赛道，运动相机是为数不多的正在保持高速增长的细分品类。其核心的驱动力之一是内容创作群体的增长：短视频、户外生活、轻量化UGC创作的全民化，以及露营、骑行、潜水、城市旅拍、自媒体日常记录等场景的多元化，正在推动运动相机从极限运动专业器材转变为大众随身创作工具。 2026年上半年，中国运动相机线上市场的零售均价为2628元。价格结构呈现清晰的“中高端集中化”特征：2000-3999元中高端机型的销量、销额占比分别为66.6%和75.3%。 2026H1 中国运动相机线上市场价格段销量销额结构数据来源：洛图科技（RUNTO）线上数据，单位：% 而千元以下入门机型的销量份额不足10%，且吸引力还在持续下滑。事实上，洛图科技（RUNTO）用户调研显示，运动相机的选购逻辑从单纯追求硬件参数，已经转向防抖、AI自动剪辑、便携形态、完整配件生态等综合体验，单纯的低价机型难以形成显著竞争力。二、竞争格局：极致双寡头垄断，其余品牌生存空间被极度压缩根据洛图科技（RUNTO）数据显示，2026年上半年，在中国运动相机线上市场，大疆和影石合计占据了89.4%的销量和97.9%的销额，展示了极致的马太效应。这样的市场集中度从未在洛图科技（RUNTO）监测的其它消费电子赛道发生过。大疆在整体线上市场的销量占比为74.0%，销额占比为80.9%，均排在绝对的第一位置，领先优势相当显著。在细分的云台相机领域，Osmo Pocket系列位居销量榜首；在广角运动相机领域，Action系列依托无人机影像算法、全场景配件体系等能力，销量亦领跑行业。影石Insta360紧随其后，在整体线上市场的销量占比为15.4%，销额占比为17.0%。影石的竞争力主要体现在全景相机的细分领域，不过上半年其推出了Luna Ultra云台相机，正式切入大疆的优势赛道，形成“全景+云台”的双产品线布局。剩余品牌在线上市场仅占据了约10%的销量和2%的销额，生存空间被极度压缩。外资品牌GoPro在国内市场正在被边缘化，高价旗舰HERO13受众狭窄，剪辑繁琐，生态薄弱，在国内大众短视频创作市场几乎没有竞争力。山狗、SJCAM、AKASO 等百元级入门机型多靠海外跨境出货，在国内的线下线上渠道基本没有话语权，低价机型份额持续缩水。三、三大核心产业趋势洛图科技（RUNTO）总结了今年以来的运动相机市场表现所呈现的三大核心趋势：趋势一：端侧AIGC 成为标配，AI创作重构产品核心竞争力 2026年上半年的新品全部搭载了本地AI能力，AI已经从之前的附加功能转为基础刚需；智能防抖、自动运镜、人物/运动物体追踪、高光自动剪辑、场景语义识别正全面下放至中端机型。与此同时，商业模式开始发生明显转向：单纯将AI剪辑功能捆绑付费订阅的模式在市场的接受度走低，“免费基础AI成片+高阶特效云服务”的分层收费成为了当前的主流方案。硬件算力、自研影像算法、配套剪辑软件生态，组成了区分品牌产品力的核心标尺，而不具备AI算法自研、软硬件一体化能力的中小品牌，难以抢占中高端市场定价权，用户留存与复购黏性会持续承压。趋势二：品类边界加速融合，但差异化优势犹在传统运动相机、全景相机、口袋云台相机的产品边界正在逐渐模糊，但头部品牌均采用多形态矩阵的打法去覆盖全价格带与全场景需求，通过全品类统一服务于大众日常创作。影石以全景技术为底座拓展云台产品线；大疆则依托云台稳定技术推出全景模组配件。细分产品的差异化优势仍然存在。全景产品主打沉浸式旅拍，云台产品主打随身Vlog，广角运动相机深耕水上、山地极限户外场景。目前看，单一形态的产品还难以覆盖多元用户需求。趋势三：供应链+全渠道双重壁垒构筑中国品牌长期优势从整体市场来看，中国运动相机厂商目前有两大核心壁垒，短期难以被撼动：一是完整的现地消费电子供应链，可实现防抖镜头、AI芯片、防水机身的自研自产，成本与迭代速度领先于海外品牌；二是线上全域电商+线下户外门店+海外本地化渠道布局，可覆盖国内下沉市场与欧美、东南亚、东亚海外增量市场。反观海外品牌，在中国市场当前存在供应链响应慢、软件本土化不足、配件生态不完善等短板，难以匹配当下快速迭代的短视频创作需求。更详细的市场分析请参考洛图科技（RUNTO）之前发布的《中国运动相机品牌日本热销与GoPro衰退的产业底层逻辑研究：UGC+AIGC创作浪潮重塑市场格局》。四、市场预测：规模延续高增，全年销售额有望突破200亿洛图科技（RUNTO）分析认为：2026年上半年是中国运动相机行业格局定型、技术路线明确的关键半年。市场竞争不再单纯的依靠硬件参数升级；AI创作能力、多形态产品矩阵、多元化渠道这三大要素决定了品牌的长期生存空间。大疆、影石凭借研发与生态的先发优势形成了稳固双寡头；海外老牌厂商针对国内短视频创作生态的产品、软件本土化转型节奏滞后，在线上市场的份额收缩趋势在短期难以逆转。进入下半年，暑期户外出行、国庆前置备货将持续拉动中国市场的销量。洛图科技（RUNTO）预测，2026年全年，中国运动相机线上市场的销售额有望突破200亿元。头部品牌将集中在2000元+价位推出迭代新品，加码轻量化、长续航、本地AI算力升级。全景和云台两大细分赛道，以及融合形态将成为品牌决胜的关键，和获取增量的核心来源。此外，打通拍摄、AI剪辑，和素材分发全链路的软硬件一体化生态将继续是市场的主要竞争维度。

运动相机

Runto洛图科技观研 . 2026-08-07 1295
技术 | 十条设计要点拉满RS-485系统可靠性

RS-485仍是应用最广泛的工业通信标准之一，凭借简单性、稳健性和可扩展性，成为工厂、楼宇和基础设施系统中多点网络的基石。本文整理了工程师进行RS-485设计时应牢记的十大事项。图1：RS-485串行接口要点回顾 RS-485专为长距离、恶劣工况环境设计各类现场总线协议及其物理层，均为在电气噪声干扰场景下实现远距离通信而量身打造。RS-485和CAN都采用差分信号，数据通过两根线之间的电压差来表示，而不是相对于地面的绝对电压。在RS-485中，逻辑状态是通过比较A线和B线得出的。由于接收器只关注两者之间的差分，因此系统可天然适配长线缆传输带来的地电位差问题。这一特性使得RS-485非常适合对可靠性要求严苛的工业场景。差分信号使多点网络成为可能 RS-485的一大优势在于支持多点通信，允许多个节点共享同一总线，在控制布线复杂度的同时实现网络灵活扩容。尽管RS-485和CAN都使用差分信号，但二者对逻辑电平的判定规则不同。RS-485通过判断哪条线电压更高来确定逻辑，而CAN则检查CANH和CANL是否被驱动分开或保持相等。关键在于，差分信号使接收器能够关注线路之间的相对关系，而非绝对电压，从而实现更长的传输距离和更高的抗干扰能力。集成故障保护，保障系统持续运行在现实世界中，问题时常发生。PCB缺陷、焊接短路、接线错误、浪涌、线缆挤压破损、外皮开裂等问题，都可能在电源接通的瞬间摧毁无保护的收发器。集成了故障检测和浪涌保护的RS-485收发器，可显著提升系统存续能力。防护功能集成于芯片内部，既能节省PCB空间、降低物料清单（BOM）成本，且故障排除后无需更换硬件，系统即可自行恢复工作。扩展共模电压范围的重要性远超认知 RS-485标准规定共模电压范围为-7V至+12V，但实际工业工况时常超出这一区间。电机、感性负载、开关电源会大幅抬升/拉低共模电压，使其偏离标称区间。具备扩展共模电压范围的收发器，即便外部干扰导致共模电压偏移正常值，依旧能维持稳定通信。隔离方案保护人身与设备安全隔离型RS-485收发器在芯片内部逻辑侧与总线侧之间设置物理隔离层，提供关键防护。数据通过片内变压器或电容跨越隔离屏障，高压瞬态冲击则被完全阻隔。电气隔离既可保护精密元器件与操作人员，还能消除接地环路，节点布设间距不受限制，且不会劣化信号完整性。接收器宽滞回特性降低数据误跳变任何通信系统都无法完全规避噪声干扰。屏蔽、滤波手段虽能降噪，但最前置有效的防护手段是接收器采用宽输入滞回。滞回窗口较大（典型值250 mV）的收发器，几乎不会因噪声触发电平误翻转，可显著减少数据误跳变、降低误码率，因而滞回电路是一项实用却常被设计人员忽略的设计手段。封装集成度影响成本和PCB空间若需增加隔离功能，芯片的封装选型至关重要。主流方案分为两类：一是集成了现场总线收发器的数字隔离器；二是集成度更高的一体化方案，片内同时搭载DC/DC电源转换器。更高的集成度通常能够显著节省PCB空间，并简化电源设计。在设计初期充分评估各类封装方案的优劣，能为后期研发降本增效。电压域架构决定系统整体稳定性多路隔离总线共存的设计，需严谨规划电压域结构。共用隔离域方案结构最简单，可分隔逻辑侧与总线侧，但各路总线间易发生干扰耦合。多独立隔离域方案稳定性最优，单路总线产生的故障、瞬时干扰不会传导至其余总线。方案选型需结合系统复杂程度与风险耐受等级综合判定。数据线供电技术削减系统总成本 Home Bus™、PD-Link™和SPoE™等技术支持在原有数据线缆上同步传输电力，减少线缆用量与连接器采购成本。以往，数据线供电技术需配套专用编码机制来维持直流平衡。ADI公司推出的新型方案消除了这一限制，无需修改通信协议、无额外软件开销即可同步供电。数据线供电方案不仅节约成本，还能在网络中节点需要灵活部署或动态变化的应用中，线束布置更灵活。可靠通信需结合多项方案，而非仅凭单一手段不存在仅靠单个解决方案就实现可靠通信的可能性。想要实现低误码率，需配套多重手段：屏蔽处理、传输速率优化、编码设计、差错校正、扩展共模电压范围、宽滞回电路、电气隔离。所有设计都需在成本与性能间做取舍；而新一代集成式RS-485芯片，能以适中成本轻松实现稳定的通信性能。附加：将RS-485传输速率提升至100 Mbps 预加重、均衡等先进信号处理技术，可让RS-485达到近100 Mbps的传输速率。预加重技术优势突出，无需精准掌握线缆长度、传输速率参数即可自适应调节。MAX22502等芯片充分证明，依托现代半导体工艺，RS-485的传输性能可大幅突破传统上限。

ADI

亚德诺半导体 . 2026-08-07 1 1029
企业 | AMD收购AI芯片初创公司Taalas

AMD公司指望其图形处理器能够推动其数据中心业务的大部分增长，因为云公司正在抢购所有能找到的先进人工智能芯片。但随着生成式人工智能热潮即将迎来第四个年头，人们越来越清楚地认识到，GPU 并不能完成所有事情。周四，AMD宣布已达成协议收购位于多伦多的初创公司Taalas。Taalas是一家生产推理芯片的公司，其加速器是定制的，或针对特定人工智能模型进行硬编码，而非通用型芯片。作为对灵活性的牺牲，Taalas 的技术承诺提供一种价格更低廉的芯片，据称其特定型号的输出速度比传统 GPU 快数千倍。AMD 的一位代表拒绝透露此次交易的收购价格。自 2023 年成立以来，Taalas 已累计获得 2.19 亿美元的风险投资。就在七个多月前，英伟达斥资200亿美元收购了高性能人工智能芯片设计公司Groq的资产。这是英伟达有史以来规模最大的一笔交易。 Taalas目前的芯片运行的是MetaLlama 3.1 型号的简化版，不过该公司正在研发用于更大、更先进型号的芯片。该芯片采用较早的台积电工艺制造，并在芯片内部使用了高速 SRAM 存储器。 Taalas 首席执行官 Ljubisa Bajic 在该公司网站上表示，该公司“开发了一个平台，可以将任何 AI 模型转换为定制芯片”。 Bajic写道：“从收到以前从未见过的模型的那一刻起，只需两个月就能将其用硬件实现。” 对于“低延迟”应用而言，像 Taalas 和 Groq 这样的替代芯片尤为重要，因为人工智能模型的首次响应时间至关重要。 AMD首席执行官苏姿丰在7月份的产品发布会上表示：“我坚信芯片领域不存在一成不变的模式。”她补充说，AMD仍然预计GPU将占据AI芯片市场的大部分份额，因为GPU具有足够的灵活性，可以支持新开发的AI模型。对GPU的需求使英伟达成为全球市值最高的公司，市值超过5万亿美元。此次收购也反映出，对于领先的GPU制造商而言，提供包含多种不同组件和芯片的集成系统（而不仅仅是处理器）的重要性日益凸显。AMD最近开始向包括Meta和微软在内的客户交付其首款机架级产品Helios，该产品旨在与Nvidia的集成服务器机架展开竞争。 AMD表示，将把Taalas芯片和技术整合到其产品路线图中，包括集成到搭载其中央处理器和Instinct GPU的系统中。这并非AMD支持的唯一一款互补型加速器：今年7月，AMD宣布与Cerebras达成合作，计划于今年晚些时候将Cerebras的AI芯片集成到其系统中。 AMD一直在积极收购，以补充其Helios机架式处理器所需的组件和技术。2024年，AMD斥资6.65亿美元收购了人工智能模型开发公司Silo AI，并以49亿美元收购了为其机架式产品提供技术基础的ZT Systems。去年，AMD还收购了几家规模较小的人工智能公司，其中包括开发推理软件的MK1。

AMD

芯视点 . 2026-08-07 2 861