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产品丨瑞萨电子推出64位RZ/G3E MPU，专为需要AI加速和边缘计算的高性能HMI系统设计

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出全新64位微处理器RZ/G3E（MPU）。RZ/G3E作为一款通用型产品，针对高性能人机界面（HMI）应用进行优化，集成运行频率高达1.8GHz的四核Arm® Cortex®-A55和一个神经网络处理单元（NPU），可实现高性能边缘计算，并具备AI推理功能，从而带来更快、更高效的本地处理。凭借全高清图形处理能力和高速连接功能，该MPU主要面向工业和消费领域的HMI系统，包括工厂设备、医用监视器、零售终端和楼宇自动化系统。高性能边缘计算与HMI功能 RZ/G3E的核心包含四核Arm® Cortex®-A55、一个Cortex®-M33内核，以及用于AI任务的Ethos™-U55 NPU。这种架构能够高效运行图像分类、物体识别、语音识别和异常检测等AI应用，同时将CPU负载降至最低。该产品专为HMI应用设计，可在两个独立显示屏上以60fps的速率流畅播放全高清（1920x1080）视频，其输出接口包括LVDS（双链路）、MIPI-DSI和并行RGB接口；此外RZ/G3E还配备MIPI-CSI摄像头接口，可用于视频输入与感知应用。 Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing at Renesas表示：“RZ/G3E在RZ/G系列成熟性能的基础上，增加了NPU以支持AI处理。通过使用与我们最近发布的RA8P1微控制器相同的Ethos™-U55 NPU，我们为AI开发提供了可扩展的路径。这些增强功能凭借强大的AI能力，满足下一代HMI应用在视觉、语音和实时分析方面的需求。” RZ/G3E配备边缘设备所需的一系列高速通信接口，包括用于高达8Gbps数据传输的PCI Express 3.0（2通道）、用于快速10Gbps数据传输的USB 3.2 Gen2，以及实现与云服务、存储设备和5G模块无缝连接的双通道千兆以太网。低功耗待机与快速Linux恢复从第三代RZ/G3S开始，RZ/G系列就包含先进的电源管理功能，可显著降低待机功耗。RZ/G3E在保持子CPU运行和外设功能的同时，功耗可低至约50mW；深度待机模式下功耗约为1mW。它支持DDR自刷新模式以保留内存数据，从而能够从深度待机模式快速唤醒并运行Linux应用程序。全面的Linux软件支持瑞萨提供基于可靠Civil Infrastructure Platform内核且经验证的Linux软件包（VLP），并提供超过10年的维护支持。对于需要最新版本的用户，瑞萨提供Linux BSP Plus，支持最新LTS Linux内核和Yocto。此外，Canonical的Ubuntu，以及Debian开源操作系统也可用于服务器或桌面Linux环境。 RZ/G3E的关键特性 CPU：四核Cortex®-A55（最高1.8GHz）、Cortex®-M33 NPU：Ethos™-U55（512GOPS） HMI：双全高清输出、MIPI-DSI/双链路LVDS/并行RGB、3D图形处理、H.264/H.265编解码器内存接口：32位LPDDR4/LPDDR4X（带ECC） 5G通信连接：PCIe 3.0（2通道）、USB 3.2 Gen2、USB 2.0x2、千兆以太网x2、CAN-FD 工作温度：-40°C至125°C 封装选项：15mm2 529引脚 FCBGA、21mm2 625引脚 FCBGA 产品生命周期：根据产品生命周期计划（PLP）提供15年供货保障瑞萨及其生态系统合作伙伴推出的系统级模块解决方案瑞萨还推出基于RZ/G3E的模块化系统（SoM）解决方案——高性能边缘计算SoM丨瑞萨。瑞萨的生态系统合作伙伴将提供广泛的SoM解决方案：例如Tria的SMARC模块、ARIES Embedded的OSM（Size-M规格），以及MXT的OSM（Size-L规格）。成功产品组合瑞萨电子将RZ/G3E与其它兼容设备相结合，开发了功能丰富的高端HMI平台和数字耳镜。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win。供货信息 RZ/G3E和评估板套件现已上市；该套件包括一块SMARC v2.1.1模块板和一块载板。（文中相关信息您可识别下方二维码或复制链接至浏览器中打开查阅） RZ/G系列 https://www.renesas.cn/zh/products/microcontrollers-microprocessors/rz-mpus/rzg-series RA8P1微控制器 https://www.renesas.com/zh/products/ra8p1 经验证的Linux软件包（VLP） https://www.renesas.cn/zh/products/microcontrollers-microprocessors/rz-mpus/rzg-series/verified-linux-package 成功产品组合 https://www.renesas.com/zh/applications （备注）Arm和Arm Cortex是Arm Limited在欧盟和其它国家/地区的注册商标。本新闻稿中提及的所有产品或服务名称均为其各自所有者的商标或注册商标。

瑞萨电子

Renesas瑞萨电子 . 12小时前 280
企业 | 英诺赛科与联合电子成立氮化镓 (GaN) 技术联合实验室致力于新能源汽车电力电子系统开发

联合实验室致力于基于GaN的系统设计，构建新能源汽车电力电子系统的未来英诺赛科利用联合汽车电子的专业系统知识，改进GaN技术全球领先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化镓）制造供应商英诺赛科（香港联交所代码：02577.HK）与联合汽车电子（以下简称：联合电子）宣布成立联合实验室，利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方在联合电子（苏州研发中心）举行了联合实验室揭幕仪式。得益于GaN技术相较于传统硅基功率器件的优势，GaN功率器件在电动汽车、可再生能源系统、人工智能及数据中心电源领域应用广泛。与传统硅相比，采用GaN的转换器和逆变器功率损耗可降低高达10倍，显著提升了效率、功率密度并降低系统成本，实现体积更小、重量更轻的优势，并减少二氧化碳排放。联合电子副总经理郭晓潞博士表示： “我们很高兴与英诺赛科合作，英诺赛科自2015年以来一直致力于GaN技术的量产，此次合作将加强双方包括高层管理人员在内的合作。我们已开发出基于GaN的高功率密度车载充电机。我们期待通过该实验室继续加强合作，推动氮化镓OBC应用创新。” 英诺赛科首席执行官吴金刚博士表示： “我们很高兴与联合汽车电子建立联合实验室，联合汽车电子是汽车电子领域的全球领导者，也是宽禁带功率器件应用领域的技术领导者。英诺赛科已开发出业界性能最高、可靠性最高的GaN工艺，电压范围涵盖15V至1200V，并拥有全球最大的8英寸产能。我们期待与联合汽车电子携手，充分利用我们在GaN领域的优势，为基于GaN的电动汽车技术创新贡献力量。” GaN由于其材料特性，可在功率转换中实现系统性能的新标准，显著降低损耗，从而提高效率、减小体积、减轻重量，从而降低系统BOM成本。GaN功率器件的应用范围已远远超出消费电子产品，在数据中心、工业和光伏设备中已实现量产，并被应用于电动汽车电力电子系统。

英诺赛科

英诺赛科 INNOSCIENCE . 12小时前 1 540
企业 | 南芯科技无线充模组助力客户获WPC首批Qi2.2认证

近日，无线充电联盟 (WPC) 公布了全球首批通过 Qi2.2 认证的设备名单，知名无线充电品牌 Aukey 的最新产品 MagFusion 2X 位列其中，成为首款通过 Qi2.2 的双手机无线充。而这款二合一新品内部搭载的正是南芯科技 25W 无线充电模组 SM232A。最新版本的 Qi2.2 协议在保持磁吸精准对准优势的基础上，将 MPP 功率上限由 15W 提升至 25W，并引入了更严格的多点温控策略，有望进一步提升无线充电的普及度。Aukey 实测显示，使用 MagFusion 2X 为 iPhone 16 Pro Max 充满电的时间比上一代 Qi 产品快 25 分钟。作为核心器件，SM232A 凭借其高性能为 MagFusion 2X 提供澎湃电力支持。 SM232A 的主要性能优势包括：支持 Qi2.2 协议，可实现 25W MPP 无线充电，并向下兼容 EPP 和 BPP 模式内置南芯自研 SC96019 高性能 Qi2.2 协议 SoC，集成高分辨率全桥控制器、全桥功率 MOSFET、多通道 ASK 解调电路、多通道 ADC、多路 GPIO、Q 值检测电路等功能单元兼容直流电源、USB-PD、HVDCP 等多种供电来源，同时内置 SC8723B 升降压转换器，高效匹配输入电压需求提供 I2C 接口，可便捷地作为子系统接入其他系统进行控制具备多重保护机制：异物检测 (FOD)、过流保护 (OCP)、过温保护 (OTP) 及低压保护 (LVP) 南芯科技始终坚持“以客户价值为中心，以结果为导向”的价值观，聚焦前沿技术，紧贴客户需求，持续迭代产品，帮助客户完成新技术从概念验证到量产上市的全链路加速，抢占市场先机。

南芯科技

南芯科技 . 12小时前 330
产品 | VCE2765：高精度自校准离轴磁编码器

今天为大家介绍圣邦微电子即将量产的高精度磁编码器 VCE2765。这是一款专门针对离轴安装应用设计的编码器芯片，集自校准、高精度、强抗干扰能力于一身，基于 AMR 技术的创新产品，将为严苛环境下的角度检测带来全新的、更可靠的解决方案。产品定位与特点 VCE2765 是圣邦微电子磁编码器家族的新成员，采用 TQFN-3.5×3.5-16BL 小尺寸封装。在离轴安装条件下可实现：无需更高精度电机对拖即可进行自动校准； ±0.3° 角度精度，13bit 有效分辨率；支持 SPI、SSI、ABZ、UVW 和 PWM 接口输出；灵活便捷的一键校零、一键校准功能；支持 CRC 角度数据校验。核心技术解析 1、AMR+ASIC 电路： AMR 惠斯通桥检测磁场角度变化；极低噪声的 AFE 电路进行角度信号优化； ASIC 电路集成自校准、离轴算法等模块进行数据编码计算。 2、便捷功能设计：一键自校准、一键校零（也可通过 SPI 配置）： VCE2765 自动校准功能可以通过管脚使能或者软件指令触发。无需对拖，保证电机匀速转动，在几圈内即可实现校准，还可以通过 LED 灯指示或者输出 PWM 信号提示校准状态； MTP 支持 1000 次以上功能配置改写；集成低压报警、弱磁报警、过转速报警功能。关键性能 ±0.3° 的角度精度； 18bit 角度数据输出； 1~4096ppr 可配置 ABZ 分辨率； 1~64 可配置 UVW 对极数； PWM 输出分辨率 12bit；系统延迟低于 4μs；支持 120000rpm 高转速。安装灵活性 VCE2765 支持两种安装方式： 1、离轴安装：即将量产的标准应用方案。 2、在轴安装：需注意：磁铁中心与芯片感应中心对齐；识别旋转方向与离轴方向相反。应用场景特别适合以下特殊结构需求的角度检测：中空轴走线设计；轴向距离紧凑的场合。典型应用领域：云台稳定系统；工业灵巧手；机器人关节；电动车驱动系统。 VCE2765 预计今年第四季度实现量产。

AMR

圣邦微电子 . 12小时前 310
产品 |大电流，高集成，赋能汽车与工业智能驱动——纳芯微发布NSD7315系列H桥直流有刷电机驱动芯片

纳芯微今日宣布推出NSD7315系列大电流H桥驱动芯片，具备40V耐压能力与10A峰值输出电流，支持硬件和软件SPI两种输入接口版本，该系列芯片支持1路H桥或者2路半桥配置，可直接驱动1路直流有刷电机或2路电磁阀等负载。 NSD7315-Q1车规版本适用于多种汽车应用场景，包括车身电子锁、发动机控制系统中的电子节气门、废气再循环、分流阀，以及空气悬架CDC等应用。NSD7315工规版本也可应用于自动升降桌、电动窗帘、扫地洗地机等消费类设备。新推出的NSD7315是对纳芯微现有的NSD73xx系列H桥驱动产品在大电流方向上的进一步拓展。产品特性满足AEC-Q100 grade 1: –40°C~125°C TA（车规版本）工作电压：4.5V~35V (40V耐压) ，输出电流：10A (峰值) 超低内阻 Rds(on) (上管+下管)：150mΩ @TJ = 25°C, 13.5V 集成电流采样功能：比例电流输出（IPROPIx）集成可配置的电流调节功能可配置的控制模式：PH/EN，PWM(IN1/IN2) 和独立半桥控制输出上升/下降时间压摆率可配置，优化降低EMI性能低功耗模式：静态电流3μA @TJ = 25°C, 13.5V SPI 和硬件接口选择： – SPI接口：NSD7315S-Q1 – 硬件接口：NSD7315H-Q1 先进保护和智能诊断功能：电源欠压保护，电荷泵欠压，过流保护，负载开路检测，过热关断与过热预警，故障状态输出（nFAULT/SPI）大电流，低温升，具备出色带载能力 NSD7315上下管总导通电阻仅为150mΩ，峰值输出电流可达10A，能够为汽车有刷电机、阀门泵类及工业电机提供大扭矩带载能力。即使在高温环境下，也具备较低且稳定的温升表现，运行持久可靠。在半桥模式下，带载持续输出2A电流，环境温度为25℃，芯片温升稳定在24.4℃。带载持续2A电流时的芯片温升在全桥模式下，带载持续输出5A电流，环境温度为25℃，芯片温升稳定在125°度，未触发过温保护。带载持续5A电流时的芯片温升灵活设置输出压摆率，有效平衡大电流驱动中的温升与EMI挑战在电机等负载驱动中通常采用硬开关方式，而大电流驱动会带来显著的电流变化率（△I/△T），进而产生较大的电磁干扰（EMI）（如下图所示）。若芯片输出的压摆率固定且较慢，会导致内部MOS开关损耗增加，导致温度升高。因此，如何在满足EMI性能的同时控制温升，是大电流驱动应用中的一大难点。 NSD7315支持根据不同负载和不同输入PWM频率，来灵活设置输出的上升/下降Slew Rate，同步配置死区时间，方便工程师在不更改硬件设计的前提下，通过软件(SPI版本)或者SR管脚(HW版本)来优化温升和EMI性能。输出上升/下降沿压摆率 SPI接口Slew Rate设置内部集成电流采样和电流调节，减少系统面积和成本 NSD7315集成电流采样功能，无需外部功率采样的电阻和电流运放即可实现电流检测。通过IPROPIx管脚，可按1/1100的比例输出每个半桥上管MOS的正向导通电流（即从Drain到Souce端的电流）。若将IPROPI1和IPROPI2管脚连接在一起，则输出电流为两个上管的正向电流之和（如下图所示）。 NSD7315内置电流镜同时，NSD7315还集成了电流调节功能，当输出电流超过内部设定的电流阈值时，芯片会自动执行限流功能，以防止在电机启动或堵转等工况下出现过大负载电流，从而避免芯片过热和电机损坏。具备负载开路诊断功能，精准定位反馈故障，无需人工排查 NSD7315支持输出端负载开路诊断功能，可在驱动芯片待机模式和工作模式下分别检测负载状态，帮助系统在电机运转前或运行中及时发现异常，提升系统可靠性。该功能支持两种检测模式：待机模式检测（OLP）和工作模式检测（OLA）。待机模式下的负载开路检测(OLP)：芯片通过依次使能内部的上拉和下拉电流源，测量流经内部上/下拉电阻的电压，并与内部比较器的电压阈值进行比对，从而判断输出是否存在开路。 OLP模式检测步骤一 OLP模式检测步骤二工作模式下的负载开路检测(OLA)：芯片通过检测死区时间内高边续流MOS管体二极管的导通压降，并与固定的VOLA电压阈值比较，实现实时开路检测。 OLA模式检测电路封装与选型纳芯微H桥直流有刷电机驱动NSD7315系列现已全面量产，作为NSD73xx系列的重要拓展，该系列具备良好的通用性与可靠性，适用于多种典型负载需求。NSD7315系列的推出，进一步完善了纳芯微在电机驱动领域的产品布局，为客户提供更高集成度与系统适配性解决方案，助力终端产品快速落地。 NSD73xx系列选型表

纳芯微

纳芯微电子 . 14小时前 340
方案 | 告别齿轮与电池，ADMT4000如何破解人形机器人关节位置记忆难题？

人形机器人作为集成了机械制造、控制技术与人工智能等多学科的复杂系统，其运动控制的精确性与可靠性是衡量其性能的核心指标。其中，关节的绝对位置感知，特别是在意外断电重启后的位置信息恢复能力，是系统设计中一个关键的技术挑战。本文将介绍ADI的ADMT4000磁性位置传感器，并阐述其如何通过无源多圈检测技术，为人形机器人关节设计提供一个高集成度、高可靠性的解决方案。多圈位置记忆挑战，传统方案的技术瓶颈当今市场上角度传感器种类较多，有磁式、光学式、电感式、旋变器式等传感器。霍尔传感器基于磁效应、XMR系列传感器有AMR、GMR和TMR传感器，他们通常对磁场方向的变化很敏感。但遗憾的是，所有这些传感器的绝对测量范围都只有单圈，即360度，AMR传感器是个例外，它的信号以180度为周期进行重复，绝对测量范围是半圈，即180度。若想要进行超过一圈的绝对测量，非接触式是当前可行的实现方法。传统实现断电后位置记忆的多圈检测主要依赖以下几种方案，但它们各自存在着固有的局限性。多圈编码器传统解决方案（非接触式） - 机械式方案该方案通常采用“齿轮组+单圈绝对值编码器”的结构，通过精密齿轮的传动比来换算圈数，其主要缺陷在于齿轮机构存在机械磨损与背隙，长期运行后会影响传动精度；多级齿轮结构复杂，体积和重量较大，与人形机器人关节追求轻量化、紧凑化的设计目标相悖。 - 带备用电源的电子方案此方案通过为单圈传感器和存储器（如FRAM）配备备用电池，以在主电源中断时维持位置数据的记录。该方案的主要问题在于引入了电池管理，包括电池的生命周期、定期维护与更换，这增加了系统的复杂性和长期拥有成本，并降低了整体可靠性。 - 基于韦根（Wiegand）效应的方案韦根传感器利用导线的自发电效应，可在旋转时产生能量脉冲以驱动计数和数据存储。尽管此方案无需电池，但在某些工况下，尤其是在圈数累积较多或转速变化剧烈时，存在发生圈数计数错误的风险（即“丢圈”现象），这对于要求高可靠性的机器人应用是不可接受的。创新型多圈传感器ADMT4000技术解析 ADMT4000是ADI公司率先发布的单芯片多圈位置传感器，旨在从根本上克服上述传统方案的不足。其绝对测量范围为46圈，整个测量范围内达到±0.25度的精度，借助于这种新的多圈技术，省去了与单圈传感器结合使用的备用电池或机械齿轮，也可以免去线性执行器中的线性传感器。此外，对于未采用传统笨重机械多圈编码器的系统，这种传感器无需在上电时重新归位或重新校准，能够在完全无源（无供电）的状态下，精确记录多圈旋转运动。 ADMT4000的技术实现基础是磁畴壁在磁性纳米导线中的可控传播。在磁性材料中，磁畴是原子磁矩取向一致的区域，而磁畴壁是相邻磁畴之间的过渡层。该传感器利用外部永磁体（固定于机器人关节的旋转部分）产生的磁场，来驱动内部磁性导线中的磁畴壁发生位移。因此，关节的旋转运动被直接、无损地转换为磁畴壁在一维线性路径上的位移。为了读取磁畴壁的位置，ADMT4000沿磁性导线集成了四个巨磁阻（GMR）检测点。GMR效应是一种量子力学效应，其电阻值会随局部磁场方向的变化而发生显著改变。当磁畴壁扫过这些GMR检测点时，会引起它们各自电阻值的变化。通过精确测量这四个检测点的电阻值，可以得到一个与磁畴壁位置唯一对应的阻抗特征。系统控制器通过读取这组电阻值，即可精确计算出磁畴壁的当前位置，从而反演出关节的绝对旋转角度和累计圈数。关键在于，磁畴壁的位置是一种稳定的物理状态，其维持无需任何外部能量供给。这意味着，即使在系统断电期间关节发生了运动，该位置信息也被物理性地保留在芯片内部。当系统重新上电时，只需进行一次电阻读取，即可立即获知当前精确的绝对位置。使用此款传感器需要在16~31mT的磁场窗口内操作，若没有足够的磁能，或磁场强度低于16mT，则会面临磁能不足的风险，无法将磁畴移出畴壁发生器并穿过螺旋。如果磁场强度超过 31mT，尤其是显著超过31mT的话，则会有额外磁畴加入螺旋中以致产生错误计数信息的风险，或者非常强的磁场会导致螺旋完全复位。此外，作为一款磁性传感器，ADMT4000在应用中需考虑对外部杂散磁场的抗干扰能力。在人形机器人这类电磁环境复杂的应用中，建议采用磁屏蔽措施。ADI提供相应的屏蔽方案参考设计，通过在芯片周围或PCB板上设计屏蔽层，可以有效抑制外部磁场干扰，确保传感器测量的准确性。从机器人到工业与汽车，ADMT4000开启新应用大门除了在人形机器人关节中的核心应用，ADMT4000凭借其无源、多圈、高可靠性的特点，在其他多个领域也展现出巨大的应用潜力。在广义的工业自动化中，ADMT4000可用于各类旋转执行器和线性执行器中。例如，在多轴协作机器人的关节、数控机床的XY工作平台中，断电后位置的即时恢复能力可以省去繁琐的回零操作，提高生产效率。此外，在物料搬运设备如起重机、吊车、升降机中，ADMT4000可用于拉线式编码器，精确测量钢缆或拉线的伸缩长度，其多圈检测能力完美匹配这类长行程应用的需求。在汽车行业，ADMT4000同样适用于多个对安全性和可靠性要求极高的场景。例如汽车安全带卷收器需要精确记录安全带拉出的圈数，以确定其伸出长度。该数据对于安全气囊控制器实现预紧和限力等高级保护功能至关重要，ADMT4000的多圈无源检测特性可为此提供可靠的数据支持。在没有机械连接的线控转向系统中，方向盘的绝对旋转位置是控制车辆转向的核心输入信号。ADMT4000能够提供高精度的方向盘绝对位置，且其无源特性确保了在车辆启动瞬间即可获得准确的转向意图，是实现此类安全关键功能的理想选择等。

ADI

亚德诺半导体 . 14小时前 280
方案 | 安霸CV22AQ使得前视ADAS一体机更加安全高效

近日，Ambarella（下称“安霸”，纳斯达克股票代码：AMBA）与国内某知名 Tier1 联合打造的基于 CV22AQ 的 8MP ADAS 前视一体机方案获得头部乘用车企业的多个项目定点。安霸在汽车领域的持续投入和产品竞争力得到了市场的认可，为全球车企提供了更具性价比和性能更强的单目智能摄像头方案。搭载该方案的车型将于 2025 年底陆续量产。据中国工信部 2024 年规划，AEBS（GB/T 39901-202X）功能将于 2028 年开始在乘用车新车中强制搭载，在此背景下，8MP 前视一体机正在逐步成为各类车型的主流配置选择，其对城市复杂路况的感知能力，全面满足 AEBS 等法规对识别精度、响应速度与运行稳定性的严格要求。传统 2MP 前视方案中，摄像头的像素密度有限，远距离目标占像素太少，这时算法只能通过数据训练来提升判断准确度（如 120km/h 行驶时，1 米高的物体在 2MP 画面中仅占约 10 个像素），在不同的光线条件和场景下，这种做法容易导致“看不全、判不准”的隐患。而 8MP 摄像头的单帧像素量是 2MP 的 4 倍，每秒钟的数据量激增 4 倍，却要求 ADAS 系统在 100ms 内完成从图像采集到决策输出的全流程——这意味着芯片必须同时具备高吞吐量的数据处理能力、更低延迟的 AI 模型推理，以及更好的能效比。安霸 CV22AQ 内置的 CVflow 架构，其核心设计聚焦“并行计算+专用优化”：通过多核 CPU 与高性能 AI 加速器的深度协同，CVflow 打破了传统 SoC 中 CPU 与 GPU/NPU 的割裂状态，将图像预处理（如畸变校正、色彩空间转换）、AI 模型推理（目标检测、语义分割、识别和预测）与后处理一并高效完成，大大减少不必要的内存拷贝，以及 AI 处理全过程的延时，有助于提升 ADAS 系统的安全性。安霸 AI SoC 以低功耗、卓越的 ISP 及 AI 性能、可扩展性强在业界享有盛誉。CV22AQ 继承了安霸在 AI 视觉处理领域的深厚积淀，具备高性能、超低功耗（整机小于 5 瓦），及高效处理能力，完美解锁 8 百万像素（8MP）高分辨率摄像头在汽车前视感知中的应用潜力。8MP 摄像头，结合安霸优秀的 HDR 宽动态处理，可获取更宽广的视野、更丰富的输入数据，显著提升远距离目标探测精度和细节分辨能力，为复杂城市场景下的安全感知奠定硬件基础。当 CV22AQ 的 CVflow 架构将 8MP 前视方案的量产门槛从“技术攻坚”变为“常规配置”，智能驾驶的感知维度正在被重新定义。从 2MP 到 8MP，不仅是像素数量的叠加，更是从“模糊感知”到“细节洞察”的质变——而这背后，是安霸对 CVflow 架构的深度打磨，是对 AI 视觉模型与硬件协同的精准把控，是新一代的高级辅助驾驶更安全，更可靠的保证。

安霸

Ambarella安霸半导体 . 14小时前 215
技术 | 存储界新风暴！顺络新型钽电容助力eSSD断电数据保护

图片来自顺络内部 eSSD介绍 eSSD是企业级固态硬盘（Enterprise Solid State Drive）的缩写，是面向企业级应用和数据中心环境设计的存储设备，旨在满足企业对数据存储在性能、可靠性、可扩展性和管理性等方面的严格要求。相较于消费级SSD，eSSD具有更高的读写速度，更低的延迟，更大的存储容量以及更高的可靠性，并且具有断电保护功能。为实现其断电保护功能，eSSD通常会配备大容量的电容。在正常供电时，电容会充电储能。当检测到断电瞬间，电容释放储存的电能，为控制器和闪存芯片提供短暂的电力，使控制器有足够时间将缓存中尚未写入闪存的数据安全写入，避免数据丢失。产业背景当前用于eSSD断电保护的电容有液态铝电解电容、固体聚合物钽电容以及超级电容。但随着eSSD朝着更高密度存储、更快读写速度、更小体积的方向演进，系统对储能电容提出了更高的要求： ①更大的电容量，以满足毫秒级甚至更长时间的供电要求。以20W功率的eSSD为例，要满足10ms以上的供电时间，则需要总电容量500μF，且再留50%~100%的余量，即750μF~1000μF。若要达到1000μF，使用47μF的电容需要22pcs，但使用100μF的电容则仅需10pcs,数量减少55%。 ②更高的体积利用率，适合eSSD高存储密度需求，满足高密度贴装，在相同功率下进一步薄型化。例如E3.S（2U short）eSSD在同样的功率40W下高度从16.8mm进一步降低至7.5mm，对应电容的高度则会限制到1.5mm以下； ③在较宽的温度范围内保持性能稳定,大部分eSSD工作温度范围需达到-40℃~85℃，电容则需要在更宽的温度范围内保持性能稳定（-55℃~125℃）； Sunlord针对上述痛点需求，推出高性能聚合物钽电容TP系列，实现eSSD更加可靠的断电保护。产品优势与目前eSSD使用的液态铝电解电容相比，Sunlord新型固体聚合物钽电容器TP系列具有如下优点：更大电容量 ①高介电常数钽电容的介质是五氧化二钽（Ta₂O₅），其介电常数（ε）远高于传统电容材料（如铝电解电容的氧化铝介电常数约8～10，而Ta₂O₅可达27～30）。 ②超薄介质层钽电容的介质层通过阳极氧化工艺形成，厚度可控制在微米级（如1～5μm），远薄于铝电解电容的介质层（通常10～20μm）。根据电容公式 ,其中C为电容，ε为介电常数，S为极板面积，d为介质厚度，上述固态聚合物钽电容对比液态铝电解电容分别实现了ε的提高和d的减小，综合提升单位体积的电容量。更小尺寸、更低高度 ①高密度结构固态聚合物钽电容使用导电聚合物作为电解质，相比液态电解质，其结构更紧凑，可填充到钽粉的细微孔隙中，减少空隙。此外，固态电解质无需预留膨胀空间，封装体积利用率更高，间接提升单位体积的容量，使得电容尺寸得以减小。 ②小型化、低背化将同电性的Sunlord固态聚合物钽电容与常规液态铝电解电容对比：图片来自顺络内部更高可靠性 ①电解质稳定固态导电聚合物电解质，不存在液态电解液干涸、泄漏或挥发的问题，长期使用不易因电解质劣化导致性能下降。 ②使用温度范围广固态聚合物钽电容可以在很宽的温度范围内工作，即使是恶劣环境中也能使用。图片来自顺络内部 ③耐压特性优聚合物电解质导电均匀性好，即使在高电压或瞬态过载情况下，也能保持稳定的介电性能。图片来自顺络内部与传统Frame结构钽电容相比，Sunlord新型固体聚合物钽电容器TP系列具有如下优点：高体积利用率 Sunlord新型钽电容通过结构设计实现体积利用率提升25%。在相同封装体积内，新结构增加了钽芯长度，提高钽粉装粉量。根据公式CV=比容*粉重，当比容一定时，粉重提升相当于C值（电容值）和V值（额定电压）提高，并且可以在相同电性下实现更小尺寸和更低高度。图片来自顺络内部全密封结构传统结构Frame金属端子与塑封料的热膨胀系数(CTE)差异大，导致之间有缝隙，水汽容易渗入导致漏电流增大而失效。新结构采用PCB代替Frame，与塑封料的热膨胀系数接近且结合性好，防潮性更高。新型钽电容可通过额定电压下1000h+的双85实验（温度85℃，湿度85%）考核。图片来自顺络内部型号推荐图片来自顺络内部

顺络电子

顺络电子 . 14小时前 230
企业 | 英飞凌对马来西亚增资508亿建200mm SiC工厂

7月28日，德国半导体巨头英飞凌科技（Infineon）宣布，将在马来西亚额外投资300亿令吉（约508亿RMB），在吉打居林高科技工业园兴建全球最大200毫米碳化硅功率半导体工厂。这一举动进一步巩固大马作为全球半导体制造重镇的地位的同时，也为本地带来了1500个高薪职位。马来西亚投资、贸易及工业部长拿督斯里东姑扎夫鲁指出，这项潜在投资是首相拿督斯里安华于访德期间，在与英飞凌科技高层会晤后所宣布，目前已正式落实。英飞凌对马来西亚的承诺不仅限于工厂运营，公司承诺通过 2025 年 1 月 15 日启动的供应商发展计划为当地中小企业（SME）提供支持。该倡议目前涉及139家当地企业，进一步加强了马来西亚供应链和产业能力。根据大马投资发展局（MIDA）文告，这是英飞凌在居林高科技园厂房的第三期扩充计划，而首期已投资了20亿欧元（98亿令吉）、第二期2024年8月又加码投资50亿欧元（约245亿令吉），此次额外再增加300亿令吉，表明了英飞凌想要打造史上最大的200毫米碳化硅功率晶圆厂的决心。该厂将成为英飞凌最大的 200 毫米前端制造基地，专注于汽车、绿色工业电力和电源及传感器系统。今年以来，第三代半导体坏消息频传，全球碳化硅（SiC）龙头Wolfspeed申请破产，瑞萨放弃生产EV用SiC功率半导体、加大投资SiC半导体的罗姆公司，第一季度出现了公司12年来的首次亏损。意法半导体更是持续低迷，碳化硅芯片市场目前正面临前所未有的挑战。在此条件下，英飞凌仍然在逆势布局，大规模建厂，或许代表着英飞凌对自身实力和行业未来充满了信心。

英飞凌

芯查查资讯 . 14小时前 205
产品 | 小巧于形，强劲于芯，佰维工业级BGA SSD何以成为AIoT时代的“全能选手”？

顺应边缘AI对高性能计算、高集成、与微型化的趋势，佰维存储推出工业级BGA SSD，在如五角硬币大小（16 x 20 x 1.3 mm）的尺寸内，提供高达1TB的存储容量与PCIe 4.0 x4的高速传输。BGA封装形式使该产品在需要频繁移动或受到机械振动的设备中更加可靠，广泛适配边缘计算、AI智能盒子、智能工控、智能汽车、通信设备、工业平板、娱乐设备等领域。覆盖AIoT边缘智能全场景更小、更强、更智能佰维工业级BGA SSD系列产品全面契合边缘智能时代对存储的复合型需求，不仅满足端侧AI计算对高算力、低延迟的严苛要求，同时兼顾工业级应用对长生命周期、多接口兼容性以及在极端温度、湿度等复杂环境下稳定运行的高标准，为多元化的智能应用场景提供坚实的数据存储底座。产品顺序读写速度最高可达7300MB/s、4600MB/s，容量覆盖256GB至1TB，灵活适配从轻量级嵌入式设备到高负载边缘计算节点的多样化需求。在环境适应性方面，产品提供工业标准级（-20°C ~ 70°C）、工业宽温级（-40°C ~ 85°C）以及超宽温级（-40°C ~ 105°C）三种宽温规格选择，守护常规工业环境、严苛户外设备、车载系统及高温密闭空间等环境下数据完整性与可靠性。先进自研架构固件实现场景化精细调优佰维特存BGA SSD搭载自主研发的固件，针对BGA SSD的独特应用形态进行了深度优化，确保在空间受限和严苛散热需求等复杂环境下发挥最佳性能与可靠性。智能读写调度与GC优化：降低写入放大与冗余擦写，提升BGA SSD全场景性能与寿命，满足边缘/端侧设备在户外运行及无人值守环境下的长期高可靠性需求。快速启动算法与低延迟访问机制：支持工业平板、汽车自动驾驶及智能座舱瞬时开机；实现工业自动化产线高效调度与实时处理，保障控制系统稳定响应，满足高精度智能制造场景要求。数据可靠性：集成4K LDPC纠错引擎、端到端数据保护及RAM ECC，结合宽温支持与严苛测试，确保恶劣工业环境下数据安全与系统稳定。按需定制，广泛兼容：针对数据高保密性场景，提供特定加密算法、安全启动支持功能以及S.M.A.R.T.监控；支持与多类型操作系统的深度兼容性优化，提升整体系统性能。自主封装+测试+制造造就严苛品控与敏捷交付佰维成熟掌握 BGA 封装设计和工艺技术，确保产品拥有良好的电气性能、信号完整性、热管理能力。依托佰维在测试设备硬件开发、测试算法研究以及自动化测试平台建设的全栈测试能力，对BGA SSD执行严格的工业级可靠性测试，如长时间高温老化、温度循环冲击及振动测试，有效保障产品的高稳定性和高良率。佰维实现了从研发设计、封装测试到生产制造的垂直整合，不仅建立了完善的品控体系，也大幅提升了生产效率与交付保障能力。依托公司在供应链资源上的深度整合与快速响应机制，佰维能够确保稳定的产能输出和高效的交付节奏，同时灵活支持客户的小批量定制化需求，快速适配特定应用场景，助力边缘智能与工业系统实现高效部署与持续创新。佰维特存总经理彭鹏 “设备微型化趋势日益明显，还要对性能提升和功耗形成良好的平衡，这对存储产品的综合集成能力以及厂商的技术深度都带来了更大的考验。佰维持续投入工业级存储的研发与创新，不仅具备芯片设计+固件算法+硬件设计的开发能力，更拥有先进封装技术与自主生产能力，从产品选型、封装设计到制造交付的全链路环节，我们都实现了严格的过程控制与品质管理，确保每一颗芯片都能精准匹配客户在边缘计算、AIoT等高性能场景下的复杂需求。”

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BIWIN佰维 . 14小时前 250
方案 | 上海贝岭扫地机器人应用方案助力智能家居健康发展

近年来，随着科技的飞速发展，人们对生活品质的要求越来越高，智能家居的需求日益旺盛。这种需求推动了人工智能和物联网等技术的革命性飞跃，使得“解放双手”的理念逐渐深入人心，成为了一种新的生活方式。据中国家电网权威发布的《2024年扫地机器人市场发展白皮书》揭示，中国扫地机器人市场呈现出爆发式增长，一举成为全球最大的扫地机器人消费国。上海贝岭可提供一系列高性能模拟、数模混合集成电路和功率器件，其中直流有刷电机驱动、运放、模拟开关、电平转换、音频功放、电源管理、X电容放电芯片、LED驱动、MOS管等可应用于扫地机器人。方案介绍图1 扫地机器人应用框图上海贝岭已有直流有刷电机驱动、运放、模拟开关、电平转换、音频功放、电源管理、X电容放电芯片、LED驱动、MOS管等一系列产品可满足扫地机器人应用。直流有刷电机驱动一台扫地机器人中一般包含5～7个电机，按照功能区分一般分为1～2个行走电机、1～2个边刷电机、1个滚刷电机、1个吸尘电机、1个激光电机。其中除吸尘电机对电机的转速以及效率要求较高，需选择直流无刷电机外，其余电机多采用单个或双个（步进电机）直流有刷电机。上海贝岭可提供全系列直流有刷电机驱动芯片（产品优势介绍如下），选型如表1所示。高集成度、简化了系统设计中所需要的外围元器件；高可靠性、集成OTP、OCP等保护功能为系统安全、可靠的运行保驾护航；覆盖型号广，可根据电机的工作电压、电流选择性价比更高的电机驱动解决方案；封装种类多，可提供多款小型化封装产品，节约PCB设计面积。表1 直流有刷电机驱动芯片选型表运放为保证扫地机器人在运行过程的安全、可靠，电机部分的过流采样、堵转等功能都需要通过运放采集和放大信号，多采用通用或低噪声系列运算放大器实现此功能。另外，在扫地机器人中的激光定位模块中，对信号的采样精确度要求较高，一般采用高精度运算放大器。上海贝岭可提供一系列高可靠性的运算放大器如表2所示，其中低噪声运算放大器系列BL37XX具有较低的噪声性能，噪声参数对比如表3所示。表2 运算放大器选型表表3 BL37XX噪声参数对比表模拟开关在部分扫地机器中，由于需要处理的传感器信号比较多，MCU的IO资源紧张，需要对IO口进行复用。此类应用一般只走信号传输，对模拟开关的导通内阻没有过高要求。上海贝岭可提供一系列工业级、高可靠性性、低功耗、高带宽的模拟开关，选型表如表4所示。表4 模拟开关选型表电平转换在部分扫地机器人中，由于外设的I/O电压和MCU的I/O口电压不一样，导致两者之间无法直接通讯。一般会在外设和MCU之间增加电平转换芯片。低功耗、高性价比的两通道电平转换芯片BL15102可以满足此类应用，参数对比参见表5。BL15102典型应用图如图2所示。表5 BL15102静态电流测试对比表图2 BL15102典型应用原理图音频功放另扫地机器人的语音模块中，通常需要根据实际需求选用AB类或D类音频功放来驱动其中的扬声器。上海贝岭可提供一系列针对此应用的音频功放，选型表如表6所示。表6 音频功放选型表电源管理扫地机器人供电电压一般采用4节锂电池，无法直接给模块和MCU等供电，需要采用DC/DC、 LDO降压后给各子模块供电。上海贝岭电源管理芯片选型表如表7所示。表7 电源管理芯片选型表 X电容放电芯片在部分扫地机器人的大功率充电座电路中，对待机功耗以及安规漏电有一定的要求，需要在X电容端增加X电容放电芯片以满足节能（低待机功耗）、安全保护(低安规漏电）等要求。上海贝岭推出的ME8701是一款X电容自动放电芯片，当230VAC输入时，会有极低的电流流进芯片，将功耗降至5mW以内。当230VAC断电后，ME8701与串联放电电阻相连，可自动对X电容进行放电。这种工作方法有助于灵活选择安规电容，优化EMIπ型滤波电路，降低电感成本。ME8701可满足此类扫地机器人的应用需求，典型应用图如图3所示。图3 ME8701典型应用原理图 LED驱动在部分高端扫地机器人应用中，为了给用户提供更好的使用体验以及视觉感受，需要通过LED驱动芯片控制LED的恒流精度、亮暗、颜色变化以及图案组合等效果。上海贝岭推出ME7502是一款采用I2C通讯的恒流LED驱动芯片，具有32阶电流统调功能。由16根段输出、12根位输出组成192个点阵，每一个点具有256阶PWM占空比调整可满足此类应用需求，典型应用图如图4所示。图4 ME7502典型应用原理图 MOS管上海贝岭可提供一系列应用于扫地机器人的高可靠性的MOS管，选型表如表8所示。表8 MOS管选型表

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上海贝岭 . 14小时前 250
WAIC ｜162 亿意向采购落袋！H4展馆Future Tech与WAIC CONNECT引爆全球商机

全场景点燃：从「创意」到「采用」，H4馆交出大会最具动能的答案在WAIC 2025的展馆版图中，H4馆无疑是最具“温度差”的存在：一边是早期项目的路演“热浪”，一边是场景方与技术方对接时的冷静“议价”。青年创客与产业采购人交织其间，创业梦想与现实订单并肩奔跑。 Future Tech与WAIC CONNECT在此“双引擎”齐发，一个捕捉创意原点，一个链接真实落地，共同点燃“AI在上海”的全年能量场。 “在这里，AI不只是展示技术力，更在构建真实世界。” Future Tech：创业的未来现场，写在代码与梦想之间展位生态：全球初创齐聚，青年科技力“上场即主场” 在WAIC 2025 H4馆，Future Tech板块汇聚全球200余个AI早期项目，从AIGC、智能体、具身智能，到AI for Science、AI+制造等多个前沿赛道全面铺展，构成一座密度极高、交流极强的“青年科技引力场”。这些项目中，70%成立不足三年，创始人中90后占比超过五成，成为最年轻也最具爆发力的创新群体。高校初创项目同样值得关注。清华“世界模”打造AI驱动的沉浸式游戏生成平台，探索Agent自主演化的内容新范式；北大“乐然科技”以AI结合心理服务，为焦虑与情绪困扰提供智能干预方案；浙大“梦镜岛”则用AIGC重构互动叙事，让游戏体验无限延展。这些项目不仅在产品逻辑与应用场景上展现出不俗水准，更在展台现场吸引大量关注。而在他们之外，还有更多高校团队项目带来走出实验室的成果展示，展现出AI青年创业的勃勃生机。舞台三重奏：开放麦、企业路演、领航论坛热力不歇展区三大主舞台在不同时段交替开场，形成全天候、沉浸式的交流生态，真实展现AI创业的热血脉动。企业路演舞台：真实比拼，打通“被看见”的入口在超过60场项目路演中，一批极具代表性的青年初创项目脱颖而出。白日梦科技推出AI生成式tRPG游戏平台“白日梦Online”，将AIGC融入沉浸式内容互动，拓宽了“游戏即叙事”的想象空间；TripoAI展示其全球领先的3D大模型能力，在AI驱动3D建模效率上实现技术突破，引发产业关注；“头脑风暴AI ADGo”用AI重构品牌创意流程，助力中小企业以更低成本实现奥美级策划；RWKV团队以自研架构挑战Transformer体系，重新定义大模型底座的能效结构；纬钛机器人以具身智能为方向，以自研视触觉传感器和灵巧手技术切入人形控制核心，探索新一代大模型机器人的能效底座；天鹜科技带来AI蛋白质设计平台，打通从干实验到湿实验的全链路能力；触零科技则以AI驱动的三维柔性传感技术赋能下一代具身智能与可穿戴设备；Eigent.AI 致力于打造人人可“构建、雇佣、共享”的AI代理工作体，驱动下一代Agent Economy的引擎；以及CoreSpeed.io 构建以Zypher为核心的Agent框架与部署底座，破解智能体“部署难、落地难”的工程壁垒…… 这些项目中，有的已获得种子轮投资，有的仍在产品验证期，但都以清晰的场景定位与真实的表达，在舞台上争取“被看见”的机会。他们用一场场真实路演，把梦想写进算法，也写进产业未来。明日上午的“国际专场”也将持续这份全球连接的热力：从儿童编程素养教育、商用零售分析，到AI在开放金融、抗体药物研发、个性化推荐等场景的最新应用，来自CodiPlay、ARLAN Biotech、AIDX Tech、TASS Vision等全球项目将依次登台——思想与技术的跨国激荡，即将在路演舞台上继续上演。技术开放麦舞台：没有门槛的高光时刻 “开放麦”舞台是属于青年开发者的自由表达场。在这里，每位登台者拥有30分钟时间，用PPT、demo或现场演示讲述他们对AI的理解与实践，展开一场与未来的即时对话。围绕Agent架构、智能体工具链、AI创作流程等前沿主题，不少创业者提出“如何构建更强大的Agent系统”“如何用AI打磨超级个体与独角兽公司”的命题，探讨技术范式下的商业可能；也有人从语音调研、游戏开发、短视频生成等具体应用切入，尝试重新定义内容生产力。康嘉乐带来RWKV-7S模型底座，范文栋讨论AI从工具到自治的进化，刘涛展示AI如何读懂绘本、化“阅读”为“对话”，Flowith的拐子带来Agent与AI产品商业化实战的思考…… 这些“即兴演讲者”中，有AI游戏制作人、有视频创作者、有AI创业一线从业者，甚至还有刚从校园走出的开发者。他们用30分钟争取一次未来的可能，也在为彼此创造一次次注目的开始——这不仅是一场场自由讲述，更是一股股青年技术力在AI世界中“自带声量”的集体呈现。领航舞台：水下生态浮出水面，未来不止三天作为链接资本与初创的核心舞台，Future Tech 创新领航论坛以“AI与资本共绘未来蓝图”为主题，在WAIC 2025现场汇聚来自联合利华、中移互联网、工商银行等全球顶尖投资机构、平台与创新团队，集中呈现从技术突破到生态协同的“AI创业真实图景”。舞台上既有投资人围绕“AI创新的价值锚点与终局猜想”的深度探讨，也有平台方与金融机构就落地场景的回应，共同描绘出一幅正在成型的“技术—资本—产业”协同图谱。从路演舞台的创意迸发，到开放麦上的即时表达，再到领航论坛中资本与生态的集聚，Future Tech 正以全维度舞台呈现出AI创业的热力值，也在为青年科技力打造持续不断的“长坡厚雪”。这不仅是一场三日的展示，更是一场全年可续航的技术接力。 WAIC CONNECT：真实订单现场，不止三天热度这里不是展馆，而是采购会议 H4馆的CONNECT展区，没有喧闹人流的聚焦，却汇聚着最密集的“对话”：一边是带着项目和预算而来的全球采购方，一边是手握解决方案与Demo的AI企业。在这里，沟通不是“参观式”的，而是“对接式”的——每天超20场1V1闭门会议频繁上演，不少企业从早谈到晚，有的甚至被当场邀请前往张江园区看样机、跑测试，现场气氛几近“招商会+答辩会”的强度。这种高度效率感背后，是一整套CONNECT独有的系统机制在发挥作用：需求调研前置、供需精准匹配、场景点对点推送……一位团队成员直言：“我们不做流量生意，只服务真实落地。”也正因此，这里从不缺少订单信号与合作意向。是谁在“下订单”？——156个采购团组背后的产业地图今年，CONNECT 共组织 156 个实名采购团组，来自建筑工程、汽车制造、智慧物流、广告传媒、文旅零售、能源材料、金融资本等多个垂类行业。一些团组负责人早已不是首次到访，有的更是带着“复购清单”而来。比如建筑/工程类采购团，上海建工集团、上海市安装工程有限公司等带来大量基建智能化、工地安全监控、项目调度算法需求；汽车/零部件领域，TATA、Autoliv、中车等关注自动驾驶、感知系统与供应链智能管理；消费医疗与物流领域的顾家家居、康美包、德马泰克等，则希望通过AI优化预测算法与柔性生产效率。来自海外的采购团更显现出对“中国解决方案”的真实渴望。来自 Expand Founders Partners 的主席 Davide Calì 表示：“中国的AI生态系统非常独特、紧密，却与世界其他地区相对隔绝。我们来，是为了真正找到能够落地部署的合作伙伴，而非只听概念演讲。”他特别关注医疗与农业领域如何用AI压缩基础服务成本，同时也提及海外团队对软硬件一体解决方案的迫切需求。“希望未来展会能更好展示各自技术特色，让真正有实力的团队更快被找到。”他说。而另一家来自西班牙的采购团——SL Solidez Group，则在 WAIC CONNECT 中一口气对接了多家中国AI技术团队。作为深耕欧洲与非洲地产项目的智慧建造服务商，他们此行重点聚焦于城市更新场景下的能效优化与施工调度。“我们正在西班牙、中东、北非承建一个新镇项目，涉及学校、住宅、教堂等分散建筑，希望引入AI方案提升人效、能效，实现更快速与可持续的建造。”项目经理Conny分享道，“中国AI技术在‘精度+落地速度’上的优势，正是我们在欧洲市场看重的。我们相信，从上海可以找到真正能够走向全球市场的合作伙伴。” 这些来自不同赛道的采购方，不只是来看技术实力，更在考量交付周期、成本结构与团队协同力。他们在CONNECT不是“走马观花”，而是真正进入了一个“谈得成事”的系统机制里。双引擎协同：一边是未来，一边是现实，连接发生在H4 当Future Tech点燃“未来力”，CONNECT打通“现实链”，WAIC 2025 在H4馆完成了从创意原点到市场落地的全闭环。一位高校团队刚下演讲台，就被一位采购人“围堵”问产品落地节奏；Hi! WAIC智能体在一旁提醒大家如何打卡得分；舞台、桌面、屏幕、样机，构成了一幅流动中的产业地图。他们在这里写下代码，也正在写下AI产业的新段落。当Future Tech与CONNECT双引擎齐驱，H4馆，成了AI落地与梦想齐飞的真实发生地。

WAIC

世界人工智能大会 . 14小时前 205
技术 | 莱迪思扩展小型FPGA产品组合，为设计带来更多可能

设计现代嵌入式系统，往往意味着要在诸多严苛限制下开展工作——空间有限、功耗预算紧张、性能需求却不断攀升。无论是为更智能的工厂自动化提供支持、增强车载智能，还是在网络边缘端实现低功耗AI，开发者都需要灵活、高效且安全的可编程逻辑解决方案。正因如此，我们满怀期待地宣布扩展我们的小型FPGA产品组合，为莱迪思Certus™-NX和MachXO5™-NX系列增添新成员。这些新器件让通用及安全控制应用的可选方案数量翻倍，在行业最小的尺寸中，实现更高的I/O密度、更多的封装选择以及更先进的可靠性功能。这些FPGA基于屡获殊荣的莱迪思Nexus™平台打造，在保持低功耗与高性能的同时，为开发者提供更强的架构灵活性和系统级集成能力。莱迪思小型FPGA产品组合有哪些新突破？随着Certus™-NX和MachXO5™-NX系列新器件的加入，莱迪思推出的全新器件选项为在空间和功耗受限环境中开发的工程师带来更高的灵活性、性能与集成度。新器件具有以下优势： 1. 更丰富的器件选择更多的逻辑密度和封装，为开发者提供更多匹配应用需求的选择。完美适配需要安全控制、高I/O密度且小尺寸、低功耗的设计场景 2. 更高的I/O密度和性能与同类FPGA相比，每平方毫米的I/O数量最多提升 2 倍。支持3.3V I/O和1.5 Gbps差分I/O，实现更快、更稳定的数据传输。尺寸最多缩小3倍，非常适合紧凑的电路板布局。 3. 系统集成度更高功耗最多降低4倍，简化散热设计，延长电池供电设备的使用寿命。无需电源时序控制，减少外部电路和物料清单（BOM）成本。集成闪存，即时启动配置速度最多提升12倍，加快系统启动时间。 4. 更强的稳定性和安全性软错误率最多降低100倍，提升安全关键型应用的可靠性。内置单位错误校正（SEC）和存储块ECC，降低软错误和抵御单粒子翻转（SEU）。实际应用：这些FPGA如何创造价值？新Certus-NX和MachXO5-NX器件的一系列增强特性，助力开发者应对嵌入式系统设计日益增长的复杂性。其I/O密度显著提升——每平方毫米的I/O数量是同类FPGA的两倍，能在紧凑布局中实现更稳健的连接；支持3.3V I/O和1.5 Gbps差分信号，实现更快、更灵活的数据传输；而这些能力都集成在比竞品小最多3倍的封装中。扩展后的Certus-NX和MachXO5-NX系列，专为满足高要求、快迭代市场中的开发者需求而设计。以下是这些新器件的典型应用场景：在工业自动化系统中，高I/O密度、低静态与动态功耗的FPGA是空间受限应用（如控制模块和传感器聚合Hub）的理想选择。器件支持单轨上电且兼容任意电源时序，可简化电源架构和PCB布局；即时启动配置功能实现亚毫秒级启动，对延迟敏感环境中的可靠响应至关重要。在汽车应用中，增强可靠性和强大的软错误缓解机制（如ECC保护的存储块和配置刷新），是高级驾驶辅助系统（ADAS）、电池管理系统（BMS）和车载网络架构等系统满足功能安全合规的核心需求。这些FPGA的紧凑尺寸使其能无缝集成到空间受限的电子控制单元（ECU）中，同时满足汽车级工作条件下严苛的性能和散热设计要求。在边缘AI应用（如智能摄像头或智能物联网节点）中，低功耗、高速I/O与安全配置的结合，可以实现边缘端实时数据处理。开发者可部署AI预处理、加密或传感器融合的定制逻辑，同时保持小巧的硬件尺寸。在通信应用（如交换机、网络功能虚拟化和边缘计算）中，更高的3.3V I/O、优化的逻辑密度和封装尺寸，结合PCIe Gen2功能，使这些FPGA成为分担CPU负载的理想方案。位流验证和加密功能可满足不断提升的安全需求。在服务器部署中，这些小尺寸安全FPGA提供硬件可信根、安全启动以及数据实时传输或处理过程中的快速加密，实现数据完整性与机密性。高I/O密度支持PCIe Gen 2、以太网等多千兆接口，实现低延迟数据传输和并行处理；紧凑外形可集成到密集的服务器刀片和网卡中，同时适应超大规模和边缘数据中心典型的严苛功耗与散热限制。这些应用场景充分展现了全新Certus-NX和MachXO5-NX器件如何助力开发者在众多行业中构建更智能、更快速、更可靠的系统。更多选择，更强能力随着Certus-NX和MachXO5-NX FPGA系列新器件的加入，莱迪思也履行了其一贯的承诺——为开发者提供更多选择，满足现代嵌入式系统不断演变的需求。通过提供更强的架构灵活性和简化系统集成，这些FPGA让设计人员能更快速、高效地创新。无论您追求性能、低功耗还是安全性，扩展后的莱迪思Nexus FPGA产品组合都能让您以更少资源实现更多功能。

Latticesemi

Latticesemi . 14小时前 195
技术 | 图像传感器选择标准多？成像性能必须排第一

当涉及到技术创新时，图像传感器的选择是设计和开发各种设备过程中一个至关重要的环节，这些设备包括专业或家庭安防系统、机器人、条形码扫描仪、工厂自动化、设备检测、汽车等。选择最合适的图像传感器需要对众多标准进行复杂的评估，每个标准都会影响最终产品的性能和功能。从光学格式和、动态范围到色彩滤波阵列（CFA）、像素类型、功耗和特性集成，这些标准的考虑因素多种多样，错综复杂。在各类半导体器件中，图像传感器可以说是最复杂的。这些传感器将光子转换为电信号，通过一系列微透镜、CFA、像素和模数转换器（ADC）产生数字输出。数字化后的信号将进行合并、缩放、裁剪、存储，并在传感器内部用于高动态范围（HDR）处理。此外，这些传感器还嵌入了复杂的功能，如功能安全、网络安全、输出格式化和各种类型的基本图像处理。许多高分辨率和高帧率的需求促使输出信号以数千兆比特的速度通过各种类型的接口传输。此外，为了优化数字处理过程，大多数现代图像传感器都采用混合键合的堆叠晶片结构，顶层晶片包含像素和周边电路，而底层晶片则针对前面讨论的其他数字逻辑进行了优化。图 1. 混合键合 CMOS 图像传感器的层和横截面图这些图像传感器不仅本身非常复杂，而且在为众多设备和应用选择合适的传感器时也是如此。要成功设计和开发任何需要图像传感器的设备，了解选择标准的复杂性和细微差别至关重要。设计人员需要从众多参数中进行选择，例如分辨率、像素大小、像素类型、帧率、快门类型、光学格式、功能特性等等，这让许多人不禁要问：“我该从何入手呢？” 图 2. 设计人员必须做出的多种选择示例安森美（onsemi）对图像传感器的选择标准进行了全面分析，并就如何驾驭各种特性和功能提供了深入见解。本文探讨影响图像传感器选择的各种因素，旨在帮助工程师和设计人员做出更明智的决策，从而优化性能、效率和整体设计。我们将选择标准分为三大类：成像性能产品/系统参数工具和其他标准图 3. 三类标准及其子类本文将详细介绍成像性能。选择图像传感器的首要考虑因素是成像性能。成像始于图像传感器可捕捉的实际光谱范围。如下图所示，图中的粉红色线条表示图像传感器的硅光电二极管对电磁光谱中人眼无法看到的其他波长的敏感性。这些波长包括波长较短的紫外线（UV）和波长较长的近红外线（NIR）。大多数互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器的检测范围在350纳米到1000纳米之间。不过，某些技术也可以对短波红外（SWIR）成像，而有些技术则可以进一步延伸到紫外线范围。图 4. 电磁频谱--人眼与硅传感器的对比图像传感器所采用的技术在决定其成像性能方面也起着至关重要的作用。CMOS 图像传感器最初使用的是前照式（frontside illumination，FSI）技术，由于在光学堆叠层和像素之间存在金属层，该技术在优化捕捉光线方面存在挑战。然而，随着背照式（backside−illuminated，BSI）技术的引入，即把像素移到晶片底部，光线可以直接进入像素，没有任何中间层，从而进一步提高了性能。图 5. CMOS 图像传感器技术发展趋势在背照式技术趋势之后，又出现了背照式混合键合晶片堆叠技术（backside−illuminated hybrid bonded wafer−stacking technology），为数字逻辑提供了最优化的技术，同时缩小了传感器的整体尺寸。单片式图像传感器将光敏像素阵列和周围的数字逻辑集成在一个晶片上。因此，这些器件的尺寸会随着数字功能的增加而增大，同时像素阵列和数字逻辑的工艺技术相同，导致效率低下。背照式晶片堆叠技术是将晶片层层堆叠并键合在一起，解决了这一问题。顶部晶片包含像素和周边电路。底部晶片包含电路和其他支持功能，从而实现了尺寸和技术的优化。光学格式光学格式（Optical Format）是选择图像传感器时必须考虑的因素，它指的是传感器的物理尺寸，是一个假设的测量值，比传感器的实际对角线尺寸大50%。最常见的光学格式包括1英寸、2/3英寸、1/2英寸、1/3英寸和1/4英寸。图像传感器的光学格式决定了可以容纳的像素数量与大小，从而影响其成像性能、分辨率以及捕捉和准确再现细节的能力。传感器及其光学格式越大，能够捕捉的光线就越多，这进而引出了一个艰难的权衡：像素数量（分辨率）与像素大小（较大的像素可以捕捉更多的光线）。理想情况下，我们希望同时拥有更高的分辨率和更大的像素，但传感器越大，设备的成本和体积也就越大。在光学格式、成本和期望的成像性能之间找到适当的平衡是一个难题。例如，在不同的光学格式下保持相同的分辨率会导致不同的像素大小。此外，在相同的光学格式下使用不同XXXZDFCBJ' 像素大小会导致不同的分辨率。因此，选择正确的光学格式需要权衡利弊，并仔细考虑其他选择标准。像素技术是图像传感器的核心，也是不断改进的关键。我们的目标是生产出更小但更高效的设备，使其具有与大型设备中的大型传感器相同的性能。在不断创新以提高像素性能的同时，这些权衡也始终存在。弱光灵敏度图像传感器的一个重要选择标准是弱光灵敏度。弱光灵敏度是指图像传感器即使在弱光或黑暗条件下也能拍摄清晰、高质量图像的能力。虽然影响弱光灵敏度的因素很多，但它主要由像素大小决定。图 6. 弱光重要性-1 Lux 图像示例图 6 显示，与较大的像素（右图）相比，较小的像素（左图）捕捉光线的表面积较小。因此，大像素可以捕捉更多的光子，在弱光条件下生成更清晰的图像。不过，如前所述，较大的像素也会占用更多空间，而且生产成本较高。因此，如何在像素尺寸、弱光灵敏度、成本和其他选择标准之间找到平衡点是一项挑战。动态范围动态范围是选择图像传感器的另一个重要方面，指的是图像传感器在单张图像中准确有效地捕捉各种亮度水平的能力。这一标准对于拍摄高对比度场景（如天空明亮但背景阴暗的风景）非常重要。当然，室内场景中也会有明亮光线和黑暗区域的情况，但室外条件通常更为苛刻。图 7. 带 HDR 和不带 HDR 功能的传感器示例具有高动态范围的图像传感器可以在黑暗或弱光区域以及明亮或强光区域捕捉到更多的细节，从而获得更好的整体图像质量。图 7 显示了线性（非 HDR）图像传感器（左图）与 HDR（高动态范围）图像传感器（右图）相比，前者生成的图像模糊、对比度低，而后者则更清晰。虽然 HDR 图像不适用于不需要它的应用场景，但在成像应用中，拥有 HDR 选项正变得越来越重要。 HDR 成像有三种基本解决方案： 1.空间域：使用 "大小像素 "式结构，即一个像素包含两个子像素，大像素捕捉暗部，小像素捕捉亮部。 2.时域：改变信号积分的时间，以不同的曝光周期捕捉多幅图像，通常称为 "多重曝光"。 3.增益/电容：增加光电二极管的电荷容量或使用多个信号积分周期每种解决方案都各有利弊：空间（大小像素）：因为图像是同时拍摄的，从而减少了运动伪影，但其缺点包括降低了弱光下量子效率 (QE)、色彩伪影以及像素尺寸之间的固定比率。时域（多重曝光）：这种方法是使用单个光电二极管捕捉不同的曝光（弱光、中等亮度和强光），然后将它们组合以创建最终的HDR图像。但是，由于图像拍摄的时间点不同，可能会出现运动伪影和 LED（发光二极管）闪烁的问题。增益/电容（超级曝光）：这种方法通过在像素旁边添加电容来增加像素的线性满阱容量，从而存储更多电荷并扩展动态范围。这样可以延长像素的曝光时间，而不会出现过饱和现象，同时还能考虑到不同的 LED 占空比和频率。目前 HDR 成像的趋势是使用超级曝光技术，但多重曝光方法仍然是最流行的技术。然而，每种技术都有其最适合的特定应用场景。运动运动是影响图像传感器性能和选择的另一个因素，指的是图像传感器拍摄运动物体时不产生运动模糊或失真的能力。较高的帧率（以每秒帧数或fps衡量）能更好地拍摄运动物体。此外，不同类型的传感器处理运动的方式也有所不同。两种主要的图像传感器结构类型是： 1.卷帘快门（Rolling Shutter）：在这种类型中，像素逐行曝光并读取，这一过程会沿着像素阵列逐行进行。由于每一行的曝光时间不同，因此在拍摄快速移动的物体时可能会造成运动伪影或失真。 2.全局快门（Global Shutter）：这种类型可同时捕捉所有像素的曝光，消除了时间延迟，从而获得更准确且无失真的图像。不过，使用全局快门传感器时，灵敏度、QE 和 HDR 性能可能会成为潜在的权衡因素。图 8. 拍摄快速移动物体时的卷帘快门与全局快门对比快速运动是使用全局快门传感器的一种情况，但还有其他场景也适用。通常，最佳选择是配合“主动照明”技术；这基本上是指近红外发光二极管（NIR LED）或垂直腔面发射激光器（Vertical Cavity Service Emitting Lasers，VCSEL），它们的脉冲周期很短，可用于确定性地控制照明。这些技术可以在几乎没有环境光的情况下使用。人眼无法感知NIR LED的光，只能感知可见光范围LED的光。尽管由于波长的原因，人眼无法感知NIR LED，但眼睛仍可能受到其伤害。因此，如果NIR光没有以适当的强度和周期发射，就有可能使毫无防备的人失明。此外，降低NIR LED的占空比还可以减少功耗。由于这些NIR LED的开启时间非常短（有时仅为微秒级别），因此必须在这段时间内捕捉整个传感器阵列的数据。图 9. 提高全局快门效率（GSE）全局快门的一个显著缺点是存储元件（ME）会吸收光线，这会导致杂光灵敏度（PLS）问题。存储元件吸收的杂光越多，PLS 就越高。全局快门效率（GSE）是一个指标，用于衡量存储元件中的信号电荷受到杂光影响的程度。图9显示，较差的GSE会导致PLS升高和运动问题，而良好的GSE则会带来更好的运动性能。关于近红外（NIR）照明，并参考图4，CMOS图像传感器在这些波长下的量子效率 (QE)较低，也增加了主动照明应用的复杂性。要使全局快门具有更好的NIR响应，一种解决方案是在光电二极管下方加厚外延层 (EPI)。更厚的EPI可以捕获更长波长的光，并由光电二极管接收。然而，更厚的EPI可能会引入杂光进入相邻像素的风险，从而降低调制传递函数（MTF），即图像清晰度。因此，为了达到最佳系统性能，必须在NIR响应和调制传递函数（MTF）之间找到适当的平衡。每个系统的需求不同，有些可能需要更强的信号（更高的NIR量子效率），而另一些可能需要更好的MTF（清晰度）。关键在于找到一种方法，使光线能够到达合适的光电二极管，同时提高NIR灵敏度而不降低MTF，如下图所示。这对于传感器厂商来说是一个复杂的选择，并且会因应用而异。图 10. 改进工艺以提高NIR响应和保持 MTF 其他影响成像效果的技术趋势和考虑因素除了已经讨论过的内容外，在确定传感器的成像性能时，还有其他技术趋势和考虑因素需要权衡。成像深度在机器视觉、AR/VR、驾驶员监控等各种应用中，深度变得越来越重要。实现深度的一种方法是通过间接飞行时间（iToF）传感器，这种传感器通过测量光的不同相位以及光从传感器传播到反射回来的时间来确定距离。另一种方法是通过安装立体摄像头，使用多个视差摄像头从略微不同的角度和更远的距离拍摄和比较图像，从而计算深度。帧率虽然帧率会根据应用的不同而有所波动，但在涉及快速移动物体的应用中，对更高帧率的需求日益增长。更高的帧率能够实现更好的运动捕捉效果，并减少运动模糊，这使得它在机器视觉、扫描以及其他专业成像应用中显得尤为重要。提高帧率还可以抵消运动带来的影响，并减少对全局快门的需求。温度性能图像传感器对温度极为敏感，因此必须考虑其在不同曝光和条件下的性能。温度过高或过低以及在较高占空比下长时间运行都会影响传感器的性能。因此，了解温度性能及其如何影响所需应用的成像能力至关重要。色彩滤波阵列（Color Filter Array，CFA）传感器的CFA是一种用于解析（或不解析）图像色彩的滤光片，在决定图像的色彩准确度和效果方面起着重要作用。CFA有多种类型，每种类型在色彩准确度、清晰度、光敏感度和图像质量方面都有其优缺点。标准的彩色传感器使用拜耳阵列CFA，它以红、绿、蓝、绿的阵列覆盖像素。这种模式由柯达前员工Bryce Bayer于1976年发明。柯达的成像部门后来被分拆成一家名为True sense的公司，而这家公司于2014年被安森美收购。另一个例子是单色传感器，它提供单一的黑白图像，但灵敏度更高（因为没有彩色 "滤光片"），尤其是在不需要或未提供色彩信息的情况下，例如上述的主动近红外（NIR）照明应用。特殊类型的CFA，如RCCC（红、透明、透明、透明）、RYYCy（红、黄、黄、青）和RCCB（红、透明、透明、蓝），能够在收集部分色彩信息的同时让更多的光进入像素。这在汽车成像等应用中非常有用，例如可能需要红色来检测刹车灯或交通信号灯，但仍需要最大限度的光量。与此同时，RGB-IR CFA允许像素同时捕捉可见光和红外光，从而使系统能够同时处理和成像这两种类型的光线。

图像传感器

安森美 . 14小时前 215
产品 | ROHM推出实现业界超低电路电流的超小尺寸CMOS运算放大器

中国上海，2025年7月29日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出工作时的电路电流可控制在业界超低水平的超小尺寸CMOS运算放大器“TLR1901GXZ”。该产品非常适用于电池或充电电池驱动的便携式测量仪、可穿戴设备和室内探测器等小型应用中的测量放大器。近年来，随着便携式测量仪和可穿戴设备等由电池驱动的应用对控制精度要求的不断提高，用于量化温度、湿度、振动、压力、流量等参数的传感器以及用来放大传感器信号的运算放大器的重要性日益凸显。另一方面，在致力于实现可持续发展社会等大背景下，应用产品的小型化和节能化已成为当务之急，对单个器件也提出了同样的要求。在这种背景下，ROHM通过进一步优化多年来积累的“工艺技术”、“封装技术”和“Nano Energy™电路技术”，开发出满足“小型化”、“低静态电流”和“高精度”三大需求的运算放大器。新产品通过采用引脚间距缩小至0.35mm的WLCSP*1封装，实现1mm²以下的超小尺寸，同时兼具超低静态电流特性，工作时的电路电流可控制在业界超低的160nA（Typ.）。由此，该新产品不仅能在有限的空间内实现高密度安装，还能大大延长电池寿命和应用产品的续航时间。另外，新产品的输入失调电压*2在低静态电流运算放大器中表现尤为突出，最大仅为0.55mV，比普通产品减少约45%。输入失调电压温漂*3也能保证最大仅7µV/℃，即使在易受外部温度影响的设备中也能实现高精度工作。此外，若搭配ROHM的超小型通用电阻器MCR004（0402尺寸）和MCR006（0603尺寸）作为运算放大器的增益调节等外围元件使用，可进一步提升设计的灵活性。0402尺寸还提供环保型无铅电阻产品MCR004E。新产品已于2025年6月开始暂以2万个/月的规模投入量产。此外，新产品已经开始通过电商进行销售（样品价格300日元/个，不含税）。为便于客户进行初期评估和替换研究，ROHM还提供可支持SSOP5封装的装有IC的转接板。未来，ROHM将持续推进产品的小型化，同时利用自有的超低静态电流技术进一步降低运算放大器的功耗。另外，ROHM还将持续致力于提升产品在低噪声、低失调电压和扩大电源电压范围等方面的性能，并通过提升应用产品的控制精度为解决社会课题贡献力量。产品主要特性应用示例・消费电子：可穿戴设备、智能设备、人体感应传感器等・工业设备：气体探测器、火灾报警器、便携式测量仪、各种物联网设备用的环境传感器等电商销售信息发售时间：2025年6月起电商平台：新产品在电商平台将逐步发售。・产品型号：TLR1901GXZ-E2 ・装有IC的转接板：TLR1901GXZ-EVK-001 关于Nano Energy Nano Energy™是指通过融合ROHM垂直整合型生产体制中的“电路设计”、“布局”和“工艺”三大先进模拟技术，实现了纳安（nA）级电路电流的超低静态电流技术。该技术不仅可以延长电池供电的物联网设备和移动设备的续航时间，还有助于不希望增加功耗的工业设备等实现高效运行。术语解说 *1）WLCSP（Wafer Level Chip Scale Package）在晶圆状态下完成引脚成型和布线，随后切割成芯片的超小型封装。与将晶圆切割成芯片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同，这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小，因此可以缩减封装的尺寸。 *2）输入失调电压运算放大器输入引脚间产生的误差电压。 *3）输入失调电压温漂温度升降导致输入失调电压的波动。该波动量越小，运算放大器的精度越高。

运算放大器

ROHM . 15小时前 230
产品 | 瑞萨电子推出64位RZ/G3E MPU，专为需要AI加速和边缘计算的高性能HMI系统设计

2025 年 7 月 29 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出全新64位微处理器RZ/G3E（MPU）。RZ/G3E作为一款通用型产品，针对高性能人机界面（HMI）应用进行优化，集成运行频率高达1.8GHz的四核Arm® Cortex®-A55和一个神经网络处理单元（NPU），可实现高性能边缘计算，并具备AI推理功能，从而带来更快、更高效的本地处理。凭借全高清图形处理能力和高速连接功能，该MPU主要面向工业和消费领域的HMI系统，包括工厂设备、医用监视器、零售终端和楼宇自动化系统。高性能边缘计算与HMI功能 RZ/G3E的核心包含四核Arm® Cortex®-A55、一个Cortex®-M33内核，以及用于AI任务的Ethos™-U55 NPU。这种架构能够高效运行图像分类、物体识别、语音识别和异常检测等AI应用，同时将CPU负载降至最低。该产品专为HMI应用设计，可在两个独立显示屏上以60fps的速率流畅播放全高清（1920x1080）视频，其输出接口包括LVDS（双链路）、MIPI-DSI和并行RGB接口；此外RZ/G3E还配备MIPI-CSI摄像头接口，可用于视频输入与感知应用。 Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing at Renesas表示：“RZ/G3E在RZ/G系列成熟性能的基础上，增加了NPU以支持AI处理。通过使用与我们最近发布的RA8P1微控制器相同的Ethos™-U55 NPU，我们为AI开发提供了可扩展的路径。这些增强功能凭借强大的AI能力，满足下一代HMI应用在视觉、语音和实时分析方面的需求。” RZ/G3E配备边缘设备所需的一系列高速通信接口，包括用于高达8Gbps数据传输的PCI Express 3.0（2通道）、用于快速10Gbps数据传输的USB 3.2 Gen2，以及实现与云服务、存储设备和5G模块无缝连接的双通道千兆以太网。低功耗待机与快速Linux恢复从第三代RZ/G3S开始，RZ/G系列就包含先进的电源管理功能，可显著降低待机功耗。RZ/G3E在保持子CPU运行和外设功能的同时，功耗可低至约50mW；深度待机模式下功耗约为1mW。它支持DDR自刷新模式以保留内存数据，从而能够从深度待机模式快速唤醒并运行Linux应用程序。全面的Linux软件支持瑞萨提供基于可靠Civil Infrastructure Platform内核且经验证的Linux软件包（VLP），并提供超过10年的维护支持。对于需要最新版本的用户，瑞萨提供Linux BSP Plus，支持最新LTS Linux内核和Yocto。此外，Canonical的Ubuntu，以及Debian开源操作系统也可用于服务器或桌面Linux环境。 RZ/G3E的关键特性 CPU：四核Cortex®-A55（最高1.8GHz）、Cortex®-M33 NPU：Ethos™-U55（512GOPS） HMI：双全高清输出、MIPI-DSI/双链路LVDS/并行RGB、3D图形处理、H.264/H.265编解码器内存接口：32位LPDDR4/LPDDR4X（带ECC） 5G通信连接：PCIe 3.0（2通道）、USB 3.2 Gen2、USB 2.0 x2、千兆以太网x2、CAN-FD 工作温度：-40°C至125°C 封装选项：15mm2 529引脚 FCBGA、21mm2 625引脚 FCBGA 产品生命周期：根据产品生命周期计划（PLP）提供15年供货保障瑞萨及其生态系统合作伙伴推出的系统级模块解决方案瑞萨还推出基于RZ/G3E的模块化系统（SoM）解决方案——高性能边缘计算SoM | 瑞萨。瑞萨的生态系统合作伙伴将提供广泛的SoM解决方案：例如Tria的SMARC模块、ARIES Embedded的OSM（Size-M规格），以及MXT的OSM（Size-L规格）。成功产品组合瑞萨电子将RZ/G3E与其它兼容设备相结合，开发了功能丰富的高端HMI平台和数字耳镜。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win。供货信息 RZ/G3E和评估板套件现已上市；该套件包括一块SMARC v2.1.1模块板和一块载板。

MPU

瑞萨电子 . 15小时前 200
保障消费电子设备稳定性，MOS管中的体二极管如何做？

前言可以想象一下，如果用手机玩着游戏，却突然闪退，正常使用却突然发生黑屏或重启，是一种什么样的体验。在越来越在意用户体验的今天，要获得市场的认可，电子设备的稳定性至关重要。而电子产品如何增加稳定性，MOS管中的体二极管可以帮上一点小忙。体二极管的特性 MOSFET场效应管是很常用的元器件之一，其中的体二极管却很少被提起。实际上，体二极管是MOS管中寄生的二极管，是因为其PN结的基本物理结构而存在。体二极管和普通的二极管一样，也具有单向导电性、续流的特性、电压箝位能力。这些特性可以起到防止逆流、避免反向电动势、控制电压的作用，让设备能够安全、稳定地运行。体二极管应用体二极管所具备的特性，在消费电子设备可以起到关键的作用。体二极管的应用在不同的情况有不同的作用，比如充电时电源接反、电池过放、信号传输干扰不的情况。在充电的电路中，如果遇到电源接反的情况，倒灌的电流会造成很大的损害。要是在当中应用体二极管，就可以利用单向导电性，让电流单向通过，阻止其反向，从而达到保护电路的目的。这种情况尤其可以应用在快充场景，因为快充充电速度快、电流变化大，使用体二极管就可以让电流平稳、避免过流。而在电池当中的保护电路中，考虑到电池放电过度的话，会导致损耗。此时使用体二极管可以在电压过低的时阻断电流，促使电池电芯均匀充电放电，保证性能稳定的同时，延长其使用寿命。还有一个信号切换电路场景，体二极管应用其中，可以过滤信号电路的干扰电流，从而提升其稳定性和传输准确性。结语从体二极管的特性到其在各种电路中的应用，我们能深刻体会到它对电子设备电流稳定的重要性。合科泰MOS管正向导通压降、反向恢复时间等等参数上很有优势，具有尺寸小、功耗低，适配性佳的优点。在消费电子的应用上，合科泰具有许多的经验，有消费电子厂商使用后。诚邀大家进一步了解合科泰MOS管，共探电流稳定方案。

MOS管

厂商投稿 . 15小时前 1 225
国内首个《汽车安全芯片应用领域白皮书》发布，贞光科技代理紫光同芯核心技术方案获行业认可

贞光科技是紫光同芯的专业代理商，专注于汽车安全芯片、工业控制芯片等领域的技术服务和市场推广。公司拥有专业的技术团队和完善的服务体系，致力于为客户提供一站式芯片解决方案和技术支持服务。近日，由中国汽车芯片标准检测认证联盟组织发起，中汽研科技有限公司牵头，紫光同芯等20余家整车企业、零部件企业、芯片企业、高校及研究机构共同编撰的《汽车安全芯片应用领域白皮书》正式发布。贞光科技是紫光同芯的专业代理商，专注于汽车安全芯片、工业控制芯片等领域的技术服务和市场推广。公司拥有专业的技术团队和完善的服务体系，致力于为客户提供一站式芯片解决方案和技术支持服务。白皮书重要意义：填补行业空白，构建技术体系《汽车安全芯片应用领域白皮书》是国内首个系统性梳理汽车安全芯片技术路线、应用场景与验证体系的权威指南。该白皮书首次联动汽车安全芯片产学研用多方主体构建技术体系闭环，不仅填补了相关领域空白，也为整车企业、零部件供应商、芯片厂商、测试机构及监管部门提供了重要技术参考。白皮书的发布将有效支撑未来汽车安全芯片在智能网联汽车领域开展安全合规应用，助力优化汽车安全芯片产业技术路线，打通汽车安全芯片应用难点，加速汽车信息安全领域产业生态协同，促进汽车产业安全健康发展。紫光同芯核心贡献：五大应用场景技术方案技术实力获行业认可紫光同芯凭借在汽车安全芯片领域积累的研发与产业化经验，撰写了数字钥匙、动力电池防伪、eSIM安全、充电认证和北斗导航智能系统五大核心应用场景内容。作为紫光同芯的专业代理商，贞光科技深度参与了这些技术方案的市场推广和客户服务工作。五大核心应用场景详解 1. 数字钥匙应用应用功能：车辆远程启动、门锁控制、身份认证安全需求：密钥安全存储、通信加密、防重放攻击实现方案：基于SE安全单元的数字钥匙解决方案 2. 动力电池防伪应用功能：电池包身份识别、防伪验证、数据保护安全需求：电池真伪识别、数据完整性保护实现方案：嵌入式安全芯片防伪认证系统 3. eSIM安全应用功能：车联网通信、远程配置、订阅管理安全需求：通信加密、身份认证、数据保护实现方案：车规级eSIM芯片安全通信方案 4. 充电认证应用功能：充电桩与车辆双向认证、安全充电安全需求：身份验证、数据加密、防伪造实现方案：基于安全芯片的充电认证系统 5. 北斗导航智能系统应用功能：精准定位、导航数据保护、防干扰安全需求：导航数据完整性、防篡改、抗干扰实现方案：北斗导航安全芯片解决方案白皮书明确了安全芯片在各场景的应用功能介绍、安全需求说明、实现方案和具体应用案例等，为白皮书的技术框架搭建、安全芯片落地实践提供了决定性和务实性支撑。紫光同芯产品矩阵：完整解决方案体系产品技术优势作为业内领先的芯片及解决方案提供商，紫光同芯在汽车安全芯片领域构建了包含SE安全单元、NFC芯片、eSIM芯片及OBU-ESAM模块等在内的完整产品矩阵。产品类型核心特性主要应用 SE安全单元高安全等级、硬件加密数字钥匙、身份认证 NFC芯片近场通信、低功耗车载支付、门禁系统 eSIM芯片嵌入式设计、远程管理车联网通信、数据传输 OBU-ESAM模块车路协同、V2X通信智能交通、协同驾驶结语《汽车安全芯片应用领域白皮书》的发布标志着中国汽车安全芯片产业进入标准化发展新阶段。紫光同芯作为核心参编企业，充分展现了其在汽车安全芯片领域的技术实力和行业影响力。贞光科技作为紫光同芯的专业代理商，将继续深化与紫光同芯的合作，发挥专业服务优势，为客户提供更完善的汽车安全芯片解决方案，助力智能网联汽车产业安全健康发展。

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紫光同芯代理商 . 15小时前 205
技术干货：评估晶振的稳定度，就看这5大指标

你选的晶振够“稳”吗？频差丨温漂丨老化丨相噪丨抖动五大指标评估晶振稳不稳！晶振是电子系统时序的基准，一旦不稳定，容易引发通信丢包、数据错误、时序混乱，甚至整机宕机，带来严重后果。那么，问题来了： · 如何判断一颗晶振是否够稳？ · 数据手册里哪些参数是关键？今天，小扬就给您传授一套： “晶振稳字诀” 拆解数据手册里的五大关键指标，助您科学选型、系统稳稳运行，工程师也能收获“稳稳的幸福”~ 01 频率容差关键词：出厂时准不准？频率容差，也叫初始频率精度，是晶振出厂时频率与标称值之间的偏差。这是数据手册中的关键指标之一，通常标注为Frequency Tolerance，可以说是判断晶振“稳不稳”的第一关。图：YXC数据手册—频率容差（黄色标亮）＞指标定义 · 定义：在标准测试条件（通常25℃、额定电压、标准负载）下，晶振实际输出频率与标称频率的最大偏差。 · 单位：±PPM (百万分之几)。数值越小，晶振出厂时越精准，系统对频也越快。＞选型建议 · 系统是否能在首次上电时就“对频对得准”，很大程度取决于晶振的出厂频率准确度。 · 对于需要开机即稳定运行的通信模组、电表等应用，尤其要关注这一参数。 02 频率温度稳定性关键词：冷热变化下稳不稳？频率温度稳定度，又称温度频差，数据手册常用“Frequency v.s. Temperature”表示。它体现晶振抵抗温度变化导致频率漂移的能力，是评估其能否在宽温环境下稳定运行的关键。图：YXC数据手册—频率温度稳定度（黄色标亮）＞指标定义 · 定义：整个工作温度范围内，输出频率相对于25℃标称频率的最大偏移。 · 单位：通常用±PPM表示。另外，恒温晶振也常用±PPB表示，1PPM=1000PPB。＞选型建议 · 标准晶振： ① 温偏：±10ppm ~ ±30ppm ② 应用：适合常温或温差变化不大的室内环境，适用于消费电子、一般工业控制等领域，能平衡频率稳定性和成本，满足大部分基础需求。 · 温补晶振（TCXO）： ① 温偏：±0.1ppm ~ ±2.5ppm ② 应用：内置温补电路，抗温漂能力强。适合户外、车载等温差大的环境，是定位、通信等领域的常用选择。 · 恒温晶振（OCXO）： ① 温偏：±0.01ppb ~ ±500ppb ② 应用：内建恒温系统，温漂极小。专用于北斗授时、5G 基站、精密仪器等对频率精度极致追求的场景。 03 老化率关键词：用久了会不会“漂”？晶振运行久了也会“老去”。老化率，是衡量晶振在长期运行中频率漂移趋势的关键指标，数据手册通常标注为Aging，影响系统长期稳定性。图：YXC数据手册—老化率（黄色标亮）＞指标定义 · 定义：晶振在长期连续工作后，会因晶体结构变化而“老化漂移”，输出频率发生累积性、不可逆漂移。 · 单位：通常关注年老化率，±PPM/年（也有按月或天标注）。＞选型启示 · 高品质晶振首年老化率一般为 ±1ppm ~ ±3ppm，通常首年漂移较大，之后趋于稳定，OCXO 更可做到ppb级别。 · 对于通信基站、智能电表、工业网网关等长周期运行、无人值守设备，建议优先选用低老化率的晶振。 04 相噪和抖动关键词：信号干不干净？时钟信号不仅要“准”，更要“纯净”。高速通信和精密测量中，信号的颤抖和杂波都会带来隐患。相位噪声和抖动是衡量晶振信号纯净度的关键指标，直接影响传输质量和抗干扰能力。图：YXC数据手册—相噪&抖动（黄色标亮）＞指标定义 ① 相噪（Phase Noise）： · 定义：频域中衡量时钟信号纯净度的指标，表示频率周围的随机相位扰动，反映信号在频谱上的相位不稳定性。 · 单位：dBc/Hz。数值越低，表明信号频谱越纯净，抗干扰能力越强。 ②抖动（Jitter）： · 定义：时域中衡量时钟信号边沿时间不确定性的指标，表示实际时钟边沿与理想位置之间的时间偏差。 · 单位：皮秒（ps）或飞秒（fs）RMS。数值越小，信号越稳定，数据传输越可靠。＞选型建议 · 对PCIe、SerDes、ADC/DAC等高速串行接口，低抖动能提升眼图质量、降低误码率，建议优先选择差分输出晶振（LVDS、LVPECL、HCSL）。 · 在5G通信、相控阵雷达、高精度视觉测量等对信噪比要求极高的场景，应优先选择低相噪的高性能晶振，如TCXO、VCXO、 OCXO等。各类严苛应用场景？YXC晶振都有解法！选型不迷路、应用更安心~

晶振,有源晶振,温补晶振,恒温晶振

扬兴科技 . 15小时前 190
德明利亮相2025瑞芯微开发者大会，赋能AIoT生态创新

7月17日，瑞芯微开发者大会2025在福州举办。德明利作为瑞芯微AIoT生态核心建设力量出席本届大会，现场展示全栈嵌入式存储产品和解决方案，与现场开发者、生态伙伴代表探讨最前沿的开发经验，为智能终端创新与千行百业数字化转型提供高性能存储支撑。一、智能因链接焕新，存储使链接无界随着传统IoT网络向AIoT智能体升级，数据的高效流转成为全链路智能协同的核心。在瑞芯微开发者大会现场，德明利携通过RK3588、RK3568等30余款平台认证的嵌入式存储方案亮相。 1、场景化性能验证: LPDDR4X内存带宽达4266Mbps，支持8K智能IPC实时分析； eMMC5.1实现达320MB/s持续读写，满足智能座舱多屏交互需求。 2、量产场景保障凭借在性能、稳定性和兼容性方面经过验证的嵌入式存储产品，德明利实现在全场景智能化业务中的规模应用，如安防监控、智能音箱及移动终端等场景，为去中心化的网络链接夯实万物智联技术底座。二、加速AIoT生态部署，赋能下一代智能设备的存储力量作为国内智能终端AIoT方案商，瑞芯微以开放Rockchip平台聚合300+生态伙伴构建技术生态。三、德明利深度适配各主流SoC平台德明利依托严格品控流程与元器件认证体系，提供跨平台兼容的UFS、LPDDR及eMMC嵌入式全产品矩阵，覆盖从边缘计算节点到复杂智能终端的需求，构建软硬件协同开发套件，保障存储产品在一致性、耐久性等关键指标上达到行业领先水平，更好地赋能国内用户的多元场景存储需求。面向全新的万物智联时代，德明利将深化与瑞芯微在技术创新、产业应用、商业合作等领域合作，加速芯片适配进程，以AI+系统级融合创新，为AIoT设备提供纵横无界的存储体验。

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德明利 . 15小时前 195