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企业 | 环球晶意大利Novara厂8寸产线起火停产

环球晶22日公告，意大利Novara厂8寸产线无尘室机台因故燃烧，导致产线停止生产，当下人员全数安全撤离无人员伤亡。环球晶表示，将透过集团全球生产据点进行产能调度，以降低对客户供货影响。环球晶指出，意大利Novara厂21日发生火灾，8寸产线无尘室机台因故燃烧，不过并无人员伤亡，产线已停止生产。发生火灾地点为8寸产线，12寸产线不受影响，环球晶目前正在评估灾后复原计划，复工时程、设备损失及对营运的实际影响，仍待进一步评估确认。据《工商时报》23日报导，市场指出，近期8寸市场需求逐步回温，Novara厂停产时间及其他厂区可调度产能，将成为后续供货影响的观察重点。而8寸矽晶圆主要应用于电源管理IC、车用电子、工业控制、感测器及功率半导体等成熟制程产品。

环球晶

芯查查资讯 . 2026-07-23 1414
市场 | 2026年上半年中国智能门锁行业量额承压，销量下降8%，下半年降幅扩大；行业进入“量减质增”深度转型期

进入2026年，中国智能门锁行业处于从规模扩张向价值竞争的转型期。受房地产交付放缓及前期政策红利退坡影响，市场呈现了“量额齐降”的承压态势。一、总体市场概况：量额双降，行业进入存量调整深水区根据洛图科技（RUNTO）全渠道推总数据，2026年上半年，中国智能门锁市场线上线下全渠道的销量为821.9万套，同比下降8.3%；销额为49.1亿元，同比下降11.2%。量额双降并非短期波动，而是行业从政策驱动、地产驱动向价值驱动转型的必然阵痛。根本矛盾在于，前期粗放增长阶段积累的低价同质化产品供给与当前消费需求之间的错配在外部环境变化下的集中显现；深层逻辑是行业增长动能的彻底转换——新房交付放缓、政策红利退坡、消费者理性化三重压力叠加，使市场从“人人换新”的普及期进入“优胜劣汰”的成熟期。二、渠道发展：C端渠道持续分化，B端需求底部承压 C端：传统主流电商流量见顶，新兴电商结构隐忧；线下向服务化转型 2026年上半年，C端零售渠道的销量占比攀升至59.5%，较2025年同期提升1.8个百分点，消费端已稳居市场绝对主力。以京东、天猫、苏宁易购为代表的线上传统主流电商仍是市场销售的基本盘，占全渠道的32.9%，但618大促期间的销量同比下降了约10%，促销周期的拉长并未带来等比例的转化效果。随着流量成本持续走高、平台补贴效应边际递减，中小品牌在资源位的争夺中加速出清。以抖音、快手为代表的新兴电商渠道的增速较去年同期明显回落，增长动能进入平台期。值得注意的是，新兴电商渠道中千元以下产品销量占比极高，接近80%，低价产品借助直播流量快速起量，但高退货率影响了渠道效率。市场增量更多的体现为消费场景的迁移，而非市场容量的实质性扩充。线下渠道加速从“卖硬件”向“卖方案”转型，头部品牌线下门店围绕入户场景打造整体解决方案，通过真机拆解演示、多场景体验和定制化安装建立差异化壁垒；部分品牌整合物业、装修公司等前端资源，在存量房改造市场中建立“入户第一触点”竞争优势。 B端：工程集采持续疲软，细分场景支撑有限 B端市场的销量占比回落至约40%，工程渠道的影响进一步减弱。受房地产竣工放缓、精装房渗透率触顶的双重影响，新房的配套需求持续承压。细分场景中，酒店智能化改造进入了平稳期，项目释放节奏放缓；长租公寓市场以存量设备的维护替换为主，增量贡献微弱。尽管适老化改造政策带动了部分老旧小区的集采订单，但多为低客单价的基础款需求，规模与利润均不足以填补工程端的缺口，B端整体仍处于筑底调整期。三、品牌竞争：头部品牌凭借差异化的核心壁垒展开激烈的突围战 2026年上半年，行业洗牌速度明显加快但头部阵营稳固。根据洛图科技（RUNTO）全渠道推总数据显示，2026年上半年，德施曼、小米、凯迪仕位居量额维度下的前三名，合计销额份额达55.7%。三者在高端市场形成了稳定阵营，凭借技术自研、品控体系与全链路售后服务，占据了高附加值区间。 2026H1 中国智能门锁市场TOP品牌销售份额数据来源：洛图科技（RUNTO）推总数据，单位：% 德施曼在整体全渠道市场中的量额均位居首位。其聚焦中高端市场，在2000元以上的中高端市场实现了销量与销额双第一。技术上，徳施曼持续强化AI能力，推出搭载“AI智能管家Miya”的产品矩阵，实现了从“被动安防”向“主动守护”的跨越（如儿童出行提醒、快递滞留警报等）。小米的销量份额为8.7%，位居全渠道销量第二。其依托米家APP及澎湃OS深度联动，将智能门锁打造为全屋智能的交互枢纽。在全价位段实现精准布局，从主打高性价比的入门款E30，到中高端的智能门锁4 Pro系列，小米形成了极具竞争力的产品矩阵。凯迪仕的销额份额为17.1%，位居全渠道销额第二。产品方面，人脸识别智能门锁是凯迪仕的主要发力点，其i60 Ultra搭载灵动交互屏，进一步优化了用户体验。萤石在量、额维度下均位居第四位。技术上，萤石基于自研的“萤石蓝海大模型”推出了Y31 Ultra等搭载AI智能体交互屏的新品，将门锁升级为家庭情感陪伴中心。产品上，在3000元以上的高端双摄掌静脉视频锁细分赛道中，萤石的销量与销额均位列第一。华为在销额榜中稳居前列。其智能门锁2系列贡献了品牌内部超70%的销额，成功的在3000元以上的中高端市场站稳了脚跟。与此同时，尾部品牌加速退出。过去数年，行业低端市场长期存在“劣币驱逐良币”现象，部分中小品牌以低价低质产品抢占市场，缺乏核心算法与智能技术研发能力，在持续的价格战中利润空间被不断压缩。新国标实施后，合规成本进一步抬高，加速淘汰缺乏技术积累的品牌，活跃品牌的数量较往年减少近两成。四、产品与技术创新：技术下沉与场景化驱动产品分化 2026年上半年，智能门锁的技术演进彻底摆脱了单纯的参数堆砌，而是围绕技术下沉与融合和场景定义两条主线重构产品策略。技术下沉与融合：高端技术下沉，生物识别从单点走向多模态根据洛图科技（RUNTO）线上数据显示，2026年上半年，在传统主流电商平台，人脸识别、掌静脉识别的销量份额分别达到47.9%、16.0%，同比增长了12.7个和5.1个百分点，已成为消费者选购智能门锁的核心考量要素。同时，这些技术正加速从高端旗舰向2500元以下市场渗透。在2500元以下价格段市场中，人脸识别、掌静脉识别的销量占比增长明显，同比分别提升了13.4、5.5个百分点，高端技术的大众化进程显著提速。单一的生物识别技术的天花板在近几年已经显现。指纹识别受限于手指状态（潮湿、脱皮、老人儿童指纹浅），3D人脸识别在极端逆光、遮挡场景下仍有局限。2026年上半年，融合方案正在成为主流解法。搭载“人脸+掌静脉”双模态识别的产品销量份额同比增长了4.8个百分点，达到14.5%，生物识别正从单点技术走向多模态融合。场景定义产品：AI驱动产品功能从单一开锁向家庭交互延伸头部品牌的竞争重心已从功能堆砌转向场景深耕，AI智能体凭借场景意图解析、情感化交互及角色自适应能力，为老人、儿童等家庭成员提供了个性化服务，重构产品价值逻辑。多摄方案成为场景化交互的核心载体。2026年上半年，双摄/三摄方案的销量份额为10.4%，同比提升5.2个百分点，AI深度融合使多摄配置从“更广视角”向“场景识别”演进，精准覆盖儿童归家身份核验、老人异常行为预警、快递安全远程看护等核心居家场景。屏幕配置亦在加速迭代，从信息展示终端迈向人机交互入口。2026年上半年，带屏智能门锁的销量渗透率为49.4%，行业正从单屏向“内外双屏+AI情感化交互”深度进阶，室外屏不仅实时显示门锁状态，更支持临时访客权限交互与AI语音情感反馈，重塑入户体验的智慧温度。供电技术同步革新，为高算力场景提供续航支撑。2026年上半年，双电池续航方案销量份额为25.3%，同比提升了2.8个百分点。与此同时，能源获取方式迎来突破：鹿客推出AuraCharge奥充™隔空充电技术，实现“使用即充电”；海尔引入高效光伏组件实现微光自充电。这些创新改变了依赖增大电池容量提升续航的单一模式。场景化能力正在推动智能门锁从单一的“开门工具”延展为“家庭守护中枢”。这一转变不仅重构了产品形态，更成为品牌在中高端市场构建差异化壁垒、摆脱价格战泥潭的核心抓手。 2026H1 中国智能门锁线上市场重点生物识别产品销量份额及变化数据来源：洛图科技（RUNTO）传统主流电商数据，单位：% 五、市场展望：全年销量预计1607万套，行业进入“量减质增”阶段综合需求周期、政策环境、渠道格局与行业供给来看，2026年下半年，中国智能门锁市场仍面临较大压力。洛图科技（RUNTO）预测，2026年全年，中国智能门锁线上线下全渠道的销量约为1607万套，同比下降约10%，较上半年8.3%的降幅有所扩大，下半年的下行压力更为显著。行业的洗牌逻辑正从“价格淘汰”升级为“标准淘汰”。2026年3月1日正式实施的《锁具安全技术要求第2部分：防盗锁》国家强制标准首次将机械防护、电子防护、信息安全、生物识别安全纳入统一框架，强制要求采用C级锁芯、防电磁攻击等基础配置。这一政策显著抬升了中小品牌的合规成本，头部品牌凭借完善的安全认证体系和品控能力，将加速收割出清市场的份额，推动市场进入“良币驱逐劣币”的新阶段。在此背景下，市场的竞争维度向高端化、生态化、服务化纵深演进：产品高端化：AI大模型、多生物识别融合、多摄全景安防等核心技术，正构建起更高的技术壁垒，推动产品从“基础安防”向“主动智能守护”升级。生态协同化：作为“智能家庭入口级产品”，门锁与全屋智能设备的联动价值持续凸显。企业通过构建开放的生态体系，实现门锁与照明、安防、家电的深度协同，将场景体验从“单品智能”跃迁至“空间智能”，生态协同能力已成为不可忽视的竞争变量。服务价值化：围绕用户全生命周期的服务体系，如精准化安装、主动式维保、个性化场景配置正成为差异化竞争的新赛道，推动行业从“硬件销售”向“服务增值”转型。整体来看，行业正经历从“规模扩张”到“质量提升”的质变期。短期承压不改长期的成长逻辑，掌握核心技术、构建生态壁垒、深耕服务价值的企业，将在新一轮洗牌中占据先机。添加分析师微信，获得即时交流。

智慧安防

Runto洛图科技观研 . 2026-07-23 1057
企业 | 产学研多方携手：Bosch Sensortec 牵头协调 SensorTech4Health 2030 主动预防性健康管理项目

来自学术界与产业界的国际合作伙伴们正共同开展一项跨国健康管理项目：SensorTech4Health 2030，旨在通过连续监测周围环境来评估人体健康与福祉，帮助人们延长健康寿命并保持生活自理能力。Bosch Sensortec 作为该项目的总协调方，将全力推动该技术向市场化迈进。 1.产学研合作，SensorTech4Health 2030 项目正式启动如今，智能手机应用与智能手表（如计步、心率及睡眠监测）已成为许多人日常生活的一部分。然而，由于此类数据往往不够完整且缺乏情境关联，尚不足以实现持续、全面的健康与福祉监测。在人口老龄化加剧和医疗护理成本高企的背景下，如何利用预防性手段帮助人们更长时间地保持健康与独立生活能力，已成为全球面临的重要课题。为此，SensorTech4Health 2030 国际合作项目正式启动。该项目已获得欧盟 EUREKA Cluster Xecs 框架下相关国家资助机构共计 1500 万欧元的资金支持，并由 Bosch Sensortec 作为项目总协调方（Coordinator）统筹推进。图片来自 Bosch Sensortec 该项目致力于开发出能够融入智能家居系统或作为微型可穿戴设备的新型辅助技术，通过持续监测周围环境与人体状态，帮助人们延长健康寿命。 Stefan Finkbeiner 博士Bosch Sensortec CEO 我们的目标是开发出超越单纯技术组件的传感器，使其成为协助人们过上更健康生活的敏锐伙伴。通过将智能传感器技术无缝融入日常生活，我们致力于长期改善提高人们的生活质量。将焦点置于预防，能让人们更长时间地保持身体活力与自主性。通过该项目，我们正在塑造预防性医疗保健的未来。 2.突破性技术：气味、声音与人工智能的多模态融合未来的新型辅助系统将完全围绕用户需求进行设计，采用直观且易于操作的智能技术。这些技术将利用来自用户周围环境（如住宅或病房）或直接来自用户身体的信息来追踪健康状态：百亿分子中的精准识别：人体在新陈代谢过程中会通过皮肤和呼吸向环境释放特定化合物。萨尔大学（Saarland University）项目负责人 Christian Bur 博士率领的研究团队专注于金属氧化物半导体（MOS）气敏传感器及相关的机器学习方法。该系统如同高科技感觉器官，能够从居室环境的百亿个空气粒子中分离出目标分子，高精度测量挥发性有机化合物（VOCs）的浓度。多模态数据与情境理解：通过将气味、声音以及智能织物测得的指标相结合，利用人工智能（AI）和相关算法进行上下文关联分析。系统能够“理解”用户的当前状态（例如通过气味和声音综合判断用户正在做饭，从而确认其生活自理能力良好），并在必要时做出适当建议（如在空气沉闷时提示开窗通风）。广泛的适用群体：该技术方案覆盖居家生活的普通大众，从希望建立健康生活方式的年轻人，到年长者、有护理需求的人群以及慢性病患者。 3.隐私安全设计：科技有温度，更有边界确保用户的隐私不被侵犯以及数据安全得到保护，是项目团队的核心原则：无摄像头与语音识别：系统配备的气敏传感器和麦克风仅用于环境音监测。麦克风通过微观薄膜上的压力变化将声音转化为电信号，不具备语音识别功能，不记录言语内容。本地信号处理：系统不设摄像头，且不会在云端存储或发送数据。所有信号处理均在设备本地完成。无感化运行：技术旨在背景中静默、自动且安全地运行，用户无需通过繁琐的按键来控制设备。 4.多样化应用：从智能织物到听力辅助除了智慧家居集成外，财团还计划开发可放置于床头柜的小型化辅助设备，并将气敏传感器系统集成到床单等智能纺织品中，以非侵入式地持续监测患者或有护理需求人群的健康指标。此外，鉴于听力损失会增加罹患认知障碍（认知症）的风险，项目团队还将致力于：优化人工耳蜗（Cochlear Implants）：通过配备更佳的麦克风来提升其性能。开发新型听力辅助电子产品：通过抑制干扰性的背景噪音，使用户更容易理解对话，从而改善听力损失患者的生活质量。关于 SensorTech4Health 项目 SensorTech4Health 项目汇聚了数字健康领域的众多顶尖学术与产业合作伙伴。其中，德国项目伙伴得到了德国联邦研究、技术与空间部（通过VDI/VDE Innovation + Technik GmbH）的资金资助。产业界合作伙伴： Bosch Sensortec（德国） Robert Bosch GmbH（博世中央研究院，德国） Robert Bosch Oy（芬兰） Intervall Beratung GmbH（德国） Cochlear Technology Center（比利时） VS Particle（ Netherlands / 荷兰） Sintex（捷克） PulseOn（芬兰）学术界合作伙伴：弗赖堡大学医疗中心（Medical Center – University of Freiburg，德国）萨尔大学（Saarland University，德国）国家精神健康研究所（National Institute of Mental Health，捷克）

Bosch

Bosch Sensortec . 2026-07-23 959
产品 | 中微半导发布车规级MCU BAT32A257、BAT32A259 赋能安全、高效、智能汽车应用

近日，中微半导体（深圳）股份有限公司（以下简称：中微半导股票代码：688380）宣布正式推出新一代基于Arm Cortex® M0+内核32位车规级BAT32A25x系列MCU-BAT32A257、BAT32A259系列。BAT32A25x系列主频最高80MHz，符合AEC-Q100 Grade1标准、满足ASIL-B车规功能安全认证，具有可靠的CAN-FD、LIN2.2通讯能力及低功耗运行特性，可广泛适配汽车的门、窗、开关、车灯、座椅、仪表、传感器、电机等主流车身域控制应用。中微半导BAT32A25x系列是其车规级32位MCU家族中的重要产品线，专为满足汽车电子高性能与高可靠性需求而设计。本次发布的BAT32A257与BAT32A259系列作为BAT32A23x系列的迭代升级产品，精准聚焦车身控制、舒适系统、照明、传感器及电机驱动等场景，在处理能力、通信带宽和功能安全等维度全面升级，可为本土汽车供应链提供高性价比、高可靠性的核心芯片选择。硬核车规品质资源强劲升级 BAT32A257与BAT32A259系列均严格遵循AEC-Q100 Grade 1标准，支持-40℃至125℃的宽工作温度范围，可从容应对严苛的汽车电子应用场景。两大系列提供32~80Pin多种封装选项，灵活适配不同规模的系统设计。产品同时符合ASIL-B车规功能安全认证，具备高安全性、高可靠性和高一致性。在核心性能上，两者均搭载ARM Cortex®-M0+ 32位内核，主频高达80MHz，其中BAT32A257提供128KB Flash、16KB SRAM及6KB Data Flash；BAT32A259提供更高容量的256KB Flash与32KB SRAM、6KB Data Flash，满足代码量更大、数据处理更复杂的应用需求。两款产品所有内置存储均支持ECC（错误检查和纠正），显著提升数据安全性与系统鲁棒性。丰富通信与模拟外设助力高效集成面向现代汽车多样化的互联需求，两款MCU集成了LIN2.2、CAN-FD、I2C、SPI、UART等多种总线接口。BAT32A257同样集成1路CAN-FD及LIN2.2通信接口，CAN-FD支持最高8Mbit/s数据传输，BAT32A259支持2路CAN-FD及1路LIN2.2，相比经典CAN2.0的1Mbit/s,其通讯能力提升8倍，为OTA升级、域控制器间高速数据交换提供保障。模拟外设方面，BAT32A25x系列集成了12bit ADC、12bit DAC、比较器、可编程增益放大器（PGA）等。BAT32A257 ADC提供16个外部模拟通道；BAT32A259 ADC则提供多达21个外部模拟通道，转换速率达1.78Msps,两款MCU均内置2通道12bit DAC，可高保真处理来自温度、压力、位置等传感器的微弱信号，减少外部元件数量并提升系统可靠性。高效定时器与低功耗兼顾性能与能效在定时与控制方面，BAT32A257与BAT32A259系列均提供Timer M电机专用定时器，支持通用PWM及电机专用PWM功能，配合比较器(ACMP)、可编程增益放大器(PGA)、12bit ADC、硬件乘除法器、独立看门狗（IWDT）及窗口看门狗(WWDT)，可灵活驱动直流无刷电机、步进电机等各类执行部件，满足车身域日益增长的电机控制需求。同时，BAT32A2 5 7 与 BAT32A259系列支持睡眠和深度睡眠两种低功耗模式，尤其适用于对能耗敏感的常电车身应用，在保障处理能力的同时有效降低系统功耗。典型应用 BAT32A257与BAT32A259系列凭借高性能与高可靠性全面适配门窗、车灯、座椅、仪表、传感器、BMS、控制面板、车载冰箱、制氧机等全场景车身域应用，为车载轻量化、高可靠、低功耗方案提供优质选型。开发支持中微半导BAT32A257与BAT32A259系列提供QFN40/48及LQFP32/48/64/80等多种封装规格。可覆盖多引脚不同设计需求，适配不同车身控制方案。现已面向客户提供样品、开发套件、完整技术文档、软件开发工具包（SDK/MCAL）及本地化技术支持服务，助力项目快速导入。产品状态中微半导BAT32A257与BAT32A259系列已于2026年1季度实现批量生产和交付。搭配设计灵活的解决方案，有助于简化产品设计，并缩短芯片评估与方案开发周期。中微半导持续深耕汽车电子赛道，BAT32A25x系列更多型号即将推出，公司将持续以技术赋能，助力构建更安全、更智能、更绿色的出行生态。

中微半导

中微半导 . 2026-07-23 1085
企业 | TI 2026年Q2季度毛利率重回61%

如果要评选2026年上半年最让市场意外的模拟芯片厂商，德州仪器（TI）一定排得上号。二季度营收、利润全面超预期，三季度指引继续上调，工业、汽车、数据中心三大市场全面回暖，模拟芯片龙头终于走出了此前持续多个季度的调整周期。更值得关注的是，在收入恢复增长的同时，TI的盈利能力也在明显改善。第二季度毛利率重新站上61%左右，经营现金流持续增强，自由现金流占营收比例超过三成，这意味着TI不仅卖得更多，而且赚得也更多。上半年业绩明显回暖，增长进入加速阶段从整体业绩来看，TI已经结束了此前持续近两年的库存调整阶段。第二季度，公司实现营收54.6亿美元，同比增长23%，环比增长13%；每股收益达到2.14美元，同比增长超过50%，明显高于市场此前普遍预计的1.92美元。如果结合第一季度来看，今年上半年TI整体经营已经恢复到增长轨道。相比去年仍受到工业去库存影响，今年最大的变化来自需求恢复更加广泛，不再只是单一市场推动，而是工业、汽车、数据中心等多个终端同步改善。尤其工业市场，此前一直是TI最大的压力来源，如今已经重新成为增长的重要动力。对于一家超过八成收入来自工业和汽车市场的模拟芯片企业来说，这种复苏质量远高于单纯依赖消费电子带来的增长。模拟业务继续撑起整个TI 作为全球最大的模拟芯片厂商，模拟业务依然是TI最核心的收入来源。第二季度模拟业务收入达到43.7亿美元，同比增长26%，占公司整体收入接近80%。更重要的是利润增长速度远高于收入。模拟业务营业利润达到19.9亿美元，同比增长50%，说明随着晶圆厂产能利用率不断提升，固定成本开始被进一步摊薄，盈利能力正在快速恢复。相比数字芯片行业依赖先进制程不同，TI长期坚持建设300mm晶圆制造体系。过去几年，公司持续投入数百亿美元建设300mm工厂，当时不少投资者质疑资本开支过高，而如今随着需求恢复，这些产能开始释放规模效应。管理层表示，300mm晶圆相比传统200mm晶圆，可有效降低单位制造成本，提高长期毛利率和现金流，这也是TI一直坚持逆周期扩产的重要原因。事实证明，这一战略开始兑现。德州仪器位于德克萨斯州谢尔曼市的全新300毫米半导体晶圆厂嵌入式处理器同样交出亮眼成绩除了模拟芯片之外，TI另一块重要业务——嵌入式处理器，也出现明显改善。第二季度实现营收7.88亿美元，同比增长16%。营业利润达到1.68亿美元，同比增长接近一倍。虽然规模远不及模拟业务，但增长速度同样十分可观。随着工业自动化、机器人、边缘计算以及新能源汽车控制系统不断升级，MCU、DSP等嵌入式产品需求也开始逐步恢复。对于TI而言，两大核心业务同时增长，使整体经营质量进一步提升。毛利率重新站上61%，盈利能力持续恢复相比收入增长，更值得关注的是盈利能力。第二季度TI毛利率重新恢复至61%左右，相比此前库存调整阶段已经明显改善。毛利提升主要来自几个方面。首先，工业需求恢复后，高毛利产品销售占比重新提高。其次，自建300mm晶圆厂产能利用率不断提升，制造成本持续下降。另外，公司过去几年持续优化产品组合，重点布局生命周期更长、价格更加稳定的工业及汽车产品，这些产品本身利润率就高于消费电子芯片。这也是为什么TI一直强调，不追求短期市场份额，而是追求长期盈利能力。从现金流来看，公司过去12个月经营现金流达到86.7亿美元，自由现金流达到65.3亿美元，占营业收入比例高达33.6%。对于一家制造企业而言，这样的现金创造能力依旧处于全球半导体行业第一梯队。与此同时，公司继续保持高研发投入。过去一年研发及销售管理费用达到39亿美元，资本支出约33亿美元，同时向股东分红及回购股票58.2亿美元，体现出极强的资金实力。 TI释放积极信号相比已经公布的二季度业绩，真正令市场惊喜的是TI给出的下一季度预测。公司预计第三季度营收将在56.5亿美元至61.5亿美元之间，中值约59亿美元，明显高于市场此前普遍预测的56.2亿美元。这意味着管理层对未来几个季度需求恢复依然保持乐观。数据中心电源、高性能服务器、工业自动化、新能源汽车、电网基础设施等领域，仍然是未来增长的重要动力。财报发布后，TI股价盘后反而出现回调。原因并非业绩不好，而是此前股价已经提前反映了市场预期。在估值处于较高位置的背景下，即便交出优秀成绩单，部分资金依然选择获利了结，这也是近年来美股科技股财报季经常出现的现象。从长期来看，市场关注的重点已经不只是单季度增长，而是TI能否持续保持工业市场复苏、300mm产能释放以及高毛利率水平。对于国产模拟芯片企业来说，TI毛利率重新站上61%、现金流持续强劲，也说明模拟芯片行业竞争的核心并非短期价格战，而是制造能力、产品矩阵、客户黏性和长期研发投入。未来几年，全球模拟芯片市场仍将围绕高端工业和汽车电子展开竞争，具备技术积累和产品可靠性的企业，才有望真正分享行业新一轮增长红利。

TI

九如芯闻 . 2026-07-23 490
市场 | 俄罗斯2年实现光刻机350nm到130nm

近日，俄罗斯泽列诺格勒纳米技术中心（ZNTC）宣布，两台150nm电子束光刻设备原型机已经进入综合测试阶段，整个测试周期预计持续四个月。如果测试顺利，这意味着俄罗斯自主光刻装备再次向前迈出了一步。而就在两年前，俄罗斯才刚刚宣布实现350nm光刻机投产。按照官方规划，到2026年底，还将完成130nm光刻机的研发。从350nm到150nm，再向130nm迈进，虽然与国际最先进水平仍有巨大差距，但对于长期受到技术封锁的俄罗斯来说，这已经是一条十分清晰的发展路线。从350nm起步，俄罗斯迈出国产光刻机第一步据俄罗斯塔斯社（TASS）报道，俄罗斯首台用于350nm工艺的国产光刻机正式投入生产。这是俄罗斯近年来首次实现国产光刻装备产业化，也意味着其能够在350nm这一成熟制程领域摆脱部分国外设备依赖。当时，俄罗斯工业和贸易部副部长Vasily Shpak表示，350nm设备将在莫斯科、泽列诺格勒、圣彼得堡以及新西伯利亚等现有工厂部署生产，而130nm光刻机则计划于2026年启动。对于很多人来说，350nm听起来已经十分落后，但事实上，它依然拥有大量现实应用价值。 350nm工艺可以制造各种对性能要求不高、但可靠性要求较高的芯片，例如：电源管理芯片（PMIC） MCU微控制器家电控制芯片工业控制芯片模拟IC 部分汽车电子控制器智能电表、安防设备等专用芯片这些产品虽然不是智能手机、高性能CPU所使用的先进工艺，却广泛存在于工业设备、家电、交通、电力等领域。对于一个希望建立自主半导体体系的国家而言，350nm并非没有意义，而是实现"从无到有"的重要起点。 150nm电子束光刻机进入测试阶段俄罗斯最新公布的消息，则把目标推进到了150nm。此次进入测试的是两台电子束光刻系统（Electron Beam Lithography）。与传统光刻机不同，这类设备采用电子束直接曝光，可以直接在硅片上绘制微电路图形，也能够直接制作光掩膜（Mask），无需依赖传统掩模工艺。电子束光刻最大的特点不是速度，而是灵活。因此，它更适用于：新产品研发、芯片原型验证、科研机构实验、小批量专用芯片制造和光掩膜生产等。对于科研单位来说，这类设备具有较高价值，可以明显降低研发周期和样品验证成本。不过，由于电子束逐点扫描，生产效率远低于现代投影式光刻机，因此并不适合大规模商业量产。 130nm，将成为俄罗斯下一阶段目标按照俄罗斯官方此前公布的路线图，130nm光刻机将在2026年底完成。相比350nm，130nm已经属于真正意义上的成熟CMOS工艺节点，也是全球半导体产业曾经非常重要的一代技术。许多人每天都在使用由130nm甚至更成熟工艺生产的芯片，只是并不知道。 130nm能够覆盖的产品范围已经十分广泛，包括：汽车MCU CAN/LIN总线控制芯片电源管理IC 指纹识别芯片 NFC芯片安全加密芯片工业PLC控制器 FPGA（低密度）各类模拟及混合信号芯片部分射频芯片军工专用芯片事实上，即便今天全球已经进入AI时代，大量工业设备依然采用130nm、180nm甚至350nm制造。因为对于很多应用而言，可靠性、稳定性和成本，远比晶体管数量更加重要。与全球先进水平还有多大差距？当然，也必须客观看待俄罗斯目前的发展水平。目前，Intel、台积电等国际领先企业已经实现1.8nm至2nm工艺量产，采用的是ASML提供的先进EUV光刻设备。相比之下，俄罗斯此次测试的150nm设备，无论在制程能力还是晶体管密度方面，都存在明显差距。按照业内测算： 150nm在线宽尺寸上约为2nm工艺的75倍；如果换算到晶体管面积密度，则差距超过5000倍。从产业发展的角度来看，150nm大致相当于国际半导体行业2000年前后的技术水平，也就是Pentium 4处理器时代。因此，它并不能直接用于AI芯片、GPU、高性能CPU、HBM控制芯片等先进产品制造。不过，这并不意味着它没有价值。对于目前仍面临高端设备限制的俄罗斯而言，首先解决成熟制程国产化，再逐步向更先进节点推进，本身就是一条符合现实的发展路径。光刻机竞争，不只是拼先进制程近年来，人们谈论光刻机时，往往都会聚焦5nm、3nm甚至2nm。但实际上，全球每年出货数量最多的，并不是这些先进芯片，而是大量成熟制程产品。汽车、工业控制、电力系统、轨道交通、医疗设备、航空航天以及军工电子，仍然大量采用90nm、130nm、180nm甚至350nm工艺。对于这些应用来说，只要能够稳定生产，国产设备同样具备重要意义。俄罗斯此次从350nm快速推进到150nm，并规划130nm，并不意味着已经接近全球最先进水平，而是意味着其正在逐步建立属于自己的光刻装备体系。对于一个长期受到技术限制的国家来说，拥有自主可控的制造能力，比单纯追求先进制程更具现实意义。

光刻机

九如新闻 . 2026-07-23 1225
技术 | LPDDR6 vs. LPDDR5 vs. LPDDR5X的区别是什么？

随着内存技术不断升级，智能手机、平板电脑、超轻薄笔记本以及可穿戴设备等产品正朝着更高性能、更低功耗的方向发展。作为移动设备内存的主流标准，LPDDR（Low Power Double Data Rate，低功耗内存）在性能与能效之间发挥着关键作用。而最新发布的 LPDDR6，则将移动内存技术提升到了新的高度。与上一代 LPDDR5 和 LPDDR5X 相比，LPDDR6 在数据传输速度、能效优化以及内存管理等方面都实现了显著提升。通过比较这三代技术的差异，我们不仅能够看到移动内存发展的演进路径，也能更好地理解这些创新将如何支撑下一代 AI 终端、智能手机及边缘计算设备对性能和能效的更高要求。性能、功耗与安全兼顾，LPDDR 为何成为移动设备的主流内存？ LPDDR 是各类电子设备中的主系统内存，负责存储和调用处理器及其他组件频繁访问的数据。通过与处理器协同工作，它能够确保应用程序运行、媒体处理以及多任务执行保持流畅高效。凭借低功耗、小尺寸和高带宽等优势，LPDDR 已成为智能手机、平板电脑、可穿戴设备等电池供电产品的主流内存解决方案。随着数据安全需求不断提升，LPDDR 还可与内存加密（Inline Memory Encryption，IME）技术协同工作，为数据提供更全面的保护。IME 通过符合标准的独立加密机制，对数据读写操作进行实时保护，不仅能够保障使用中的数据安全，还能保护存储在片外存储器中的数据，从而有效防范未经授权的数据访问。此外，LPDDR 还提供符合车规级要求的 SDRAM 产品。凭借优异的可靠性以及对汽车标准的支持，LPDDR 已成为智能座舱、ADAS 及自动驾驶等汽车应用中广泛采用的 DRAM 解决方案。 LPDDR5 到 LPDDR5X：性能与能效的持续进化自 2019 年发布以来，LPDDR5 为移动内存性能带来了显著提升。其数据传输速率最高可达 6.4 Gbps，并通过动态电压调节等技术进一步降低功耗，实现了性能与能效的双重提升。凭借这些优势，LPDDR5 能够更好地满足 5G 通信、高清视频处理以及早期 AI 应用等高负载场景的需求，同时帮助终端设备延长电池续航时间。除了性能和能效提升外，LPDDR5 还引入了更完善的可靠性机制和错误处理能力，使系统在复杂工作负载下依然能够保持稳定运行。因此，相较于前几代 LPDDR SDRAM，采用 LPDDR5 的设备在运行速度、响应能力和整体用户体验方面都实现了明显改善。 2021 年，LPDDR5X 在 LPDDR5 的基础上进一步升级，将数据传输速率提升至 10.67 Gbps，同时对多项功能进行了优化和增强。凭借更高的带宽和成熟的生态支持，LPDDR5X 已成为当前市场上最主流的 LPDDR SDRAM 规格，占据了绝大多数出货量，并为旗舰智能手机、AI 终端和高性能移动计算设备提供内存支撑。 LPDDR6 登场：为下一代智能设备而生 2025 年 7 月正式发布的 LPDDR6 规范，为移动内存带来了新一轮性能跃升。在 LPDDR5X 的基础上，LPDDR6 在带宽、能效、可靠性和系统扩展能力等方面全面升级，旨在满足 AI 终端、智能汽车、AR/VR 设备以及高性能移动计算平台日益增长的数据处理需求。LPDDR6 的主要优势包括：更高传输速率，释放 AI 应用潜能 LPDDR6 的数据传输速率预计可达到 14.4 Gbps，相比 LPDDR5X 实现进一步提升。更高的传输速度意味着处理器能够更快获取和交换数据，为增强现实（AR）、超高清视频流媒体、生成式 AI、边缘智能以及车载电子系统等高算力应用提供强有力支撑。带宽翻倍，满足更复杂的数据处理需求与 LPDDR5X 相比，LPDDR6 采用 24 位通道架构，单颗器件最多可配置 4 个通道，总宽度可达 96 位，从而实现单封装带宽翻倍。此外，每个通道进一步划分为两个 12 位子通道，有助于提升内存访问效率、降低访问延迟，让系统在多任务并行处理场景中获得更出色的响应能力。更精细的电源管理，实现性能与续航平衡随着移动设备算力持续提升，功耗优化变得愈发重要。LPDDR6 引入了更加精细的电压和功耗状态管理机制，能够根据实际工作负载动态调整能耗，在保持高性能运行的同时进一步降低功耗，从而帮助延长设备续航时间。更强可靠性保障，应对高速存储挑战随着 LPDDR 内存容量和传输速率不断提高，数据错误风险也随之增加，尤其是在需要持续处理海量数据的 AI 和数据中心应用中更为明显。为此，LPDDR6 强化了 RAS（可靠性、可用性和可维护性）能力，并通过 Metadata、Advanced ECC 以及 Link ECC 等机制提供更完善的错误检测与纠正能力，帮助减少系统异常，提高整体运行稳定性和可靠性。 ▲新思科技 LPDDR6 IP 在 2nm 工艺上成功完成首次流片验证新架构，新可能：LPDDR6 如何影响未来设备设计？ LPDDR6 的升级不仅体现在更高的数据传输速率上，还涉及内存架构、功耗管理和系统可靠性等多个层面。对于芯片设计人员而言，它带来了更先进的内存技术；对于终端用户而言，则意味着更快、更稳定、更持久的使用体验。从技术角度来看，LPDDR6 在多个关键领域实现了突破：更高效的内存架构设计：LPDDR6 进一步优化了信号完整性（Signal Integrity）和存储体（Bank）管理机制，通过更智能的数据调度和访问方式降低延迟，提升数据吞吐量，从而充分释放系统性能潜力。更进一步的低功耗优化：新增的超低功耗工作模式（Ultra-Low Power Modes）能够在设备待机或轻负载运行时显著降低能耗。这对于智能手表、耳机以及物联网（IoT）设备等依赖电池供电的产品尤为重要，有助于实现更长续航时间。更完善的平台兼容性：LPDDR6 在设计之初便充分考虑与新一代处理器及芯片组的协同需求，可更顺畅地集成到未来 SoC 平台中，帮助设备制造商加速新产品开发和上市进程。这些技术创新最终将转化为更出色的终端体验：更快、更流畅的使用体验：更高的数据传输速率和带宽意味着应用启动更迅速、多任务处理更加高效，整体系统响应速度进一步提升。更长的电池续航：更精细的功耗控制机制能够有效降低系统能耗，在提供强劲性能的同时帮助设备获得更长的续航表现。更可靠的系统稳定性：增强的错误检测与纠错能力可降低数据错误带来的影响，减少系统异常、卡顿甚至崩溃的风险，提升设备运行可靠性。为未来应用做好准备：随着生成式 AI、混合现实（MR）、高速无线连接以及高分辨率多媒体应用快速发展，LPDDR6 将为下一代移动计算平台提供充足的带宽和性能空间，帮助设备从容应对未来的技术演进。从智能手机到 AI 终端，LPDDR6 时代正在开启 LPDDR6 的发布标志着移动内存技术迈入新阶段。凭借更高的传输速率、更大的带宽容量、更强的可靠性以及更出色的能效表现，LPDDR6 将为新一代移动和智能设备提供更坚实的存储基础。依托经过硅验证的 LPDDR 接口 IP 和验证 IP 解决方案，以及已成功实现 10.667 Gb/s SDRAM 速率验证的技术积累，越来越多设备厂商正加速将 LPDDR6 引入旗舰智能手机、高性能笔记本电脑以及创新型可穿戴设备，为下一代产品打造更强劲的性能平台。然而，从 LPDDR5/LPDDR5X 迈向 LPDDR6，并不仅仅是一次规格升级。随着生成式 AI、边缘智能、沉浸式体验和云端协同应用快速发展，终端设备对于带宽、响应速度、能效和可靠性的要求正在不断提升。LPDDR6 的出现，不仅能够满足这些需求，更为未来移动计算的发展打开了新的可能。随着产业生态逐步成熟和普及，LPDDR6 有望成为下一代智能终端的重要基础技术，为用户带来更快的响应速度、更稳定的运行体验以及更丰富的本地 AI 和云端智能应用体验。

新思科技

新思科技 Synopsys . 2026-07-23 637
技术 | 工业安全系统电源设计避坑指南

电源单元是电子系统中最为关键的组件之一，电源的运行状况会影响整个系统的功能。在IEC 61508所定义的工业功能安全范畴内，电源是电气/电子/可编程电子(E/E/PE)安全相关系统(SRS)及其他子系统的组成要素和辅助服务单元。鉴于IEC 61508对功能安全(FS)合规性的三项关键要求和所推荐的诊断措施，开发符合工业功能安全要求的电源可能会颇具挑战性。 E/E/PE安全相关系统中的电源 IEC 61508-4将E/E/PE系统定义为基于一个或多个E/E/PE设备并起到控制、保护或监测作用的系统。E/E/PE设备的范围包括系统中的所有组成要素，如电源、传感器（及其他输入设备）、数据高速传输路径（及其他通信路径）、执行器（及其他输出设备）。同时，根据定义，安全相关系统是指一种指定系统，它既要实现使受控设备(EUC)达到或维持安全状态所需的安全功能，又要通过自身或与其他E/E/PE SRS及风险降低措施配合，实现必要的安全完整性来达成所需的安全功能。如图1所示，除了执行特定安全功能所需的硬件和软件外，电源也是E/E/PE SRS的辅助服务单元之一。图1. E/E/PE系统—结构和术语。电源和共因失效基本功能安全标准将共因失效(CCF)定义为一个或多个事件引起的失效引发多通道系统中两个或更多独立通道同时失效，进而导致系统失效。一个典型例子是电源失效，它可能会导致SRS发生多种危险失效。如图2所示，假设24V输入对12VCC和5VCC输出短路，24V电源的失效将导致后续电路出现危险失效。图2. 电源共因失效(CCF)场景示例。在满足功能安全要求时，考虑CCF至关重要，因为它会影响对IEC 61508三项关键要求的合规性，即系统安全完整性、硬件安全完整性和架构约束。IEC 61508标准中对于某些情况下的CCF和电源要求如下： IEC 61508-1第7.6.2.7节要求，在分配整体安全要求时，要考虑发生CCF的可能性。该节还要求，在分配安全要求时被视为独立的EUC控制系统、E/E/PE SRS及其他风险降低措施，不应共用可能因失效而导致所有系统出现危险失效模式的公共电源。同样，在合成相关元件以实现所需系统能力(SC)时，IEC 61508-2第7.4.3.4节注释1指出，为了实现足够的独立性，一种可行方法是确保不存在会导致所有系统出现危险失效模式的公共电源失效。对于具有片内冗余的集成电路，IEC 61508-2附录E也提出了多项规范性要求，比如对输入和输出（如电源等）进行隔离、采取措施避免由电源故障引起的危险失效等。虽然以上条款禁止共用可能因失效而导致所有系统出现危险失效模式的公共电源，但在设计系统时遵循这一规定会增大占用空间，导致路板尺寸变大且成本上升。要想继续使用公共电源，一种方法是实施充足的电源监控措施。通过这种方式，根据安全要求，电源给E/E/PE SRS带来的危险失效即使不能完全消除，也能降低到可接受的水平。关于有效的电源监控如何解决共因失效问题的更多讨论，请参阅博客文章“电源的功能安全”。电源失效和诊断由于需要检测电源中的失效情况，基本功能安全标准规定了针对系统性和随机性硬件失效的检测要求和建议。在控制系统性故障的要求方面，IEC 61508-2第7.4.7.1节要求E/E/PE SRS的设计应能耐受包括电磁干扰在内的环境应力。IEC 61508-2表A.16中引用了该条款，将针对电源缺陷（如电压击穿、电压变化、过压(OV)、低电压及其他现象）的一些措施描述为强制性措施，任何SIL等级都要遵守此项要求。具体参见表1。表1. IEC 61508-2表A.16中关于电源监控的要求在IEC 61508-2表A.1的分立硬件组件项下，展示了在量化随机性硬件失效的影响时，可假定电源可能出现的故障和失效情况。具体参见表2。同时，IEC 61508-2 表A.9展示了针对电源推荐的诊断措施及相应的最大可声明诊断覆盖率。表3显示了更多来自IEC 61508-7第A.8节的细节。在进行安全分析时，表2和表3都非常有用，因为每个组件的失效模式以所采用诊断技术的诊断覆盖率都是计算λ值（即SIL指标：危险失效概率和安全失效比率(SFF)）的输入参数。表2. 根据IEC 61508-2表A.1假定的电源故障和失效情况表3. 针对电源推荐的诊断措施图3a展示了一个电压控制诊断措施的示例。在此示例中，逻辑控制器子系统的电源（通常为后置稳压器或LDO形式）由MAX16126 进行监测。如果电源监控器检测到任何超出范围的电压（无论是过压还是欠压），将导致由微控制器和其他逻辑设备组成的逻辑控制器子系统与电源断开连接，同时MAX16126的FLAG引脚会被置位。通过这种方式，逻辑控制器子系统可以切换到安全状态。同样，如果不进行欠压检测，这种电路也可用作带安全关断功能的过压保护诊断措施。另一方面，图3b展示了一个带安全关断功能的断电诊断措施的示例。在此示例中，LTC3351的热插拔控制器将电源连接到逻辑控制器子系统，而其同步开关控制器以降压模式运行，为一组超级电容器充电。如果电源电压超出过压或欠压阈值，LTC3551将使逻辑控制器子系统与电源断开连接，同步控制器将以升压转换器的模式反向运行，从超级电容器组向逻辑控制器子系统供电。这将为逻辑控制器子系统提供足够的时间，将内部状态保存到非易失性存储器中，并通过断电程序将所有输出设置为安全状态。图3. 针对电源推荐的诊断措施的图示说明电源的运行除了CCF、电源失效以及推荐的诊断措施外，IEC 61508还强调了电源在E/E/PE SRS中正常运行的重要性。这一点在标准的第六部分附录B.3中有所体现，其中讨论了在假设失效率恒定的情况下，如何使用可靠性方框图方法评估硬件失效概率。除了传感器、逻辑子系统和最终元件子系统的范围外，电源的运行也被纳入其中，如以下示例所示。当电源失效导致断电断路型E/E/PE SRS断电并使系统断路进入安全状态时，电源不会影响SRS的PFDavg。如果系统是通电断路型，或者电源存在可能导致E/E/PE SRS不安全运行的失效模式，则应在评估中考虑电源因素。此类假设使得电源在E/E/PE SRS中的正常运行至关重要，因为这关系到电源是否会影响危险失效概率的计算，而这正是IEC 61508的关键要求之一。结论本文深入探讨了基本功能安全标准对E/E/PE安全相关系统电源的规范性要求和指导性要求。首先阐述了电源在E/E/PE SRS中的作用。接着讨论了禁止使用公共电源的共因失效问题，并展示了如何通过电源监控来消除CCF。此外，还介绍了与电源相关的系统性和随机性硬件失效的要求，并提到了针对电源推荐的诊断措施。最后，根据电源的运行模式（断电断路型或通电断路型），探讨了电源对于计算SRS危险失效概率的影响。

ADI

亚德诺半导体 . 2026-07-23 644
产品 | 思特威推出5000万像素0.61μm像素尺寸手机应用CMOS图像传感器

近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威（SmartSens，股票代码688213），正式推出5000万像素0.61μm像素尺寸手机应用CMOS图像传感器新品——SC505HS。基于思特威 SmartClarity ® -3技术平台，SC505HS搭载专利SFCPixel ® 技术，具备低功耗、高感度、Sparse PDAF ® 相位检测对焦及ULP模式等多项性能优势。SC505HS在保障出色成像性能的同时兼顾了成本优势，为智能手机主流机型的主摄、前摄及超广角应用带来全面升级的影像体验。超低功耗，连续长时间拍摄不中断视频录制已成为智能手机的高频应用场景，其长时间运行所带来的功耗攀升与发热问题，是制约用户体验提升的关键瓶颈。 SC505HS通过内部电路模块的精准化控制设计，芯片功耗较前代产品降低约18%，有效提升在影像录制场景下的能效表现。在实际使用中，无论是视频录制、Vlog创作还是长时间视频通话，手机升温情况将被有效缓解，同时延长设备续航时间，有效避免了因设备过热导致的强制退出、帧率下降或画面卡顿等问题，确保视频拍摄过程不中断、移动创作更尽兴。此外，SC505HS还支持Sparse PDAF®相位检测对焦，在保障快速、准确对焦的同时降低运行功耗。ULP超低功耗模式则有助于进一步降低传感器功耗，提升整机续航表现，搭配摄像头后端算法，可赋能智能手机摄像头系统进行手势识别、面部识别以及环境识别等复杂的AI识别功能。高感度与低噪声，暗光成像依旧清晰高感度 SC505HS基于背照式像素架构设计，采用思特威SFCPixel ® 专利技术，在520nm可见光波段下的量子效率（QE）高达76%。即便在阴天户外、黄昏夜景或室内暗光等弱光场景，也能够捕捉充足光线，轻松拍摄出明亮通透、细节丰富的高质量画面——暗处细节清晰可辨，亮部区域不过曝，色彩还原真实自然，有效提升暗光拍摄成片率。高温性能优化得益于思特威先进的SmartClarity®-3工艺技术，SC505HS的高温成像性能实现显著升级。在60℃高温条件下，SC505HS的暗电流（Dark Current）较前代产品降低约23%，白点（White Pixel）大幅降低约24%。即便手机长时间运行，机身持续积热，摄像头依然能够输出稳定、高清的画面，有效规避高温对画质的干扰，全程保障优质影像表现。目前，SC505HS已接受送样，将于2026年Q3实现量产。想了解更多有关SC505HS的产品信息，请与思特威销售人员联系。

思特威

思特威 SmartSens . 2026-07-23 623
产品 | 新唐 MA35D1 微处理器助您实现中型 PLC

应用背景可编程序控制器 (Programmable Controllers，简称 PLC) 是专为工业环境设计的数字运算操作电子系统，它以微处理器为核心，能够持续监测输入信号并根据预设的程序逻辑执行相应的输出操作，实现机械设备或生产过程的自动化控制，是现代工业自动化的核心装置之一。总点数覆盖 256~2048 点，可以称为中型 PLC。中型 PLC 除基础逻辑控制外，还要支持复杂数据运算、PID 闭环控制、多电机控制、多协议联网通信等进阶功能，对微处理器性能要求较高。新唐 MA35D1 系列产品 NuMicro MA35D1系列为一颗异核同构的多核心微处理器。它拥有两颗 64 位 Arm Cortex-A35 内核，执行速度可达 800 MHz，并搭载一颗 180 MHz Arm Cortex-M4 内核。为了简化系统设计和生产，MA35D1系列提供了 LQFP 和 BGA 两种封装，并堆叠 DDR2/DDR3L，最大容量达 512 MB，能够显著的减少 PCB 层数、面积，以及降低电磁干扰。MA35D1系列提供多组高性能的通讯接口，如千兆以太网、SDIO3.0、高速 USB 2.0、CAN-FD 等。MA35D1系列支持 LCD 显示控制器，分辨率可达 1920 x 1080 每秒 60 帧，内嵌图形加速器、JPEG 和 H.264 译码器等，带来更好的图形人机接口和视频播放效果。 MA35D1 系列型号及封装 MA35D1 系列产品在中型 PLC 应用的优势 1、集成了较大 DDR 内存，方便进行数据处理和硬件设计。 MA35D1 系列产品内部集成了 DDR 内存，最大容量达 512 MB，并且提供了 LQFP 和 BGA 两种封装，方便数据处理和硬件设计。 2、集成了 M4 内核处理器，很好的解决了实时性问题。 GPIO、ADC、UART、SPI、I2C、CAN FD等外设可以配置到 M4 内核或 A35 内核。 3、支持 Linux 6.6 RT。基于 LINUX 内核 ‌6.6‌ 版本应用了 ‌PREEMPT_RT‌ 实时补丁后的实时内核。 4、移植了 EtherCAT 主站协议栈。 5、可以支持 CODESYS‌。 6、提供安全保密功能。支持：Arm TrustZone、Secure Boot、Trusted Secure Island (TSI) 等。中型 PLC 项目框图

新唐

新唐MCU . 2026-07-23 567
FQD12P10TF与VBE2102M参数对比报告

P沟道功率MOSFET参数对比分析报告一、产品概述 FQD12P10TF (FQD/FQU12P10)：安森美（onsemi/原Fairchild）P沟道增强型功率MOSFET，采用平面条状DMOS技术，耐压-100V，低导通电阻，低栅极电荷，开关速度快，100%雪崩测试。封装：TO-252 (DPAK)。适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器、直流电机控制等低压应用。 VBE2102M：VBsemi P沟道100V功率MOSFET，采用沟槽技术（Trench），100%栅极电阻和雪崩能量测试，符合RoHS及无卤标准。封装：TO-252。适用于电源开关、DC/DC转换器等应用。二、绝对最大额定值对比参数符号 FQD12P10TF VBE2102M 单位漏-源电压 VDSS -100 -100 V 栅-源电压 VGSS ±30 ±20 V 连续漏极电流 (Tc=25°C) ID -9.4 -8.8 A 脉冲漏极电流 IDM -37.6 -25 A 最大功率耗散 (Tc=25°C) PD 50 (Tc=25°C) / 2.5 (Ta=25°C) 32.1 (Tc=25°C) / 2.5 (Ta=25°C) W 结温/存储温度范围 TJ, Tstg -55 ~ +150 -55 ~ +150 °C 雪崩能量（单脉冲） EAS 370 16.2 mJ 雪崩电流 IAR / IAS -9.4 -18 A 分析：两款器件耐压等级相同（-100V）。FQD12P10TF在电流能力上更具优势，其连续电流和脉冲电流额定值更高（-9.4A/-37.6A vs -8.8A/-25A），且单脉冲雪崩能量显著更高（370mJ vs 16.2mJ），表明其抗瞬态过压冲击能力更强。VBE2102M的栅-源电压耐受范围稍窄（±20V）。三、电特性参数对比 3.1 导通特性参数符号 FQD12P10TF VBE2102M 单位漏-源击穿电压 V(BR)DSS -100 (最小) -100 (最小) V 栅极阈值电压 VGS(th) -2.0 ~ -4.0 -1.0 ~ -2.5 V 导通电阻 (VGS=-10V) RDS(on) 0.24典型/0.29最大 @ ID=-4.7A 0.250典型 @ ID=-3.6A Ω 正向跨导 gfs 6.3典型 @ ID=-4.7A 12典型 @ ID=-3.6A S 分析：VBE2102M的阈值电压范围更负且更窄（-1V ~ -2.5V），意味着在更低的栅极驱动电压下即可开启，可能更易驱动。在相近的测试电流下，两者的典型导通电阻值接近（约0.24-0.25Ω）。VBE2102M的跨导值更高，表明其栅极控制能力更强。 3.2 动态特性参数符号 FQD12P10TF VBE2102M 单位输入电容 Ciss 620-800 1055典型 pF 输出电容 Coss 220-290 65典型 pF 反向传输电容 Crss 65-85 41典型 pF 总栅极电荷 (VGS=-10V) Qg 21典型/27最大 @ VDS=-80V 23.2-34.8 @ VDS=-50V nC 栅-源电荷 Qgs 4.6典型 3.5典型 nC 栅-漏（米勒）电荷 Qgd 11.5典型 4.8典型 nC 分析：VBE2102M具有显著更低的输出电容Coss（65pF vs 220-290pF）和反向传输电容Crss（41pF vs 65-85pF），这通常有助于降低开关损耗，尤其是在硬开关拓扑中。其米勒电荷Qgd也更低（4.8nC vs 11.5nC），有利于改善开关速度并减少开关损耗。FQD12P10TF的总栅极电荷Qg典型值略低，栅极驱动功耗可能稍小。 3.3 开关时间参数符号 FQD12P10TF VBE2102M 单位开通延迟时间 td(on) 15-40 7-14 ns 上升时间 tr 160-330 12-18 ns 关断延迟时间 td(off) 35-80 33-50 ns 下降时间 tf 60-130 9-18 ns 分析：VBE2102M展现出全面更快的开关性能，其上升时间和下降时间（12-18ns / 9-18ns）远小于FQD12P10TF（160-330ns / 60-130ns），开关速度优势非常明显，非常适合高频开关应用。四、体二极管特性参数符号 FQD12P10TF VBE2102M 单位二极管正向压降 VSD 最大 -4.0 @ IS=-9.4A -0.8 ~ -1.5 @ IF=-2.9A V 反向恢复时间 trr 110典型 50-75 ns 反向恢复电荷 Qrr 0.47典型 98-147 nC 峰值反向恢复电流 IRRM 未提供 -4 ~ -6 A 分析：FQD12P10TF文档中给出了体二极管在最大电流下的正向压降限值，而VBE2102M提供了典型值。在反向恢复特性上，FQD12P10TF的恢复时间trr更长但恢复电荷Qrr更小，而VBE2102M的恢复时间较短但恢复电荷较大，具体表现需结合应用电路评估。五、热特性参数符号 FQD12P10TF VBE2102M 单位结-壳热阻 RθJC 2.5最大 3.9 °C/W 结-环境热阻 (PCB Mount) RθJA 50最大 (最小焊盘) 50 °C/W 分析：在典型的PCB安装条件下，两款器件的结-环境热阻相同（50°C/W）。FQD12P10TF的结-壳热阻更低（2.5°C/W vs 3.9°C/W），结合其更高的最大功率耗散（Tc=25°C时50W），表明其芯片到封装外壳的热传导能力更强，在依赖外壳散热的应用中可能具备优势。六、总结与选型建议 FQD12P10TF 优势 VBE2102M 优势 ◆ 更高的电流能力（-9.4A连续/-37.6A脉冲） ◆ 显著更高的单脉冲雪崩能量（370mJ） ◆ 更低的结-壳热阻（2.5°C/W） ◆ 总栅极电荷Qg典型值略低（21nC） ◆ 更高的栅-源电压耐受（±30V） ◆ 更快的开关速度（tr/tf 仅十几纳秒） ◆ 更低的输出电容Coss和米勒电荷Qgd ◆ 阈值电压更负且范围集中，易于驱动 ◆ 更高的正向跨导（12S） ◆ 提供100% Rg和UIS测试保证选型建议选择 FQD12P10TF：当应用对电流能力、抗雪崩冲击可靠性要求较高，或工作频率相对较低，栅极驱动电压可能较高（接近±30V）时。其更强的热性能也适合对散热要求严苛的场景。选择 VBE2102M：当应用追求高频开关性能以提升效率、降低开关损耗，或栅极驱动电压较低（在±20V以内）时。其更优的动态特性（低Coss, Qgd）和快速的开关时间使其在高频DC/DC转换器等应用中可能表现更出色。备注：本报告基于 FQD12P10TF（安森美/原Fairchild）和 VBE2102M（VBsemi）官方数据手册内容生成。所有参数值均来源于原厂数据手册，设计选型请以最新版官方文档和实际测试为准。

微碧

微碧半导体 . 2026-07-23 644
高品质数字音频系统方案，YXC低相噪OCXO让每一个音符更接近原声

随着数字音频技术不断向高解析、高保真方向发展，从高端DAC、数字播放器（DAP）、CD Transport到Master Clock，越来越多Hi-Fi设备开始采用低相噪时钟方案，以进一步提升声音还原能力。作为数字音频系统的时间基准，时钟性能直接影响DAC采样精度，而相位噪声（Phase Noise）正是衡量时钟品质的关键指标。依托多年频率器件研发经验，YXC扬兴科技针对高端数字音频应用推出YOV2020DP与YOV2525DP两款OCXO（恒温晶振）产品。以超低相位噪声、高稳定度、快速交付及高性价比等优势，为DAC、Master Clock、数字播放器及网络音频设备提供高品质时钟解决方案。一、低相噪时钟，释放数字音频系统真正性能。对于数字音频系统而言，DAC不仅需要准确的数据，更需要精准的时间基准。当参考时钟存在较大的相位噪声时，会产生时钟抖动（Jitter），影响DAC采样时序，进而降低声音解析力、声场定位及细节表现。因此，越来越多高端Hi-Fi设备开始采用OCXO作为系统参考时钟，通过更低的相位噪声获得更加稳定、纯净的时钟信号，为高品质数字音频系统提供可靠的时间基准。对于工程师而言，降低相位噪声不仅意味着改善Jitter指标，更意味着帮助DAC充分发挥性能，实现更加真实自然的声音还原。二、YOV2020DP——旗舰级低相噪OCXO解决方案面向高端DAC、Master Clock及旗舰数字音频设备，YXC推出YOV2020DP低相噪OCXO。产品采用恒温控制技术，具备±3ppb温度稳定度、5ppt@1s短期稳定度以及≤0.5ppb/天长期老化率，即使长时间运行，也能持续输出稳定的参考频率。在Hi-Fi更加关注的相位噪声指标方面，YOV2020DP同样表现优异： • 10Hz：Typ. -130dBc/Hz • 100Hz：Typ. -145dBc/Hz • 1kHz：Typ. -165dBc/Hz • 10kHz：Typ. -170dBc/Hz 优秀的近端相位噪声能够有效降低系统Jitter，为DAC提供更加纯净稳定的时钟参考，使数字音频设备获得更好的声音细节、层次感及空间表现。三、YOV2525DP——兼顾性能与成本的OCXO方案除了旗舰级产品，YXC还推出YOV2525DP系列，为中高端数字音频设备提供更具竞争力的OCXO解决方案。产品具备±5ppb温度稳定度，1kHz相位噪声最高可达-155dBc/Hz，兼顾低相噪性能、稳定输出及成本优势，可广泛应用于USB DAC、数字播放器、网络播放器、数字音频接口等产品。对于追求产品竞争力的Hi-Fi厂商而言，YOV2525DP在保证音质表现的同时，也能够有效优化整体BOM成本，是中高端数字音频产品升级时钟系统的理想选择。四、不只是产品，更是完整的时钟解决方案除了优异的产品性能，YXC还持续为客户提供更加完善的时钟解决方案支持。 · 超低相位噪声有效降低DAC时钟抖动，提升数字音频系统整体表现。 · 高稳定度最高±3ppb温度稳定度，保障复杂环境下长期稳定运行。 · 快速交付依托成熟制造平台，提供快速打样及稳定供货能力，帮助客户缩短研发和量产周期。 · 高性价比兼顾性能、成本与可靠性，为客户打造更具市场竞争力的产品方案。 · 本地化技术支持提供专业技术支持及应用服务，协助客户快速完成产品开发与项目导入。广泛应用于高端数字音频系统 YXC低相噪OCXO已广泛应用于： • 高端DAC解码器 • Master Clock • 数字播放器（DAP） • CD Transport • 网络播放器（Streamer） • USB Audio Interface • 数字音频接口 • 专业音频设备 • 音频测试仪器凭借稳定可靠的时钟性能，可满足高品质数字音频系统对低相噪、高稳定度时钟源的应用需求。持续创新，为数字音频提供更高品质时钟解决方案随着数字音频技术持续升级，时钟性能正成为影响Hi-Fi产品竞争力的重要因素。未来，YXC将继续围绕低相位噪声、高稳定度、高可靠性及快速交付不断完善OCXO产品布局，为数字音频、通信设备、测试测量及工业控制等领域提供更加专业、高品质的时钟解决方案。 YXC，让每一次精准振荡，都成为高品质声音的开始。

恒温晶振,ocxo,有源晶振

扬兴科技 . 2026-07-23 497
Littelfuse推出FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL与TP1KSMB-FL系列TVS 二极管，为48 V汽车系统提供强大保护

超低且稳定的钳位电压，为 DC/DC 转换器、栅极驱动器及电源 IC 提供更完善的保护为安全高效的电能传输提供多元化先进解决方案的领导企业Littelfuse公司，宣布推出FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL（5 kW）及TP1KSMB-FL（1 kW）系列 TVS（瞬态电压抑制）二极管。该系列产品在提供超低且稳定的钳位性能的同时，能够有效保护48 V汽车电子系统免受瞬态过电压的影响。全新TVS二极管专为符合ISO 21780标准的新一代48 V汽车系统设计，旨在解决汽车电子设计中的一项关键挑战：在不超出DC/DC转换器、栅极驱动器等日益敏感的IC绝对最大额定值的前提下，为其提供充分保护。依托Littelfuse专有的FlatSuppressX™技术，该器件可在快速瞬变及高能浪涌事件期间维持近乎恒定且极低的钳位电压，有助于降低系统应力，并减少整体物料清单（BOM）成本。（观看视频）不同于可能呈现较高且波动钳位电压的传统TVS器件，FlatSuppressX™采用先进的Foldback/Snapback I-V特性，可精准控制瞬态响应，同时避免闩锁（latch-up）风险。此设计使工程师能够选用额定电压更低的元器件，从而进一步提升设计灵活性和成本效益。 Littelfuse保护产品事业部产品管理总监Charlie Cai表示：“FlatSuppressX™技术的核心优势在于，它能够在48 V系统中实现极低且稳定的钳位电压。这使得工程师在满足ISO 21780标准要求的同时，能够更有效地保护敏感IC，并避免闩锁风险，从而降低整体系统成本。” TP5.0SMD-FL系列采用DO-214AB（SMC）封装，可提供最高5000 W的峰值脉冲功率；TP1KSMB-FL系列则采用紧凑型 DO-214AA（SMB）封装，可提供1000 W的峰值脉冲功率，为不同系统需求提供了灵活的防护方案。两个系列均通过AEC-Q101认证，专为高可靠性的汽车应用而设计。主要功能与优势： FlatSuppressX™技术：相较传统TVS器件，具有更平坦的钳位特性及显著更低的钳位电压。高浪涌承受能力：提供5 kW（TP5.0SMD-FL）及1 kW（TP1KSMB-FL）两种规格选择。符合ISO 21780标准：专为48 V汽车系统保护而设计。提升系统效率：可使用额定电压更低的下游元器件。通过AEC-Q101认证：符合车规级可靠性要求。快速响应时间：典型值小于1 ps，可实现快速瞬态抑制。低矮型表面贴装封装：有助于优化PCB空间利用率。该系列产品尤其适用于保护汽车电子中的I/O接口、电源总线及其他易损电路，特别是在48 V电气架构中。目标市场与应用： 48 V汽车系统（符合ISO 21780标准）电池断开单元（BDU）区域控制单元（ZCU）电动助力转向（EPS）系统 DC/DC 转换器及配电网络通过将高浪涌承受能力与超低钳位电压相结合，TP5.0SMD-FL与TP1KSMB-FL系列可助力工程师打造更稳健、更高效且更具成本效益的汽车电子平台。 FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL与TP1KSMB-FL系列TVS二极管常见问答什么是FlatSuppressX™技术？ FlatSuppressX™是Littelfuse专有的TVS架构，利用先进的Foldback/Snapback特性，在瞬态事件期间维持近乎恒定且较低的钳位电压。与传统TVS器件相比，它能提供更精准的保护。为何低钳位电压对48 V系统至关重要？较低的钳位电压可降低对绝对最大额定值较为敏感的IC所造成的应力。随着现代48 V汽车架构向更高功率密度和更高集成度发展，这一特性显得尤为关键。该系列产品如何降低BOM成本？通过提供更低的钳位电压，工程师可以采用额定电压更低的MOSFET和电源IC，这不仅降低了器件成本，也有助于提升整体系统效率。这些TVS二极管最适合哪些应用？该系列非常适合符合ISO 21780标准且需要高可靠瞬态保护的48 V汽车电子应用，包括BDU、ZCU、EPS系统及DC/DC转换器等。与传统TVS 二极管相比有何不同？传统TVS器件的钳位电压通常较高且难以预测。而FlatSuppressX™产品能提供更平坦、更可控的响应特性，从而提升保护效果并降低系统级风险。该系列产品是否符合汽车级认证？是。TP5.0SMD-FL与TP1KSMB-FL系列均通过AEC-Q101认证，专为高可靠性的汽车环境设计，可支持宽温度范围工作及严苛的瞬态条件。供货情况 TP5.0SMD-FL与TP1KSMB-FL系列TVS二极管提供卷带包装（tape-and-reel），每卷数量为3,000只。可通过全球授权的Littelfuse分销商申请样品。

Littelfuse . 2026-07-23 637
从智能感知到高效驱动，安森美以系统方案加速机器人落地

在刚闭幕的2026慕尼黑上海电子展上，机器人无疑是全场瞩目的焦点之一。从工业产线上的协作机器人，到现代仓储物流的自主移动机器人，再到在通用人工智能与具身智能催化下蓄势待发的人形机器人，机器人正在从相对封闭、结构化的环境走向更加开放和复杂的物理世界。应用边界不断拓展的同时，机器人研发面临的挑战也在发生变化。研发周期长、BOM成本高、可靠性不足是横亘在整机厂商面前的“三座大山”。在本届慕展期间，安森美（onsemi）模拟与混合信号事业群业务拓展高级经理Henry Yang 发表了题为《AMR系统级解决方案：从智能感知到高效驱动的全链路赋能》的主旨演讲。站在整机系统的宏观视角，安森美锚定了移动机器人产业的关键拐点：自主移动机器人正加速从“单点性能比拼”走向“系统级可靠性竞争”。安森美（onsemi）模拟与混合信号事业群业务拓展高级经理Henry Yang 拐点已至：为什么“单点拼凑”撑不起机器人的未来？机器人是一项高度复杂的系统工程。以自主移动机器人（AMR）为例，一台完整的机器人通常需要集成图像传感器、深度传感器、激光雷达、超声波传感器、位置传感器等多种感知设备，同时还要完成‌SLAM建图、路径规划、障碍物识别、运动控制、电池管理和内部通信。随着机器人搭载的传感器、执行器和关节数量持续增加，系统复杂度也在快速上升。不同子系统之间不仅需要实现功能连接，还要在数据时序、电源供给、通信带宽、热管理和电磁兼容等方面保持协同。 Henry Yang 指出，当具身智能要求机器人走进更复杂的无人或人机协作环境时，任何一个微小的器件级失效，都可能导致整机瘫痪。因此，行业迫切需要跳出局部的“器件思维”，站在全局的“系统级架构”高度，重构感知、决策与驱动的全链路。从器件供应商到系统赋能者针对机器人开发中的系统集成挑战，安森美构建并持续迭代AMR技术验证平台，将感知、通信、电源管理和运动驱动等技术放入完整系统中进行组合验证。安森美的AMR技术验证平台覆盖电源分配、电机驱动、有线通信、锂电池充电、处理器、传感器融合和LED照明七个子系统。 AMR Prototype DEMO 智能感知链路：让机器人看清并理解物理世界在感知侧，安森美覆盖图像、深度、超声波、激光雷达接收、压力和位置检测等技术。例如，AR0235CS采用全局快门，可减少高速运动场景中的运动伪影；AF0130集成片上深度处理，可降低对外部存储器、FPGA和额外计算资源的需求；NCV75215和NCV7192则分别用于近距离测距以及力、压力等信号检测。 NCS32100采用非接触式感应测量，在38毫米传感器尺寸条件下，典型位置精度可达到±50角秒，可用于车轮、电机和机器人关节的位置反馈。安森美还提供PCB线圈设计工具，帮助客户降低定制开发难度。电源与驱动：提升系统集成度在驱动与电源侧，安森美依托其在宽禁带半导体（碳化硅&氮化镓）以及传统硅功率领域的技术实力，为机器人打造了坚实的能量骨骼。 NCD83591是一款60V三相栅极驱动器，集成电荷泵和放大器，可配合外部MOSFET构成无刷电机驱动级。面向机器人关节，安森美还展示了结合GaN功率器件、栅极驱动和感应式位置检测的执行器方案。在电源分配环节，NIS3071四通道电子保险丝可为不同负载提供可配置的过流和热保护，并减少外部检流器件。安森美还展示了面向3kW锂电池充电的功率转换方案，覆盖功率因数校正、LLC谐振转换和同步整流。全以太网化的骨干通信网传统CAN 总线在数据率上已无法满足日益庞大的点云和图像数据吞吐需求。安森美的10BASE-T1S 工业以太网控制器（NCN26010），能够支持在单对双绞线上实现10Mbps的半双工多点共线通信，远超传统CAN总线。在未来，我们基于最新的65nm工艺的TREO平台会迭代更多有竞争力的产品。缩短研发周期与优化综合成本对于移动机器人厂商而言，系统级方案的价值主要体现在两个方面：降低底层开发复杂度，以及优化BOM和整体系统成本。安森美的AMR技术方案配套评估板、参考设计和开发工具，例如NCS32100 PCB线圈设计工具。客户可以基于这些经过验证的设计基础开展开发，减少部分重复选型和底层调试工作，将更多资源投入SLAM算法、应用软件和整机差异化设计。在成本方面，系统级方案也有利于减少不必要的外围器件、接口转换和重复设计。例如，高集成度的栅极驱动器有助于简化外围电路；NIS3071电子保险丝无需外部电流分流电阻，可减少部分保护器件；10BASE-T1S则可在单对双绞线上连接多个设备节点，帮助简化通信架构和布线。与此同时，更早开展子系统协同验证，也有助于减少后期返工和故障排查成本，提升整机维护效率。展望未来：面向具身智能与人形机器人随着具身智能和人形机器人持续发展，机器人将集成更多传感器、关节执行器和通信节点，对系统集成度、功耗、实时性和可靠性提出更高要求。从AMR进一步覆盖机器人头部感知、机械臂、关节执行器和传感机械手。安森美在AMR技术验证平台中积累的感知、通信、电源管理和运动驱动能力，也可以为更复杂的机器人应用提供技术参考。在人形机器人中，头部可通过图像传感器和iToF深度传感器获取环境信息；压力和力传感接口可用于抓握及受力检测；感应式位置传感器可为电机和关节提供位置反馈；GaN功率器件、栅极驱动器及电机控制方案，则有助于构建更加紧凑、高效的关节执行系统。从智能感知到高效驱动，安森美将继续依托系统级方案、参考设计和开发工具，帮助客户降低底层集成复杂度，为移动机器人、具身智能和人形机器人走向实际应用提供更加可靠、高效的支持。

安森美 . 2026-07-23 581
台某电上调资本支出，AI算力扩产驱动功率器件与被动元件需求增长多少？

全球晶圆代工龙头台某电近期公布2026年度资本支出规划，明确上调额度，重点投向先进制程、AI芯片产能及先进封装领域，并预计AI算力紧缺状态将持续至2030年。这一产业信号进一步确认了半导体行业中长期高景气的运行基调，并对上游功率半导体、精密电阻等配套元器件形成结构性拉动。一、扩产聚焦高端，产业链协同升级台某电本轮产能扩张并非简单叠加，而是具备明确的技术导向。一方面，集中资源攻坚5nm以下先进制程与3D封装技术，推动半导体材料、设备及关键零部件的技术迭代，整体提升行业技术门槛与品质标准。另一方面，适度收缩低毛利成熟制程产能，将更多资源倾斜于AI相关高端代工，此举有助于优化成熟制程领域的供需格局，缓解此前较为普遍的价格竞争压力。同时，台某电持续推进区域化、本土化供应链策略，这为国内半导体材料、设备及封测配套企业创造了更为稳定的认证与导入窗口，中长期看有利于降低对单一海外供应商的依赖，促进本土产业链的协同成长。二、算力硬件迭代，功率器件与电阻需求增量明确随着AI芯片出货量提升，下游AI服务器及算力基础设施部署加速，新一代计算设备功耗显著增加，对高压功率器件、大电流MOS管、精密采样电阻等元器件的单机用量和性能要求均有明显提高。此外，先进封装技术在电路密度、散热及电气性能上的升级，对采样、稳压、防护等无源器件提出了更高的精度、稳定性和耐高温要求，推动高端功率电阻及分立器件市场持续扩容。在成熟制程产能结构性调整的背景下，部分功率器件品类已出现供应偏紧、交期延长的情况，行业整体议价空间有所改善，功率器件与精密电阻赛道有望维持较长时间的量价平稳增长态势。三、国产配套企业迎来替代窗口，合科泰具备多维度竞争力在上述产业趋势下，具备自主产能、技术积累和客户认证基础的国产元器件厂商将获得明确的替代放量机遇。以深圳合科泰电子为例，该公司在以下方面形成差异化优势： 1. 产品布局覆盖高景气赛道合科泰深耕车规级器件与碳化硅产品，聚焦新能源汽车、光伏储能、工业控制等长周期需求领域，产品具备较高可靠性与客户粘性，有助于构建稳健的营收基础。 2. 功率器件与被动元件协同配套公司产品线涵盖二极管、三极管、MOS管、合金电阻、贴片电阻等品类，可应用于AI人形机器人、工业电子、汽车电子、医疗电子、仪器仪表及消费电子等多个领域，具备较好的应用广度。 3. 自主封测能力保障品质与交付合科泰拥有完整的封装测试产线，无需外部代工，实现全流程质量管控，能够灵活调配产能，降低外部周期波动风险，以稳定的交付能力和性价比优势，逐步切入中高端市场。小结：台积电引领的AI算力扩产属于中长期结构性趋势，上游芯片产能扩张、下游硬件需求升级及配套元器件供需再平衡三重因素共振，为功率半导体与精密被动元件带来明确增量空间。在此背景下，具备技术壁垒、自主产能和客户认证体系的国产优质供应商，有望在本轮产业周期中获得持续的替代与成长机会。

厂商投稿 . 2026-07-23 616
LED驱动MOS管选型指南：耐压、损耗、温漂三大核心参数如何取舍？

随着智能照明、工业照明及商业亮化场景持续拓展，LED灯具正向高功率、长寿命、高稳定性和小型化方向演进。MOS管作为LED驱动电源的核心开关器件，直接影响整灯能效、热管理和可靠性。如何在控制成本的同时提升电源寿命与转换效率，是众多电源工程师关注的重点。行业常见痛点：量产与工况中的典型问题在实际生产和终端应用中，不少灯具厂商会面临以下几类共性问题：耐压余量不足：电网浪涌或电压波动时，MOS管易发生击穿损坏，导致灯具频闪、黑屏，故障率上升。导通损耗偏高：普通器件内阻较大，长时间工作温升明显，加速灯珠光衰，缩短整灯寿命。高温特性漂移：高温环境下器件参数变化，造成输出电流不稳、亮度一致性差，多灯联动时同步效果不佳。外围电路复杂：为弥补器件性能不足，需增加大量保护元件，既增加PCB面积和物料成本，也不利于小型化设计，同时提高量产不良率。产品特性：针对性优化，适配不同功率等级针对上述场景需求，合科泰推出两款采用成熟封装的MOS管，在耐压、导通电阻、温漂及抗冲击能力上做了针对性设计，可覆盖主流LED驱动电源应用。 HKTD5N50 —— 中端高压照明优选耐压等级：500V，可较好抵御电网电压波动及常见浪涌冲击，有助于简化PCB保护电路设计。导通电阻：极低RDS(ON)，有效降低导通损耗，减少发热，提升电源整体效率。温漂控制：高温下参数变化小，利于灯具长时间恒流稳压运行，保障光输出稳定。电流能力：持续电流5A，脉冲电流16A，具备充足瞬态余量，适用于长时间连续工作场景。典型应用：中小功率LED驱动电源、家用吸顶灯、商业射灯、轨道灯、室内智能照明等。 HKTD7N65 —— 中大功率高压照明优选耐压等级：650V，高于常规600V级器件，抗高压浪涌能力更强，适合电网环境复杂的区域。电流能力：持续电流7A，可满足大功率投光灯、工矿灯、户外亮化灯具的负载需求。导通损耗：超低RDS(ON)，降低功耗，提升整灯能效，减少散热压力。宽温工作与雪崩耐量：支持宽温度范围工作，单脉冲雪崩能量优异，抗干扰和抗过载能力突出，有助于降低售后故障率。典型应用：大功率工矿灯、户外投光灯、路灯亮化、高压工程照明等严苛工况。精准选型：场景化匹配不踩坑为方便厂商快速选型，结合两款产品性能特点，适配场景清晰划分：优先选用HKTD5N50：适配中小功率LED驱动电源、家用吸顶灯、商业射灯、轨道灯、室内智能照明等场景，满足常规高压工况，性价比拉满，是批量量产的优选方案。优先选用HKTD7N65：适配大功率工矿灯、户外投光灯、路灯亮化、高压工程照明等严苛工况，高压、大电流、耐高温特性更强，适配高负载、长时间、复杂环境的照明设备。总结在照明行业提质降本的大背景下，选用性能匹配、可靠性高的MOS管，是提升LED驱动电源竞争力的重要一环。HKTD5N50与HKTD7N65分别覆盖中小功率和中大功率场景，在耐压、损耗、温漂和抗冲击方面各有侧重，可为不同照明产品提供兼顾性能与成本效益的电源方案。厂商可根据自身产品定位与实际工况，结合上述选型指南进行验证测试，以实现更优的系统设计与量产良率。

半导体

厂商投稿 . 2026-07-23 504
一文看懂RK3568vsRK3576vsRK3588!

RK3568、RK3576与RK3588分别面向不同层级的应用需求。 📕RK3568采用22nm工艺，性能稳定、接口丰富、有一定成本优势，适合工业网关、HMI、控制终端及数据采集等基础场景。 📗RK3576升级至8nm工艺，搭载八核CPU与6TOPS NPU，兼顾AI推理、实时控制和丰富工业接口，适用于AGV/AMR、工业机器人、机器视觉、智能制造及边缘计算设备。 📘K3588则拥有更强的CPU、GPU及多路视频处理能力，支持复杂AI算法和高性能计算，更适合边缘服务器、高端视觉、视频分析及NVR/XVR。 📚简单来说：重成本选RK3568，追求性能、功耗和成本平衡选RK3576，需要旗舰算力与多媒体能力则选RK3588。

RK3568

万象奥科 . 2026-07-23 490
1.2V超小尺寸晶振YSO131LR系列——为低功耗、小体积应用而生

在智能穿戴、便携式电子及高集成度消费类电子产品快速发展的背景下，终端设备对功耗、尺寸与稳定性提出了更高要求。扬兴科技基于多年晶振技术积累，推出 YSO131LR系列1.2V超小尺寸晶振，以更低功耗、更小体积，为新一代低功耗系统提供可靠时钟解决方案。主要特点和应用一、超小尺寸设计，释放更多结构空间 YSO131LR系列采用超小封装设计，适用于对PCB空间极为敏感的应用场景，可有效帮助客户： · 缩小整机尺寸 · 提升内部布局灵活度 · 满足轻薄化、集成化产品设计趋势尤其适合智能穿戴设备、微型显示模组及对尺寸有严格限制的电子产品。二、1.2V 低电压工作，显著降低系统功耗该系列晶振支持1.2V供电电压，在保证稳定输出的同时有效降低整体功耗。从实测数据来看，产品电流消耗集中在约1.6–1.8mA区间，样品间一致性良好，波动小，能够：延长电池供电设备的续航时间，降低系统能耗与发热，更好地适配低功耗SoC与MCU平台，对于功耗敏感型应用，如智能手表、手环、TWS配套模块等，优势尤为明显。三、稳定可靠的频率性能，满足长期运行需求 YSO131LR系列在频率稳定性方面表现出色： · 频率范围：20~100MHZ · 总频率稳定度：±30ppm · 频率老化：≤±3ppm/年（25℃）结合完善的生产与测试流程，可确保产品在长期运行和复杂环境下依然保持稳定输出，满足对时钟精度有要求的应用场景。四、快速启动与优良信号质量产品支持快速启动（最大10ms），有效缩短系统上电时间；同时具备良好的输出波形控制： · Duty Cycle：45%～55% · 上升/下降时间：≤8ns · CMOS 输出，负载能力稳定有助于系统快速进入工作状态，提高整体响应效率。五、广泛适用的应用场景 YSO131LR系列1.2V超小尺寸晶振，特别适用于： · 智能穿戴设备（手表、手环等） · 屏幕与显示模组 · 便携式消费电子 · 对功耗和尺寸有严格要求的终端产品结语：深耕晶振行业，持续为客户创造价值扬兴科技长期专注于晶振领域，持续优化产品性能与一致性管理，致力于为客户提供稳定、可靠、适配性强的时钟产品。YSO131LR系列正是扬兴科技在低电压、低功耗、小型化方向上的重要成果之一。如您正在寻找一款1.2V、超小尺寸、低功耗的晶振产品，YSO131LR系列将是值得信赖的选择。

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扬兴科技 . 2026-07-22 826
MathWorks 加入 EDGE AI FOUNDATION，推进面向工程化系统的嵌入式 AI 发展

全新合作将支持工程师在 MATLAB 和 PyTorch 中构建 AI 模型，将其集成到系统仿真中，并部署到嵌入式设备 MathWorks 近期宣布加入 EDGE AI FOUNDATION。该组织专注于推动面向边缘设备的高能效 AI 技术发展。通过与其的全球支持者网络协作，MathWorks 将帮助工程师利用其软件平台 MATLAB® 和 Simulink® 训练、集成并部署 AI 模型到嵌入式设备，并通过系统级仿真验证其性能。 EDGE AI FOUNDATION 执行董事 Pete Bernard 表示：“MathWorks 的加入将进一步强化我们让边缘 AI 更易于获取的共同使命。作为工程化系统嵌入式 AI 领域公认的领导者，MathWorks 在 AI 模型集成、系统级仿真和优化代码生成方面拥有成熟能力。这些贡献将为我们的社区带来重要价值，并帮助我们携手加速边缘 AI 的发展。” MATLAB 和 Simulink 提供了端到端的嵌入式 AI 工作流，使工程师能够高效地训练、集成和部署人工智能模型。其关键能力包括：在部署前通过系统级仿真验证系统行为；从同一个 Simulink 模型面向多个目标部署优化后的 C/C++、CUDA 和 HDL 代码；以及面向资源受限设备的模型压缩技术。该工作流还支持面向安全关键和任务关键系统的验证和确认（V&V），支持 MATLAB、PyTorch、TensorFlow、ONNX 和 XGBoost 等多框架集成，并提供低代码 App，使工程师无需具备深厚专业背景也能训练 AI 模型。 MathWorks 软件使各行业工程师能够设计和测试嵌入式 AI 应用。在汽车行业，工程师使用 MATLAB 和 Simulink 创建虚拟传感器，例如估算电池荷电状态或电机温度，并将其部署到微控制器上，以便在资源受限环境中实现实时性能。在航空航天领域，团队开发异常检测和预测性维护算法，并可将其部署到 FPGA 上，以满足飞行关键系统对时延和安全性的严苛要求。在工业自动化领域，工程师使用 MATLAB 和 Simulink 开发用于视觉检测应用的缺陷检测算法，并将其部署到嵌入式 GPU 上，以确保高速且精准的质量控制。 MathWorks AI 产品经理 Lucas Garcia 表示：“加入 EDGE AI FOUNDATION 是我们持续赋能工程师和科学家在 AI、机器学习和边缘计算领域开展创新的自然延伸。我们的工作流使团队能够通过全系统仿真验证在 MATLAB 和 PyTorch 中开发的 AI 模型，并针对严格的算力和内存约束对模型进行优化，随后将其部署到广泛的嵌入式硬件平台上。我们期待与基金会及其成员开展合作，推动可靠、高效 AI 解决方案的部署，以应对现实世界中的挑战。” 有兴趣进一步了解如何使用 MATLAB 和 Simulink 设计、仿真、测试、验证和部署 AI 算法，从而增强复杂嵌入式系统性能与功能的工程师，可访问使用 MATLAB and Simulink 开发嵌入式 AI 页面。

MathWorks . 2026-07-22 791
米尔MYD-YF13X引入STM32MP135F安全芯！系统、安全、功能三重升级

米尔电子 MYD-YF13X 平台资料及SDK迎来重要更新。本次发布的 V2.0.0版本在系统版本、安全能力以及功能支持方面进行了全面升级。本次发布引入安全芯片 STM32MP135F ，并推出搭载该芯片的全新产品 MYD-YF135F。同时，对 U-Boot、Linux Kernel 以及 Yocto 构建系统进行了升级和优化，为开发者提供更加安全、稳定和完善的软件平台。一、版本升级概览二、U-Boot 更新内容本次升级主要增加安全启动功能（Secure Boot）： 1. 安全启动（Secure Boot）通过安全启动机制，在系统启动阶段对启动镜像进行校验，确保系统软件的完整性与合法性：防止未授权固件启动防止系统镜像被篡改提高设备整体安全等级该功能依托安全芯片 STM32MP135F（对应产品 MYD-YF135F）实现。三、Kernel 更新内容在 Linux Kernel 层面，本次版本主要进行了多项功能完善及缺陷修复： 1. RS485 流控脚自动切换实现 RS485 收发方向控制脚由驱动自动管理，简化用户应用层控制逻辑。 2. EEPROM 概率性写入失败问题修复修复特定情况下 EEPROM 写入失败的问题，提升数据存储可靠性。 3. USB Type-C 主从自动切换实现 TypeC 接口 Host / Device 自动角色切换，提升接口兼容性。 4. 摄像头 DCMI 接口支持新增对 DCMI 摄像头接口的支持，方便进行图像采集类应用开发。四、Yocto 更新内容在 Yocto 构建系统方面，本次升级增加了多项新功能，以提升系统安全性和升级能力。 1. SPDX SBOM 生成在编译镜像时自动生成 SPDX SBOM（Software Bill of Materials）文件：记录系统中使用的软件组件满足海外市场合规需求方便进行安全审计与软件溯源 2. RAUC 升级包支持构建系统支持自动生成 RAUC 升级包：支持可靠的系统升级机制适用于 OTA 远程升级场景提供升级包签名校验能力 3. 安全存储功能新增安全存储（Secure Storage）支持：用于保存密钥、证书等敏感信息提供安全隔离与保护机制该功能基于安全芯片 STM32MP135F 的硬件隔离能力实现。 4. A/B 双分区文件系统新增A/B 双分区文件系统机制：支持系统无损升级升级失败可自动回滚提升设备升级可靠性该机制可与 RAUC OTA升级方案配合使用，并与安全芯片提供的 Secure Update 相结合。 5. 一键编译安全系统 Yocto 构建系统新增一键编译安全系统支持：通过集成安全芯片驱动、签名工具链及安全配置，开发者只需执行单个命令即可生成包含 Secure Boot、安全存储、RAUC 安全升级等特性的完整系统镜像，极大简化安全功能的启用流程。五、新安全芯片支持：STM32MP135F 与产品 MYD-YF135F 本次版本引入 STM32MP135F 安全芯片，并推出基于该芯片的硬件平台 MYD-YF135F。该组合提供以下硬件级安全能力：该设计可以有效提升设备在工业、物联网及海外市场应用中的安全合规能力。安全芯片 STM32MP135F 内嵌硬件密码学加速器与可信执行环境，产品 MYD-YF135F 则提供了对这些安全功能的完整软件支持（开发者可通过 Yocto 一键编译安全系统以启用所有特性）。六、总结 MYD-YF13X V2.0.0 版本在系统版本、安全能力以及功能支持方面均进行了全面升级：系统版本升级（U-Boot / Kernel / Yocto）引入 STM32MP135F 安全芯片，对应产品 MYD-YF135F 支持 Secure Boot / Secure Storage / Secure Update / Secure Isolation 支持 RAUC OTA升级及 A/B 双系统升级机制 Yocto 提供一键编译安全系统功能，简化安全特性集成提供 SPDX SBOM 软件清单，满足海外合规要求

STM32

米尔 . 2026-07-22 1 714