• AI服务器 | 从产品关键参数,看国产AI芯片迈向整体崛起

    国产AI芯片的崛起并非偶然,而是一场由市场需求、技术演进、外部环境和政策支持共同驱动的结果。

    AI芯片

    芯查查 . 2025-09-08 9 7875

  • 市场 | 2Q25 DRAM营收季增17.1%,SK海力士市占扩大

    TrendForce集邦咨询表示,2025年第二季DRAM产业因一般型DRAM (Conventional DRAM)合约价上涨、出货量显著增长,加上HBM出货规模扩张,整体营收为316.3亿美元,季增17.1%。平均销售单价(ASP)随着PC OEM、智能手机、CSP业者的采购动能增温,加速DRAM原厂库存去化,多数产品的合约价也因此止跌翻涨。 观察主要供应商第二季营收表现,SK hynix(S

    DRAM

    TrendForce集邦 . 2025-09-02 760

  • 市场 | 预计Q3整体DRAM价格季增15%至20%,短期内DDR4仍将供不应求

    2025年第三季一般型DRAM(Conventional DRAM)价格季增10%至15%,若纳入HBM,整体DRAM涨幅将季增15%至20%。

    DRAM

    TrendForce集邦 . 2025-07-11 1 2 2030

  • 财报 | SK海力士发布2025财年第一季度财务报告

    SK海力士合并收入为17.6391万亿韩元,营业利润为7.4405万亿韩元,净利润为8.1082万亿韩元,季度收入创下历史第二高,营业利润率已连续八个季度实现稳健上升。

    人工智能

    全球半导体观察 . 2025-04-24 2180

  • 标准 | JEDEC正式推出HBM4 内存规范JESD270-4

    JEDEC 固态技术协会正式推出 HBM4 内存规范 JESD270-4,该规范为 HBM 的最新版本设定了更高的带宽性能标准。

    HBM4

    hpcwire . 2025-04-17 1 1 2515

  • 市场 | 下游客户库存去化顺利,预计2Q25 DRAM价格跌幅将收敛

    根据TrendForce集邦咨询最新调查,2025年第一季下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化,此举有助供应链中DRAM的库存去化。展望第二季,预估Conventional DRAM(一般型DRAM)价格跌幅将收敛至季减0%至5%,若纳入HBM计算,受惠于HBM3e 12hi逐渐放量,预计均价为季增3%至8%。    PC DRAM、Server DRAM价格皆持平上季 因应国际形势变化,各主要

    DRAM

    芯查查资讯 . 2025-03-25 3246

  • 分析 | 美光FY25Q2跟踪报告:HBM收入环比持续高增长,指引FY25Q3 DRAM和NAND量价齐升

    事件: 美光于3月21日公布FY25Q2财报(注:截至2月28日的3个月期间),营收80.5亿美元,同比+38.3%/环比-7.5%;毛利率37.9%,同比+17.9pcts/环比-1.6pcts,均符合指引。    评论: 1、FY25Q2收入和毛利率符合指引,摊薄EPS超指引预期。 按NON-GAAP口径,美光FY25Q2收入为80.5亿美元,符合指引(79±2亿美元),同比+38.3%/环比

    美光

    招商电子 . 2025-03-25 2280

  • 【招商电子】美光FY25Q2跟踪报告:HBM收入环比持续高增长,指引FY25Q3 DRAM和NAND量价齐升

    事件: 美光于3月21日公布FY25Q2财报(注:截至2月28日的3个月期间),营收80.5亿美元,同比+38.3%/环比-7.5%;毛利率37.9%,同比+17.9pcts/环比-1.6pcts,均符合指引。    评论: 1、FY25Q2收入和毛利率符合指引,摊薄EPS超指引预期。 按NON-GAAP口径,美光FY25Q2收入为80.5亿美元,符合指引(79±2亿美元),同比+38.3%/环比

    美光

    招商电子 . 2025-03-25 1265

  • 存储 | HBM、DDR5、多层NAND Flash等未来三年的技术发展趋势

    重点内容速览: 1. HBM收益AI需求快速增长,SK海力士一骑绝尘 2.  DRAM技术持续迭代,进入10nm时代 3.  NAND Flash层数不断突破,国内厂商不甘人后   在人工智能的推动下,存储器市场正迎来一场变革,技术的发展节奏明显加快。要知道,当年DRAM等存储器主要就是依赖不断缩小的制程尺寸,来提升存储密度、降低功耗,以及降低成本的。然而在过去10年里,存储器的制程微缩大幅放缓,

    存储

    芯查查资讯 . 2025-03-24 7 2 1w

  • 2025年HBM出货量将同比增长70%

    市调机构TechInsights在报告中指出,存储器市场,包括DRAM和NAND,预计在2025年将实现显著增长,这主要得益于人工智能(AI)及相关技术的加速采用。   TechInsights称,随着AI的兴起,特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中,对高带宽内存(HBM)的需求空前高涨。预计2025年HBM出货量将同比增长70%,因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处

    存储

    芯查查资讯 . 2024-12-27 1 8 3110

  • HBM5 20hi后产品将采用Hybrid Bonding技术,或引发商业模式变革

    三大HBM原厂正在考虑是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding,并已确定将在HBM5 20hi世代中使用这项技术。

    HBM

    TrendForce集邦 . 2024-10-30 3515

  • 机构:英伟达2025年推Blackwell Ultra、B200A,将拉升HBM消耗量

    根据TrendForce最新HBM报告,随着AI芯片迭代,单一芯片搭载的HBM容量也明显增加。英伟达目前是HBM市场最大买家,预期2025年推出Blackwell Ultra、B200A等产品后,其在HBM市场的采购比重将突破70%。   TrendForce表示,以NVIDIA Hopper系列芯片为例,第一代H100搭载的HBM容量为80GB,而2024年放量的H200则跃升到144GB。在A

    NVIDIA

    芯查查资讯 . 2024-08-09 4 8799

  • 超过6500人参加,三星电子罢工活动升级

    当地时间7月8日,韩国三星电子(Samsung Electronics)有超过6500名员工开始了为期3天的大规模罢工,要求增加一天带薪年假、上调加薪幅度,并改变目前绩效奖金的计算方式。

    三星电子

    芯查查资讯 . 2024-07-09 1 24 4230

  • 美光考虑在马来西亚生产HBM

    6月19日消息,美光考虑首次在马来西亚生产HBM,以抓住人工智能热潮带来的更多需求。   知情人士透露,美光科技正在扩建位于爱达荷州博伊西总部的HMB相关研发设施,包括生产和验证线。该公司还在考虑在马来西亚建立HBM生产能力。   美光目标是到2025年将其人工智能芯片最关键部分之一HBM的市场份额增加两倍,达到“20%左右”的百分比。这与美光在传统动态随机存取存储器(DRAM)芯片中的市场份额大

    存储器件

    芯查查资讯 . 2024-06-20 4040

  • 美光HBM抢市 2025财年目标市占上看25%

    英伟达积极采用高容量HBM,强化自家AI芯片,并选定SK海力士、三星与美光作为三家合作伙伴;美光6月5日表示,目前正积极强化技术并同步扩充产能,期望在FY24会计年度HBM市占达20-25%,2025年也与此相当。   针对HBM产能布局,美光指出,公司产能布局全球,日本广岛也是考虑扩充地点之一,目前HBM3e进展顺利,预期未来将贡献一定获利,市占率也会跟现有市占率差不多,强调客户对公司的HBM3

    美光

    芯查查资讯 . 2024-06-06 4470

  • 2024年存储市场有哪些值得关注的点?

    通过存储行业头部企业的发言与展示可以看出今年存储市场的大概情况。接下来,我将从存储市场、技术热点、发展趋势几个方面,给大家梳理一下今年存储市场的情况。

    原创

    芯查查资讯 . 2024-03-28 1 36 8396

  • 突发!SK 海力士关闭上海公司,重组中国区业务!

    3月19日消息,韩国最大的半导体巨头之一 SK 海力士正在重组中国区业务,计划关闭其在上海的子公司,该子公司成立于 2006 年。根据发布的 2023 年审计报告,去年四季度以来该公司一直在清算其上海子公司,并计划将业务重心转移到其半导体制造工厂所在的无锡。 据了解,SK 海力士在中国有三家工厂:无锡 DRAM 厂、大连 NAND 厂以及重庆封装厂。目前,SK 海力士正加大对无锡厂的投入,旨在扩大

    突发

    芯查查资讯 . 2024-03-19 2 20 8137

  • 韩媒:HBM良率低、产量堪虑

    3月6日消息,韩媒DealSite报道,高带宽内存(HBM)的良率远低于传统内存产品,通过NVIDIA质量测试(qualification test)的难度大增,让市场对产量感到忧虑。美光(Micron)、SK 海力士(SK Hynix)等HBM厂商面临良率低迷窘境,为了通过NVIDIA次世代AI GPU的质量测试,彼此正在激烈竞争。   HBM良率高低,主要跟堆栈架构的复杂程度有关,这牵涉到多重

    快讯

    芯闻路1号 . 2024-03-06 1 3 4041

  • 新品 | 三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM,满足人工智能时代的更高要求

         三星HBM3E 12H DRAM是目前三星容量最大的HBM, 凭借三星卓越的12层堆叠技术, 其性能和容量可大幅提升50%以上 先进的TC-NCF技术有效提升垂直密度和热性能 三星致力于满足人工智能时代对高性能和大容量解决方案的更高要求     2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的H

    三星

    三星半导体 . 2024-02-27 3 3 4120

  • 产能翻番仍供不应求,SK 海力士 HBM 内存生产配额已售罄

    2 月 23 日消息,SK 海力士管理层近日坦言,虽然 2024 年计划要让 HBM 的产能实现翻番,不过 HBM 内存生产配额已经全部售罄。 SK 海力士销售和营销副总裁 Kim Ki-Tae 表示,海力士作为 HBM 行业的领导者,提前预见了 HBM 内存的高需求,已提前做好提高产能准备,会进一步满足市场需求,尽一切可能保护其领先地位。   SK 海力士已成立了专门的部门,专门负责推进 HBM

    快讯

    芯闻路1号 . 2024-02-23 5 19 4125