3月6日消息，韩媒DealSite报道，高带宽内存（HBM）的良率远低于传统内存产品，通过NVIDIA质量测试（qualification test）的难度大增，让市场对产量感到忧虑。美光（Micron）、SK 海力士（SK Hynix）等HBM厂商面临良率低迷窘境，为了通过NVIDIA次世代AI GPU的质量测试，彼此正在激烈竞争。

HBM良率高低，主要跟堆栈架构的复杂程度有关，这牵涉到多重内存阶层，及作为各层连结之用的直通硅晶穿孔（Through-Silicon Via，简称TSV）技术。这些复杂技术增加制程出现缺陷的机率，可能因此让良率低于设计较简单的内存。

此外，由于HBM一旦有一个芯片有缺陷，整个封装都需丢弃，因此产量很低。消息显示，HBM的整体良率目前约在65%左右，若业者试图拉高良率，产量就会随之下降。

美光已于2月26日宣布，开始量产高频内存「HBM3E」，将应用于NVIDIA最新AI芯片「H200」Tensor Core绘图处理器（GPU）。H200预定2024年第二季出货，取代当前算力最强大的H100。

图源：wccftech.com