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  • 财报 | SK海力士发布2025财年第一季度财务报告

    财报 | SK海力士发布2025财年第一季度财务报告

    SK海力士合并收入为17.6391万亿韩元，营业利润为7.4405万亿韩元，净利润为8.1082万亿韩元，季度收入创下历史第二高，营业利润率已连续八个季度实现稳健上升。

    人工智能

    全球半导体观察 . 2025-04-24 1135

  • 市场 | 下游客户库存去化顺利，预计2Q25 DRAM价格跌幅将收敛

    根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化，此举有助供应链中DRAM的库存去化。展望第二季，预估Conventional DRAM（一般型DRAM）价格跌幅将收敛至季减0%至5%，若纳入HBM计算，受惠于HBM3e 12hi逐渐放量，预计均价为季增3%至8%。    PC DRAM、Server DRAM价格皆持平上季 因应国际形势变化，各主要

    DRAM

    芯查查资讯 . 2025-03-25 2681

  • 存储 | HBM、DDR5、多层NAND Flash等未来三年的技术发展趋势

    存储 | HBM、DDR5、多层NAND Flash等未来三年的技术发展趋势

    重点内容速览： 1. HBM收益AI需求快速增长，SK海力士一骑绝尘 2.  DRAM技术持续迭代，进入10nm时代 3.  NAND Flash层数不断突破，国内厂商不甘人后   在人工智能的推动下，存储器市场正迎来一场变革，技术的发展节奏明显加快。要知道，当年DRAM等存储器主要就是依赖不断缩小的制程尺寸，来提升存储密度、降低功耗，以及降低成本的。然而在过去10年里，存储器的制程微缩大幅放缓，

    存储

    芯查查资讯 . 2025-03-24 7 2 7360

  • 产品 | AMD 推出第五代 AMD EPYC 嵌入式处理器9005 系列

    产品 | AMD 推出第五代 AMD EPYC 嵌入式处理器9005 系列

    新的嵌入式处理器为网络、存储与工业边缘市场提供领先的性能、效率，以及长产品生命周期。思科和 IBM 是首批采用第五代 AMD EPYC 嵌入式 CPU 为下一代平台提供支持的技术合作伙伴。

    嵌入式处理器

    AMD . 2025-03-13 1125

  • 涨价 | 闪迪（SanDisk）全系存储产品涨价10%

    涨价 | 闪迪（SanDisk）全系存储产品涨价10%

    闪迪（SanDisk）日前向客户及通路发出涨价函，将于4月1日起对渠道和消费者客户的所有产品提价超过10%。

    存储

    芯查查资讯 . 2025-03-10 1095

  • 存储 | 一文了解半导体存储器原理、分类及主要供应商

    存储 | 一文了解半导体存储器原理、分类及主要供应商

    重点内容速览： 1. DRAM技术原理及主要供应商  2. SRAM技术原理及主要供应商  3. Flash存储器原理及主要供应商4. 新型存储器产品   半导体存储器（Semiconductor Memories），又称为存储芯片，是用半导体集成电路工艺制成、用于存储数据信息的固态电子器件，由大量能够表征0和1的半导体器件（存储元）和输入输出电路等构成，是计算系统的重要部件。半导体存储器具有存取

    存储

    芯查查资讯 . 2025-03-03 2 17 6260

  • 美光1γ DRAM开始出货：引领内存技术突破，满足未来计算需求

    美光1γ DRAM开始出货：引领内存技术突破，满足未来计算需求

    美光科技股份有限公司2025年2月26日宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代CPU设计的1γ（1-gamma）第六代（10纳米级）DRAM节点DDR5内存样品。得益于美光此前在1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM节点的领先优势，1γ DRAM节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧AI设备（如AI PC、智能手机和汽车）等未来计算平台的创新发展。  

    DRAM

    Micron美光科技 . 2025-02-28 1 850

  • 1Q25 DRAM合约价走跌；预计1Q25 NAND Flash价格将出现超10%下滑；全固态电池商用化竞争激烈

    1Q25 DRAM合约价走跌；预计1Q25 NAND Flash价格将出现超10%下滑；全固态电池商用化竞争激烈

    合约价走跌，1Q25一般型DRAM价格跌幅预估扩大至8~13% 根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季进入淡季循环，DRAM市场因智能手机等消费性产品需求持续萎缩，加上笔记本电脑等产品因担心美国可能拉高进口关税的疑虑，已提前备货，进而造成DRAM均价下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅预估将扩大至8%至13%，若计入HBM产品，价格预计下跌0%

    存储

    TrendForce集邦 . 2025-01-03 2 1790

  • 2025年HBM出货量将同比增长70%

    2025年HBM出货量将同比增长70%

    市调机构TechInsights在报告中指出，存储器市场，包括DRAM和NAND，预计在2025年将实现显著增长，这主要得益于人工智能（AI）及相关技术的加速采用。   TechInsights称，随着AI的兴起，特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存（HBM）的需求空前高涨。预计2025年HBM出货量将同比增长70%，因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处

    存储

    芯查查资讯 . 2024-12-27 1 8 2380

  • 需求展望疲弱、库存和供给上升，预计2025年DRAM价格将下跌

    需求展望疲弱、库存和供给上升，预计2025年DRAM价格将下跌

    第四季为DRAM产业议定合约价的关键时期，根据TrendForce集邦咨询最新调查，制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，目前价格已呈现跌势。DDR5与LPDDR5X等先进制程产品的需求展望尚不明确，加上部分买卖方库存水位偏高，价格不排除于今年第四季底开始下跌。 TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，先前受三大供应商积极建置HBM产能，加上预计新厂到2026年才会

    DRAM

    TrendForce集邦 . 2024-11-18 1405

  • 2024年存储器市场持续增长，增幅预计达21%

    2024年存储器市场持续增长，增幅预计达21%

    存储器细分市场持续增长，2024年预计增幅达21%。 在这一类别中，DRAM预计将领跑，增幅为26%，而NAND的增幅则较为温和，预计为9%。

    存储器

    TechInsights . 2024-10-09 3315

  • 2024 MWC上海：江波龙探索存储技术新趋势

    2024 MWC上海：江波龙探索存储技术新趋势

      6月26日至28日，2024 MWC上海在新国际博览中心隆重举行，半导体存储品牌企业江波龙亮相展会，并在现场展示其最新成果，与全球行业精英共同探索存储在移动通信领域的无限可能。 本次展会，江波龙以“存储无界 智联未来”为主题，通过一系列前沿产品展示、新品宣讲和互动体验活动，全面展示公司在存储技术创新和存储应用方面的最新进展。   在产品展示方面，江波龙带来了旗下行业类存储品牌FORESEE全品

    存储器件

    江波龙 . 2024-06-27 2 10 3180

  • 美光考虑在马来西亚生产HBM

    美光考虑在马来西亚生产HBM

    6月19日消息，美光考虑首次在马来西亚生产HBM，以抓住人工智能热潮带来的更多需求。   知情人士透露，美光科技正在扩建位于爱达荷州博伊西总部的HMB相关研发设施，包括生产和验证线。该公司还在考虑在马来西亚建立HBM生产能力。   美光目标是到2025年将其人工智能芯片最关键部分之一HBM的市场份额增加两倍，达到“20%左右”的百分比。这与美光在传统动态随机存取存储器（DRAM）芯片中的市场份额大

    存储器件

    芯查查资讯 . 2024-06-20 3535

  • 美光：智能家居正在变得越来越智能

    美光：智能家居正在变得越来越智能

    人工智能 (AI) 和物联网 (IoT) 的进步正在彻底改变智能家居。这项技术日益成为主流，您无需精通技术即可享受其带来的益处。拥有智能手机和无线网络，便已足够。   观察、发出指令、控制 我们来快速了解一下智能家居的发展方向。从一开始您就会注意到，智能家居建立在 AI 和机器学习基础上，所有这些都发生在智能边缘设备中。这些设备都需要高性能、低功耗、体积小巧的内存和存储来实现智能决策。   从房屋

    美光

    Micron美光科技 . 2024-06-12 2 2235

  • TrendForce：以三星为首的DRAM产商增加供应 压低DRAM价格

    TrendForce最新报告指出，DRAM市场中，卖家尤其是三星增加了芯片供应，从而压低DRAM价格。 NAND Flash方面，零售市场需求持续低迷，模组厂加大销售力度积极争取成交，价格出现松动，零售市场订单尚未回补，加上晶圆价格已从谷底回升至近八成，现货价格的断崖式下跌恐将持续。

    DRAM

    芯查查资讯 . 2024-05-23 1 9 3060

  • 集邦：DRAM厂陆续恢复生产，预估对第二季总DRAM位元产出影响低于1%

    集邦：DRAM厂陆续恢复生产，预估对第二季总DRAM位元产出影响低于1%

    根据TrendForce集邦咨询于403震后对DRAM产业影响的最新调查，各供货商所需检修及报废晶圆数量不一，且厂房设备本身抗震能力均能达到一定的抗震效果，因此整体冲击较小。

    DRAM

    TrendForce集邦 . 2024-04-10 3 3150

  • 2024年存储市场有哪些值得关注的点？

    2024年存储市场有哪些值得关注的点？

    通过存储行业头部企业的发言与展示可以看出今年存储市场的大概情况。接下来，我将从存储市场、技术热点、发展趋势几个方面，给大家梳理一下今年存储市场的情况。

    原创

    芯查查资讯 . 2024-03-28 1 36 8031

  • TrendFocre：预计服务器DRAM的年增长率将达到17.3%

      随着AI需求的不断增长，服务器对内存搭载容量的需求也在持续增加。TrendFocre指出，预计2024年服务器DRAM单机平均容量将同比增长17.3%，而企业级SSD则将同比增长13.2%。     TrendFocre预测，到2025年，AI智能手机和AI PC的市场渗透率将略有增长，这将带动平均单机搭载容量的同步上升。     从智能手机来看，2023年内存价格相对较低，推动了智能手机单机

    AI

    TrendFocre . 2024-02-07 7 5630

  • 长鑫存储开始生产18.5nm工艺DRAM芯片，全球产能占比将达10%

    长鑫存储开始生产18.5nm工艺DRAM芯片，全球产能占比将达10%

    去年末，长鑫存储（CXMT）正式推出了LPDDR5系列产品，其中包括了12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片，成为了国内首家自主研发并生产LPDDR5的厂家。   长鑫存储并没有放慢技术研发的步伐，甚至还加快了速度。据DigiTimes报道，长鑫存储在合肥的新工厂已经开始量产采用18.5nm工艺的DRAM芯片，第一期生产线已经接近满

    快讯

    芯闻路1号 . 2024-01-26 3 42 1.1w

  • SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM，工艺为 10nm 级别

    SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM，工艺为 10nm 级别

    1 月 16 日消息，根据韩媒《首尔经济日报》报道，SK 海力士计划在 2024 年之前，完成对无锡 C2 工厂的改造，转换升级为第四代（1a）D-ram 工艺，该工艺达到 10nm 级别。 无锡工厂是该公司的核心生产基地，约占 SK hynix D-RAM 总产量的 40%。该厂目前生产 10 纳米后期级别的第二代（1y）和第三代（1z）D-RAM，属于旧（传统）产品线。 消息称 SK 海力士会

    快讯

    芯闻路1号 . 2024-01-16 1 2805

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