SK海力士推出新型DRAM 号称创下业内单芯最大密度记录
SK 海力士最近又研发出了新型 DRAM 工艺，号称创下业内单芯最大密度记录。 SK 海力士公司宣布，其已成功开发出 1Znm 16GB DDR4 动态随机存储器（DRAM），创下了业内单芯最大密度的纪录。与上一代 1Y nm 产品相比，其产能提升约 27%，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。 此外，新型 1Z nm DRAM 还支持高达 DDR4-3200 的数据传输
SK海力士
与非网 . 2019-11-19 1115
买方采购力加强 有助于2020年DRAM价格的止稳反弹
根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新调查，第四季 DRAM 均价相较前一季仍小幅下跌，但跌幅已缩小至约 5%。10 月交易量与先前季度的首月相比明显放大，显示买方购货的意愿逐渐增强。一旦供给商的库存降低，降价求售的必要性便大幅下降，有助于 2020 年 DRAM 价格的止稳反弹。 针对近期可能影响供给面的市场消息，如三星计划重启扩产，以及中国 DRAM 厂 2020 年增加投
DRAM
与非网 . 2019-11-19 1055
第三季DRAM出货量大增 第四季出货量有望维持成长
据 DRAMeXchange 调查显示，第三季 DRAM 供应商销售位元出货量（sales bit）大增，连带推升 DRAM 总产值成长 4%，结束连续三季下滑。展望第四季，三大 DRAM 原厂仍预期在服务器及手机需求的带动下，出货量有望维持成长。 三星受惠于中国大陆手机业者提前备货力道强劲，以及服务器需求缓步回温，销售位元出货量成长逾 3 成，带动营收较第二季成长 5%，来到 71.2 亿美元；
DRAM
与非网 . 2019-11-19 985
长鑫存储DRAM芯片投产 力争未来成为这个领域的领先者
最新消息，今天在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10nm级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。投产的8Gb DDR4已经通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。 花钱买来的技术 在如今的全球半导体产业，三星，SK海力士，美光
DRAM
OFweek智能硬件网 . 2019-11-14 1510
SK海力士推出新款DRAM 将实现单一芯片标准内世界最大容量
在推进DRAM的制造技术上，三星、SK海力士和美光这三大玩家从来没有停止过前进的步伐。 近日，SK海力士宣布了开发基于第三代1Z纳米（10nm）工艺的DDR4动态随机存储器（DRAM），称将实现单一芯片标准内世界最大容量的16GB，即在一张晶圆中能生产的存储量达到现存的DRAM中最大。 据悉，新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率，达到DDR4规格内最高速度；同时在功耗方面，
SK海力士
网络整理 . 2019-10-24 995
2020年半导体市场将回暖，只因这个2019年我们过得太惨？
全球半导体市场正走向 18 年来最大跌幅。2001 年互联网泡沫破灭时，市场下跌了 32%。2019 年的降幅应该在 15%左右，是 2001 年之后的第三大年度降幅，1985 年降幅为 17%。当前的弱点主要是由于内存供应（DRAM 和 NAND Flash）相对于需求的过剩。wsts 预计，2019 年内存市场将下降 31%，而不包括内存的半导体市场将仅下降 4%。市场疲软的另一个原因是不确定
DRAM
-- . 2019-10-01 1530
紫光加持DRAM 行业正在回暖
8月27日，重庆市人民政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。紫光集团将在重庆建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂，据悉，DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM／FastPage、EDORAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 和WRAM。DRAM也叫动
紫光
网络整理 . 2019-08-30 1340
记忆体模组厂2Q表现各异 下半年冲刺市况回温
尽管第2季记忆体位元出货量成长，但受到市场报价持续下跌，记忆体模组厂营运挑战增加，但各家业者在不同策略及发展的表现各异。 工控记忆体模组厂宜鼎国际第2季毛利率冲上32.32%，单季获利维持高档，而创见资讯第2季营收季减14%，本业获利则微幅成长，但受到DRAM、NAND Flash价格续挫影响，威刚第2季毛利率降至8.49%，十铨第2季在出货量及市占率拉升下单季反转亏。 宜鼎国际布局人工智慧物联网
DRAM
Digitimes . 2019-08-12 1145
Q3季度下旬显卡价格将调整 或因DRAM颗粒涨价而上调价格
随着XFX讯景上周发布首款非公版RX 5700 XT黑狼显卡，AMD今年在中高端显卡市场上的竞争优势还会进一步提升，解决了散热问题之后RX 5700系列给RTX 20 Super系列的压力更大。 NVIDIA赶在AMD正式推出RX 5700系列之前上市了RTX 20 Super系列显卡，提前卡位让AMD很尴尬，不得不在上市前三日临时降价300-500元，降价后的RX 5700系列只要2699元起，
显卡
工程师吴畏 . 2019-08-05 1045
三星电子 目前并无减产DRAM等存储器芯片的打算
虽然日本限制关键科技原料出口至韩国，对业界投下震撼弹，但三星电子（Samsung Electronics Co.）表明，目前并无减产DRAM等存储器芯片的打算，还说日本出口限制令的冲击难以估算，只能尽量把伤害降到最低。 BusinessKorea、东亚日报报导，三星一名高层7月31日在第二季（4-6月）财报电话会议上表示，日本政府并不是完全禁止半导体材料出口，只是增添了新的执照申请程序，影响了三星
芯片
LONG . 2019-08-03 1395
三星宣布将量产全球首款12GbLPDDR5DRAM
近日，三星官方宣布，公司将量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。据了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要针对未来智能手机，优化其5G和AI功能。 此外，三星还表示，在7月底即将大量生产12Gb的LPDDR5模组，每个模组都包含8个12Gb芯片，总计达到96Gb的容量，以满足高端智能手机制造商对更高手机性能和容量的需求。 三星指出，采用第2代10纳米等级制程的新款12Gb LPDDR
DRAM
工程师吴畏 . 2019-07-31 1490
DRAM和SRAM的区别
随机存取存储器 RAM代表随机存取存储器。随机访问是能够以与该存储器设备中的任何其他元件一样快速且容易地访问存储设备的元件的能力。设备的大小或它有多少个存储器元件和单元并不重要。 相反，顺序存储设备（如CD）上的数据无法以这种方式访问。通常，驱动器的激光器必须行进，CD必须旋转才能读取存储在磁盘上的特定值。因此，根据当前的位置和旋转情况，不能保证可以在相同的时间内访问该存储设备上的不同部分。 今天
DRAM
工程师吴畏 . 2019-07-30 1695
展望市场:关于Fab设备投资、生产设备、材料的预测
据Tseng先生表示，SEMI以自身统计的数据和半导体业界市场调查公司统计的数据为基础，得出了以下关于全球半导体元件（Device）、半导体生产设备、材料的现状（主要是今年1月-5月的状况）内容，如下所示： 全球半导体市场的销售额实绩（2019年1月-5月的累计值）去年同比减少13.7%，从国家、地区来看，美国同比减少27%，日本同比减少12%，中国同比减少10%，欧洲同比减少7%，各地区都呈现减
半导体
YXQ . 2019-07-30 1225
日韩贸易战延烧,存储价格将反弹至11月
先前因东芝停电事件加上7月初，日本政府对南韩出口管制3项关键电子材料，带动NAND Flash及DRAM两大记忆体价格反弹。威刚科技董事长陈立白指出，日韩贸易战带动两大记忆体现货价格提前于6月底落底，自7月起至目前累积涨幅已约为20%，预期带动此波记忆体价格由小反弹变成中期的反弹格局，有机会逐步反弹至11月，累积弹幅可望达3~4成。 整体而言，今年DRAM及NAND Flash的现货价低点都已在6
DRAM
YXQ . 2019-07-29 1905
全球首款12Gb LPDDR5 DRAM成功量产 三星将继续发展新一代DRAM以拉大与竞争者之间的差距
韩国三星官方在18日宣布，量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。该款DRAM针对未来智能手机中的5G和AI功能进行了优化。此外，三星还计划本月底开始大量生产12Gb的LPDDR5模组，每个模组都包含8个12Gb芯片，总计达到96Gb的容量，如此以满足高端智能手机制造商对更高手机性能和容量的需求。 根据三星指出，采用第2代10纳米等级制程的新款12Gb LPDDR5 DRAM，其传输速度可达
DRAM
工程师吴畏 . 2019-07-18 1395
行业 | 三星电子和SK海力士完成对本土氟化氢测试,已投入DRAM生产
7月15日业界资讯，三星电子和SK海力士已完成针对本土氟化氢的可靠性和整合性测试，近日已投入到DRAM生产。据传，半导体业界在年初时就已提前预感日本的报复行为，年初就已经在进行本土产产品的导入。但国产化氟化氢投入到量产线为首次，这也是为应对日本政府对氟化氢出口限制的紧急应对案。 预计供应三星电子和SK海力士氟化氢的供应商A公司订单将暴涨，为此也在筹备增产等措施。半导体业界认为，按照A公司的经验和竞
DRAM
YXQ . 2019-07-17 1515
IC Insights表示两年的疯狂投资后 DRAM资本支出今年将暴跌28%
IC Insights近期更新了报告，并修订了截至2023年的全球经济和IC行业预测，其中包括了对今年和预测时间内的资本支出和DRAM市场趋势的回顾。 在2019年下半年，IC行业面临的一个重要问题是DRAM市场何时会反弹。而市场的反弹部分是由产品的量产能力驱动的。在经过2017年和2018年DRAM的巨额资本投入后，现在的问题就是新的产能什么时候能上线，而产能扩大后，DRAM的价格会下降多少？
半导体
yxw . 2019-07-12 1550
联电前CEO孙世伟传加入武汉新芯 接棒高启全
中国紫光集团上月底正式发文公告筹组DRAM事业群，南亚科前总经理、武汉新芯执行长高启全也将加入紫光集团的DRAM事业群，有中国媒体报导，由于高启全将加入紫光集团， 目前联电前执行长孙世伟传出已经进入武汉新芯协助高启全，孙世伟未来更可能会接下武汉新芯执行长一职，让高启全全力投入紫光的DRAM发展。 中国媒体《深科技》报导，孙世伟2008年至2012年间担任联电执行长，之后转任副董事长，2015年在联
芯片
yxw . 2019-07-09 1460
2019年6月DRAM与NAND Flash跌价趋势持续
根据最新发布的存储器价格报告指出，受到第三季智能型手机备货需求不如预期以及海外市场订单大幅萎缩的影响，再加上服务器市场受到中美贸易摩擦导致供应链混乱，整体存储器终端需求也不如预期。 DRAM与NAND Flash持续维持下降走势。 NAND Flash跌幅较为收敛，主要原因在于先前厂商减少产能主要集中在NAND Flash，包含东芝、西数、海力士和美光；再加上经过几个季度的跌价，各家NAND Fl
DRAM
YXQ . 2019-07-06 1160
受日本制裁 SK海力士或将停产
近日，日本经济产业省宣布，将对用于智能手机及电视机的半导体等制造过程中需要的3种材料加强面向韩国的出口管制，理由则是“经过相关部门的讨论，认为日韩之间的信赖关系明显受到了损害”。 据日经新闻报导，本周四开始，日商需要申请政府许可，才能输出三项半导体关键原料至南韩，估计日本当局审理时间要90天，但是南韩业者大概只有1~2个月的库存。 韩国内存大厂SK海力士的消息人士透露，该公司没有3个月库存，倘若迟
半导体
yxw . 2019-07-04 1500
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