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  • 长鑫存储DRAM项目正式首次投片，国产DRAM在大力的突破

    据国际电子商情，日前，消息称长鑫存储DRAM项目正式首次投片，启动试产8Gb DDR4工程样品。这将是第一个中国自主研发的DRAM芯片。与此同时，长鑫存储和睿力集成的新CEO上任，据可靠消息，此位CEO正是兆易创新的董事长朱一明先生。现在，存储器投片、管理者就位，这似乎预示着长鑫存储的国产DRAM正式踏上征程。 国产DRAM突破 目前，国内DRAM厂商主要有紫光国芯、福建晋华、合肥长鑫、长江存储等

    DRAM

    未知 . 2018-07-23 1440

  • DRAM市场第3季将可喜迎旺季，而NAND Flash市场价格也可稍有反弹

    目前存储器市况呈现两样情况，DRAM持续稳健发展，价格平稳或小涨；NAND Flash则因供过于求，价格缓跌。外界预期DRAM市场第3季将可喜迎旺季，而NAND Flash市场价格也可稍有反弹。 在DRAM厂中，南亚科受惠转进20纳米制程，5月业绩达83.26亿元（新台币，下同），续创单月历史新高纪录，不但位元销售量有所成长，同时销售价格也微幅走扬，累计前五月合并营收为348.04亿元，年增68.

    DRAM

    未知 . 2018-06-26 1325

  • 三星、海力士18nm良率出问题 市场价格出现变数

    受惠于市场需求强力推升，服务器存储器供应持续吃紧，近来市场传出，存储器龙头厂三星与海力士18nm制程出现良率问题，应用于高阶服务器产品遭到退货，包括美国及大陆厂商已要求暂时停止出货。尽管三星对外刻意采取低调，但多家台湾地区业者近日仍纷纷接获消息，业界预计最快1~2个月左右应可改善良率，但由于第3季DRAM价格预期将缓步上升，如今再受到高阶DRAM产出供不应求，将为下半年市场价格涨幅投下变量。 根据

    DRAM

    未知 . 2018-06-21 1560

  • 存储芯片行业何时会用上EUV工艺？

    今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，二代7nm才会上EUV光刻工艺，预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上EUV工艺？在美光看来，EUV光刻工艺并不是DRAM芯片必须的，未来几年内都用不上，在新一代工艺上他们正在交由客户验证1Y nm内存芯片，未来还有1Z、1α及1β工艺。 内存行业在未来几年都不需要EUV光刻机

    DRAM

    未知 . 2018-06-08 1195

  • 中国反垄断机构正式启动了对于三星、SK 海力士、美光三家内存芯片厂商的调查

    早在今年4月，芯智讯就曾发布过一篇题为《三星/SK海力士/美光涉嫌操控DRAM芯片价格！发改委也该出手了！》的文章，果不其然，5月31日，中国反垄断机构正式启动了对于三星、SK 海力士、美光三家内存芯片厂商的调查，以确认这三家厂商在近年来DRAM内存芯片市场价格飞涨中，是否有垄断价格行为，以及业界反映不合理产品搭售的相关问题。 据了解，5月31日，中国反垄断调查机构派出多个工作小组，分别对三星、S

    芯片

    未知 . 2018-06-04 1405

  • 内存涨价没完没了 出手要尽快

    根据内存专业调研机构集邦咨询(DRAMeXchange)的最新数据，2018年第一季度，受持续涨价刺激，全球DRAM内存颗粒市场总收入环比增长5.4％，达到了创纪录的230.8亿美元。 其中，显存颗粒的价格环比增幅高达15％，主要是此前显存价格相对偏低，而近期显卡挖矿需求持续居高不下，而其他类型的内存颗粒价格也增长了3-6％。 集邦咨询预计，第二季度PC DRAM内存颗粒的价格继续上涨趋势，其中4

    DRAM

    未知 . 2018-05-18 1035

  • DRAM遭遇反垄断和和固定价格诉讼

    4月27日在北加州地方法院Hagens Berman律师事务所对三家DRAM大厂三星电子(Samsung Electronics)、海力士(SK Hynix)和美光(Micron)提起集体诉讼，指控这三家占全世界市场供应96%的厂商共谋限制产量，是典型的反垄断和固定价格(price fixing)，指控的反垄断和固定价格期间从2016年7月1日~2018年2月1日。 与2002年DRAM反垄断案相

    DRAM

    未知 . 2018-05-16 1120

  • 力晶建12寸晶圆厂，半导体制造厂进驻铜锣园

            继内存厂华邦电决定在台南科学园区的高雄园区兴建12吋晶圆厂后，转型为晶圆代工厂的力晶（5346）也打算在新竹科学园区的铜锣园区投资兴建12吋晶圆厂，这也是铜锣园区第一家进驻的半导体制造大厂。         据了解，力晶新厂将不会投入内存生产，而是以逻辑及模拟IC的晶圆代工为主，争取包括电源管理IC或CMOS影像传感器等订单。         力晶曾是台湾最大内存DRAM厂，过去曾

    DRAM

    未知 . 2018-05-08 1040

  • 解说DRAM、逻辑器件和NAND这三大尖端产品

    近期笔者在清洗业务研讨会上发表了演讲。我不是一名清洗工艺专家，在演讲中介绍更多的是制造工艺的发展趋势及其对清洗的影响。我将在这篇文章中分享并进一步讨论那次演讲的内容，主要围绕DRAM、逻辑器件和NAND这三大尖端产品。 DRAM 在DRAM章节的第一张幻灯片中，我按公司和年份呈现了DRAM工艺节点的变化。美光科技、三星和SK海力士是DRAM市场的主导厂商，所以我以这三家公司为代表展示了其各自的工艺

    DRAM

    未知 . 2018-04-16 1570

  • 14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端产品的影响

    近期笔者在清洗业务研讨会上发表了演讲。我不是一名清洗工艺专家，在演讲中介绍更多的是制造工艺的发展趋势及其对清洗的影响。我将在这篇文章中分享并进一步讨论那次演讲的内容，主要围绕 DRAM、逻辑器件和 NAND 这三大尖端产品。 DRAM 在 DRAM 章节的第一张幻灯片中，我按公司和年份呈现了 DRAM 工艺节点的变化。美光科技、三星和 SK 海力士是 DRAM 市场的主导厂商，所以我以这三家公司为

    DRAM

    -- . 2018-04-14 1645

  • 三星野心勃勃拟定超越影像传感器市场霸主Sony的计划

    三星电子(Samsung Electronics)野心勃勃拟定超越影像传感器市场霸主Sony的计划。继原本只生产DRAM的华城11产线之后，2018年下半年13产线也将开始转换为影像传感器生产厂。该计划若顺利进行，将能扩大影像传感器销售、调整DRAM供应量以维持获利率等，达到一石二鸟。 据韩媒ET News报导，在影像传感器事业方面，三星将先提升1,300万画素以上高附加价值产品供应能力。三星目前

    传感器

    未知 . 2018-03-21 1255

  • DRAM、NAND型快闪存储近来报价走势超优,2018年存储规模突破1600亿美元

    DRAM、NAND型快闪存储近来报价走势超优，科技市调机构IC Insights为此决定将今(2018)年的全球IC市场成长预估值拉高近一倍，从原本的8%一口气上修至15%。 IC Insights 14日发表研究报告指出，今年DRAM均价远优于预期，估计将较去年跳增36%，延续去年大涨81%的上升走势，而去年均价跳涨45%的NAND，今年报价也有望续增10%。相较之下，DRAM、NAND今年的位

    DRAM

    未知 . 2018-03-19 1210

  • 三星半导体资本支出的“疯狂”，中国存储器企业心凉一大截

    预计三星今年的资本支出将达到 260 亿美元，超过英特尔和台积电的总和。   IC Insights 已经修改了半导体行业的资本支出预估，本月底将会发布新的报告。IC Insights 最新的预测显示，今年半导体行业资本支出增长 35％，达到 908 亿美元。   去年，三星在半导体行业的资本支出为 113 亿美元，预计 2017 年该业务支出将翻一番达到 260 亿美元。IC Insights

    台积电

    -- . 2017-11-15 1900

  • 2017年全球IC市场将实现逆天的22%增长，居然全靠它

    NAND 闪存市场强势增长 44%，DRAM 市场逆天增长 74%，两相加持之下，2017 年 IC 市场将实现强劲增长。 在今年年中的更新版报告中，IC Insights 将今年全球 IC 市场增速修正为 16%。而在十月份更新版麦克莱恩报告中，IC Insights 将 2017 年 IC 市场增长率预测值提高到 22%，比去年的增速提高了 6 个百分点。IC 的单位出货量增长率预测也从“年中

    IC

    -- . 2017-10-23 1085

  • DRAM价格涨幅创纪录，海力士率先扩产，三星美光是否跟进？

    DRAM 存储器是有史以来价格波动最剧烈的 IC 产品。下图是 DRAM 波动性强的又一例证， 自 2016 年 7 月 16 日至 2017 年 7 月 17 日，短短一年时间，DRAM 价格已经翻了一番还要多。市场调研机构 IC Insights 表示，2017 年 DRAM 单位存储价格（price per bit）涨幅将超过 40%，为史上最高。   仅仅一年前，DRAM 采购商还在尽可能

    DRAM

    -- . 2017-09-13 1405

  • 连续两年资本支出增幅两成以上，闪存市场供应过剩风险已现

    上半年全行业资本支出增长异乎寻常，所以市场调研机构 IC Insigts 调高了预期。该机构认为，2017 年全球半导体资本支出总金额预计为 809 亿美元，比 2016 年支出（673 亿美元）增长 20%。此前，IC Insights 预期 2017 年资本支出为 756 亿美元（增长 12%）。   如图所示，IC Insights 预计，2017 年晶圆代工厂（28%）与 NAND 闪存（

    3D NAND

    -- . 2017-09-01 1550

  • 美光台湾新厂招兵买马，给别的封测厂带来啥影响？

    美光科技选定在台湾积极扩产，尤其是台中后里新厂也就是原先达鸿先进旧厂为扩产重点，美光进驻该厂之后已进行厂区改造重建的动作，并招兵买马征才千人，投入 10 亿美元，随着新产能逐步开出，未来封测产能的自给率也将提升。 美光科技台中新厂目前正在如火如荼的招兵买马，也开出不错的条件大举挖角其他封测厂人才，从美光科技「台中人才招募」的专区可以发现，提供了多种职缺，当中多与封测产业相关，从封测制程的晶圆测试、

    DRAM

    -- . 2017-08-21 1060

  • 下半年存储器涨势迎拐点，但2017全年价格涨幅仍十分可观

    市场调研机构 IC Insights 表示，2017 年 DRAM 和 NAND 型闪存销售额都将创出历史新高，而 DRAM 和 NAND 闪存创新高的原因都是由于价格疯涨。该机构预计，2017 年 DRAM 出货量同比下降，而 NAND 闪存也仅增长 2%，闪存出货量增长对存储器销售额创新高虽然是正面作用，但并非主要原因。   存储器价格上涨始于 2016 年第二季度，到 2017 年上半年为止

    IC Insights

    -- . 2017-07-19 1515

  • 台湾美光晶圆科技意外预估将影响全球DRAM产能5.5%，价格恐进一步攀升

    集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，台湾美光晶圆科技（原华亚科）上周六惊传氮气系统意外，其 Fab2 受到污染影响，以目前台湾美光晶圆科技每月投片达 125K 来计算，保守估计损失约 60K，约将影响全球 DRAM 整体产能 5.5%，对供货吃紧的 DRAM 市场来说无疑雪上加霜，预估价格可能将进一步攀升。 DRAMeXchange 指出，台湾美光晶圆科技在此事件中受影响的工厂

    DRAM

    来源：互联网 . 2017-07-05 1095

  • 三股势力争夺国内DRAM高地，合肥长鑫有啥实力

    据报导，在当前国内半导体产业积极发展存储器产品，再加上政府资金与政策的扶持下，包括紫光集团其下的长江存储科技、福建晋华集团，以及合肥市政府所支持的合肥长鑫等三股势力都在积极争取主导权。日前，由合肥市政府支持的合肥长鑫公司宣布，预计由合肥长鑫投资 72 亿美元的金额，兴建 12 寸晶圆厂以发展 DRAM 产品，未来完成后，预计最大月产将能高达 12.5 万 片的规模。   根据报导指出，这家由合肥长

    DRAM

    来源：互联网 . 2017-05-26 1380

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