DRAM设计原理：DRAM Storage Cell 的结构分析
1. Storage Capacitor DRAM Storage Cell 使用 Storage Capacitor 来存储 Bit 信息。 从原理层面上看，一个最简单的，存储一个 Bit 信息的 DRAM Storage Cell 的结构如下图所示： 由以下 4 个部分组成： Storage Capacitor，即存储电容，它通过存储在其中的电荷的多和少，或者说电容两端电压差的高和低，来表示逻
DRAM
蜗窝科技 . 2020-09-22 1270
爱尔兰电信公司Eir继续支持华为 华为囤货DRAM冲击现货价格
编者按：美国对华为在全球的围堵是否都成功了呢？欧盟给出了不同的答案，近日，爱尔兰电信公司Eir没有计划将华为从其网络中删除，她表示，欧盟目前立场的任何改变，这对运营商和客户来说都是代价高昂的。Eir对华为的安全性充满信心，并且该电信公司将遵循欧盟关于审核提供商的建议，在其部分网络中维护其设备。华为也在积极备货DRAM，近期DDR4 8GB内存从9月谷底到最近上涨了7%左右，日本半导体贸易商认为，这
DRAM
电子发烧友整理 . 2020-09-12 1185
美光的HBM2 DRAM即将开始出货
在最新财报中，美光科技（Micron Technologies）宣布旗下第二代高带宽存储器（HBM2）即将开始出货。HBM2主要用于高性能显卡、服务器处理器以及各种高端处理器中，是相对昂贵但市场紧需的解决方案。 第二代高带宽存储器（HBM2）指定了每堆8个裸晶及每针传输速度上至2 GT/s的标准。为保持1024比特宽的访问，第二代高带宽存储器得以在每个封装中达到256GB/s的内存带宽及上至8GB
美光
cnBeta.com . 2020-03-30 1355
图形显示用DRAM报价开始趋于稳定 预计2020年合同价格将反弹
预计图形显示用DRAM的合同价格将环比上涨5％以上，这在所有内存产品中涨幅最高。 随着GPU和游戏机规格的提高，对大容量GDDR6的需求也在增加。 在图形卡市场上，NVIDIA的大部分图形卡发货都基于RTX平台，并且这些RTX卡中的大多数都使用GDDR6内存。 AMD目前还在销售带有GDDR5内存的旧显卡，不过公司已将其最新的NAVI系列GPU完全转换为GDDR6。 在游戏机市场，索尼和微软仍然分
内存
EEWORLD . 2019-12-31 955
受5G的影响 DRAM与NAND将迎来增长
12 月 22 日讯，据韩媒报道，市场研究公司预测，基于固态硬盘密度和性能提升，明年全球 NAND 闪存需求将增加，5G 通信、人工智能、深度学习和虚拟现实将引领明年全球 DRAM 和 NAND 闪存市场的增长。 目前存储器合约价格不一定会出现急涨，但整体存储器供应链库存水位降低至尾声，随着需求稳健上扬，5G 及服务器应用在第 2 季成长力道转强，预计 2020 年下半 DRAM 与 NAND F
NAND
与非网 . 2019-12-23 1010
随着存储产业行情回暖 美光预计2020年DRAM和NAND Flash行业也将改善
美光科技公布截至2019年11月28日的2020财年第一季度业绩，营收及盈利均超市场分析师预期，分析师此前平均预期营收为49.9亿美元，平均预期每股收益是0.47美元。 美光强调，最近已收到所有对华为出货请求的许可证，这些许可证使美光能够为某些不受限制的产品提供支持，同时还可以为华为的移动设备和服务器提供新产品，不过提供新产品还需要一定的时间。 受以上消息激励，美光盘后股价大涨5%，截止美国时间1
存储
闪存市场 . 2019-12-20 1515
在预期性心理因素下 DRAM合约价或将提前于2020年第一季止跌
根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新调查，DRAM 现货价的翻扬，改变了市场氛围。在预期性心理因素下，有利于合约市场中买方的备货意愿提高，目前预估合约价可能提前至 2020 年第一季止跌。 集邦咨询指出，之前 1X 纳米制程因为有退货状况，大量不良品以低价转销现货市场，导致现货价格走势格外疲弱。虽然退货状况仍在，但因为模组厂以及在渠道的经销商开始愿意增加库存准备，使得这些不良
DRAM
与非网 . 2019-12-19 1130
DRAM价格于明年第一季可望止跌 或将有小幅度上调趋势
12 月 18 日讯，DRAM 价格于明年第一季可望止跌，NAND Flash 价格并已提前触底反弹，有利记忆体模组厂营运。记忆体模组厂宇瞻、广颖电通、品安第三季获利均明显上升，今日随着产业前景看法乐观，带动股价大涨。 宇瞻第三季受惠记忆体价格止跌回升，单季合并营收 18.29 亿元，季增率约 2%，单季毛利率冲上 23.32%，较去年同期大幅提升 8.69 个百分点，季增 5.51 个百分点；单
内存
与非网 . 2019-12-19 1125
长鑫存储成国内首家DRAM供应商 计划自主制造项目总投资1500亿元
12 月 10 日讯，长鑫存储获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告，将生产国产第一代 10nm 工艺级 8Gb DDR4 内存芯片。标志着长鑫存储正式成为了国内第一家也是唯一一家 DRAM 供应商。 据悉，长鑫内存自主制造项目总投资 1500 亿元。该晶圆厂每月产量为 20000 晶圆，到 2020 年第二季度这一速度会提升到 40000 晶圆 / 月，大概能占到全球内
内存
与非网 . 2019-12-10 1480
中国芯国产进程加速 刺激了NAND Flash和DRAM战略布局速度的加快
12 月 9 日讯，2020 年 SK 海力士将进行一系列的人事调动和业务重组，为实现从开发、制造，以及业务的后期处理等统一的管理，会将 DRAM 和 NAND Flash 两大开发部门整合在一起。 重组后，SK 海力士首席半导体技术专家 Jin Kyo-won 将提升为开发制造总裁，负责 DRAM 和 NAND Flash 从开发到批量生产，提高运营效率。 SK 海力士是重要的 NAND Fla
NAND
与非网 . 2019-12-10 1135
在DRAM内存芯片领域 国内目前依然是一片空白
本月初，紫光集团旗下长江存储正式宣布，其64层堆栈3D NAND闪存已开始量产。 虽然国产3D NAND已经取得了突破了，但是在DRAM内存芯片领域，国内依然是一片空白。原本被寄予厚望的福建晋华，由于遭遇美国“禁令”，已长期处于停摆状态。 受此影响，硕果仅存的合肥长鑫存储不得不小心翼翼，放慢节奏，强化合规，稳扎稳打。 根据最新的消息显示，目前合肥长鑫的DRAM研发进展顺利，已经提前进行机台安装，有
内存
芯智讯 . 2019-11-29 1160
莫大康：西方低估中国发展半导体的决心与韧性
编者按：据IDC最新报告显示，2019年全球前5大半导体供应商预估为英特尔、三星、台积电、SK海力士及美光，第6-10名则为博通、高通、德仪、东芝及辉达。2019年存储器市场恐下滑34%，其中，三星、SK海力士和美光三大原厂衰退幅度均逾29%，又以SK海力士跌幅最大，预估业绩年减38%。Trendforce预测2020年全球内存市场年增长率预估为12.2%，基于智能手机和服务器领域最大，中国在存储
DRAM
求是缘半导体 . 2019-11-28 1475
芯片需求强劲 三星DRAM芯片市场份额创下第二季以来最高水平
由于服务器和智能手机的芯片需求强劲，三星电子今年第三季度 DRAM 芯片创下了自 2017 年第二季度以来的最高水平，市场份额达 46.1%。 据 TrendForce 的主要研究部门之一 DRAMeXchange 发布称，由于中国智能手机厂商积极将季度出货量提前，以及服务器市场的需求逐渐恢复，三星第三季度的 DRAM 营收同比增长 30%，环比增长 5%，至 71 亿美元。 SK 海力士紧随其后
三星
与非网 . 2019-11-20 1295
投资减少 预计明年DRAM产出增幅创十年新低
集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）表示，八月 DRAM 合约价与前月持平，DDR4 8GB 均价来到 25.5 美元，而九月合约价格虽然仍在议定当中，但继续持平的可能性高。 从市场面来观察，随着日本政府批准关键半导体原料出口，七月开始的日韩贸易问题已正式落幕。但期间 OEM 客户受不确定因素与预期心理影响，已纷纷拉高备货库存，使得 DRAM 原厂的高库存水位逐步下降，并往正常水位迈
DRAM
与非网 . 2019-11-19 1080
国产DRAM一直是痛点 三大厂商正在努力突破重围
如果说芯片是国内科技界的痛，那么内存则更是痛中之痛。你可能都不相信，U 盘是中国发明的，但一直以来，U 盘都不是中国完全自主生产的，因为芯片颗粒是进口的，中国只是造个壳子封装一下。 所以长期以来，内存完全靠进口，尤其在 2017-2018 年这一波涨价潮中，中国可是付出了大量的外汇。据数据显示，2017 年中国进口内存 886.17 亿美元，同比增长 38.8%，占所有芯片进口额约 40%。 随着
内存
与非网 . 2019-11-19 1065
SK海力士推出新型DRAM 号称创下业内单芯最大密度记录
SK 海力士最近又研发出了新型 DRAM 工艺，号称创下业内单芯最大密度记录。 SK 海力士公司宣布，其已成功开发出 1Znm 16GB DDR4 动态随机存储器（DRAM），创下了业内单芯最大密度的纪录。与上一代 1Y nm 产品相比，其产能提升约 27%，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。 此外，新型 1Z nm DRAM 还支持高达 DDR4-3200 的数据传输
SK海力士
与非网 . 2019-11-19 1070
买方采购力加强 有助于2020年DRAM价格的止稳反弹
根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新调查，第四季 DRAM 均价相较前一季仍小幅下跌，但跌幅已缩小至约 5%。10 月交易量与先前季度的首月相比明显放大，显示买方购货的意愿逐渐增强。一旦供给商的库存降低，降价求售的必要性便大幅下降，有助于 2020 年 DRAM 价格的止稳反弹。 针对近期可能影响供给面的市场消息，如三星计划重启扩产，以及中国 DRAM 厂 2020 年增加投
DRAM
与非网 . 2019-11-19 990
第三季DRAM出货量大增 第四季出货量有望维持成长
据 DRAMeXchange 调查显示，第三季 DRAM 供应商销售位元出货量（sales bit）大增，连带推升 DRAM 总产值成长 4%，结束连续三季下滑。展望第四季，三大 DRAM 原厂仍预期在服务器及手机需求的带动下，出货量有望维持成长。 三星受惠于中国大陆手机业者提前备货力道强劲，以及服务器需求缓步回温，销售位元出货量成长逾 3 成，带动营收较第二季成长 5%，来到 71.2 亿美元；
DRAM
与非网 . 2019-11-19 940
长鑫存储DRAM芯片投产 力争未来成为这个领域的领先者
最新消息，今天在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10nm级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。投产的8Gb DDR4已经通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。 花钱买来的技术 在如今的全球半导体产业，三星，SK海力士，美光
DRAM
OFweek智能硬件网 . 2019-11-14 1310
SK海力士推出新款DRAM 将实现单一芯片标准内世界最大容量
在推进DRAM的制造技术上，三星、SK海力士和美光这三大玩家从来没有停止过前进的步伐。 近日，SK海力士宣布了开发基于第三代1Z纳米（10nm）工艺的DDR4动态随机存储器（DRAM），称将实现单一芯片标准内世界最大容量的16GB，即在一张晶圆中能生产的存储量达到现存的DRAM中最大。 据悉，新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率，达到DDR4规格内最高速度；同时在功耗方面，
SK海力士
网络整理 . 2019-10-24 935
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