SK 海力士最近又研发出了新型 DRAM 工艺，号称创下业内单芯最大密度记录。

SK 海力士公司宣布，其已成功开发出 1Znm 16GB DDR4 动态随机存储器（DRAM），创下了业内单芯最大密度的纪录。与上一代 1Y nm 产品相比，其产能提升约 27%，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。

此外，新型 1Z nm DRAM 还支持高达 DDR4-3200 的数据传输速率。与使用 1Y nm 工艺打造、基于 8Gb DRAM 制成的同容量模块相比，其能耗更是降低了 40% 。

值得一提的是，SK hynix 引入了上一代制造工艺中未引入的新材料，从而最大限度地提升了 1Z nm 产品的电容。

作为 DRAM 运行的关键要素，其决定了内存可存储的电荷量，且新设计能够提升操作的稳定性。

SK hynix DRAM 开发与业务负责人 Lee Jung-hoon 表示：

1Z nm DDR4 DRAM 具有业界最高的密度、速度和能效优势，使之成为追求高性能、高密度 DRAM 客户适应不断变化需求的最佳选择。

SK hynix 将于明年开始量产并全面交付，以积极响应市场需求。

最后，SK hynix 计划将 1Znm 工艺扩展到各种应用，如下一代 LPDDR5 移动 DRAM、以及更快的 HBM3 显存上。