产品 | SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客户验证, 引领数据中心存储技术创新
已完成96GB产品的客户验证,该产品应用于服务器系统可有效降低客户成本 为提升性能搭载第五代10纳米级32Gb DDR5的128GB产品正在进行客户验证 “力争实现‘Optimal Innovation’,将为客户提供优化的价值” 2025年4月23日,SK海力士宣布,公司成功完成CMM(CXL Memory Module)- DDR5 96GB(千兆字节)产品的客户验证,是基于CXL* 2.
SK海力士
芯查查资讯 . 2025-04-23 3037
SK海力士推出全球最高性能的GDDR7
2024年7月30日——SK海力士30日宣布,公司推出了全球最高性能的新一代显存产品GDDR7*。 *GDDR(Graphics DDR,图形用双倍数据传输率存储器):由国际半导体器件标准组织(JEDEC)规定的标准图形用DRAM规格。专用于图形处理的规格,该系列产品按照3、5、5X、6、7的顺序来开发而成,系列越新,运行速度越快,能效也越高。该产品作为广泛应用于图形和人工智能领域的高性能存储
SK海力士
芯查查资讯 . 2024-07-30 2 2855
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前,8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨,这主要是因为地震影响美光内存产能,短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外,HBM内存需求旺盛,在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下,通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
三星
芯查查资讯 . 2024-05-22 1 1 2600
存储公司通过努力开发LPDDR以提高能效
三星电子(Samsung Electronics)、SK hynix 和美国美光(Micron)等内存半导体公司正在加紧开发低功耗双倍数据速率(LPDDR)DRAM。 据半导体行业和科学与信息通信技术部称,在人工智能首尔峰会期间,"促进人工智能可持续发展 "部长级会议将低功耗半导体问题列为议程项目。解决与人工智能开发和运行相关的大量功耗问题的需求日益增长,推动了这一关注。 国际能源机构(IEA
三星
芯查查资讯 . 2024-05-22 2765
涨幅最高2成,SK海力士、三星电子或将陆续停产DDR3内存带动价格上涨
三星电子已向客户通知本季度末停止供应 DDR3;而 SK 海力士已于去年底完成无锡晶圆厂的产能转换,逐步淡出了 DDR3 的制造。
三星
芯查查资讯 . 2024-05-13 2 4 2680
出售中国无锡厂股份?SK海力士透过公关回应:涉及多处失实讯息
SK 海力士 3 月才传出关闭 2006 年成立的上海公司,业务重心转移到半导体制造工厂所在地无锡
SK海力士
芯查查资讯 . 2024-05-09 2 14 8562
集邦:DRAM厂陆续恢复生产,预估对第二季总DRAM位元产出影响低于1%
根据TrendForce集邦咨询于403震后对DRAM产业影响的最新调查,各供货商所需检修及报废晶圆数量不一,且厂房设备本身抗震能力均能达到一定的抗震效果,因此整体冲击较小。
DRAM
TrendForce集邦 . 2024-04-10 3 3210
SK海力士计划投资40亿美元在美国印第安纳州建厂
韩国的SK海力士计划投资约40亿美元,在印第安纳州的西拉斐特建造一座先进的芯片封装厂。
SK海力士
网络 . 2024-03-27 2 11 2675
三星和SK海力士全面停止出售二手设备
3月14日,据外媒报道,韩国三星电子和SK海力士已全面停止出售二手半导体设备,以配合美国的策略。报道称,随着内存制程技术的快速更新换代,三星、SK海力士等内存制造商经常需要替换旧有的半导体设备。 过去,这些被淘汰的设备往往会被转售至二手市场。然而,近期由于担心违反美国芯片出口管制规定,三星和SK海力士已变得极为谨慎,不再将旧有半导体设备转售至外部市场,而是选择将其堆积在仓库中,以免被美方列入制
快讯
芯闻路1号 . 2024-03-14 1 3 4001
产能翻番仍供不应求,SK 海力士 HBM 内存生产配额已售罄
2 月 23 日消息,SK 海力士管理层近日坦言,虽然 2024 年计划要让 HBM 的产能实现翻番,不过 HBM 内存生产配额已经全部售罄。 SK 海力士销售和营销副总裁 Kim Ki-Tae 表示,海力士作为 HBM 行业的领导者,提前预见了 HBM 内存的高需求,已提前做好提高产能准备,会进一步满足市场需求,尽一切可能保护其领先地位。 SK 海力士已成立了专门的部门,专门负责推进 HBM
快讯
芯闻路1号 . 2024-02-23 5 19 3845
2024年加码投资DRAM/NAND:三星增加25%、SK海力士增加100%
12 月 21 日消息,根据韩媒 ETNews 报道,三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元(约 1482.3 亿元人民币),比 2023 年投资预算增加 25%;而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元(约 290.97 亿元人民币),比今年的投资额增长 100%。 报道指出,三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外,还提高了 2024
快讯
芯闻路1号 . 2023-12-21 1 4509
三星存储业务部门和SK海力士Q3或亏损
9月21日消息,据外媒报道,随着三季度临近结束,投资者、分析师及各大投行也在关注主要厂商这一季度的业绩状况,已开始给出相关的预期。作为两家重要的存储芯片供应商,三星电子和SK海力士三季度的业绩也备受关注,尤其是在消费电子产品需求不理想,对存储芯片的需求也明显减少的大背景下。 相关媒体的报道显示,虽然全球半导体产业已有部分改善的迹象,但存储芯片的需求依旧低迷,三星电子存储业务部门和SK海力士
快讯
芯闻路1号 . 2023-09-22 3 3634
新品 | SK 海力士发布面向 AI 的超高性能 DRAM 新产品 HBM3E
8 月 21 日消息,SK 海力士发布新闻稿,宣布成功开发出面向 AI 的超高性能 DRAM 新产品 HBM3E,并开始向客户提供样品进行性能验证。 图源: SK 海力士 HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直连接多个 DRAM,可显著提升数据处理速度,HBM DRAM 产品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(
快讯
芯闻路1号 . 2023-08-21 1 3275
SK海力士展示全球首款321层NAND芯片
8 月 9 日消息,SK 海力士今日宣布,通过 321 层 4D NAND 样品的发布,正式成为业界首家正在开发 300 层以上 NAND 闪存的公司。 SK 海力士宣布,将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产。 SK 海力士 321 层 1Tb TLC NAND 介绍如下: 321 层 1Tb TLC NAND 的效率比上一代 238 层
快讯
芯闻路1号 . 2023-08-09 1 1 2755
三星电子第一季度存储芯片市占率维持第一
市场追踪机构Omdia周日发布的报告显示,三星电子第一季度在全球存储芯片市场保住了头名的位置,尽管该公司在芯片供应过剩的情况下盈利平平。 另一方面,SK海力士的排名从去年同期的第二位跌至第三位,主要原因是其在三星之前进行的减产。 三星电子第一季度在DRAM市场的份额为42.8%,与前一季度持平,稳居首位。 Omdia称,三星第一季度DRAM营收为40.1亿美元,较上年同期的103.
快讯
芯闻路1号 . 2023-08-07 1 1 2400
【芯查查热点】SK海力士HBM需求暴增;力积电拟于日本建设12英寸晶圆代工厂;我国1-5月集成电路产量1401亿块
7月5日重点抢先看: SK海力士HBM需求暴增 AI巨头排队下单 荷兰:中国限制镓、锗出口需要欧盟回应 印度官员:计划2024年底生产国产芯片 三星电子成立“MDI联盟”强化封装业务 工信部:1-5月集成电路产量1401亿块,同比增长0.1% SK海力士、SK Square合作投资日本半导体企业 力积电与SBI达成协议 拟于日本建设12英寸晶圆代工厂 美光科技2023财年Q3净亏损19亿美
半导体
芯查查热点 . 2023-07-05 1 11 7585
SK海力士、SK Square合作投资日本半导体企业
据韩媒报道,SK官员近日透露,SK Square 和 SK海力士正在寻求在美国和日本投资半导体材料、零部件和设备。 两家关联公司宣布计划向美国和日本海外半导体材料和零部件公司以及国内主要金融公司投资约1000亿韩元(约合7680万美元)。他们将投资半导体材料及零部件领域技术能力较强的企业,以建立稳定的供应链,增强先进技术竞争力。 SK Square成立了一家名为 TGC Square
快讯
芯闻路1号 . 2023-07-05 3674
SK海力士HBM需求暴增 AI巨头排队下单
SK 海力士(SK hynix)第五代高频宽存储器(High Bandwidth Memory,HBM)HBM3E深获人工智能(AI)业界瞩目,传出NVIDIA等 AI科技巨擘已大排长龙,等着下单预购。 BusinessKorea报道,包括NVIDIA、AMD、微软(Microsoft)、亚马逊(Amazon)在内的全球科技巨擘,已依序向SK海力士要求HBM3E样品。申请样本是下单前的必要
快讯
芯闻路1号 . 2023-07-05 3005
【芯查查热点】三星电子在美半导体工厂建设成本大增近50%;天津市人工智能计算中心揭牌上线,整体规划 300P 算力;台积电亚利桑那厂4纳米制程明年量产
1.2022年俄罗斯处理器进口量总体平稳,其他品牌供应量暴增2.5倍 2.三星电子在美半导体工厂建设成本大增近50% 3.日本放开半导体材料供应,韩国业界忧国产化进程或将逆转 4.爱立信高通联合运营商实现最大 1.6Gbps 5G 上行速率 5.三星合并其在横滨和大阪两家研发机构,在日本设立 DSRJ 中心来推动半导体和显示领域研发 6.天津市人工智能计算中心揭牌上线,整体规划 300P 算力 7
半导体材料
芯查查热点 . 2023-03-20 5 28 1.8w
【芯查查热点】瑞萨电子宣布与AMD携手展示面向5G有源天线系统的完整RF和数字前端设计;复旦 MOSS 回应服务器被挤崩
1、瑞萨电子宣布与AMD携手展示面向5G有源天线系统的完整RF和数字前端设计 2、台积电 N3 良率优于预期,消息称苹果已占据当前所有 3nm 产能 3、阿里平头哥“玄铁 RISC-V 生态大会”将于 3 月 2 日举行 4、景略半导体推出数款千兆交换机芯片JL61xx 5、“嘉兆电子”获数千万元B轮融资 6、消息称美光台中A3厂第二期扩产阶段性暂停 7、Canalys:预计 Q1 电脑厂商总体库
AMD
芯查查热点 . 2023-02-22 6 38 4489
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