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  • 海力士CEO飞赴日本，意寻找获得关键半导体资源的方法

    据外媒报道，韩国存储芯片制造商海力士首席执行官李锡熙周日飞往日本，寻找获得关键半导体资源的方法。此前，日本政府收紧了对韩国关键半导体材料的出口管制。 据悉，李锡熙将在日本停留几天，与日本合作伙伴的高管会面，讨论如何获得这些受限制的材料。他还计划讨论针对日本进一步出口限制的对策。 有业内人士表示：“众所周知，在日本宣布出口限制后，海力士立即采取紧急行动，该公司首席执行官似乎正在介入，因为该问题尚未显

    半导体

    LONG . 2019-07-24 1135

  • SK海力士CEO李锡熙赴日本欲解决原材料问题

    北京时间7月22日早间消息，据韩联社报道，韩国芯片制造商SK海力士CEO李锡熙（LeeSeok-hee）周日飞往日本，解决原材料问题。 SK海力士声称，CEO飞往日本只为寻找方法，看看有没有办法确保半导体材料供应。李锡熙将会在日本停留几天，与SK海力士日本合作伙伴的高管会谈，探讨如何获取受限原材料。另外，未来日本有可能进一步加强管制，李锡熙还要寻找应对措施。 一位行业内部人士称：“据悉，在日本宣布

    半导体

    工程师吴畏 . 2019-07-22 1130

  • 海力士CEO前往日本 寻找芯片制造的关键材料

    7月22日消息，据外媒报道，韩国存储芯片制造商海力士首席执行官李锡熙周日飞往日本，寻找获得关键半导体资源的方法。此前，日本政府收紧了对韩国关键半导体材料的出口管制。 据悉，李锡熙将在日本停留几天，与日本合作伙伴的高管会面，讨论如何获得这些受限制的材料。他还计划讨论针对日本进一步出口限制的对策。 有业内人士表示：“众所周知，在日本宣布出口限制后，海力士立即采取紧急行动，该公司首席执行官似乎正在介入，

    芯片

    网易科技 . 2019-07-22 1150

  • 行业 | 三星电子和SK海力士完成对本土氟化氢测试,已投入DRAM生产

    7月15日业界资讯，三星电子和SK海力士已完成针对本土氟化氢的可靠性和整合性测试，近日已投入到DRAM生产。据传，半导体业界在年初时就已提前预感日本的报复行为，年初就已经在进行本土产产品的导入。但国产化氟化氢投入到量产线为首次，这也是为应对日本政府对氟化氢出口限制的紧急应对案。 预计供应三星电子和SK海力士氟化氢的供应商A公司订单将暴涨，为此也在筹备增产等措施。半导体业界认为，按照A公司的经验和竞

    DRAM

    YXQ . 2019-07-17 1420

  • SK海力士重庆芯片封装项目二期工程将在9月前后陆续投产 将成为其全球海外最大的封装测试基地

    重庆晨报报道，据SK海力士半导体（重庆）有限公司对外协力总监姜真守透露，目前，SK海力士重庆芯片封装项目二期工程正进行设备搬入，将在9月前后陆续投产。 据悉，二期工程投产后，SK海力士重庆项目产能将扩至现在的2.5倍，年生产芯片将有望接近20亿只。届时，SK海力士重庆公司芯片年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上，成为其全球海外最大的封装测试基地。 2013年5月，SK海力士在重庆西永微电

    芯片

    工程师吴畏 . 2019-07-15 1270

  • 行业 | 日韩冲突升级,存储器产能紧缺?库存成关键

    日本管制关键原材料输出韩国，引发韩系存储器大厂产线供应不足的疑虑，市场价格喊涨绘声绘影。市场传出，韩系存储器大厂三星电子(Samsung 随着日本7月初对韩国发布关键面板及半导体材料限制出口禁令，关键材料供应是否吃紧备受业界关注，据了解，韩国存储器大厂三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)拟将缩减DRAM投片量，进而影响市场价格大幅上涨。 不过根据模块业

    三星

    YXQ . 2019-07-12 1675

  • 日本限制高科技材料出口 三星等芯片原厂借机减产涨价

    据外媒报道，分析师表示，韩国内存芯片制造商三星和海力士(SK Hynix)股价周三有所上涨，因为投资者押注日本限制向韩国出口关键高科技材料将导致这些公司减产。 三星和海力士是受日本限制出口措施影响最严重的两家公司，这也是日本与韩国围绕二战劳工赔偿问题引发外交争端的最新一轮。 尽管日本的这些限制措施短期内将使韩国内存巨头难以找到替代材料供应，但这也可能促使他们减少库存和产量，这对提振芯片价格来说是个

    三星

    YXQ . 2019-07-12 1210

  • 海力士收购Intel 缓解断供压力

    近日，据报道，传海力士正在跟Intel谈判，海力士想收购整个Intel大连工厂和3D NAND业务。 海力士计划收购Intel位于中国大连的Fab 68工厂。知情人士透露，“根据目前进展，海力士正在跟Intel谈判，海力士想收购整个Intel大连工厂和3D NAND业务，Intel只保留与XPoint相关的技术。” 海力士正处在高速扩张阶段，突然被日本断供，急需寻找救命方案。 一方面，Intel大

    NAND

    yxw . 2019-07-12 1125

  • 三星、SK海力士准备向中国采购原材料 化解目前危机

    据报道，由于韩日两国发生纠纷，日本加强出口管制，韩国芯片制造商和日本化学供应商正在寻找办法减轻管制带来的影响。 日前本突然宣布，3种材料出口到韩国时不再给予优惠待遇，而且每次出货时出口商都必须获得许可，拿到许可大约需要90天时间。3种材料分别是光刻胶、氟化氢和氟化聚酰亚胺。制造商将电路图案转移到半导体晶片时会用到光刻胶，氟化氢是芯片制造过程中需要用到的一种刻蚀气体，而氟化聚酰亚胺是制造手机屏幕的必

    芯片

    yxw . 2019-07-11 1625

  • 晋华招聘技术人才岗位 韩媒过度解读

    近日，据韩媒etnews报道，今年4月开始，福建晋华就在其公司官网的社会招聘页面发布了多项职位招聘，其中包括研发技术类工程师岗位，任职要求包括10年以上韩国三星、SK海力士研发工程师工作经验。 在晋华官网求证后发现，的确有相关岗位的职位要求包含三星和SK海力士的研发工程师工作经验。 由于晋华在招聘信息中提到了韩国的三星和SK海力士这两家企业，etnews报道称，韩国半导体产业正面临着日本关键材料禁

    半导体

    yxw . 2019-07-11 1640

  • 原厂3D NAND揭秘：从32层至128层及更高，给产业带来怎样的变化？

    在三星、东芝存储器（TMC）、西部数据、美光、SK海力士等3D技术快速发展的推动下，不仅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原厂将加快从64层3DNAND向96层3DNAND过渡，同时推进下一代128层3DNAND技术发展进程。 从2013年三星研发出24层3DNAND，到日前SK海力士首发128层1Tb4DNAND，原厂快速发展的3D技术使得业内人士预测，202

    长江存储

    未知 . 2019-07-05 1465

  • 受日本制裁 SK海力士或将停产

    近日，日本经济产业省宣布，将对用于智能手机及电视机的半导体等制造过程中需要的3种材料加强面向韩国的出口管制，理由则是“经过相关部门的讨论，认为日韩之间的信赖关系明显受到了损害”。 据日经新闻报导，本周四开始，日商需要申请政府许可，才能输出三项半导体关键原料至南韩，估计日本当局审理时间要90天，但是南韩业者大概只有1~2个月的库存。 韩国内存大厂SK海力士的消息人士透露，该公司没有3个月库存，倘若迟

    半导体

    yxw . 2019-07-04 1450

  • 芯片业低迷重创韩国供应商

    在首尔南郊的Seokwang Hi Tech工厂，为半导体设备制造零部件的生产线有一半闲置着。 该公司一年前贷款10亿韩元（合86万美元），用于扩建生产设施，以满足日益增长的订单需求。但计算机内存芯片持续两年的繁荣已经不再；价格从去年底开始下跌。 随着今年以来销售额减半，Seokwang Hi Tech如今已经难以偿还贷款利息，不得不裁员30%。 该公司总裁Lee Do-won表示：“人们说下半年

    芯片

    yxw . 2019-07-04 1575

  • SK海力士量产业界首款128层4D NAND芯片 同时继续推出各种解决方案

    SK海力士近日正式宣布，已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前，该公司宣布了96层4D NAND芯片。 这款128层的1Tb NAND闪存芯片实现了业界最高的垂直堆叠，拥有3600多亿个NAND单元，每个单元在一个芯片上存储3位。为了实现此工艺，SK海力士在自家的4D NAND技术上应用了大量创新技术，包括“超均匀垂直蚀刻技术”、“高可靠性多

    智能手机

    yxw . 2019-07-01 1700

  • 全球首创!128层 4D NAND芯片

    据韩国《中央日报》6月27日报道，SK海力士宣布，该公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。新产品比以往96层4D Nand芯片的生产效率提高了40%。 据SK hynix透露，该产品是业界最尖端的128层堆栈4D NAND，适用超均一垂直植入技术、高信赖多层薄膜构成技术、超高速低电力线路设计等技术。同时，该产品也是用TLC存储方式

    芯片

    YXQ . 2019-06-28 1280

  • SK海力士抢先量产128层4D NAND Flash

    SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。 该公司将开始量产采用128层4D NAND型闪存(NAND Flash)技术的1TB 3阶储存单元(TLC)，不仅储存密度达到业界最高，而SK海力士也是全球首家进行商业化规模生产的业者。 这款128层堆栈的4D NAND Flash预计将自下半年开始出货。据SK海力

    NAND

    YXQ . 2019-06-27 980

  • 受中美贸易和DRAM跌价影响 SK海力士将放缓投产计划

    据报道，由于中美贸易摩擦愈演愈烈，韩国内存芯片大厂SK海力士有意放缓在中国工厂的投产计划。 延缓投产计划，或华为有关？ SK海力士原本计划于今年的第3季度，全面开始运营其位于中国江苏无锡的C2F DRAM制造工厂。据了解，名称为C2F的DRAM制造工厂是由SK海力士耗资超过9500亿韩元，历时两年建造而成，该工厂主要用于推出更先进制作工艺的DRAM芯片产品。 一名知情人士表示，“全面运营C2F工厂

    芯片

    yxw . 2019-06-24 1450

  • DRAM内存芯片价格不断下跌 海力士推迟无锡新厂投产计划

    据外媒报道，由于DRAM内存芯片价格不断下跌，近期又有华为事件的影响，SK海力士正在计划推迟位于中国无锡的全球最先进内存芯片工厂的投产计划。 中国市场是SK海力士最大的海外市场，去年中国区营收占了40%，其中华为就占了12%的营收，但是现在的大环境变了，不仅华为被制裁影响了市场需求，持续不断的内存跌价也让SK海力士面临亏损的可能。 在这样的双重打击下，接近SK海力士的消息人士称SK海力士准备推迟无

    半导体

    yxw . 2019-06-21 1350

  • SK海力士推出新一代企业级SSD硬盘 最高容量可达8TB正常应用时功耗低于14W

    SK海力士日前宣布推出新一代企业级SSD硬盘，不过官方并没有公布SSD硬盘的名称，只知道是NVMe标准的，基于72层堆栈的3D TLC闪存，M.2版容量最大4TB，U.2容量可达8TB。 性能方面，SK海力士表示新一代企业级硬盘的连续速度可达3200MB/s，随机性能可达160K IOPS，与2018年FMS展会上推出的72层堆栈闪存硬盘相比，新一代企业级SSD的顺序读写性能提升30%，随机写入提

    SK海力士

    工程师吴畏 . 2019-06-21 1210

  • 受华为事件影响,SK海力士无锡二工厂将推迟投产计划

    据韩国《The Investor》报道，由于DRAM内存芯片价格不断下跌，近期又有华为事件的影响，SK海力士正在计划推迟位于中国无锡的全球最先进内存芯片工厂的投产计划。 该报道还指出，SK海力士去年在中国的销售额为15.8万亿韩元，占其全部收入的近40％，特别是华为占据了12％。据报道，一位不愿透露姓名的业内消息人士暗示，项目推迟与华为技术等中国合作伙伴的内存芯片需求下降有关。 今年4月18日，S

    DRAM

    YXQ . 2019-06-21 1190

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