美光最后一代采用DUV制造的内存芯片—1β DDR5 DRAM
10月11日，美光推出采用1β工艺节点的DDR5 DRAM内存，速度可达7200MT/s，首款产品为16Gb LPDDR5X-8500。 美光表示，这代1βDRAM将是美光最后一代采用DUV深紫外光刻机制造的内存芯片，之后将采用EUV极紫外光刻机。 美光的1β制造工艺采用了该公司第二代高K金属栅极工艺（HKMG），与1α节点相比，16Gb芯片的比特密度提升35%，能效提高15%。新的技
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芯闻路1号 . 2023-10-11 3 2530
EUV调试完成，英特尔宣布本周开始大批量生产Intel 4节点芯片
英特尔代工服务公司（Intel Foundry Services，IFS）9月29日宣布，其位于爱尔兰莱克斯利普的工厂（Fab 34）将采用极紫外（EUV）光刻技术大批量生产Intel 4节点芯片。该公司将会在爱尔兰当地时间中午12:45在Fab 34工厂举办首批晶圆生产纪念仪式，公司首席执行官 Pat Gelsinger、英特尔技术开发总经理 Ann Kelleher 博士和全球首席运营官
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芯闻路1号 . 2023-09-29 1 2585
美光 1-gamma 制程内存预计 2025 年上半年在台量产
9 月 4 日消息，据台媒报道，台湾美光董事长卢东晖表示，美光有多达 65% 的 DRAM 产品在台湾生产，其中台日团队一起研发新一代的 1-gamma 制程将于 2025 年上半年先在台中厂量产，这是美光第 1 代采用极紫外光（EUV）的制程技术。 据悉，美光现在只有在台中有 EUV 的制造工厂，1-gamma 制程势必会先在台中厂量产，日本厂未来也会导入 EUV 设备。 卢东晖强调
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芯闻路1号 . 2023-09-04 1 2840
英特尔高管：尚未在量产工厂启动基于EUV光刻的Intel 4制程生产
8月30日，英特尔技术开发高级总监Pat Stover和逻辑技术与开发产品工程总监兼副总裁William Grimm接受媒体采访，透露了英特尔后续处理器开发的新消息： 目前，Intel 4制程仅在俄勒冈州的D1工厂进行量产。其中包括所有D1C/D1D/D1X，每月总产量为40000个。然而，这是所有进程节点的总和，而不是仅Intel4的40000个。 爱尔兰的Fab 34是第一座Intel 4量产
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芯闻路1号 . 2023-08-30 2484
韩国FST首次供应EUV光罩护膜设备
据etnews报道，韩国FST已供应极紫外（EUV）光罩护膜设备。光罩护膜是用于半导体曝光工艺的材料，最大限度地减少对绘制半导体电路图案的掩膜的损坏。EUV对于超精细半导体制造至关重要，并且光罩护膜在EUV工艺中的使用正在增加。EUV工艺中使用韩国产材料、零部件或设备的情况极为罕见，但FST成功迈出了第一步。 FST公司在7月17日宣布，获得国内半导体制造商的极紫外（EUV）光罩护膜贴合、
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芯闻路1号 . 2023-07-17 1 1970
为减少资本支出，美光将基于 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 技术推迟到 2025 年
12月23日消息，美国最大存储芯片制造商美光科技周三宣布，公司将在2023年裁员大约10%，并停发奖金。这再次表明，科技行业的增长放缓正在影响就业。 作为减少资本支出的一部分，消息称美光将使用 EUV光刻的1γ nm制程DRAM推迟到 2025 年，232 层之后的NAND 节点也被推迟。 美光 1γ 制造技术中原定于 2024 年的某个时候推出，但因为美光必须在 2023 和 202
美光
芯闻路1号 . 2022-12-23 3293
Fractilia：改善EUV制程随机性误差，助力晶圆厂提高良率
据媒体报道，半导体制造测量方案供货商Fractilia最新表示，随机性误差的测量解决方案可协助半导体晶圆厂在极紫外光（EUV）微影制程中提高良率，避免损失数十亿美元。 Fractilia布局先进半导体制造中随机性误差测量与控制解决方案，应用Fractilia反向线扫描模型（Fractilia Inverse Linescan Model）的专利技术，提供随机性误差测量，目前已获前5大芯片制
Fractilia
中国闪存市场 . 2022-03-30 1696
ASML：扩产计划将因未来两年关键设备短缺而受掣肘
据英国金融时报引述芯片芯片光刻机权威制造商ASML CEO Peter Wennink的说法报导，芯片制造商数十亿美元的扩产计划将因未来两年关键设备短缺而被掣肘。 Wennink警告：「明年和后年会出现（设备）短缺。我们的机器今年出货会比去年多，明年比今年多，但如果看需求曲线，数量并不够。我们必须大幅提高产能达到50%以上，那需要时间。」 ASML正与供货商一起评估如何提高产能。目前还
ASML
中国闪存市场 . 2022-03-21 1405
ASML曝光设备在美国销量持续下降
近日，据 ASML 最新发布的 2021 年年报，从 2019 年到去年，ASML 在美国的收入下降了约 20%。2019 年，ASML 对美国的销售额为 19.8 亿欧元，2020 年已降至 16.57 亿欧元，2021 年降至 15.83 亿欧元。 同期，该司在亚洲的销售额显著增长。在主要的半导体生产基地韩国，销售额从 2019 年的 22.02 亿欧元增长到去年的 62.23 亿欧元
ASML
芯闻路1号 . 2022-02-14 1 2276
ASML：仍未获得向中国出口最新光刻机的许可
据路透社消息，荷兰光刻机巨头ASML CEO Peter Wennink 19日表示，截至目前该公司仍未获得向中国出口用于制造芯片的最新光刻机的许可。 据此前报导，ASML的执行副总裁及CFO Roger Dassen接受采访时曾指出，如果ASML从荷兰向中国客户销售DUV(深紫外线)光刻系统，是不需要出口许可证的；但如果向中国客户直接出口涉及美国方面的零组件及系统，依照美国要求，就必须获
ASML
中国闪存市场 . 2022-01-21 1543
阿斯麦柏林工厂火灾波及EUV光刻机一部件生产区域 尚未恢复
1月10日消息，据国外媒体报道，本月3日，光刻机制造商阿斯麦位于德国柏林的一座工厂发生火灾，大火在当晚被扑灭，没有人员在火灾中受伤，阿斯麦随后也宣布将对火灾的影响进行评估，并对外公布相关的消息。 阿斯麦官网的信息显示，他们已完成柏林工厂火灾影响的初步评估。 阿斯麦在官网上表示，的火灾，发生在柏林工厂的一栋建筑中，火灾中的烟雾，部分影响到了相邻的建筑，受影响建筑的部分生产已能恢复，其他未
阿斯麦
芯闻路1号 . 2022-01-10 1 1 2139
ASML更新火灾最新进度：EUV和DUV部分组件受到影响
ASML最新更新了其德国柏林工厂火灾事故的最新评估情况。 ASML介绍，火灾发生在工厂的一座生产大楼的一部分，烟雾影响了相邻大楼，部分受影响的区域已经重新开始生产，其他没有受到影响的大楼仍在全面投入使用。 目前，ASML仍在对火灾影响进行评估，初步结论如下： 1. 计量和检验输出计划不受影响，因为该部分不包含柏林制造的任何组件； 2. DUV组件生产已重新启动。尽管
ASML
芯闻路1号 . 2022-01-10 1 1070
设备｜EUV Solution在韩国率先量产Pellicle透过率检查设备
CINNO Research产业资讯，EUV(极紫外线)解决方案专业公司EUV Solution在韩国国内首次实现检测EUV用Pellicle（光罩薄膜）的透过率设备的商用化。据了解，最近向主要客户工序交付了相应设备。 根据韩媒Thelec报道，根据12月23日业界消息，EUV Solution首次将EUV用Pellicle检测设备“EPTR”安装在客户工艺上，这是该设备首次实现韩
EUV
互联网 . 2022-01-10 1056
消息称三星自行研发EUV光罩护膜，预计2022年底量产
据韩媒报导，三星日前于Foundry Forum 2021宣布，预定2022年上半展开EUV光罩护膜质量测试，2022年底开始量产。尽管三星分别投资659亿韩元(约5,500万美元)、430亿韩元给韩厂S&S Tech与FST开发EUV护膜，仍将自行量产，以确保供货稳定。 消息称三星综合技术院(SAIT)约自5年前开始研发EUV护膜，但是在透光率、耐久性等方面，尚未达到可实际导入制程的水平
三星
中国闪存市场 . 2021-10-19 2112
中国台湾省对EUV光刻技术的投资越来越大
9月3日韩媒消息，美光科技最近决定于今年年底在其美国总部安装ASML的最新光刻设备。此外，美光科技正计划在其中国台湾省的DRAM工厂安装同样的EUV光刻设备。这意味着美光科技的第一个EUV DRAM将在中国台湾省生产，其在中国台湾省的投资将继续增加。 同时，全球DRAM行业第四大公司南亚科技公司于今年4月宣布，将在台湾省新北市投资3000亿新台币建设EUV DRAM工厂，该工厂将于2024
外文
芯闻路1号 . 2021-09-03 1019
富士胶卷投资超6亿美元扩大半导体材料产能，加强EUV光阻剂生产
据日媒报导，富士胶卷表示将在截至 2024 年 3 月的三年内，向其半导体材料业务投资 6.37 亿美元 (700 亿日元)，以应对全球对 5G 和 AI 芯片需求激增的浪潮。 这一数字比三年前富士胶卷计划同比增长近 40%。富士胶卷目标是到 2024 年 3 月结束的年度，将其半导体材料的收入增加约 30% 达 1500 亿日元，使其与医疗保健业务一样成为刺激公司营运增长的主要引擎。
富士胶卷
中国闪存市场 . 2021-08-23 1281
英特尔将全面拥抱EUV工艺
日前，英特尔在参加摩根大通会议时，CEO基辛格表示，英特尔将全面拥抱EUV工艺，英特尔将对EUV工艺进行多代重大改进，并对晶体管级别进行重大改进。 与此前相比，英特尔对EUV工艺态度可谓180度转弯。之前，英特尔一直认为EUV工艺尚不成熟，所以在10nm节点使用了四重曝光工艺。结果众所周知，英特尔10nm技术一再延期，进度比预期晚了很多年。 近期，英特尔7nm工艺也再度跳票，预计到2023年才能实
英特尔
中国闪存市场 . 2021-07-08 1596
消息称三星EUV晶圆代工产线部分工艺良率低于50%
韩媒报导，业界近日有消息称，三星电子华城园区V1厂，最近面临晶圆代工良率改善难题，5nm等部分工艺良率低于50%。 针对上述传闻，三星方面表示产品量产良率不便对外公开，全部产线正按计划进行生产。 三星华城园区共有V1、S3及S4等晶圆厂，其中V1为EUV专用厂，于2018年动工，2020年2月完工，是全球首座极紫外光(EUV)专用半导体厂，迄今累积投资至少20万亿韩元(约180亿美元)。 三星华城
三星
中国闪存市场 . 2021-07-05 2000
TEL与ASML合力研制下一代NA EUV光刻机，预计2023年投入运行
据悉，日本最大半导体成膜、蚀刻设备公司东京电子宣布，将在镀膜/显影技术上与ASML合作，以联合推进其下一代NA EUV光刻机的研制，确保2023年投入运行。参与该EUV光刻机研发的还有比利时的欧洲微电子中心。 东京电子表示，自旋金属抗蚀剂已显示出高分辨率和高蚀刻电阻，并有望使图案更加精细。然而，含有金属的抗蚀剂也需要复杂的图案尺寸控制以及对晶片背面/斜面金属污染的较好控制。为了应对这些挑战，涂层/
TEL
中国闪存市场 . 2021-06-10 1252
“芯片荒”或持续2年，三星加快平泽P3、美国建厂步伐，P4也恐提上日程
在三星宣布已启动平泽P3工厂建设之后，据韩媒报道称，三星电子计划在2021下半年开始采购设备，半导体设备从订购到交付一般大约需要3到6个月，当下设备行业也出现供应紧张的情况，预计交付时间较以往延后，P3工厂在2022年3月有望导入生产设备。 当前全球陷入“芯片荒”，业内人士普遍预期，芯片缺货的市况恐将持续到2022年，再加上汽车、5G、AI等带动新应用需求将不断增加，因此预测三星平泽工厂P4的建设
三星
中国闪存市场 . 2021-05-21 2179
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