ASML将在韩国建EUV设备再制造厂：预计2025年建成
据韩媒报导，韩国产业通商资源部日前外宣布，ASML计划未来四年将在韩国投资 2400亿韩元（约合2.1亿美元），于京畿道华城市打造一座 EUV（极端远紫外光源）光刻设备再制造厂以及一家培训中心。 韩国京畿道政府对ASML在当地的授权、扩张业务提供协助。其 EUV 光刻设备再制厂的主要用途就是为韩国当地运行的 EUV 光刻机的维护和升级提供助力。 所谓再制造，指的是以旧的机器设备为毛坯，采用专门的工
ASML
中国闪存市场 . 2021-05-18 1 1244
三星将取消EUV DRAM产线转换计划，或另有大动作！
据韩媒消息称，原本三星计划将华城专门用于极紫外光刻设备（EUV）的'V1'生产线中的某些DRAM生产线转换为晶圆代工，但是该计划已经取消，决定维持DRAM生产线。 据悉，三星华城工厂有3条生产线：V1、S3和S4，其中专用于EUV的V1产线大致分为上和下两部分，上部和下部分东、西两侧，上东部和下东部为晶圆代工生产线，三星已于4月底完成华城V1生产线西侧的建造工序，引入20多台EUV设备，用于生产D
三星
中国闪存市场 . 2021-05-07 1603
三星李在镕亲自到欧洲斡旋购买光刻机 追击台积电火力全开
韩国财经媒体Business Korea报导，三星电子副会长、三星集团实际大当家李在镕上周到荷兰拜访ASML谈合作，最重要目的其实是亲自催促对方，提前1个月交货生产先进制程不可或缺的9座EUV(极紫外光微影台)，以促使2030年取代台积电成为半导体代工龙头目标达成。 三星现为晶圆代工市场市占率第2名，依照各家机构统计，份额在17%至18%间，龙头台积电市占率在51至54%间，是三星3倍。因此三星要
三星
电子发烧友整理 . 2020-10-28 1385
台积电透露其3nm制程工艺的细节
据台媒报道，晶圆代工龙头台积电在上周的法说会上透露了其3nm制程的更多细节。 据悉，3nm采用FinFET架构及EUV技术，3nm相对5nm逻辑密度将大幅增加70％，性能提升10-15%，功耗在同样性能下将降低25-30%，面积为原来的1/1.7，且EUV光罩层数将倍增。 此前ASML CEO Peter Wennink在财报会上指出，5nm制程采用的EUV光罩层数将超过10层，3nm制程采用的E
处理器
爱集微 . 2020-10-26 1420
台积电已安装了全世界约50％的激活EUV机器
在本周召开的台积电技术研讨会上，最重要的中心信息之一是，该公司在半导体制造领域处于世界领先地位，特别是在领先的工艺技术领域。 为进一步传达信息，台积电展示了一张幻灯片，指出了它与其他产品的相对位置：通过结合ASML的声明和自己的内部采购单，台积电预测他们已安装了全世界约约50％的激活EUV机器。除此之外，该公司还拥有约60％的EUV晶圆累计生产量。 大型晶圆厂目前已知的公开EUV工艺包括TSM
台积电
皇华电子元器件IC供应商 . 2020-08-30 1190
三星最先进EUV产线投用：7nm产能今年增加两倍
当前，有实力围绕10nm以下先进制程较量的厂商仅剩下Intel、台积电和三星三家。三星宣布，在韩国华城工业园新开一条专司EUV（极紫外光刻）技术的晶圆代工产线V1，最次量产7nm。 1、EUV光刻是什么 利用紫外光，在硅晶片上生成数十亿个微型结构，进而形成集成电路(或称芯片)。芯片厂在芯片上塞进的结构数量越多，芯片效能就越快速、越强大，因此我们的目标便是要尽力缩小结构的尺寸。导入EUV光刻技术
三星
电子发烧友整合 . 2020-02-21 1200
长鑫存储首次公开亮相谈DARM技术的未来
自长鑫存储董事长兼CEO朱一明先生于五月在上海举办的GSA峰会上披露了公司DRAM的技术来源之后，大家对这家本土DRAM破局者的技术路线和未来发展充满着好奇。 在今日于深圳举办的中国闪存技术峰会上，长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士做了题为《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲，向公众披露了这家本土DRAM企业对DRAM技术及现状的看法。 DRAM技术的发展现状 平尔萱博士在会上表示
长鑫存储
摩尔芯闻 . 2019-09-19 1285
三星表示2020年7nmEUV生产线将如期量产 并计划再建设另外的7nmEUV工厂
尽管日本方面上周末推出了第二波禁韩令，预计多达857种重要材料对韩国出口都会受到管制影响，此举可能会影响韩国公司的半导体生产，不过三星似乎并没有因此停止在半导体领域扩展。 在闪存、内存等存储芯片领域，三星上周发布的Q2季度财报中，运营利润同比暴跌了53%，这主要是因为内存跌价所致，这一趋势目前还没有改变，三星表示今年下半年内存芯片的库存就会下滑，但是外部环境还有很多不确定性，很难预测库存下降速度会
三星
工程师吴畏 . 2019-08-05 1220
三星6nm6LPP将在今年下半年如期投入量产 4nm4LPE也会在年内设计完毕
除了台积电，三星如今在工艺方面也是十分激进：7nm 7LPP去年十月投产之后，按照官方最新给出的时间表，6nm 6LPP将在今年下半年如期投入量产，5nm 5LPE今年内完成流片、明年上半年量产，4nm 4LPE也会在年内设计完毕。 不同于以往间隔多年推出一代全新工艺，台积电和三星如今都改变打法，一项重大工艺进行部分优化升级之后，就会以更小的数字命名。 按照三星给出的技术路线图，6LPP、5LPE
三星
工程师吴畏 . 2019-08-02 1245
台积电3nm工艺技术开发进展顺利 已经有早期客户参与
近两年先进半导体制造主要是也终于迎来了EUV光刻机，这也使7nm之后的工艺发展得以持续进行下去。台积电和三星都对自家工艺发展进行了规划，现在两家已经逐步开始进行7nm EUV工艺的量产，随后还有5nm工艺及3nm工艺。 尽管今年下半年才能见到7nm EUV工艺制造的芯片，但根据Anandtech的报道称，台积电的3nm EUV工艺发展顺利，而且已经有早期客户参与。 在报道中称台积电目前N3工艺（N
三星
工程师吴畏 . 2019-07-24 1425
ASML新财报:销售额与毛利率双双超越预期
荷兰时间2019年7月17日，ASML Holding N.V.（ASML）公布了2019年第二季度财报 第二季度净销售额（net sales）为26亿欧元，净收入（net income）为4.76亿欧元，毛利率（gross margin）为43.0％。 ASML预计2019年第三季度的净销售额（net sales）约为30亿欧元，毛利率（gross margin）在43％至44％之间。 值得注意
EUV
YXQ . 2019-07-22 855
ASML发布2019年Q2季度财报 EUV光刻机最主要的问题还是产能不足
掌握全球唯一EUV光刻机研发、生产的荷兰ASML（阿斯麦）公司今天发布了2019年Q2季度财报，当季营收25.68亿欧元，其中净设备销售额18.51亿欧元，总计出货了41台光刻机，其中EUV光刻机7台。 在Q2季度中，ASML公司获得了10台EUV光刻机订单，而且这些订单不只是用于逻辑半导体工艺，还首次用于存储芯片——在此之前，三星表示将在未来的内存芯片生产中使用EUV光刻机，ASML的存储芯片订
光刻机
工程师吴畏 . 2019-07-18 1000
受日本材料出口管制 三星电子7纳米芯片计划将受挫
7月11日消息，知情人士表示，由于日本针对对韩国产业至关重要的半导体材料实施更严格的出口管制，三星电子明年初推出其最先进处理器芯片的雄心计划可能会被推迟。 为三星最新、最尖端芯片制造项目提供光刻胶化学品的三家主要供应商——东京应化工业（Tokyo Ohka Kogyo）、信越化学（Shin-Etsu Chemical）和JSR——向日经新闻（Nikkei）表示，在7月4日日本出台新的管制措施后，它
芯片
工程师吴畏 . 2019-07-12 1280
三星5nm取得重要进展 可以带来25％的逻辑电路能效提升
眼下，台积电和三星都在全力冲刺5nm工艺，这将是7nm之后的又一个重要节点，全面应用EUV极紫外光刻技术，提升效果会非常明显，所以都受到了高度重视。 现在，三星的5nm取得了重要进展，来自EDA（电子自动化设计）巨头Cadence、Synopsys的全流程设计工具已经通过了三星5LPE（Low Power Early）工艺的认证，可以帮助芯片厂更快速地开发高效的、可预测的芯片。 本次验证使用的是A
三星
工程师吴畏 . 2019-07-10 1180
ASML新一代EUV设备预计2025年正式量产
当前半导体制程微缩已经来到10纳米节点以下，EUV极紫外光光刻技术已成为不可或缺的设备，包括现在的7纳米制程，以及未来5纳米、3纳米甚至2纳米制程都将采用该技术。 藉由EUV设备导入，不仅可以加快生产效率、提升良率，还能降低成本，除了晶圆代工业者积极导入，连DRAM存储器生产厂商也考虑引进。 为了因应制程微缩的市场需求，全球主要生产EUV设备的厂商ASML正积极开发下一代EUV设备，就是High-
半导体
工程师吴畏 . 2019-07-02 1270
DRAM开始进入EUV时代？
根据国外媒体报导，曾表示目前制程技术还用不上EUV技术的各大DRAM厂在目前DRAM价格直直落，短期看不到止跌讯号的情况下，也顶不住生产成本的压力，开始考量导入EUV技术，以降低生产成本。南韩三星将在2019 年底前正式导入。 报导指出，为了应付半导体制程微缩，因此有了EUV设备与技术。使用EUV 技术后，除了同样制程的情况下，可将电晶体密度提升，同频率下功耗降低，且因为制程微缩，使得单位位元数产
半导体
yxw . 2019-06-21 1620
台积电官宣2nm研发启动 N5P量产预计落在2021年
6月18日，台积电在上海举办了2019中国技术论坛（TSMC2019 Technology Symposium）。台积电总裁魏家哲介绍了先进工艺的发展规划。在半导体制造工艺逐渐接近物理极限的情况下，台积电仍在持续推进摩尔定律的演进步伐。目前台积电规划量产的工艺节点已经到5nm，研发方面推进到3nm。日前官宣2nm研发启动。而根据相关人员介绍，实际1nm，甚至是亚纳米层次也都有在关注。 N5P量产预
半导体
工程师吴畏 . 2019-06-19 1315
ASML放弃EUV光罩防尘薄膜研发并技转日本三井化学
ASML将中断EUV Pellicle（光罩防尘薄膜）技术的研发，并将该技术转让与日本。而韩国国内Blank光罩厂商SNS Tech也正在进行此技术开发，预计后续将会有日韩主导权之争。 6月3日根据业界资讯，日本三井化学与荷兰曝光机厂商ASML签订EUV Pellicle技术转让协议。三井化学计划明年第二季度前在日本竣工EUV Pellicle工厂，并从2021年二季度开始稼动产线。此次的技转并非
EUV
YXQ . 2019-06-09 915
台积电和三星再次登上摩尔定律阶梯
台积电和三星在4月份宣布他们已经再次登上摩尔定律阶梯。台积电首先称其5纳米制造工艺现在处于所谓的“风险生产”，三星也迅速跟进了类似的声明。分析师称这些数据符合预期。然而，与十年前有50％的效率改进相比，摩尔定律显然不比过去。但从大型代工厂的投资来看，客户仍然认为这是值得的。 世界上最大的两个代工厂台积电（TSMC）和三星（Samsung）4月份宣布，他们在摩尔定律的阶梯上又上了一级。台积电首先发言
芯片
lq . 2019-06-02 1200
台积电 | 首次加入EUV极紫外光刻技术 7nm+工艺芯片已量产
台积电官方宣布，已经开始批量生产7nm N7+工艺，这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外光刻技术，意义非凡。 台积电表示，7nm+ EUV工艺的良品率已经提高到和初代7nm同样的水平，将今年带动7nm工艺芯片的产能显著提升。预计2019年的总产能折合可达1200万块300mm晶圆，其中7nm工艺的会有100万块，比去年猛增150％。 根据此前消息，华为麒麟985将率先应用台积电7nm+
台积电
YXQ . 2019-05-28 1070
- 1
- 2
- 3
- 4