• 韩国三星首次研发5纳米半导体工艺

    韩国《中央日报》发布消息称,三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺,并于4月中正式量产首个利用极紫外光刻(EUV)的7纳米芯片。对于新一代半导体的精密工艺问题,三星电子与各企业间的技术较量也日趋激烈。 三星电子宣布成功开发的5纳米精密工艺采用了比现有的ArF更优越的EUV技术。与ArF工艺相比,EUV短波长,能够更加准确地画出精密半导体的电路。半导体的电路越设计越薄,芯片的尺寸变小,耗电量也

    芯片

    韩国中央日报 . 2019-05-22 1595

  • 苹果A13芯片将采用台积电第二代7nm工艺 并率先采用EUV光刻技术

    彭博报道称,台积电已于4月份就开始了苹果A13芯片的早期测试生产阶段,并且计划在本月进行量产。预计A13芯片将采用台积电的第二代7nm工艺,并且率先采用EUV光刻技术。 现阶段还无法确认A13处理器预计采用架构设计,但预期将比照A11 Bionic或A12 Bionic采用独立类神经网络操作数件,藉此提升装置端学习等人工智能技术应用。 目前包含华为旗下海半导体打造的Kirin 980,以及Qual

    芯片

    工程师吴畏 . 2019-05-13 1385

  • 我国成功研发出9nm线宽双光束超衍射极限光刻试验样机 打破国外技术垄断

    4月10日记者从武汉光电国家研究中心获悉,该中心甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制,采用远场光学的办法,光刻出最小9纳米线宽的线段,实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。 光刻机是集成电路生产制造过程中的关键设备,主流深紫外(DUV)和极紫外(EUV)光刻机主要由荷兰ASML公司垄断生产,属于国内集成电路制造业的“卡脖子”技术。2009年甘棕松团队遵循诺贝尔

    EUV

    工程师吴畏 . 2019-04-16 850

  • 三星宣布已完成5纳米FinFET工艺技术开发

    4月16日,三星官网发布新闻稿,宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发,现已准备好向客户提供样品。 与7纳米工艺相比,三星的5纳米FinFET工艺技术提供了高达25%的逻辑面积效率提升。同时由于工艺改进,其功耗降低了20%、性能提高了10%,从而使芯片能够拥有更具创新性的标准单元架构。 跨越到5纳米工艺,除了在功率性能区域(PPA)的数据提高之外,客户还可以充分利用EUV(极紫外光刻)技术,推

    三星

    工程师吴畏 . 2019-04-16 1515

  • 三星或从2019年6月份开始量产7纳米EUV制程

    在 7 纳米制程节点上,虽然三星宣称时程上领先台积电,而且选择直接进入 EUV 技术时代,不过实际进度却非如此,也使得之前自家的 Exynos 9820 处理器都没赶上 7 纳米 EUV 制程。不过,现在有韩国媒体报导,三星将从 2019 年的 6 月份开始,量产 7 纳米 EUV 制程,首项产品就是自家的 Exynos 9825 处理器,并且用于 2019 年下半年的预计推出的旗舰型 Galax

    三星

    工程师吴畏 . 2019-04-12 1355

  • EUV技术再度突破 但发展EUV仍需大力支持

    光刻是芯片制造技术的主要环节之一。目前主流的芯片制造是基于193nm光刻机进行的。但是193nm的光刻技术依然无法支撑40nm以下的工艺生产,为了突破工艺极限,厂商不得不将193nm液浸技术和各种多重成像技术结合起来使用,但这在无形中提升了制造成本,拉长了工艺周期。为了通过提升技术成本来平衡工序成本和周期成本,厂商们将底牌压在了EUV光刻机身上,但是EUV真的能够满足厂商们的期盼吗? EUV技术再

    半导体

    工程师吴畏 . 2019-04-03 1330

  • 三星7纳米EUV制程量产预计在2020年底前达成

    在当前全球晶圆制造的先进制程领域中,只剩下台积电、三星以及英特尔可以一较高下。三星虽然早在 2018 年 10 月份就已经宣布量产 7 纳米 EUV 制程,但实际情况并非如此。因为就连三星自己的 Exynos 9820 处理器都没用上 7 纳米 EUV 制程,这是因为三星的 7 纳米工厂过去一直都没完成。直到日前,三星提交的报告显示,他们投资 13 亿美元的华城生产线已经完成建设工作,三星的 7

    三星

    工程师吴畏 . 2019-04-03 1460

  • 三星亦加快先进制程布局 今年将推进至采用EUV技术的5/4纳米

    晶圆代工龙头台积电支援极紫外光(EUV)微影技术的7+纳米进入量产阶段,竞争对手韩国三星晶圆代工(Samsung Foundry)亦加快先进制程布局,包括8纳米及7纳米逻辑制程进入量产后,今年将推进至采用EUV技术的5/4纳米,以及支援嵌入式磁阻随机存取存储器(eMRAM)的28纳米全耗尽型绝缘层上覆硅(FD-SOI)制程进入量产,并会在今年推进至18纳米。 IC设计服务厂智原与三星晶圆代工在先进

    三星

    工程师吴畏 . 2019-03-18 1415

  • 台积电将吃下ASML2019年18台EUV光刻机 7纳米销售占比将提升至25%

    就在日前,半导体设备大厂荷兰商艾司摩尔 (ASML) 在财报会议上表示,2019 年 ASML 将把极紫外光刻机 (EUV) 的年出货量从 18 台,提升到30 台之后,现有外国媒体报导,晶圆代工龙头台积电将抢下这 30 台 EUV 中过半的 18 台数量,这也将使得台积电在 2019 年第 1 季中可以顺利启动内含 EUV 技术的 7 纳米加强版制程。 根据国外媒体 《Electronics W

    台积电

    工程师吴畏 . 2019-02-13 1095

  • 7纳米EUV制程战火燃 台积电3月领先量产

    延续7纳米制程领先优势,台积电支援极紫外光(EUV)微影技术的7纳米加强版(7+)制程将按既定时程于3月底正式量产,而全程采用EUV技术的5纳米制程也将在2019年第2季进入风险试产。 据了解,独家提供EUV设备的ASML,先前预估2019年EUV机台设备销售总量将达30台,当中台积电就砸下重金订购18台,显见7纳米、5纳米EUV制程推进相当顺利。台积电以强劲技术实力与庞大资本支出已将竞争门槛筑高

    台积电

    Digitimes . 2019-02-13 1110

  • 尼康和ASML以及蔡司达成和解 尼康与ASML将交换未来十年0.8%沉浸式光刻销售收入

    在2年前尼康向ASML以及其合作伙伴蔡司发起法律诉讼,指二者在未经尼康允许将微影技术用于旗下光刻机,扯皮两年多后,三方总算达成和解。 在2017年4月24日,尼康向ASML以及其合作伙伴蔡司发起法律诉讼,指二者未经尼康允许下将微影技术(lithography)用在ASML的光刻机当中,要求二者赔偿尼康损失,并停制出售具有该技术的光刻机。 ASML随后否认了尼康的指控,并在几天后起诉尼康,指后者在半

    尼康

    工程师吴畏 . 2019-01-24 1250

  • ASML2019年已有30台EUV系统设备出货计划

    1月23日,全球光刻机巨头ASML发布其2018年第四季度及全年业绩。 数据显示,2018年第四季度ASML实现净销售额31亿欧元,净收入7.88亿欧元,毛利率为44.3%。ASML首席执行官声明中指出,公司第四季度销售额高于预期,销售额和盈利能力均创下2018年新纪录。在这一季度里,ASML收到了5份EUV订单,并宣布推出规格为每小时170片晶圆、可用率超过90%的NXE:3400C,该系统将于

    EUV

    工程师吴畏 . 2019-01-24 915

  • 探析EUV光刻未来的发展趋势

    用于高端逻辑半导体量产的EUV(Extreme Ultra-Violet,极紫外线光刻)曝光技术的未来蓝图逐渐“步入”我们的视野,从7nm阶段的技术节点到今年(2019年,也是从今年开始),每2年~3年一个阶段向新的技术节点发展。 高端逻辑半导体的技术节点和对应的EUV曝光技术的蓝图。 也就是说,在EUV曝光技术的开发比较顺利的情况下,5nm的量产日程时间会大约在2021年,3nm的量产时间大约在

    半导体

    cc . 2019-01-21 1175

  • 三星表示将在2019下半年量产内含EUV技术的7纳米制程 2021年量产3纳米GAA制程

    为了减低近期存储器降价带来的冲击,全球存储器龙头三星逐渐强化晶圆代工业务,希望有机会进一步拉近与台积电的差距。在先进制程的发展方面,根据三星高层表示,将在 2019 下半年量产内含 EUV技术的 7 纳米制程,而 2021 年量产更先进的 3 纳米 GAA 制程。 根据国外科技网站《Tomshardware》报导,三星晶圆代工业务市场副总 Ryan Sanghyun Lee 表示,三星从 2002

    三星

    工程师吴畏 . 2019-01-14 1180

  • 英特尔确定的7纳米制程会支援新一代EUV技术

    随着晶圆代工厂台积电及记忆体厂三星电子的7纳米逻辑制程均支援极紫外光(EUV)微影技术,并会在2019年进入量产阶段,半导体龙头英特尔也确定正在开发中的7纳米制程会支援新一代EUV技术。 英特尔10纳米制程推进不如预期,导致14纳米产能供不应求,并造成2018年第四季以来的处理器缺货问题,预期要等到2019年第二季才会获得纾解。英特尔日前已宣布将扩大资本支出提升产能,并且预期10纳米Ice Lak

    英特尔

    工程师吴畏 . 2019-01-03 1070

  • 全球三大晶圆代工厂今年将导入极紫外光微影技术 家登EUV光罩盒将大出货

    全球三大晶圆代工厂台积电、英特尔、三星,最快将在2019年导入极紫外光微影技术(EUV),值得注意的是,全球可提供EUV光罩盒的业者只有两家,家登是其中之一,且家登已经通过艾司摩尔(ASML)认证,此举无疑宣告,家登今年EUV光罩盒将大出货,公司更透露,接单强劲,目前已有供给告急压力。 首先就台积电的部分,今年会进入采用EUV设备之7+制程的量产,而三星的7纳米制程也会采用EUV设备,并在今年进入

    台积电

    工程师吴畏 . 2019-01-03 1060

  • 先进制程微缩变得越来越困难 IC设计与品牌商同样面对的成本高墙

    晶圆代工厂商的先进制程竞赛如火如荼来到7nm,但也有晶圆代工厂商就此打住,联电将止于12nm制程研发,GlobalFoundries宣告无限期停止7nm及以下先进制程发展。一直以来,半导体产业为延续摩尔定律每隔18~24个月集成电路便为晶体管数目和性能将翻倍提升而努力,10nm及以下先进制程成本有多高?让晶圆代工老二、老三的GlobalFoundries和联电纷纷打消发展念头。 一直以来半导体产业

    半导体

    工程师吴畏 . 2018-12-26 1430

  • 半导体进入周期性疲软 行业急需技术创新

    近日,半导体风向球、芯片制造业举足轻重的公司——应用材料(AMAT)公布了截止2018年10月28日的2018 Q4财报,尽管符合市场预期,但本季营收却低于其预期。 财报显示,与2017财年第四季度相比,应用净销售额略有增加,达40.1亿美元。按照美国通用会计准则,该公司的毛利率为44.3%,营业收入为10.2亿美元,占净销售额的25.3%,每股收益(EPS)为0.89美元。 总裁兼首席执行官加里

    半导体

    网络整理 . 2018-11-22 1135

  • 3nm制程工艺或将迎来希望

    随着三星宣布7nm EUV工艺的量产,2018年EUV光刻工艺终于商业化了,这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战,目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有达到理想状态,EUV工艺还有很长的路要走。 光刻机分辨率=k1*λ/NA 在现有的EUV之外,ASML与IMEC比利时微电子中心还达成了新的合作协议,双方将共同研发新一代EUV光刻机,NA数值孔径从现有

    光刻机

    未知 . 2018-11-01 945

  • EUV光刻工艺终于商业化 新一代EUV光刻工艺正在筹备

    随着三星宣布7nm EUV工艺的量产,2018年EUV光刻工艺终于商业化了,这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战,目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有达到理想状态,EUV工艺还有很长的路要走。在现有的EUV之外,ASML与IMEC比利时微电子中心还达成了新的合作协议,双方将共同研发新一代EUV光刻机,NA数值孔径从现有的0.33提高到0.5,可以进一

    光刻

    网络整理 . 2018-10-30 905