碳纳米管比硅晶体管效能比可提高1000倍
碳纳米管具有优异的电气和机械性能，或催生速度更快的超级计算机和每月只需充电一次的智能手机。 据TechCrunch网站报道，碳纳米管属于一种超级材料——它是直径为1或2纳米的圆柱状物，它有包括从超级计算机到效能比更高的智能手机在内的许多梦幻般应用。问题是，它们不容易制造，推出商业化碳纳米管产品可能尚需10-15年。 碳纳米管是由碳元素构成的一种管状分子结构。特别是，碳纳米管（在1991
晶体管
TechCrunch . 2016-08-22 845
MOSFET工艺突破：普通塑料片上打造高性能晶体管
据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UW Madison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅大大简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问题。该技术可用于制造大卷的柔性塑料印刷线路板，并在可穿戴电子设备和弯曲传感器等领域派上大用场。 研究人员称，这项突破性的纳
印刷线路板
Gizmag . 2016-04-30 795
摩尔定律：我这一辈子（上）
如果将摩尔定律比为一个人，到今年他已经是个50岁的中年人了。在这五十年中电子产业遵循着摩尔定律获得了巨大的进步，然而在今天人们也会想知道摩尔定律是否已经过时，它还能不能适应时代继续对于未来电子产业发展起到指导作用。在本文的上篇中我们将回到上世纪60年代，看看摩尔是在什么样的时代背景与实践中提出了摩尔定律，发现摩尔定律中不被重视的另一面。 半个世纪前，一个名叫戈登摩尔的年轻工程师仔细观察了
电子元件
来源：互联网 . 2015-04-08 1035
下一代晶体管王牌：何种技术领跑22nm时代？
在22nm，或许是16nm节点，我们将需要全新的晶体管。而在这其中，争论的焦点在于究竟该采用哪一种技术。这场比赛将关乎到晶体管的重新定义。在22/20nm逻辑制程的开发中，业界都争先恐后地推出各种新的晶体管技术。英特尔三栅极（tri-gate）元件已取得重大进展。许多研究人员也正努力推动FinFET元件的研究工作。而包括ARM在内的多个主要的欧洲组织，以及美国的Globalfoundries则
三栅极晶体管
本站整理 . 2012-03-25 930
胆机与晶体管的比较
胆机 晶体管 一、胆机与晶体机 胆机与晶体的比较，这里只谈以下两个
晶体管
www.elecfans.com . 2011-05-16 1140
常用晶体管场效应管资料大全
场效应 型号 反压 Vbe0 电流 Icm 功率 Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS 场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS 场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS 场效应 IRFP9240 200V 12A
晶体管
本站整理 . 2010-11-02 1365
日本东北大学采用喷墨法试制出CNT晶体管
日本东北大学采用喷墨法试制出CNT晶体管 日本东北大学金属材料研究所低温电子物性学研究部门副教授竹延大志的研究小组利用单层碳纳米管（CNT），试制出了载流子迁移率为8.2cm2/Vs的薄膜晶体管（TFT）。其特点是在实现1.6~8.2 cm2/Vs迁移率的同时，导通/截止比高达104~105.一般情况下，CNT的载流子迁移率与导通/截止比存在此消彼长的关系（Trade-off），因此很难同时兼
CNT
www.elecfans.com . 2010-03-20 425
爱尔兰科学家开发出业内首款非节型晶体管
爱尔兰科学家开发出业内首款非节型晶体管 爱尔兰丁铎尔国家研究院的科学家最近宣称他们成功制出了业内首款非节型晶体管，并称此项发明对10nm级别制程意义重大，可大大简化晶体管的制造工艺复杂 程度。这种晶体管采用类似Finfet的结构，将晶体管的栅极制成婚戒型的结构，并在栅极中心制出硅质沟道，沟道的尺寸仅有数十个原子的直径加起来那么大。 该研发团队是由Jean-Pierre Colinge教授领导
爱尔兰
electronista . 2010-02-24 750
简单晶体管收音机原理图
简单晶体管收音机原理图
简单
本站整理 . 2008-07-04 405
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