日本东北大学采用喷墨法试制出CNT晶体管
日本东北大学金属材料研究所低温电子物性学研究部门副教授竹延大志的研究小组利用单层碳纳米管（CNT），试制出了载流子迁移率为8.2cm2/Vs的薄膜晶体管（TFT）。其特点是在实现1.6~8.2 cm2/Vs迁移率的同时，导通/截止比高达104~105.一般情况下，CNT的载流子迁移率与导通/截止比存在此消彼长的关系（Trade-off），因此很难同时兼顾高载流子迁移率及高导通/截止比。这是因为CNT内既有半导体成分又有金属成分的缘故。
此次晶体管的形成采用了喷墨法，通过精密控制CNT膜的密度，实现了比原来采用喷墨法制作的CNT晶体管还要高的载流子迁移率及导通/截止比。该公司介绍，通过采用印刷法，有助于削减制造成本。
此外，该产品还具有即使在曲率半径为7.5mm的条件下弯曲，也不会发生特性变化的特点。
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