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  • IC 品牌故事 | 从石油勘探中诞生的TI传奇

    IC 品牌故事 | 从石油勘探中诞生的TI传奇

    TI是Texas Instruments Incorporated的简称，中文名叫德州仪器公司，简称德州仪器，成立于1930年，总部位于美国德克萨斯州达拉斯。其主要业务是模拟芯片和嵌入式处理器等，产品种类包括放大器、音频、ADC/DAC、隔离器件、时钟和计时、接口、DLP、逻辑和电压转换、MCU和处理器、电源管理、电机驱动、射频和微波、传感器、开关和多路复用器、无线连接等17个类别，8万多个产品料

    TI

    芯查查资讯 . 2024-09-02 6 12 6400

  • 英特尔全新堆叠式CFET晶体管架构曝光，有望将制程推进至0.2nm

      摘要：5月24日消息，近日在比利时安特卫普举行的 ITF World 2023大会上，英特尔技术开发总经理 Ann Kelleher 介绍了几个关键领域最新技术发展，其中就包括了英特尔将采用堆叠式 CFET 晶体管架构，这也是英特尔首次公开介绍新的晶体管设计，但并未提及具体的量产时间表。   5月24日消息，近日在比利时安特卫普举行的 ITF World 2023大会上，英特尔技术开发总经理

    台积电

    芯智讯 . 2023-05-24 2 1990

  • 台积电深度披露2nm、3nm技术演进

      在昨天的2023年北美技术研讨会上，台积电披露了有关其即将在 2025 年至 2026 年及以后推出的 N2 2nm 生产节点计划的更多详细信息。台积电的N2系列制造技术将扩展其他变化，包括具有背面供电功能的N2P和用于高性能计算的N2X。在这些即将推出的N2代工艺节点之间，台积电正在制定路线图，以继续其提高晶体管性能效率，优化功耗和提高晶体管密度的不懈步伐。   N2 变得更密集   台积电

    台积电

    半导体产业纵横 . 2023-04-27 2 2700

  • 台积电公布2nm制程：新一代晶体管 功耗降低30％

      近日，台积电在2022年技术研讨会上，向外界公布了未来先进制程的路线。   按照台积电的技术路线图，3nm（N3）将于今年内量产，而且作为迭代，3nm要比过渡的4nm存在时间更长，后续还有N3E、N3P、N3X。   同时披露了2nm（N2）的部分信息，采用纳米片电晶体（Nanosheet），以取代使用多年的FinFET（鳍式场效应晶体管）。   所谓的纳米片电晶体，业界普遍认为应该就是台积电

    台积电

    安兔兔 . 2022-06-20 1428

  • 国产EDA重大突破，数字验证调试系统多项空白被填补

      去年，集成570亿个晶体管，性能强大的苹果M1 Max处理器的横空出世让人大受震撼。   今年，英伟达最新款GPU H100拥有800亿个晶体管，并且大放豪言20个H100 GPU，也就是1.6万亿个晶体管，便可承托相当于全球互联网的流量。      处理器的性能越来越高，集成的晶体管数量越来越多，复杂度也越来越高，那如何才能保证其正常工作？   要让拥有百亿个晶体管的芯片正常工作的难度，就好

    eda公司

    雷峰网 . 2022-05-17 1705

  • NPN晶体管的工作原理及封装形式

      1.三极管的构成以及封装   相信大家都了解过三极管，NPN晶体管其实就是具有两种N型材料（或负载流子），而只有一种P型材料（或正载流子）的双极结型晶体管的名称，NPN 晶体管使用下面的示意图符号。NPN 晶体管有两种 N 型材料夹着 P 型材料，在N型材料中，负电荷占优势，而在P型材料中正电荷占优势。      NPN晶体管可以看作是两个阳极连接的二极管，如下图。对于二极管，阳极基本上是正极

    三极管

    电路之光 . 2022-04-25 1352

  • 实现世界上栅极长度最小晶体管！清华科研团队在芯片上获突破

      近日，清华大学集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得突破，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，并具有良好的电学性能。相关成果以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题，日前在线发表于《自然》（Nature）期刊上。   晶体管是芯片的核心元器件，更小的栅极尺寸能让芯片上集成更多的晶体管，从而提升芯片性能。1965年，“摩尔定律”提出：集成电路芯片上可容纳的晶体管数目，每

    晶体管

    北京日报客户端 . 2022-03-18 1764

  • 晶体管技术迎来颠覆，手机续航或重回周充时代？

      手机在过去的二十年间完成了从功能机向智能机的进化。如今，作为移动互联网的重要终端，手机已经成为我们日常生活必不可少的“赛博器官”。在手机向智能机进化的过程中，手机变得性能更强大，拍照更清晰，体验更智能。   但当人们在手机低电量却找不到插头和线的时候，还是会怀念起那个功能机长续航的时代。在曾经的功能机时代，手机的续航时间通常是一周左右，而如今的智能手机几乎都需要一日一充或一日多充。   实际上

    晶体管

    雷峰网 . 2022-02-11 1509

  • 超微型晶体管已制成，宽度仅为人类头发丝宽度的1/25000

      12月28日消息，来自中国、日本、俄罗斯和澳大利亚的科学家组成的国际研究小组在最新一期《科学》杂志撰文指出，他们历时5年，使用一种插入电子显微镜的独特工具，制造出了一种超微型晶体管，其宽度仅为人类头发丝宽度的1/25000。   在这项新研究中，科学家们首先朝一个碳纳米管同时施加力和低电压，加热它直到外层管壳分离，留下单层纳米管，从而制造出这种微型晶体管。研究人员解释称，热量和应变改变了纳米管

    晶体管

    芯闻路1号 . 2021-12-28 1662

  • 研发团队已利用锗生产出全球最灵活的晶体管，能改变芯片设计的可能性

      据近日发表在美国化学学会《纳米杂志》上的研究，奥地利维也纳工业大学利用锗生产出世界上最灵活的晶体管。这种新型自适应晶体管可以在运行时动态切换，能执行不同的逻辑任务。这从根本上改变了芯片设计的可能性，并在人工智能、神经网络甚至逻辑领域开辟了全新机会。   电荷在晶体管中的传输方式取决于使用的材料：要么是带有负电荷的自由移动电子，要么是单个原子中可能缺少电子，所以该点是带正电荷的。这就是所谓的“空

    晶体管

    芯闻路1号 . 2021-12-24 5 2462

  • IEDM 2021：三星携IBM介绍VTFET半导体芯片研究

      在今年于加州旧金山举办的第 67 届国际电子器件会议（IEDM 2021）上，三星与 IBM 在“3D at the Device Level”讨论环节宣布，其已携手在下一代半导体芯片的设计技术上取得了重大突破。据悉，这项突破性的 VTFET 新技术，允许晶体管在垂直方向上堆叠。不仅有助于缩小半导体芯片的尺寸，还能够使之变得更加强大和高效。      谈话期间   ，IBM 与三星解释了如何通

    三星

    希恩贝塔 . 2021-12-15 1 2795

  • 英特尔展示多项技术突破，推动摩尔定律超越2025

      在不懈推进摩尔定律的过程中，英特尔公布了在封装、晶体管和量子物理学方面的关键技术突破，这些突破对推进和加速计算进入下一个十年至关重要。在2021 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔概述了其未来技术发展方向，即通过混合键合（hybrid bonding）将在封装中的互连密度提升10倍以上，晶体管微缩面积提升30%至50%，在全新的功率器件和内存技术上取得重大突破，基于物理学新概念所衍

    英特尔

    互联网 . 2021-12-13 1403

  • 研究人员对影响半导体行业数十年的“摩尔定律”有了新的认识

      随着芯片制程工艺缩进难度的日渐提升，想要实现集成电路组件数量每两年翻一番的目标，似乎已经遇到了瓶颈。然而洛克菲勒大学的一支研究团队，刚刚对影响半导体行业数十年的“摩尔定律”有了新的认识。在《PLOS One》期刊上的一篇文章中，其揭示了一种更微妙的“历史波动”模式 —— 即硅芯片晶体管密度的上升，使计算机和其它高科技设备变得更快、更强大。      （来自：PLOS One）   事实上，自

    半导体

    希恩贝塔 . 2021-08-19 1594

  • 应用材料推出整合式材料解决方案，助力逻辑IC尺寸微缩至3nm

    应用材料公司宣布推出一种崭新的布线工程设计方法，能帮助先进逻辑芯片微缩到 3nm节点及更小尺寸。 应用材料指出，尺寸缩小虽有利于提高晶体管效能，在导线布线方面却正好相反：较小的导线会产生更大的电阻，让效能降低并增加功耗。若无法在材料工程方面有所突破，从7nm节点缩到3nm节点，导线通路电阻将增加 10 倍，反而失去晶体管微缩的好处。 应用材料表示，该公司已开发出一种铜阻障层晶种整合性材料解决方案的

    应用材料

    中国闪存市场 . 2021-06-18 1550

  • 集成晶体管数超越苹果M1 近距离观察新华三的NP“智擎”

    就在刚刚过去的上周4月9日，在由紫光集团和新华三集团主办的“2021 NAVIGATE 领航者峰会”上，在新华三发布的一系列战略与重大产品中，有一款产品网络处理器“智擎”并没有引起太多人的注意，甚至在新华三所发布的官方新闻稿中，也只是在提及其他产品的时候提及了一句，颇为低调。 但是，如果就实际意义而言，笔者认为，在当前环境下，这款产品的发布，意味着新华三在整体竞争优势上的核心突破，也将整体提升国内

    晶体管

    硅土城 . 2021-04-14 835

  • 英伟达H100 Hopper GPU爆料：MCM设计 晶体管上千亿

    虽然受 COVID-19 大流行持续的影响，今年我们没有机会与英伟达 CEO 面对面地访谈一下。好消息是，WCCFTech 的 Usman Pirzada，刚刚与其在 Zoom 上展开了一番交谈。除了分享了几张有关 H100 Hopper GPU 的幻灯片，黄仁勋还介绍了如何有效应对加密货币挖矿的新计划。 （图 via WCCFTech） 首先介绍英伟达 H100“Hopper”GPU，可知其采用

    晶体管

    cnBeta . 2021-04-14 835

  • 事关芯片！华为石墨烯晶体管专利公开，速度可提升千倍

    行业媒体30日消息，华为技术有限公司公开 “石墨烯场效应晶体管”专利，公开号为 CN110323266B。专利摘要显示，该申请提供一种石墨烯场效应晶体管，涉及半导体技术领域，可提高器件输出电阻，从而提高开关比，实现更好的射频性能。 2019年中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅—石墨烯—锗晶体管”，成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了10

    晶体管

    选股宝 . 2021-04-14 755

  • A14芯片有150亿个晶体管，工程师如何设计这么多晶体管的？

    A14芯片有150亿个晶体管，工程师如何设计这么多晶体管的？ 现在我们购买手机电子或者其他电子产品的时候，最为关心的一项硬件参数就是处理器性能。尤其是在手机厂商铺天盖地的宣传之中，很多人都知道了，原来自己手机里面的芯片是那么了不得的东西。就拿去年刚推出的苹果旗舰手机来举例子，A14芯片在综合性能上现在依旧站在国际前列。这一款芯片上集成了超过150亿个晶体管。只要稍微想一想咱们就能知道这些晶体管基本

    晶体管

    知识酷 . 2021-04-14 915

  • Nerissa Draeger博士：全包围栅极结构将取代FinFET

    FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比，与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道更容易控制。但是，随着3nm和5nm技术节点面临的难题不断累积，FinFET的效用已经趋于极限。     晶体管缩放的难题 在每个技术节点，设备制造商可以通过缩小晶体管的方法来降低器件面积、成本和功耗并实现性能提升，这种方式也称为PPAC（功

    FinFET

    来源：互联网 . 2021-01-25 915

  • 基于深亚微米VLSI的物理验证可实现加快芯片研发速度

    超大规模集成电路设计进入到深亚微米工艺后，以时序驱动为主的开发方法使用更加普遍，面临的新挑战也随之而来：为了可制造性而要面临越来越多的金属层密度问题和天线效应问题，同时面积减小了，但由于连线延时效应影响，给布局布线带来了困难，以至于不得不根据布线后时序的结果回过头重新调整时序约束以保证后面布线后满足时序要求。这使得整个后端的时间进度压力加大，尤其对物理验证而言，作为后端设计人员将设计交给代工厂家前

    电路图

    第五届中国通信集成电路 . 2021-01-19 1605

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