• 三菱PLC源型和漏型的区别

    源型和漏型,一般针对晶体管型电路而言,可以直接理解为IO电路向外提供/流出电流(源或称为source)或吸收/流入电流(漏或称为sink)。对于DO来说,一般PNP型晶体管输出为源型,输出模块内部已经接好电源,电流通过DO向外流出,不需要外接任何电源DO就可以直接驱动继电器。西门子300/400系列或欧系PLC惯于使用这类输出。日系、台系和西门子200系列和大部分国产PLC一般采用漏型DO,即NP

    驱动电源

    网络整理 . 2020-03-25 1045

  • 中科院研发出了一种2nm及以下工艺的新型晶体管

    近日,中科院对外宣布,中国科学家研发除了新型垂直纳米环栅晶体管,这种新型晶体管被视为2nm及一下工艺的主要技术候选。这意味着此项技术成熟后,国产2nm芯片有望成功“破冰”,意义重大。 目前最为先进的芯片制造技术为7nm+Euv工艺制程,比较出名的就是华为的麒麟990 5G芯片,内置了超过100亿个晶体管。麒麟990首次将将5G Modem集成到SoC上,也是全球首款集成5G Soc,技术上的确实现

    麒麟990

    IT指北针 . 2020-01-16 820

  • 台积电高管:摩尔定律没消亡 可增加晶体管密度

    8月19日消息,据国外媒体报道,针对摩尔定律现今是否仍然拥有生命力的话题,台湾的芯片代工制造商台积电一位高管日前发表的博文称,摩尔定律并没有死亡,并且由于多种原因,这一定律在今天仍然非常重要。按照摩尔定律,由于微芯片技术的进步,计算机的速度和性能预计每两年就要提高一倍。 摩尔定律最早由英特尔前首席执行官戈登·摩尔(Gordon Moore)在1965年发表的一篇论文中提出。摩尔定律是一种预测,即半

    台积电

    网易科技 . 2019-08-19 1350

  • 赛灵思公司宣布扩展其产品路线图,面向数据中心新增加速强化技术

    全可编程技术和器件的全球领先企业赛灵思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX)) 今天宣布扩展其 16nm UltraScale+ 产品路线图,面向数据中心新增加速强化技术。其成品将可以提供赛灵思业界领先的 16nm FinFET+ FPGA 与集成式高带宽存储器 (HBA) 的强大组合优势,并支持最近刚刚宣布推出的加速缓存一致性互联 (CCIX) 技术。CCIX由 7 家业界

    芯片

    djl . 2019-07-30 1295

  • 晶体管价格每年下降32%?半导体还怎么赚钱

    通过学习曲线预测单个晶体管的成本和收入 图 1 是晶体管的学习曲线,它是半导体行业所有可用的预测参数中最基本的一个,甚至比摩尔定律还重要。从图中可以看出,自从 1954 年以来,单个晶体管的收入(可能单个晶体管的成本也遵循这条曲线,如果我们有来自半导体制造商的数据的话)遵循一条高度可预测的学习曲线。在摩尔定律问世之前,这条学习曲线指引着半导体行业发展的方向。德州仪器利用这条曲线构建了自己的战略优势

    存储器

    -- . 2019-07-12 1290

  • 场效应管的识别与检测

    场效应管是场效应晶体管的简称,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小等优点,特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。场效应管和三极管都能实现信号的控制和放大,但由于它们的结构和工作原理截然不同,所以二者的差别很大。三极管是一种电流控制元件,而场效应管是一种电压控制器件。 1 场效应管的分类 场效应管可分结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)两大类。结型场效应

    场效应管

    yxw . 2019-07-05 1380

  • 半导体工艺如何影响CPU性能的?

    半导体的支持工艺和CPU的性能关系就大了,它关系到CPU内能塞进多少个晶体管,还有CPU所能达到的频率还有它的功耗,1978年Intel推出了第一颗CPU——8086,它采用3μm(3000nm)工艺生产,只有29000个晶体管,工作频率也只有5MHz。 而现在晶体管数量最多的单芯片CPU应该是Intel的28核Skylake-SP Xeon处理器,它拥有超过80亿个晶体管,而频率最高的则是Cor

    处理器

    yxw . 2019-06-18 1140

  • 总投资13.9亿!合力泰印度工厂今投产

    今天(6月15日),总投资投资额为140亿卢比(约合人民币13.9亿元)的合力泰印度工厂举行投产庆典仪式。 据悉,合力泰在印度蒂鲁伯蒂的工厂占地75英亩(约合30万平方米),将分两期建设,每期投资额为70亿卢比(约合人民币7亿元)。该工厂将生产紧凑型摄像头模块(CCM)、薄膜晶体管(TFT)、电容式触摸屏模块(CTP)、柔性印刷电路(FPC)和指纹传感器。工厂每年各部件生产能力接近5000万件,主

    FPC

    YXQ . 2019-06-16 985

  • 台积电要进行2nm半导体工艺的研究了大概需要多久

    半导体工艺上,近年来几大巨头都纷纷出杀招。Intel终于进入了10nm的工艺时代,同时宣布在后年转入7nm,而台积电和三星则是早早完成了7nm工艺的布局,并同时奔向5nm和3nm。现在,台积电官宣,正式启动2nm工艺的研发,工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园,预计2024年投入生产。 台积电并没有透露2nm工艺所需要的技术和材料,通过晶体管的结构能够看到目前并没有明显变化,进一步压榨硅半导体技术。

    半导体

    未知 . 2019-06-16 1215

  • 3nm晶体管!中国芯片领域研究又有新突破

    据香港《南华早报》网站5月27日报道,现如今,市场上最先进的计算机芯片使用7纳米晶体管。中国科学院微电子研究所微电子设备与集成技术领域的专家殷华湘说,他的团队已经研发出3纳米晶体管——相当于一条人类DNA链的宽度,在一个指甲盖大小的芯片上能安装数百亿个这种晶体管。 殷华湘说,晶体管变得越小,芯片上就能安装越多的晶体管,这会让处理器的性能显著提升。晶体管是处理器的基本部件。殷华湘说,用3纳米晶体管制

    芯片

    YXQ . 2019-06-13 855

  • 二维材料于场效晶体管的应用

    场效应晶体管(FETs)是电子世界的基本组成单元。人们生活中使用的电脑、手机等电子设备都由场效应晶体管组成。为了进一步提高场效应晶体管的运行速度和微型化程度,并保证器件高性能的同时降低其能耗,研究人员付出了巨大的努力。但是,当沟道长度不断缩短至几纳米时,硅基晶体管器件的性能开始显著下降,显然已经进入了研究的瓶颈期。 二维半导体包括过渡金属二硫属化合物(TMDs)和黑磷等,具有丰富的价带结构和可调的

    场效应管

    YXQ . 2019-06-04 1135

  • 殷华湘团队研发出3纳米晶体管 相当于一条人类DNA链的宽度

    港媒称,内地的科学家说,他们已经研发出一种晶体管,这种晶体管将大大增强芯片的性能,并大幅降低它们的能耗。 据报道,现如今,市场上最先进的计算机芯片使用7纳米晶体管。中国科学院微电子研究所微电子设备与集成技术领域的专家殷华湘说,他的团队已经研发出3纳米晶体管——相当于一条人类DNA链的宽度,在一个指甲盖大小的芯片上能安装数百亿个这种晶体管。 殷华湘说,晶体管变得越小,芯片上就能安装越多的晶体管,这会

    处理器

    yxw . 2019-05-31 1125

  • 复旦大学科研团队发明出新的单晶体管逻辑结构 使晶体管面积缩小50%

    目前的晶圆都是由硅元素生产制成,已知硅原子的直径大约是0.22nm,再考虑到原子之间的距离,理论极限至少是0.5nm,但肯定没有任何公司可以做到。普遍认为3nm将是芯片制程工艺的极限。 事实上自从晶体管制造工艺进入10nm时代之后,继续提升制程工艺变得原来越困难,特别是Intel在14nm工艺上足足停留了5年之久,因此想要继续提升芯片性能最好的办法就是另辟蹊径。 日前,复旦大学科研团队近日在集成电

    集成电路

    工程师吴畏 . 2019-05-30 755

  • 国产3nm半导体工艺再刷屏 但距量产还远

    今天有多家媒体报道了中国科研人员实现了3nm半导体工艺的突破性进展,香港《南华早报》称中科院微电子所团队的殷华湘等人研究出了3nm晶体管,相当于人类DNA链条宽度,这种晶体管解决了玻尔兹曼热力学的限制。在中国半导体芯片正在被美国卡脖子的今天,国内科研人员实现3nm晶体管技术具有重要意义,南华早报在文章中也提到了该技术的意义——过去我们只能看着别人竞赛,现在可以参与这场竞赛了。 不过这个技术具体如何

    半导体

    YXQ . 2019-05-30 1140

  • 我国首次实现3nm晶体管技术 技术具体如何

    今天有多家媒体报道了中国科研人员实现了3nm半导体工艺的突破性进展,香港《南华早报》称中科院微电子所团队的殷华湘等人研究出了3nm晶体管,相当于人类DNA链条宽度,这种晶体管解决了玻尔兹曼热力学的限制。 在中国半导体芯片正在被美国卡脖子的今天,国内科研人员实现3nm晶体管技术具有重要意义,南华早报在文章中也提到了该技术的意义——过去我们只能看着别人竞赛,现在可以参与这场竞赛了。 不过这个技术具体如

    半导体

    工程师吴畏 . 2019-05-29 1090

  • 传统元件结构尺寸已经接近极限,FD-SOI才是出路?

    为求低功耗、高能效及高性价比之元件,市场逐渐开发出 FD-SOI(完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管)结构;而 FD-SOI 构造主要以 SOI 晶圆为核心,透过传统 Si 芯片制程方式,进而以水平式晶体管架构,取代线宽较大(16~12nm)之 FinFET 元件。   进一步分析 FD-SOI 市占情形,在各厂商相继投入开发资源下,2018 年整体元件市场规模达 160 亿美元,预估 2019 年整

    FD-SOI

    -- . 2019-05-22 1300

  • 罗姆决定从松下公司受让二极管及部分晶体管业务

    4月24日,罗姆在官网发布新闻稿,宣布罗姆近日决定从松下公司受让半导体业务部门经营的二极管及部分晶体管业务。 预计受让时间为2019年10月,之后将由罗姆对松下的客户进行相应产品的销售。 为了确保向客户稳定供应,并促进顺利接管,目前,罗姆考虑委托松下进行部分生产,以便使松下能够继承与罗姆以往完全相同的供应体系。 半导体元件业务为罗姆集团的核心业务,目前,罗姆在小信号晶体管和二极管市场中拥有世界顶级

    半导体

    工程师吴畏 . 2019-04-25 1450

  • 从晶体管向数据转型,是英特尔50年来最大胆的一次跃迁

    从晶体管向数据转型,是英特尔50年来最大胆的一次跃迁。 近日,英特尔在北京召开主题为“万有IN力,数立未来”的 “2019英特尔中国媒体纷享会”。可以说,这是一场英特尔向外界秀内功和肌肉的大会。英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭在会上指出,英特尔将从以晶体管为中心向以数据为中心全面转型。 选择在史上最佳时刻转型,英特尔对未来的危机感及魄力,着实让人敬佩。 在前线认为,在暂停IDF(英特尔开发者峰

    英特尔

    YXQ . 2019-04-09 785

  • 国外开发出金属基场发射空气通道晶体管 可以在二十年内保持摩尔定律

    人们普遍认为,随着物理极限的逼近,摩尔定律,即集成电路上可容纳的硅晶体管的数目每两年便会增加一倍,将在 2025 年左右失效。但澳大利亚墨尔本皇家理工大学(RMIT University)的研究人员认为,他们开发的金属基场发射空气通道晶体管(ACT)可以在二十年内保持摩尔定律。 ACT 器件无需半导体。相反,它使用两个面内对称的金属电极(源极和漏极)隔开小于 35 纳米的气隙,底部用金属栅极调节发

    摩尔定律

    工程师吴畏 . 2018-12-10 410

  • 一篇漫画看懂:一颗芯片,咋就这么难造?

    一篇漫画看懂:一颗芯片,咋就这么难造?        

    芯片

    工程师李察 . 2018-12-01 785