• 如何运用EDA软件完成电子电路的自动化设计工作?

    在高职院校。电力电子技术是电气类专业必修的争业基础课,电力电子技术是电力、电子、控制三大电气工程技术领域之间的交叉学科,随着科学技术的发展。电力电子技术与现代控制理论、材料科学,电机T程,微电子技术等许多领域密切相关,由此可见电力电子技术已成为一门多学科相互渗透的综合性学科,正是由于本门课程涉及领域多。知识面广,利用传统一支粉笔一块黑板。教师一言堂的教学方法很难达到理想的效果。这样在电力电子技术的

    pcb

    万方数据 . 2020-09-14 1 1015

  • 研究人员开发可有效管理晶体管产生的大量热通量的电子设备

    控制电子产品中产生的热量是一个巨大的问题,尤其是在不断缩小尺寸和在同一芯片中封装尽可能多的晶体管的情况下。问题是如何才能有效地管理如此高的热通量。通常,电子技术(由电气工程师设计)和冷却系统(由机械工程师设计)是各自独立完成的。但现在,EPFL的研究人员通过将这两个设计步骤结合在一起,悄然革新了整个过程。他们开发了一种集成的微流体冷却技术,以及能够有效管理晶体管产生的大量热通量的电子设备。他们的研

    芯片

    贤集网 . 2020-09-11 1035

  • 声控开关灯如何利用声音来控制灯?

    随着数字技术的发展,利用数字电路技术实现自动照明、节能和延长灯具寿命变得越来越重要,这在我们的现实生活越来越常见。声光控制电路已经成为人们日常生活中不可缺少的必需品,不需要开关,有人经过会自动开启;广泛应用于走廊、走廊招待所等公共场所,给人们的生活带来极大的便利。 声控开关灯利用声音来控制灯。声控开关包含麦克风、光敏电阻、三极管、电容、微振动传感器等电子元件。白天光敏电阻的电阻会很小,会屏蔽麦克风

    晶体管

    OFweek电子工程网 . 2020-09-11 1095

  • 专家:物联网只是传感器主宰世界道路上的中间手段

    伯克利专家兼EDA巨头创始人之一的Alberto Sangiovanni-Vincentelli声称,物联网只是传感器主宰世界道路上的中间手段,其中的网络传感器数量将会比全球人口数量都多上几个数量级。 在美国国防部高阶研究计划署(DARPA)主办的会议谈话中,他认为,密集的系统和交互的不可预知,将很有可能会影响一切。 他提道,用于传感器的工具在很多方面可以效仿用于复杂亿级晶体管芯片的EDA工具,不

    传感器

    e-works . 2020-09-09 1080

  • 开关电路应用:三极管的推挽型射极跟随器

    晶体管或许可以说是整个电子信息系统以及集成电路的基石。三极管电路也是最为常见的电路模块,其应用也极为灵活。我记得前几年看过晶体管设计一书中,有一段话我一直印象很深刻,大致意思是说,如果想制作一个电路,只需要将几个IC组合起来,起振复位上电源大体就可以简单地完成了。 但是,如果掌握了晶体管和MOS管的相关知识后,对于电路系统的认识将会大为不同。因为,以IC为单位作为黑盒子来考虑,此时IC被一定程度上

    三极管

    博客园 . 2020-09-04 960

  • 工程院周济:超材料走进集成电路领域

    半导体行业的发展使得传统意义上的摩尔定律受到了不同程度的质疑,甚至有声音说:“摩尔定律要失效了!”因此,如何延续摩尔定律成了当今半导体行业热议的话题。日前,中国工程院院士、清华大学材料学院教授周济在接受《中国电子报》记者专访时表示,超材料有可能从工艺和原理两方面延续摩尔定律,为信息技术的进一步发展提供新的技术路线。 两种方式延续摩尔定律 一直以来,半导体器件的发展趋势都沿续于摩尔定律的规则:集成电

    集成电路

    中国电子报 . 2020-09-01 940

  • 具有曲率补偿功能的带隙基准电压电路的研究分析

      来源:现代电子技术,作者:杨瑞聪,赖松林,江浩,于映 1 与温度无关的基准 与温度无关的电压或电流基准在许多模拟电路中是必不可少的。如何产生一个对温度变化保持恒定的量?假设有正温度系数的电压V1和负温度系数的电压V2,这两个量以适当的权重相加,那么结果就会显示出零温度系数。选取a和b使得aV1/ T+bv2/ T=0,可以得到具有零温度系数的电压基准,VREF=aV1+bV2。 上述假设提供了

    晶体管

    现代电子技术 . 2020-08-21 1800

  • 通过利用功率放大器减弱功放记忆效应电路的设计

    1、 功率放大器记忆效应产生原因及影响 功率放大器非线性特性产生的失真分量不恒定,例如三阶或五阶交调的幅度、相位会随输入信号幅度和带宽的变化而改变。这种失真分量依赖于输入信号幅度、带宽的现象通常称之为功率放大器的记忆效应。 轻微的记忆效应本身对功率放大器的线性度并无严重影响。即在双音频测试中,随着音频间隔的增加,如果放大器三阶交调分量的相位旋转不超过10o,且幅度起伏不大于0.5dB,此时功放的记

    晶体管

    世界产品与技术 . 2020-08-20 810

  • 2.4G低噪声放大器电路的设计和仿真分析

    1 引言 随着无线通信技术的小断发展,系统要求更高的集成度,更强的功能以及更低的功耗。同时,CMOS技术已经发展到深亚微米水平,使得CMOS器件的高频特性得到进一步改善,已经能与锗硅和砷化钾器件相媲美。另外,CMOS器件在功耗上占有优势,因此深亚微米的CMOS技术在无线通信体系中很有应用潜力。在射频接收机中,低噪声放大器(LNA)占有重要位置,他在放大输入的微弱信号的同时抑制伴随的噪声。因此,低噪

    晶体管

    现代电子技术 . 2020-08-14 1900

  • CMOS差动放大器晶体管的不匹配特性变化和解决方法研究

    随着微电子制造业的发展,制作高速、高集成度的CMOS电路已迫在眉睫,从而促使模拟集成电路的工艺水平达到深亚微米级。因为诸如沟道长度、沟道宽度、阈值电压和衬底掺杂浓度都未随器件尺寸的减小按比例变化,所以器件的不匹配性随着器件尺寸的减小越加明显。在短沟道CMOS电路中由于不匹配性引起的特性变化可能会限制器件尺寸的减小而影响工艺水平的发展,这样不匹配性的消除就显得更重要。 1 差分放大器性能 差分放大器

    差动放大器

    现代电子技术 . 2020-08-11 1395

  • 三种形式的共射放大电路基本电路特性

    BJT共射级电路放大器是比较常用的一种放大电路,不同于前面的共基级放大器单一的电路形式,共射级放大器的设计比较灵活,历史上人们曾经设计出过很多各种各样的共射级放大器。最常用的是以下三种形式的共射放大电路(见下图3-06.01)。一般只要掌握了这三种电路的共通分析方法,那以后再遇到其他比较偏门的共射电路时,我们也可以按照我们已掌握的共通方法,分析出其基本电路特性。 图 3-6.01 1. 固定偏置

    发射极电阻

    博客园 . 2020-08-08 685

  • 晶体管单管大电路三种接法比较

    在电子电路中,放大的对象是变化量,放大的本质是在输入信号的作用下,通过有源元件(晶体管或场效应管)对直流电源的能量进行控制和转换,使负载从电源中获得的输出信号能量比信号源向放大电路提供的能量大的多。晶体管放大电路有共射、共集、共基三种接法,场效应管有共源、共漏接法(与晶体管放大电路共射、共集接法相对应)。以下通过3个主要性能(放大倍数A、输入电阻Ri、输出电阻Ro)指标对晶体管三种基本接法进行比较

    有源元件

    博客园 . 2020-08-08 1015

  • 无晶体管存储器技术解析

    是什么让晶体管替代具有吸引力? 这些发展背后的驱动力是内存单元面积的减少。存储器元件可以直接堆叠在一个 “选择器 ”之上,该选择器根据单元上施加的电压来传递或阻止电流。选择器本身比晶体管小,因为它只是电极之间堆叠的一层。没有晶体管也消除了直接在硅基板上构建存储阵列的限制,使多层叠加形成 3D 存储阵列成为可能。此外,通常围绕着存储器阵列的电路现在可以放在阵列的下方,进一步节省芯片面积。 阈值的开关

    晶体管

    与非网 . 2020-07-15 940

  • 基于并五苯有机场效应晶体管和PVDF纳米棒阵列的压电式触觉传感器

    研究亮点: 1. 压电能量作为栅电压来驱动OFET实现节能。OFET利用信号放大功能来提高器件的灵敏度。 2. 基于并五苯有机场效应晶体管和PVDF纳米棒阵列的压电式触觉传感器不仅可以定量检测不同砝码的质量(10-200g),还可以实时灵活检测人体手腕的弯曲角度(0-90)。 3. 柔性微阵列压电单元与柔性信号放大单元的集成,以其便携性、高能效和全柔性的特点,在人机交互和可穿戴设备领域发挥着重要作

    晶体管

    MEMS . 2020-07-09 1205

  • 三极管与恒流源充放电电路

    三极管简介 三极管是晶体管的一种,三极管的三个极分别是基极(Base)、发射极(Emitter)、集电极(Collector)。 如下是 NPN 三极管的等效电路,BE 之间就是一个二极管,CE 之间等效为一个可调电阻,阻值可以从若干欧到无穷大(开路)。     NPN 的特征方程: Ic=βib,NPN 的 Ib 是从 B 到 E,Ic 是从 C 到 E,β是三极管自身的放大倍数,可认为是取决于

    三极管

    -- . 2020-07-07 1255

  • 晶体管开关电路设计案例分析

    基本的晶体管开关电路 饱和开关的问题点:OFF延时时间 如图1所示,使场效应晶体管开关动作时,加给晶体管的基极电流IB: IB=IC/hFE,决定的值大的电流。 这是由于晶体管的集电极一发射极饱和电压VCE(set)减小,使晶体管的ON时的电力损耗降低的缘故。 这样,晶体管饱和动作时,如图2所示,基极电流IB,即使为0,晶体管也不能立刻OFF, 集电极电流在积蓄(strage)时间tstg+上升时

    脉冲放大器

    博客园 . 2020-07-03 740

  • 门级电路低功耗设计优化案例分析

     (1)门级电路的功耗优化综述 门级电路的功耗优化(Gate Level Power Optimization,简称GLPO)是从已经映射的门级网表开始,对设计进行功耗的优化以满足功耗的约束,同时设计保持其性能,即满足设计规则和时序的要求。功耗优化前的设计是已经映射到工艺库的电路,如下图所示: 门级电路的功耗优化包括了设计总功耗,动态功耗以及漏电功耗的优化。对设计做优化时,优化的优先次序如下: 由

    晶体管

    博客园 . 2020-07-02 540

  • 总结模拟电路应该具备的三大能力分析

    模拟电路是电子工程师绕不开的一个坎,虽然现在很多模拟电路可以用集成电路实现,但是,从基础性的学习和能力的培养来看,还是应该对模拟电路有一个比较深入的了解。 清华大学华成英老师总结模拟电路应该具备的能力有:分析能力、设计能力、实践能力这三点。 这三种能力具体包含如下内容。 分析问题的能力 会看:读图,定性分析 会算:定量计算 设计能力 会选:电路形式、器件、参数 实践能力 会调:仪器选用、测试方法、

    集成放大电路

    知乎 . 2020-05-22 1170

  • 半导体器件内部的工作原理(动画讲解)

    学电子的对晶体管、PN结不能说陌生,但当初课堂上学的时候对电子空穴的运动超难想象,这些半导体器件内部到底是如何工作的?今天给大家推荐一个动画讲解,结合着文字,多年的疑问可以瞬间得解了。 半导体 材料取自于元素周期表中金属与非金属的交界处。常温下半导体导电性能介于导体与绝缘体之间。 本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。(由于不含杂质且为晶体结构,所以导电性比普通半导体差) 常温下,

    本征半导体

    与非网电路城论坛 . 2020-05-05 1095

  • 三菱PLC源型漏型接线区别

    源型、漏型是指直流输入/输出型plc而言,针对于PLC的是输入点/输出点的公共端子COM口,当公共点接入负电位时,就是源型接线;接入正电位时,就是漏型接线。 或者换种说法源型是高电平有效,漏型是低电平有效。   源型输入是指输入点接入直流正极有效 漏型输入是指输入点接入直流负极有效。  源型输出是指输出的是直流正极 漏型输出是指输出的是直流负极。 源型与漏型的选择决定了使用那种传感器,他决定了CO

    晶体管

    网络整理 . 2020-03-25 1170