iPhone 13系列屏幕爆料:采用LTPS面板
作为苹果一年一度的“力作”,每年的新iPhone都受到了不少人关注。虽然现在离下代iPhone系列正式发布还有差不多10个月的时间,但网上已有了关于iPhone13系列的爆料。这次是关于该系列手机的屏幕信息。 根据爆料,iPhone13系列仍将有4款机型,机型名称沿用了iPhone12系列的叫法,分别叫iPhone13mini、iPhone13、iPhone13Pro以及iPhone13ProMa
iPhone
手机中国 . 2020-12-31 970
华为麒麟9000全新升级Kirin ISP 6.0
12月21日,华为麒麟官方宣布,麒麟9000荣获2020搜狐时尚盛典“科技创新产品奖”,用技术创新延伸时尚触觉,成为2020年科技圈最耀眼的“时尚明星”。本次盛典共设立17项荣誉,横跨时尚界、娱乐圈、科技行业和电商领域,以表彰时尚界风格缔造者、引领时代的先锋创造者、青年意见领袖等品牌和人物。 麒麟9000是全球首款5nm旗舰5G SoC,集成153亿晶体管,CPU、GPU、NPU、ISP、5G基带
cpu
手机中国 . 2020-12-23 1125
台积电3nm工艺将实现15%性能提升
2020年,市面上出现了大量5nm工艺的芯片,诸如苹果A14仿生、麒麟9000以及骁龙888等旗舰芯片均采用5nm工艺。而根据最新的报道显示,在批量生产5nm工艺芯片的同时,台积电也在研发更加先进的3nm工艺,目前3nm工艺的研发正在有序进行中。 台积电 据了解,台积电3nm工艺将在2022年量产,随后,台积电也将在2023年开始生产3nm Plus增强版。据外媒报道称,苹果仍将是第一个采用台积电
台积电
手机中国 . 2020-12-21 935
基于ADS应用软件实现高增益低噪声放大器的设计
从天线接收的微弱信号由处于射频产品接收机前端的放大器进行放大,因此要求该放大器具有一定的增益和较小的噪声系数。 本文借助Agilent公司的射频产品电路设计软件ADS(AdvancedDesignSystem)进行辅助设计一款高增益低噪声放大器(LNA),并对其进行了仿真验证。 1射频产品放大器的组成 单级射频产品放大器的组成如图1所示,包括射频产品晶体管放大电路和输入、输出匹配网络三部分。 2射
低噪声放大器
山西电子技术 . 2020-12-15 1160
基于计算机技术实现热阻测试系统的设计
1.引言 热阻可以反映芯片、焊接层和管壳的烧结或粘结等质量问题,热阻特性对晶体管的可靠性有着至关重要的影响。利用晶体管ΔVbe参数与热阻在一定条件下满足某种数学关系式,通过测量晶体管ΔVbe参数间接地测试热阻参数,具有测量效率高、成本低、对器件无损伤等优点,但是晶体管热特性具有复杂、敏感及不稳定的特点。要达到实用需要的测量精度有较大的难度,目前,国外已研制出原理性的热阻测试系统。国内市场迫切需要性
计算机
微计算机信息 . 2020-12-08 660
台积电将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管?
据媒体报道,台积电将于2022年下半年开始量产3纳米芯片,单月产能5.5万片起,在2023年月产量将达到10.5万片。 据悉,台积电 N3 将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管,而不是过渡到 GAA 环绕式结构场效晶体管。这与三星不同,三星已经表示要在 3 纳米节点使用 GAA。台积电预计 N3 将在 2022 年成为最新、最先进的节点。与 N5 相比,收益同样不大,性能仅提升 1.1-1.1
芯片
驱动中国 . 2020-11-26 1165
功率放大器的技术指标和原理详细说明
为增进大家对功率放大器的了解,本文将基于两点对功率放大器予以介绍:1.功率放大器的技术指标有哪些?2.功率放大器的原理是什么?如果您正在学习功率放大器相关知识,抑或对于本文即将介绍的功率放大器相关内容具有兴趣,不妨和小编一起往下探索哦。 一、功率放大器的技术指标 1.额定功率 是指连续的正弦波功率,在1kHz正弦波输入及一定的负载下,谐波失真小于1%所输出的功率,表示成W/CH(瓦/声道),一般来
晶体管
21IC . 2020-11-22 1415
半导体产业发展正面临什么样的问题?
软件工程师们一直非常依赖摩尔定律来提高半导体的处理能力,但不断增加的MIPS现在已经接近尾声。半导体工业面临什么问题,软件工程师为什么不能依赖于减少指令周期,软件应该如何适应计算机体系结构的变化? 为什么摩尔定律会结束? 自从第一个晶体管问世以来,每两年在一个芯片上增加一倍晶体管数量的能力基本上决定了电子技术的能力。这种效应被称为摩尔定律,它极大地成就了CPU行业,每次CPU迭代都包含更多的晶体管
芯片
贤集网 . 2020-11-02 1205
AMD三款新显卡的性能已远超上一代产品
AMD的CEO苏姿丰在发布会上正式公布了RX 6000系列显卡,首批推出的型号共三款,分别为RX 6800、RX 6800XT和RX 6900XT,三款型号均基于RDNA 2架构,采用Navi 21核心,每个核心拥有268个晶体管,可以说是目前最强的显卡核心之一。 根据AMD Radeon技术事业部工程研发高级副总裁David Wang(王启尚)的介绍,RDNA 2架构原定的任务目标是将性能提升至
处理器
IT168 . 2020-10-30 1295
为什么晶体管在电路中用作开关?
在本文中,我们介绍如何连接晶体管,使其可以用作电路中的开关。 晶体管是可以起两个关键作用的组件。它可以用作开关和放大器。很多时候,它在电路中起着很大作用。 为什么晶体管被用作开关 在讨论如何进行接线之前,让我们先介绍一下为什么晶体管在电路中用作开关。 有很多不同种类的开关,以下陈列的是各种开关: 按钮开关,翘板开关,滑动开关,DIP开关,按键开关,拨动开关,刀开关,它们的功能与晶体管相同,它们在电
led
贤集网 . 2020-10-26 865
DAC输出在高阻抗模式中被加电的问题分析
该篇将分析对象限定为一个DAC,其中的输出缓冲器在正常模式下被加电:零量程或中量程。文章将分析一下DAC输出在高阻抗模式中被加电的情况。同时提出一个针对加电毛刺脉冲的数学模型,随后给出一个尽可能减少此毛刺脉冲的电路板级解决方案。 原理 图1:DAC8760高精度DAC输出级 这个分析与没有加电毛刺脉冲减少 (POGR) 电路的DAC有关。第一部分列出了影响加电毛刺脉冲的因素。当DAC在电源斜升期间
二极管
德州仪器 . 2020-10-23 1455
浅谈运放电路的输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios
模型图 众所周知,理想运放是没有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios 的。但每一颗实际运放都会有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios 。我们可以用下图 1 中的模型来说明它们的定义。 图 1 模型图 定义 由于运放两个输入极都有漏电流的存在。我们可以理解为,理想运放的各个输入端都串联进了一个电流源,正相输入端表示为:Ib+,反向输入端定义为:Ib-。这两个电流源的电流值一般为不相同。也就是说,实际
运放电路
面包板社区 . 2020-10-23 1255
GPIO工作模式的八种模式电路图解析
共8种工作模式,4种输入,1.输入浮空模式2.输入上拉模式 3.输入下拉模式4.模拟输入模式 4种输出模式:开漏输出、开漏复用功能、推挽输出、推挽复用输出 ps:mos管就是场效应管,三极管有的时候也叫晶体管。场效应管为电压驱动,mos管为电流驱动,mos管不会有电流流入或者流出控制端,而晶体管会有。 ps:下图中vss为负电压 1.输入浮空模式 无上下拉电阻,
MOS管
博客园 . 2020-10-18 1495
解析TTL与CMOS的优缺点
知道“场效应晶体管”的专利至少比双极晶体管的发明早了20年,这可能会令人惊讶。然而,双极型晶体管在商业上的普及速度更快,第一块由双极晶体管制成的芯片出现在20世纪60年代,随着MOSFET制造技术在80年代得到完善,并很快超过了双极晶体管。 1947年点接触晶体管发明后,事情开始迅速发展。第一个双极晶体管是在第二年发明的。然后在1958年,杰克·基尔比发明了第一个集成电路,在同一个芯片上安装了一个
芯片
贤集网 . 2020-10-16 980
我们如何使用专利互连来设计eFPGA?
当我们启动Flex Logix时,eFPGA面临的挑战是有许多客户和应用程序,他们似乎都希望eFPGA位于不同的代工厂,不同的节点和不同的阵列大小。每个人都希望eFPGA与在同一节点上的FPGA领导者一样快且密度高。哦,客户似乎要等到最后一刻,才需要尽快使用eFPGA。 Xilinx和Altera(现在为Intel PSG)需要大约3年的时间,需要数十或数百个人才能在新的工艺节点中推出新的FPGA
fpga
贤集网 . 2020-10-09 1000
如何调整大约50V的运算放大器
如今,有许多模拟电路对话都集中在低功耗和低电压方面。当然,这对运算放大器来说很有意义,因为这些基本的模拟单元电路经常被用作1V以内低电平传感器信号的缓冲器或放大器。 尽管如此,仍有大量模拟电源相关的电路专门用于实现较高电压的控制。在某些情况下,这是个支持高效输电的问题,因为在给定的功率水平下,较高的电压会需要较小的电流,因此产生的IR电压降和I2R功率损耗也较小。但是,对于许多这些较高电压的应用来
运算放大器
电子技术设计 . 2020-10-09 1 1250
先进制程的高成本如何影响半导体和AI发展?
乔治敦大学沃尔什外交学院安全与新兴技术中心(CSET)的两位作者编写的一份题为《AI Chips: What They Are and Why They Matter》的报告,借助模型预估得出,台积电每片5nm晶圆的收费可能约为17,000美元,是7nm的近两倍。 该报告同时估计,每片300mm直径的晶圆通常可以制造71.4颗5nm芯片,这让无晶圆芯片公司的制造成本达到每颗238美元(约为1642
芯片
雷锋网 . 2020-09-28 1540
Ambiq Micro公司Apollo系列微控制器,支持安全启动和安全密钥存储
9月23日消息,Ambiq Micro的亚阈值功率优化技术(SPOT)将晶体管的功耗修剪到最低,从而实现了极低功耗系统。该公司在其Apollo系列微控制器中采用了TurboSPOT,其最新的化身是基于Arm Cortex-M4的Apollo4,它的运行频率高达192 MHz,同时使用3 µW/MHz。这相当于之前版本使用的一半,比业界平均水平低10倍。该芯片由台积电采用其22-nm ULL(超低漏
微控制器
贤集网 . 2020-09-25 1745
半导体产业的发展历程回顾
半导体和集成电路的历史 半导体的诞生历史可以追溯到1874年发明整流器(AC-DC转换器)。几十年后,美国贝尔实验室的Bardeen和Brattain 于1947年发明了点接触晶体管,而Shockley在1948年发明了结型晶体管,这预示着晶体管时代的到来。1946年,美国宾夕法尼亚大学使用真空管制造了一台计算机。这台计算机很大,以致其真空管占据了整个建筑物,并且消耗了大量的电能并产生了大
集成电路
贤集网 . 2020-09-21 1075
SMD封装有哪几种类型?
表面贴装设备(SMD)包含电子工程师在日常工作中使用的各种电子组件。本文将为涉及或对各自行业的电子组件采购感兴趣的工程师提供对SMD封装类型,尺寸和相关标准的基本了解。 电子元器件行业的包装标准 表面贴装技术(SMT)封装标准有助于标准化表面贴装组件的物理尺寸(即尺寸调整),从而简化组装和安装。业界最受认可的标准组织是JEDEC和EIA,下面将进行介绍。 JEDEC- JEDEC固态技术协会是半导
集成电路
贤集网 . 2020-09-16 1235
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