• 查一下
  • 开通会员
  • 英诺赛科100V车规级新品+1，持续推进汽车激光雷达市场

    英诺赛科100V车规级新品+1，持续推进汽车激光雷达市场

    英诺赛科已推出适用于自动驾驶激光雷达系统的100V车规级氮化镓芯片 INN100W135A-Q（AEC-Q101认证），目前已在多个终端客户中导入设计。

    英诺赛科

    英诺赛科 . 2024-07-26 4620

  • 德州仪器推出先进的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高压电机

    德州仪器推出先进的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高压电机

    650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术，助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器达到99%以上效率。  得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了对外部散热器的需求，工程师可以将解决方案尺寸缩减多达 55%。     中国上海（2024 年 6 月 18 日）– 德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）推出了适用于 250W 电机驱动器应用的先进 650V

    TI

    芯查查资讯 . 2024-06-18 3870

  • Power Integrations将收购Odyssey Semiconductor的资产

    Power Integrations将收购Odyssey Semiconductor的资产

    交易支持高压、大功率氮化镓技术的持续发展

    PI

    芯查查资讯 . 2024-05-08 2776

  • 瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容

    瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容

    增强瑞萨宽禁带专业知识和产品路线图发展，以应对电动汽车、数据中心、人工智能电源以及可再生能源快速增长的市场机遇   Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞萨CEO柴田英利   1月11日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”）于今天宣布双方已达成最终协议，根据该

    瑞萨电子

    瑞萨电子 . 2024-01-11 2 14 5669

  • 意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值

    意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值

      2023年12月15日，中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。       意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能

    GaN

    意法半导体 . 2023-12-18 2210

  • Power Integrations推出1250V氮化镓开关IC

    Power Integrations推出1250V氮化镓开关IC

      ECCE 2023，田纳西州纳什维尔 - 2023年10月30日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN™开关技术。InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/

    GaN

    PI . 2023-11-01 1 3030

  • 国内GaN器件厂商名录

    国内GaN器件厂商名录

    GaN材料的研究和应用是半导体研究的前沿和热点，因其独特的材料特性，GaN的应用主要集中在光电器件，射频器件，功率器件三大领域。 本期推文简要地盘点国内做 GaN器件 的企业， 如以下名录有所遗漏，欢迎到芯查查公众号后台留言补充。   

    原创

    芯查查热点 . 2023-09-18 4 22 8022

  • 日本新技术将GaN材料成本降90%

      据日经中文网，日本最大的半导体晶圆企业信越化学工业和从事ATM及通信设备的OKI开发出了以低成本制造使用氮化镓(GaN)的功率半导体材料的技术。制造成本可以降至传统制法的十分之一以下。如果能够量产，用于快速充电器等用途广泛，有利于普及。   功率半导体装入充电器、小型家电以及连接纯电动汽车(EV)马达与电池的控制装置，用于控制电力等。如果使用GaN，可以控制大量的电力。   根据TrendFo

    快讯

    芯闻路1号 . 2023-09-06 2 2433

  • 意法半导体量产PowerGaN器件

    意法半导体量产PowerGaN器件

      8月3日，意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。   该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5

    快讯

    芯闻路1号 . 2023-08-03 1 2834

  • 机构：投资和并购将是驱动功率SiC和GaN生态巨变的重要因素

    机构：投资和并购将是驱动功率SiC和GaN生态巨变的重要因素

      分析机构Yole Intelligence表示，由于大量的投资和并购活动，功率SiC和GaN生态系统正在经历重大变革。   SiC和GaN两种半导体自2018-2019年以来在市场一直快速演变，但现在其增长背后有不同的推动因素。像意法半导体（STMicroelectronics）、英飞凌科技（Infineon Technologies）、Wolfspeed、安森美半导体（onsemi）和罗姆半

    快讯

    芯闻路1号 . 2023-07-04 2665

  • 国博电子“5G应用GaN芯片和模块研发及产业化”项目通过验收

    国博电子“5G应用GaN芯片和模块研发及产业化”项目通过验收

      近日，国博电子“面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化”项目通过验收。   消息显示，该项目针对面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化，开发了基站应用的GaN芯片及模块的设计技术、宽带预匹配技术、自动封测批产技术，以及GaN器件的模型提取、Doherty准单片电路设计以及数字预失真处理技术，形成了输出功率几瓦至几百瓦的系列产品并实现了批量应用。   产业化建设方面，配置了多台套GaN芯

    芯片

    芯闻路1号 . 2022-08-30 1 2094

  • 新一代半导体材料氧化镓应用研究

         在所有其他参数相同的情况下，对于电子应用，宽带隙(WBG)半导体优于窄带半导体(如硅)，因为导带和价带之间的大能量分离允许这些器件在高温和较高电压下工作。例如，与行业巨头硅1.1eV的相对窄带隙相比，氮化镓(GaN)的带隙为3.4eV。   带隙测量将电子推入导电状态需要多少能量；更大的带隙使材料能够承受更强的电场，因此与由带隙较低的材料组成的部件相比，组件可以更薄(对于给定的电压)、更

    GaN

    华林科纳hlkn . 2022-03-29 2945

  • DB HiTek将改进8英寸半导体工艺

      1月6日消息，据韩媒报道，韩国晶圆代工厂DB HiTek 将生产基于新型半导体晶圆沉积技术（Gan-On-Si）的 8 英寸半导体。它是一种使用“硅上氮化镓”(GaN-On-Si) 技术在硅晶片上沉积 GaN 材料薄膜的技术。GaN 是下一代半导体材料，可提高通信设备、电动汽车快速充电器和太阳能转换器的电源效率。   应用 GaN-On-Si 技术时，由于有利于在硅晶片上沉积 GaN，预计可以

    DB HiTek

    芯闻路1号 . 2022-01-06 5 3188

  • 安世半导体拟投资7亿美元，扩大欧洲和亚洲产能

    据悉，荷兰安世半导体(Nexperia)计划在未来12~15个月内投资7亿美元，扩大在欧洲和亚洲的产能。从2022年中起，Nexperia拟将其德国晶圆厂产能从每月3.5万片晶圆提高20%。英国晶圆厂的产能将从每月2.4万片晶圆增加10%。 7亿美元的投资将确保提供所需技术和制造能力，以支持不断成长的需求并交付产品。这些投资符合Nexperia在疫情大流行之前制定的国际扩张和增加市占的策略。Nex

    安世半导体

    中国闪存市场 . 2021-06-24 1935

  • 报告丨《第三代半导体之GaN研究框架》

    5G 通信对射频前端有高频、高效率等严格要求，数据流量高速增长使得调制解调难度不断增加，所需的频段越多，对射频前端器件的性能要求也随之加高；载波聚合技术的出现，更是促使移动基站、智能手机对射频前端器件的需求翻倍，给 GaN 发展带来新契机。   GaN 作为一种宽禁带材料，和硅等传统半导体材料相比，能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。仍结构上看，Si 是垂直型的结构，GaN 是平面型的结构

    半导体

    -- . 2020-12-22 2465

  • GaN功率级设计的散热注意事项

    摘要 在任何电力电子转换器中，热设计都是一项重要的考虑因素。热设计经优化后，工程师能够将GaN用于各种功率级别、拓扑和应用中。此应用手册论述了TILMG341XRxxxGaN功率级系列非常重要的权衡标准和注意事项，包括PCB布局、热界面、散热器选择和安装方法指南。还将提供使用50mΩ和70mΩGaN器件的设计示例。 1简介 GaNFET实现了高频电源转换器设计。凭借出色的开关特性和零反向恢复损耗，

    GaN

    厂商供稿 . 2020-12-10 1465

  • Qorvo®推出高性能BAW滤波器，支持Band 41频段5G基站部署

    在全球范围内实现5G和Wi-Fi的共存。 中国 北京，2020年9月24日——移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®， Inc.（纳斯达克代码：QRVO）日前宣布推出一款高性能n41子频段5G体声波（BAW）滤波器--- QPQ1298，适用于基站基础设施、小型基站和中继器等应用。Qorvo最新的BAW滤波器在紧凑的尺寸中融合了低插损的特点和出色的带外抑制性能

    5G基站

    厂商供稿 . 2020-09-26 1685

  • UCSB团队利用外延隧道结制备高性能InGaN Micro LED

    Micro LED的发光效率会随着尺寸微缩而下降，从而导致检测与维修问题增多，这是Micro LED面临的关键技术难题之一。鉴于此，相关技术研究员尝试在外延片生产阶段提高Micro LED的效率。 据报道，加州大学圣塔芭芭拉分校（University of California， Santa Barbara，UCSB）携手诺贝尔奖得主中村修二先生（Shuji Nakamura）最近发表了一篇论文，

    MicroLED

    LEDinside . 2020-07-24 1540

  • 加拿大开发一种将Micro LED转移并粘合到柔性基板上的新方法

    加拿大滑铁卢大学的研究人员报告说，他们创造了一种将Micro LED转移并粘合到柔性基板上的新方法。 研究人员将这种方法称为“粘贴和剪切（paste-and-cut）”，该方法可以将GaN Micro LED从蓝宝石衬底选择性转移到柔性平台上。研究结果发表在2020年7月的Nano Energy上。 研究团队展示了他们使用新颖的“粘贴和剪切”方法将GaN Micro LED转移并结合到柔性基板上的

    MicroLED

    LEDinside . 2020-07-22 1315

  • ALLOS与KAUST即将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED

    据报道，德国硅基氮化镓专家ALLOS Semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）研究团队达成合作，双方将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED。 据了解，大晶格失配（lattice mismatch ）和量子限制斯塔克效应（quantum-confined Stark effect，QCSE）等问题限制了红色氮基LED在实际工业应用中的使用，而ALLOS与K

    硅

    LEDinside . 2020-07-22 1155

  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
13456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263646566676869707172737475767778