• 查一下
  • 开通会员
  • Power Integrations推出1250V氮化镓开关IC

    Power Integrations推出1250V氮化镓开关IC

      ECCE 2023，田纳西州纳什维尔 - 2023年10月30日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN™开关技术。InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/

    GaN

    PI . 2023-11-01 1 2865

  • 国内GaN器件厂商名录

    国内GaN器件厂商名录

    GaN材料的研究和应用是半导体研究的前沿和热点，因其独特的材料特性，GaN的应用主要集中在光电器件，射频器件，功率器件三大领域。 本期推文简要地盘点国内做 GaN器件 的企业， 如以下名录有所遗漏，欢迎到芯查查公众号后台留言补充。   

    原创

    芯查查热点 . 2023-09-18 4 22 7780

  • 日本新技术将GaN材料成本降90%

      据日经中文网，日本最大的半导体晶圆企业信越化学工业和从事ATM及通信设备的OKI开发出了以低成本制造使用氮化镓(GaN)的功率半导体材料的技术。制造成本可以降至传统制法的十分之一以下。如果能够量产，用于快速充电器等用途广泛，有利于普及。   功率半导体装入充电器、小型家电以及连接纯电动汽车(EV)马达与电池的控制装置，用于控制电力等。如果使用GaN，可以控制大量的电力。   根据TrendFo

    快讯

    芯闻路1号 . 2023-09-06 2 2273

  • 意法半导体量产PowerGaN器件

    意法半导体量产PowerGaN器件

      8月3日，意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。   该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5

    快讯

    芯闻路1号 . 2023-08-03 1 2749

  • 机构：投资和并购将是驱动功率SiC和GaN生态巨变的重要因素

    机构：投资和并购将是驱动功率SiC和GaN生态巨变的重要因素

      分析机构Yole Intelligence表示，由于大量的投资和并购活动，功率SiC和GaN生态系统正在经历重大变革。   SiC和GaN两种半导体自2018-2019年以来在市场一直快速演变，但现在其增长背后有不同的推动因素。像意法半导体（STMicroelectronics）、英飞凌科技（Infineon Technologies）、Wolfspeed、安森美半导体（onsemi）和罗姆半

    快讯

    芯闻路1号 . 2023-07-04 2535

  • 国博电子“5G应用GaN芯片和模块研发及产业化”项目通过验收

    国博电子“5G应用GaN芯片和模块研发及产业化”项目通过验收

      近日，国博电子“面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化”项目通过验收。   消息显示，该项目针对面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化，开发了基站应用的GaN芯片及模块的设计技术、宽带预匹配技术、自动封测批产技术，以及GaN器件的模型提取、Doherty准单片电路设计以及数字预失真处理技术，形成了输出功率几瓦至几百瓦的系列产品并实现了批量应用。   产业化建设方面，配置了多台套GaN芯

    芯片

    芯闻路1号 . 2022-08-30 1 1949

  • 新一代半导体材料氧化镓应用研究

         在所有其他参数相同的情况下，对于电子应用，宽带隙(WBG)半导体优于窄带半导体(如硅)，因为导带和价带之间的大能量分离允许这些器件在高温和较高电压下工作。例如，与行业巨头硅1.1eV的相对窄带隙相比，氮化镓(GaN)的带隙为3.4eV。   带隙测量将电子推入导电状态需要多少能量；更大的带隙使材料能够承受更强的电场，因此与由带隙较低的材料组成的部件相比，组件可以更薄(对于给定的电压)、更

    GaN

    华林科纳hlkn . 2022-03-29 2525

  • DB HiTek将改进8英寸半导体工艺

      1月6日消息，据韩媒报道，韩国晶圆代工厂DB HiTek 将生产基于新型半导体晶圆沉积技术（Gan-On-Si）的 8 英寸半导体。它是一种使用“硅上氮化镓”(GaN-On-Si) 技术在硅晶片上沉积 GaN 材料薄膜的技术。GaN 是下一代半导体材料，可提高通信设备、电动汽车快速充电器和太阳能转换器的电源效率。   应用 GaN-On-Si 技术时，由于有利于在硅晶片上沉积 GaN，预计可以

    DB HiTek

    芯闻路1号 . 2022-01-06 5 3088

  • 安世半导体拟投资7亿美元，扩大欧洲和亚洲产能

    据悉，荷兰安世半导体(Nexperia)计划在未来12~15个月内投资7亿美元，扩大在欧洲和亚洲的产能。从2022年中起，Nexperia拟将其德国晶圆厂产能从每月3.5万片晶圆提高20%。英国晶圆厂的产能将从每月2.4万片晶圆增加10%。 7亿美元的投资将确保提供所需技术和制造能力，以支持不断成长的需求并交付产品。这些投资符合Nexperia在疫情大流行之前制定的国际扩张和增加市占的策略。Nex

    安世半导体

    中国闪存市场 . 2021-06-24 1810

  • 报告丨《第三代半导体之GaN研究框架》

    5G 通信对射频前端有高频、高效率等严格要求，数据流量高速增长使得调制解调难度不断增加，所需的频段越多，对射频前端器件的性能要求也随之加高；载波聚合技术的出现，更是促使移动基站、智能手机对射频前端器件的需求翻倍，给 GaN 发展带来新契机。   GaN 作为一种宽禁带材料，和硅等传统半导体材料相比，能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。仍结构上看，Si 是垂直型的结构，GaN 是平面型的结构

    半导体

    -- . 2020-12-22 2155

  • GaN功率级设计的散热注意事项

    摘要 在任何电力电子转换器中，热设计都是一项重要的考虑因素。热设计经优化后，工程师能够将GaN用于各种功率级别、拓扑和应用中。此应用手册论述了TILMG341XRxxxGaN功率级系列非常重要的权衡标准和注意事项，包括PCB布局、热界面、散热器选择和安装方法指南。还将提供使用50mΩ和70mΩGaN器件的设计示例。 1简介 GaNFET实现了高频电源转换器设计。凭借出色的开关特性和零反向恢复损耗，

    GaN

    厂商供稿 . 2020-12-10 1360

  • Qorvo®推出高性能BAW滤波器，支持Band 41频段5G基站部署

    在全球范围内实现5G和Wi-Fi的共存。 中国 北京，2020年9月24日——移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®， Inc.（纳斯达克代码：QRVO）日前宣布推出一款高性能n41子频段5G体声波（BAW）滤波器--- QPQ1298，适用于基站基础设施、小型基站和中继器等应用。Qorvo最新的BAW滤波器在紧凑的尺寸中融合了低插损的特点和出色的带外抑制性能

    5G基站

    厂商供稿 . 2020-09-26 1530

  • UCSB团队利用外延隧道结制备高性能InGaN Micro LED

    Micro LED的发光效率会随着尺寸微缩而下降，从而导致检测与维修问题增多，这是Micro LED面临的关键技术难题之一。鉴于此，相关技术研究员尝试在外延片生产阶段提高Micro LED的效率。 据报道，加州大学圣塔芭芭拉分校（University of California， Santa Barbara，UCSB）携手诺贝尔奖得主中村修二先生（Shuji Nakamura）最近发表了一篇论文，

    MicroLED

    LEDinside . 2020-07-24 1420

  • 加拿大开发一种将Micro LED转移并粘合到柔性基板上的新方法

    加拿大滑铁卢大学的研究人员报告说，他们创造了一种将Micro LED转移并粘合到柔性基板上的新方法。 研究人员将这种方法称为“粘贴和剪切（paste-and-cut）”，该方法可以将GaN Micro LED从蓝宝石衬底选择性转移到柔性平台上。研究结果发表在2020年7月的Nano Energy上。 研究团队展示了他们使用新颖的“粘贴和剪切”方法将GaN Micro LED转移并结合到柔性基板上的

    MicroLED

    LEDinside . 2020-07-22 1195

  • ALLOS与KAUST即将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED

    据报道，德国硅基氮化镓专家ALLOS Semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）研究团队达成合作，双方将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED。 据了解，大晶格失配（lattice mismatch ）和量子限制斯塔克效应（quantum-confined Stark effect，QCSE）等问题限制了红色氮基LED在实际工业应用中的使用，而ALLOS与K

    硅

    LEDinside . 2020-07-22 1030

  • 意法半导体与台积电携手合作，提高氮化镓产品市场采用率

    加快先进功率氮化镓解决方案的开发和上市 充分利用意法半导体的汽车市场专业知识和台积电的世界领先的制造技术 改进宽带隙产品的能效，使功率转换应用获得更高能效 中国，2020年2月24日 – 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST; 纽约证券交易所代码：STM）与世界上最大的专业半导体代工企业台积电（TWSE:2330， NYSE： TS

    GaN

    未知 . 2020-02-24 1520

  • Si衬底GaN基功率开关器件的发展状况

    在电力电子控制系统中，为了保证系统失效安全，器件必须具备常关型的工作特性。通常对于Si衬底上GaN基功率开关器件，主流技术是利用Al-GaN/GaN异质结构界面处高浓度、高迁移率的 2DEG工作，使器件具有导通电阻小、开关速度快的优点。然而，这种AlGaN/GaNHFET即使在外加栅压为0的情况下，其器件也处于开启状态。如何实现高性能的常关型操作是GaN功率开关器件面临 的一个重要挑战。 实现常关

    GaN

    YXQ . 2019-08-01 865

  • 干货 | GaN在开关电源设计中的应用

    随着工艺的进步和缺陷率的不断降低，GaN在交直流电力转换、改变电压电平、并且以一定数量的函数确保可靠电力供应的电子电源中的优势越来越明显。电源设计人员正在重新思考电路的设计，试图寻找能充分发挥全新GaN晶体管潜能又能避免负面影响的方法来创造电源系统。思考这类问题时通常的思路是在现有组件中寻找解决方案—GaN开关，Si开关驱动器，高速开关控制器，以及功率电感器、变压器和电容器等总体设计中的部件。生产

    开关电源

    YXQ . 2019-08-01 1520

  • 技术 | 东北大学团队开发出低电流下也可高效发光的GaN Micro LED!

    产业技术综合研究所（产总研）和东北大学于2019年7月宣布，他们开发了一种在电流密度较低情况下也能保持发光效率的GaN（氮化镓）Micro LED。他们试做的GaN Micro LED尺寸仅为6μm见方，如果把这款GaN Micro LED以较高的密度排列的话，就可以获得高效率、高分辨率的Micro LED显示屏。 也适应于分辨率为2000ppi以上的显示屏 此次研究成果得益于以下成员：产总研氮化

    低电流

    YXQ . 2019-07-15 1290

  • 生成对抗网络 vs 图像水印,去除效果理想

    当前互联网飞速发展，越来越多的公司、组织和个人都选择在网上展示和分享图像。为了保护图像版权，大家都会选择在图像上打上透明或者半透明的水印。随着水印被广泛地使用，针对水印的各种处理技术也在不断发展，如何有效去除图像上的水印引发了越来越多人的研究兴趣。 今天的文章中，我们会介绍一种更为强大的水印去除器。这次我们借助生成对抗网络来实现，进一步提升水印去除器的性能，从而达到更为理想的去除效果。 生成对抗网

    水印

    YXQ . 2019-06-26 995

  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
1345678910111213141516171819202122232425262728293031323334353637383940414243444546474849505152535455565758596061626364656667686970717273