技术 | 采用 GaN 的 Cyclo 转换器如何帮助优化微型逆变器和便携式电源设计
微型逆变器和便携式电源的普及度持续增长，部分原因是人们对更具可持续性且灵活的电源解决方案的需求不断增加。随着最近推出阳台型逆变器（该产品将微型逆变器与小型电池储能系统结合在一起），这两种技术的普及率可能会进一步提升。 本技术文章概述了一种新型单级转换器（称为“cyclo 转换器”），它使微型逆变器和便携式电源的实施更加高效，体积更小，同时还降低了成本。 简介 微型逆变器中的功率转换系统通常采
TI
德州仪器 . 2025-08-19 1190
企业 | 华虹收购华力微
8月17日晚间，华虹公司 发布公告，为解决IPO承诺的同业竞争事项，公司正在筹划以发行股份及支付现金的方式购买上海华力微电子有限公司（简称“华力微”）控股权，同时配套募集资金。据悉，本次收购标的资产为华力微所运营的与华虹公司65/55nm和40nm存在同业竞争的资产（华虹五厂）所对应的股权。目前，该标的资产正处于分立阶段。 于2023年华虹公司科创板上市之初，华虹集团发布了《关于避免同业竞争
英诺赛科
芯榜 . 2025-08-18 1725
产品 | 英诺赛科第三代700V GaN全面上市，能效提升30%，热管理升级！
英诺赛科(Innoscience)，全球氮化镓(GaN)功率半导体领导者今日宣布其第三代(Gen3) 700V 增强型氮化镓功率器件系列正式全面上市！该系列凭借更小尺寸、更快开关速度、更高效率的显著优势，在关键性能指标上实现突破性进展，为电源系统设计树立新标杆。 核心性能跃升 (相较Gen2.5) 芯片面积缩减30%：通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，助力实现更高功率密度设计 开关
英诺赛科
英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-08-18 2180
产品 | 英诺赛科发布100V低边驱动IC，拓展VGaN™生态系统
英诺赛科 (Innoscience) 双向 VGaN™提供高可靠性、高性能和高性价比，可支持新型双向电力电子系统。它取代了传统的背靠背 Si MOSFET，显著降低了功率损耗，提高了开关速度，并缩小了电源系统的尺寸，降低了 BOM 成本。 当前，我们正在扩展组件生态系统，通过100V 低边驱动 IC INS1011SD 支持 VGaN™。 INS1011SD + VGaN™ 使 BMS 系统
英诺赛科
英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-08-08 1185
技术 | 如何提升半桥 GaN 驱动器性能？PCB布局很关键
本文重点介绍了由100 V半桥氮化镓(GaN)驱动器驱动的半桥GaN转换器的有效设计实践，着重探讨如何降低电压振铃并提升热性能。100 V GaN驱动器用于优化GaN FET的性能，充分发挥GaN FET的优势并提供稳健的过压保护。 近年来，氮化镓(GaN)技术凭借其相较于传统硅MOSFET的优势，包括更低的寄生电容、无体二极管、出色的热效率和紧凑的尺寸，极大地改变了半导体行业。GaN器件变得越来
ADI
ADI智库 . 2025-08-07 1 1225
企业 | 英诺赛科与联合电子成立氮化镓 (GaN) 技术联合实验室致力于新能源汽车电力电子系统开发
联合实验室致力于基于GaN的系统设计，构建新能源汽车电力电子系统的未来 英诺赛科利用联合汽车电子的专业系统知识，改进GaN技术 全球领先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化镓）制造供应商英诺赛科（香港联交所代码：02577.HK）与联合汽车电子（以下简称：联合电子）宣布成立联合实验室，利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方在联合电子（苏州研发中心）举行了
英诺赛科
英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-07-30 1 8953
技术丨高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益
随着汽车、工业和机器人应用对效率、功率密度和可靠性的要求不断提高，功率半导体技术也取得了长足的发展。氮化镓（GaN）和低压MOSFET是推动这一发展的两项最具影响力的创新。Renesas一直处于这些进步技术的最前沿，为这些要求苛刻的行业提供量身定制的高性能解决方案。在这里，我想探讨GaN和MOSFET在这些应用中的作用、它们的优势和挑战，并探讨一些行业用例。 GaN和Cascode D-Mode架
瑞萨
Renesas瑞萨电子 . 2025-07-24 1 920
技术 | 从欠阻尼到过阻尼：一文看懂GaN栅极波形如何“翻身”
增强型GaN HEMT具有开关速度快、导通电阻低、功率密度高等特点，正广泛应用于高频、高效率的电源转换和射频电路中。但由于其栅极电容小，栅极阈值电压低（通常在1V到2V之间）、耐受电压低（通常-5V到7V）等特点，使得驱动电路设计时需格外注意，防止开关过程中因误导通或振荡而导致器件失效。 为应对这一挑战，本文深入分析GaN HEMT在开通与关断时的振荡机制，通过合理配置驱动电阻与栅源间RC吸收支路
纳芯微
纳芯微电子 . 2025-07-24 1 775
产品 | 功率密度跃升50%！英诺赛科SolidGaN重塑电源设计天花板
全球领先的氮化镓 (GaN) 供应商英诺赛科 (Innoscience) 发布4款基于 700V SolidGaN平台新品：ISG6123TA / ISG6123TP / ISG6124TA / ISG6124TP，采用TOLL，TOLT主流大功率器件封装，兼容传统控制器和驱动器应用生态，实现简单易用。 当前，服务器电源向更高功率爬升（从2kW到6kW）、光伏逆变器追求99%效率、车载OBC挑战3
英诺赛科
英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-07-15 1030
方案 | 告别散热器！英诺赛科发布 300W GaN 电机驱动评估板
随着工业 4.0 时代的到来，工厂基础设施不断升级，产能不断扩大，推动了该领域的快速增长。此外，家用电器也必须满足更高的效率和可靠性标准。英诺赛科凭借全球高可靠性的氮化镓，为电源系统设计人员提供了提高效率、减小尺寸和降低 BOM 成本的最有效方法。 全球领先的 GaN（氮化镓）功率半导体供应商英诺赛科推出了 700V INN700TK350B GaN，可轻松替代 MOS 或 IGBT 解决方
英诺赛科
英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-06-30 920
产品 | 英诺赛科顶部冷却En-FCLGA封装产品将彻底改变太阳能和储能应用
100V 新品发布 全球领先的氮化镓 (GaN) 供应商英诺赛科 (Innoscience) 宣布推出两款基于 100V 双冷却 En-FCLGA 封装的新产品：INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD，可实现太阳能微型逆变器、储能系统 (ESS)（直流输入）和最大功率点跟踪 (MPPT) 优化器的最高效率。 两款新品 INN100EA050DAD 和 INN100EA070
英诺赛科
英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-06-25 775
产品 | 首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。 新产品是ROHM首款面向高耐压GaN HEMT的隔离型栅极驱动器IC。在电压反复急剧升降的开关工作中，使用本
罗姆
罗姆半导体集团 . 2025-06-04 905
方案 | 基于IVCC1104和 ICeGaN®的2.5kW图腾柱无桥PFC方案
近期，碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案领先供应商瞻芯电子与Cambridge GaN Devices(CGD)合作，基于成熟的2.5kW CCM模式图腾柱无桥PFC参考设计，仅简单改动：把原功率器件换成集成驱动和GaN器件的ICeGaN®产品，其测试表现稳定，效率高达98.7%。该方案的成功，不仅再次验证了基于模拟控制芯片（IVCC110x)的图腾柱PFC电路的简单、高效，而且表明ICeGa
瞻芯电子
瞻芯电子 . 2025-05-21 1850
方案 | 革新AI算力基建：1.2kW 48V GaN方案突破数据中心PUE局限
随着AI 算力需求的指数级增长，其供电解决方案正面临高密度化、智能化和低碳化的核心诉求。氮化镓芯片以其高频高效、小型化、低损耗的优势，可以大幅提升数据中心供电解决方案的功率密度和效率，支持AGI（通用人工智能）时代的可持续算力革命。 英诺赛科作为全球氮化镓工艺创新与功率制造的领导者，早已在数据中心领域开发了完整的产品系列和全链路氮化镓解决方案。继此前推出的2kW降压电源方案后，英诺赛科宣布针
英诺赛科
英诺赛科 . 2025-05-19 1590
产品 | 德州仪器推出新款电源管理芯片
新款发布的具有电源路径保护功能的 48V 集成式热插拔电子保险丝简化了数据中心设计，助力设计人员达到 6kW 以上的功率水平。 新型集成式氮化镓 (GaN) 功率级采用行业标准的晶体管外形无引线 (TOLL) 封装，将德州仪器的 GaN 和高性能栅极驱动器与先进的保护功能相结合。 近日，德州仪器（NASDAQ 代码：TXN）推出新款电源管理芯片，以满足现代数据中心快速增长的电源需求。随着高性
TI
德州仪器 . 2025-04-11 1230
企业 | 意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议
❖ 双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术。 ❖ 英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛科在中国的制造产能。 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军企业英诺赛科，共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与
ST
意法半导体中国 . 2025-04-01 1765
方案 | 意法半导体65W GaN变换器为注重成本的应用提供节省空间的电源方案
EVLVIPGAN65DF电路板集成变换器芯片、副边同步整流电路和意法半导体的SRK1001自适应控制器，为开发者提供一个24V、65W的电源，并配备完善的安全保护功能，峰值能效大于 93%。
GaN
意法半导体 . 2025-03-27 1120
GaN FET 在人形机器人中的应用
从科幻走入现实，人形机器人正经历一场静默而深刻的技术革命：更高效的能源控制、更精准的运动算法、更高速的通信架构、更智能的环境感知能力......这些变革正在重塑机器人的“骨骼”、“神经”与“感官”。 引言 人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散
TI
德州仪器 . 2025-02-20 1830
650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装
同时加快车载GaN器件的开发速度，以尽快投入量产
罗姆
罗姆 . 2025-02-14 1 4 2120
回顾&展望 | PI：2024喜忧参半，2025看好家电、GaN
在经历了产能紧缺，芯片缺货，产能过剩之后，2024年半导体产业终于开始走出低迷，与AI相关的产业更是一片繁荣，半导体总体市场涨幅甚至超过双位数。但如果去除AI相关的行业，似乎回暖仍是不如预期。 芯查查采访了数十家半导体上下游企业，本篇采访企业为：Power Integration (简称：PI)。PI是一家高压电源转换领域的半导体器件供应商，产品主要应用领域在清洁能源生态系统，可实现可再生能源
Power Integration
芯查查资讯 . 2025-01-20 2 4 3255
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