• 5G稳步起飞,GaN的成长好时机到了

    在今年的CES上国内多家手机厂商发布了5G手机,从而将5G技术再次推向高潮,全球对5G的呼声越来越高,中国、英国、韩国、美国都已经开始部署5G基站,并展开测试。在5G无线网络中,功率是一个至关重要的因素。如果工程师想不增加面积持续提升功率,只能提高功率密度。 当现有技术出现桎梏时,人们很容易想到通过更先进的材料实现更高的技术指标,GaN进入人们的视线。GaN是直接宽带隙半导体材料,属于第三代半导体

    GaN

    YXQ . 2019-05-04 995

  • 生成对抗网络与其他生成模型之间的权衡取舍是什么?

    根据一些指标显示,关于生成对抗网络(GAN)的研究在过去两年间取得了本质的进步。在图像合成模型实践中的进步快到几乎无法跟上。 但是,根据其他指标来看,实质性的改进还是较少。例如,在应如何评价生成对抗网络(GAN)仍存在广泛的分歧。鉴于当前的图像合成基线标准已经非常高,似乎快达到了饱和,因此我们认为现在思考这一细分领域的研究目标恰逢其时。 在这篇文章中,谷歌大脑团队的 Augustus Odena

    图像

    YXQ . 2019-04-29 910

  • 中国5G氮化镓PA产业及市场格局怎么样?

    GaN 放大器的应用优势 GaN 放大器介绍 GaN 是属于异质结 HEMT(High Electron Mibility Transistro),异质结就是利用一种比 GaN 禁带宽度更高的(Al,Ga)GaN 与 GaN 组合在一起。   由于(Al,Ga)GaN 和 GaN 的异质结存在两种极化效应:自发极化(RSP)和压电极化(RPE),正是由于这两种极化共同作用,所以在(Al,Ga)Ga

    运营商

    -- . 2019-04-10 1635

  • GaN 成实现 5G的关键技术,Qorvo引领5G时代的三大优势

    当我们进入5G时代,需要在更高的通信频段内满足高效率、大带宽、小尺寸、低成本,而实现这些5G目标需要技术和系统设计的不断进步。业内普遍认为GaN将取代传统的半导体材料用于5G网络应用,这项高效、宽带隙、高功率密度、可靠的功率PA技术使网络效率逐年大幅提高。如今,GaN被大量应用于BTS市场领域,并持续呈现上升势态。 3月21日,享誉业界的“功率及化合物半导体国际论坛2019”于SEMICON Ch

    GaN

    YXQ . 2019-04-03 1320

  • 神奇的Anker GaN充电器再次预售!

    开篇一条好消息, 1小时售罄,预售秒光的, Anker GaN充电器, 今日再次开启预售! 上上周,Anker GaN充电器火热开售。 一上架, 北京、上海、广东、武汉仓就抢购一空, 1小时,现有库存售罄! 那,GaN充电器到底有什么魔力, 让安粉蹲点抢购? GaN加持?全兼容?小体积? 不如,看看别人怎么说。 GaN的庐山真面目   暴力拆解GaN充电器过后, 中国数码垂直领域TOP网站 ——《

    充电器

    聂磊 . 2019-03-29 1260

  • 生成对抗网络GAN论文TOP 10,帮助你理解最先进技术的基础

    生成对抗网络 (GAN) 是深度学习中最有趣、最受欢迎的应用之一。本文列出了 10 篇关于 GAN 的论文,这些论文将为你提供一个很好的对 GAN 的介绍,帮助你理解最先进技术的基础。 本文选择的 10 篇 GAN 论文包括: DCGANs Improved Techniques for Training GANs Conditional GANs Progressively Growing GA

    GaN

    lp . 2019-03-20 1460

  • 清华团队首次证明量子计算能利用GAN

    量子计算机虽然强大,但应用领域有限。清华叉院孙麓岩团队在超导电路上实现了量子生成对抗网络,精度高达98.8%,这项工作有望证明量子计算机在图像生成等领域超越经典计算机,将是量子机器学习的又一里程碑。 量子机器学习的新里程碑! 清华大学孙麓岩团队提出了“量子版”的生成对抗网络,并且证明了与经典的对应方法相比,具有潜在的“指数级”优势。 最近,孙麓岩团队的研究登上了Science Advances,论

    GaN

    cc . 2019-02-05 985

  • 北京耐威宣布成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆

    近日,北京耐威科技股份有限公司(以下简称“耐威科技”)发布公告称,其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(以下简称“聚能晶源”)成功研制“8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”,聚能晶源也因此成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的8英寸GaN外延晶圆的生产企业,但当期尚未实现量产。 第三代半导体材料氮化镓有何优势? 据悉,与第二代半导体硅(Si)、砷化镓(Ga

    半导体

    工程师吴畏 . 2018-12-20 1695

  • 在网上如何区别机器人和真人

    目前基本还是要靠验证码,  目前已经用了近20年,但这招以后可能不管用了!中英两国研究人员联合开发了一套基于GAN的验证码AI识别系统,能在0.5秒之内识别出验证码,从  实际测试结果看,可以说宣布了对验证码的“死刑判决”。 在互联网上进行交流时,你如何证明自己是活生生的真人? 这是一个比较棘手的问题,多年来,这个问题的解决方案一直就是“验证码”,就是看看你能够能成功识别一系列机器无法识别的扭曲字

    机器人

    cg . 2018-12-17 1495

  • 一套基于GAN的验证码AI识别系统,能在0.5秒之内识别出验证码

    在网上如何区别机器人和真人?目前基本还是要靠验证码,  目前已经用了近20年,但这招以后可能不管用了!中英两国研究人员联合开发了一套基于GAN的验证码AI识别系统,能在0.5秒之内识别出验证码,从  实际测试结果看,可以说宣布了对验证码的“死刑判决”。 在互联网上进行交流时,你如何证明自己是活生生的真人? 这是一个比较棘手的问题,多年来,这个问题的解决方案一直就是“验证码”,就是看看你能够能成功识

    GaN

    lq . 2018-12-16 985

  • 探析GaN在电源中的应用及未来发展

    GaN可以在电源应用中提供更高的频率与效率,并可在仅有硅材料一半空间与功耗的条件下输出同等的功率。 从如同砖块般的手机到笨重的电视机,电源供应器曾在电子产品中占据相当大的空间,而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。 过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸,但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下,硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人,

    机器人

    cg . 2018-12-12 1340

  • 美国SSDI推出GaN FET 用于航空航天及电力电子系统

    美国固态设备公司(SSDI)推出用于航空航天和国防用高压氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)SGF46E70系列,可用于高效DC-DC、PoL转换器、电机控制器、机器人和自动化。 SGF46E70系列是46A、700V,可选TO-254通孔封装和SMD1表贴封装。SGF15E100是15A、1000V,采用TO-257封装。两个系列均是结合了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和低压硅金属氧

    机器人

    cg . 2018-12-07 1430

  • 一款神器——GANpaint,竟然简单几笔就能成画

    GAN的神奇能力有目共睹。最近,朱俊彦等人在论文中提出了一款神器——GANpaint,竟然简单几笔就能成画。这个神来之“工具”的惊艳效果,引来不少人的惊叹。 有了这款神器,画画不能再简单了! 自从GAN诞生以来,一次一次创造着奇迹:填充纹理、变脸易容。但这一次,这款名叫GANpaint的神器,简单几笔就能成画。 话不多说,上结果: 也难怪网友惊呼:“以后拆楼都不用费劲了!” 那么这款神器如何操作呢

    GaN

    lq . 2018-12-03 1155

  • GaN为何能在5G射频挑战中脱颖而出

    如今,电子业正迈向4G的终点、5G的起点。 后者发展上仍有不少进步空间,但可以确定,新一代无线电网络势必需要更多组件、更高频率做支撑。对此,市研机构Yole发布的「2017年RF功率市场与科技报告」指出,RF功率市场可望以将近二位数的年复合成长率(GAGR)迅速成长;同时,氮化镓(GaN)将逐渐取代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS),成为市场主流技术。 不同材料的能隙与击穿电压对比 现行GaN

    GaN

    未知 . 2018-11-13 1190

  • 5G高频特性将使GaN技术使用领域延伸

    相较目前主流的硅晶圆(Si),第三代半导体材料SiC与GaN(氮化镓)具备耐高电压特色,并有耐高温与适合在高频环境下优势,其可使芯片面积大幅减少,并简化周边电路设计,达成减少模块、系统周边零组件及冷却系统体积目标,GaN应用范围包括射频、半导体照明、激光器等领域。 现行GaN功率元件以GaN-on-SiC及GaN-on-Si两种晶圆进行制造,其中GaN-on-SiC强调适合应用在高温、高频的操作环

    半导体

    网络整理 . 2018-11-05 1470

  • GaN助力运营商和基站OEM实现5G sub-6GHz和mmWave大规模MIMO

    到2021年,估计全球会有更多的人拥有移动电话(55亿),将超过用上自来水的人数(53亿)。与此同时,带宽紧张的视频应用将进一步增加对移动网络的需求,其会占移动流量的78%。使用大规模多输入多输出(MIMO)技术的 5G网络将是支持这种增长的关键。根据Strategy Analytics的数据,预计5G移动连接将从2019年的500万增长到2023年的近6亿。 MIMO技术 如图1所示,单用户MI

    GaN

    未知 . 2018-10-29 1205

  • 硅衬底GaN基LED技术,Micro LED将是晶能光电的重大应用

    因具有超高解析度,高色彩饱和度,纳秒级响应时间以及低功耗等优点,Micro LED成为Apple、Sony、Facebook、Samsung、LG、Osram、Nichia等国际大厂争相布局的新世代显示技术。作为全球硅衬底GaN基LED技术的领跑者,晶能光电最近也将目光投向了Micro LED。 Micro LED芯片路线的选择,必须要考虑到成本、良率、以及和转移/键合工艺的兼容。外延片尺寸越大,

    led

    未知 . 2018-08-27 1270

  • 诺格向美国海军陆战队交付首个GaN G/ATOR系统

    诺格公司表示,已向美国海军陆战队(USMC)交付了首架AN/TPS-80地面/空中任务导向雷达(G/ATOR),其中采用了先进的高功率和高效氮化镓(GaN)天线技术,进一步提高系统性能。 图为四架G/ATOR雷达。 诺格公司在向美国海军陆战队交付了首个GaN G/ATOR系统后,于2017年初向交付了六个低速初始生产(LRIP)系统。使用这六个系统中的两个,海军陆战队在2018年2月取得了空中监视

    雷达

    未知 . 2018-08-21 1075

  • 电源设计趋势逐渐转向GaN晶体管

    经过大量实践检验,已被证明安全可靠的硅MOSFET已经成为电源电路设计的中流砥柱,但随着基于氮化镓的最新功率器件技术的发展,电源设计的趋势正逐渐转向GaN晶体管。 硅功率MOSFET电源晶体管多年来一直是电源设计的中流砥柱。时至如今,尽管硅MOSFET仍被广泛使用,但在某些新的设计中,氮化镓(GaN)晶体管已经开始逐渐取代硅MOSFET。随着GaN技术的最新发展,再加上经过大量优化的GaN器件和驱

    MOSFET

    未知 . 2018-08-06 1120

  • 可用于卫星通讯的功率放大器

    目前而言最先进的商业卫星以100-200Mbps的速度传输于地球,而对于一些先进的大型单一卫星概念目标为1至4Gbps。这些速率数据很大程度受限于制作信号传输器的射频功率放大器。Akash首次建造了一个小型卫星系统(12U),它将初步实现14Gbps的下行数据速率。接下来的demo数据速率将超过100Gbps,而最终目标定为一个普通的卫星的下行速率达到1Tbps。为达到最终目标,他们将使用金刚石上

    功率放大器

    未知 . 2018-07-02 1165