ST工业市场将聚焦自动化、电源与能源以及电机控制三大领域
本次峰会不仅展示了工业市场的技术创新和进步，也展示了ST通过建设完整的生态系统，给工业市场客户提供全面的开发支持，降低开发难度，简化产品设计，帮助开发者集中精力将可持续创新成果推向市场。
工业控制
芯查查资讯 . 1小时前 1 75
首推1700V额定耐压GaN开关IC，PI拓宽GaN应用领域
2018年，PI就推出了集成750V耐压的GaN产品InnoSwitch，改变了手机充电器市场；2022年，PI继续推出900V耐压的产品，满足了550V DC下20%的降额，2023年推出了1250V产品，继续推高氮化镓的裕量和耐用性，如今新品来到了1700V的高耐压值。
GaN
芯查查资讯 . 2024-11-19 485
英诺赛科推出30V VGaN，电压范围再拓展
英诺赛科 VGaN 系列推出首颗 30V 新品 INV030FQ012A，再一次拓宽 VGaN 产品的电压范围。 INV030FQ012A 采用 FCQFN 4mm*6mm 封装，体积小巧，使用一颗 VGaN 即可替代传统方案中两颗共漏连接的背靠背 NMOS，降低占板面积，为系统板的小型化提供助力。该产品主要应用于过流保护，负载开关等应用场景，其超低导通电阻、宽 SOA 等特性使低损耗，耐短路冲击
GaN
英诺赛科 . 2024-10-12 1 2 1545
Qorvo推出面向 DOCSIS 4.0 的 24V 功率倍增器
QPA3390这款全新 1.8GHz 表面贴装模块带来卓越的效率和性能，且尺寸比传统混合解决方案缩小 30-40%，非常适合空间受限的应用场景。
功率倍增器
Qorvo . 2024-09-19 1 1 1460
功率电子产业：面临产能快速扩张
截至 2029 年，功率电子市场总额将达到 357 亿美元。功率电子供应链经历了产能快速扩张的阶段，特别是 SiC 和硅器件，以及 SiC 晶圆的制造。功率电子供应链将进入整合期，推动技术创新、降价和新的战略。
功率器件
Yole Group . 2024-09-19 1 1595
英诺赛科 2kW 双向储能方案，帮助系统损耗下降 40%
近两年，随着氮化镓市场进程的加速，氮化镓的应用场景逐步从消费电子向光伏储能、数据中心、电动汽车等领域延伸，功率覆盖范围也越来越大。 在双碳要求下，新能源如风能、光伏等应用成为绿色发展的关键，但由于自然资源的不确定性，在新能源的存储和利用过程中，需要储能系统进行波峰和波谷的调配，从而改善系统波动性和不确定性。氮化镓作为半导体领域的明星材料，具备更高频率、更低损耗的优势，能够更好地提升转换效率和
GaN
英诺赛科 . 2024-09-09 1 3 3165
工业控制 | GaN 器件有望敲开千亿级电机驱动器市场大门
重点内容速览： | GaN如何提高逆变器效率 | GaN器件有望敲开千亿级电机驱动器市场大门 | 在电机驱动器中使用GaN的挑战 近年来宽禁带半导体市场发展火热，GaN功率晶体管发展最为迅速。在充电头快速充电器、激光雷达、卫星电子设备等领域占领了较大的市场份额。如今，GaN器件开始在电机驱动器市场开始崭露头角。 一般来说，变频驱动器使用逆变器控制电机转速，并进行高频脉宽调制（PWM）开关，
工业控制
芯查查资讯 . 2024-09-02 11 12 4260
罗姆将亮相2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会
罗姆（总部位于日本京都市）将于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：11号馆D14）。
碳化硅
罗姆 . 2024-08-01 5345
英诺赛科100V车规级新品+1，持续推进汽车激光雷达市场
英诺赛科已推出适用于自动驾驶激光雷达系统的100V车规级氮化镓芯片 INN100W135A-Q（AEC-Q101认证），目前已在多个终端客户中导入设计。
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-07-26 3390
德州仪器推出先进的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高压电机
650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术，助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器达到99%以上效率。 得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了对外部散热器的需求，工程师可以将解决方案尺寸缩减多达 55%。 中国上海（2024 年 6 月 18 日）– 德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）推出了适用于 250W 电机驱动器应用的先进 650V
TI
芯查查资讯 . 2024-06-18 2855
Power Integrations将收购Odyssey Semiconductor的资产
交易支持高压、大功率氮化镓技术的持续发展
PI
芯查查资讯 . 2024-05-08 2251
瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容
增强瑞萨宽禁带专业知识和产品路线图发展，以应对电动汽车、数据中心、人工智能电源以及可再生能源快速增长的市场机遇 Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞萨CEO柴田英利 1月11日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”）于今天宣布双方已达成最终协议，根据该
瑞萨电子
瑞萨电子 . 2024-01-11 2 14 4919
意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值
2023年12月15日，中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。 意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能
GaN
意法半导体 . 2023-12-18 1870
Power Integrations推出1250V氮化镓开关IC
ECCE 2023，田纳西州纳什维尔 - 2023年10月30日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN™开关技术。InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/
GaN
PI . 2023-11-01 1 2560
国内GaN器件厂商名录
GaN材料的研究和应用是半导体研究的前沿和热点，因其独特的材料特性，GaN的应用主要集中在光电器件，射频器件，功率器件三大领域。 本期推文简要地盘点国内做 GaN器件 的企业， 如以下名录有所遗漏，欢迎到芯查查公众号后台留言补充。
原创
芯查查热点 . 2023-09-18 4 22 6750
日本新技术将GaN材料成本降90%
据日经中文网，日本最大的半导体晶圆企业信越化学工业和从事ATM及通信设备的OKI开发出了以低成本制造使用氮化镓(GaN)的功率半导体材料的技术。制造成本可以降至传统制法的十分之一以下。如果能够量产，用于快速充电器等用途广泛，有利于普及。 功率半导体装入充电器、小型家电以及连接纯电动汽车(EV)马达与电池的控制装置，用于控制电力等。如果使用GaN，可以控制大量的电力。 根据TrendFo
快讯
芯闻路1号 . 2023-09-06 2 2023
意法半导体量产PowerGaN器件
8月3日，意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。 该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5
快讯
芯闻路1号 . 2023-08-03 1 2399
机构：投资和并购将是驱动功率SiC和GaN生态巨变的重要因素
分析机构Yole Intelligence表示，由于大量的投资和并购活动，功率SiC和GaN生态系统正在经历重大变革。 SiC和GaN两种半导体自2018-2019年以来在市场一直快速演变，但现在其增长背后有不同的推动因素。像意法半导体（STMicroelectronics）、英飞凌科技（Infineon Technologies）、Wolfspeed、安森美半导体（onsemi）和罗姆半
快讯
芯闻路1号 . 2023-07-04 2255
国博电子“5G应用GaN芯片和模块研发及产业化”项目通过验收
近日，国博电子“面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化”项目通过验收。 消息显示，该项目针对面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化，开发了基站应用的GaN芯片及模块的设计技术、宽带预匹配技术、自动封测批产技术，以及GaN器件的模型提取、Doherty准单片电路设计以及数字预失真处理技术，形成了输出功率几瓦至几百瓦的系列产品并实现了批量应用。 产业化建设方面，配置了多台套GaN芯
芯片
芯闻路1号 . 2022-08-30 1 1719
新一代半导体材料氧化镓应用研究
在所有其他参数相同的情况下，对于电子应用，宽带隙(WBG)半导体优于窄带半导体(如硅)，因为导带和价带之间的大能量分离允许这些器件在高温和较高电压下工作。例如，与行业巨头硅1.1eV的相对窄带隙相比，氮化镓(GaN)的带隙为3.4eV。 带隙测量将电子推入导电状态需要多少能量；更大的带隙使材料能够承受更强的电场，因此与由带隙较低的材料组成的部件相比，组件可以更薄(对于给定的电压)、更
GaN
华林科纳hlkn . 2022-03-29 2100
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