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  • 产品 | EPC2378 eGaN器件量产，聚焦高密度电源

    产品 | EPC2378 eGaN器件量产，聚焦高密度电源

    增强型氮化镓（eGaN®）功率器件的领导者 EPC，宣布其新款 EPC2378 25V eGaN 功率晶体管已进入量产，使高密度电源系统设计人员能够在 DC-DC 转换应用中实现更高效率、更快开关速度和更高功率密度。EPC2378 针对 48V 至 8V 或 5V LLC 转换器次级侧的同步整流器应用进行了优化。除了同类最佳的 410 µΩ 典型 RDS(on) 外，该器件还拥有行业领先的 RDS

    GaN

    EPC宜普电源 . 2026-06-11 1 1085

  • 人形机器人 | GaN在人形机器人中的核心应用场景有哪些？

    人形机器人 | GaN在人形机器人中的核心应用场景有哪些？

    重点内容速览： 1. 为什么人形机器人需要重构能源系统？ 2. GaN在人形机器人中的四大核心应用场景 3. 谁在布局人形机器人GaN市场？   过去一年，人形机器人成为了全球市场关注的焦点。从特斯拉Optimus，到Figure AI，再到国内的智元机器人、宇树科技等各类人形机器人初创公司，人们的目光大多聚焦在AI大模型的进化，端到端学习的突破，以及机器人如何像人类一样行走和抓取。   但很少有

    人形机器人

    芯查查资讯 . 2026-05-18 2366

  • 产品 | PI 推出TOPSwitchGaN芯片，将反激拓扑功率范围扩展至440W

    产品 | PI 推出TOPSwitchGaN芯片，将反激拓扑功率范围扩展至440W

    在电源设计领域，反激式（Flyback）拓扑长期以来都被贴着“中小功率专属”的标签。在过去几十年的行业共识中，当输出功率超过250W临界点时，工程师们往往不得不选择更复杂的半桥（Half-Bridge）或谐振（LLC）拓扑。然而，随着GaN等宽禁带半导体技术的飞速发展，这一铁律正在被打破。 近期，电源管理IC企业Power Integrations（PI）正式推出了其TOPSwitch第7带标杆产

    PI

    芯查查资讯 . 2026-04-01 1 1 2520

  • 产品丨瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关，标志着功率转换设计规范的重大变革

    产品丨瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关，标志着功率转换设计规范的重大变革

    · 首款具备直流阻断功能的双向GaN技术，可大幅减少功率转换拓扑结构所需的开关数量 · 兼容标准栅极驱动器 · 支持软切换与硬切换模式，实现快速、干净的过渡

    瑞萨电子

    Renesas瑞萨电子 . 2026-03-25 1295

  • 方案 | 基于GD32H75E的机器人GaN关节驱动解决方案

    方案 | 基于GD32H75E的机器人GaN关节驱动解决方案

    在工业机器人、协作机器人等智能装备的发展进程中，关节驱动作为核心动力单元，其响应速度、控制精度、能效表现与集成度直接决定了机器人的运动性能和应用场景。当前机器人关节驱动开发中，高频开关下的驱动损耗、电机控制的精准度不足、多接口的集成适配难度、调试与整定的效率低下等问题，成为制约方案升级的关键难点。    基于兆易创新GD32H75EYMJ7 MCU打造的机器人GaN关节驱动解决方案，创新性采用Ga

    机器人

    GD32MCU . 2026-03-13 1 5915

  • 方案 | 不止于“以一替二”：英诺赛科氮化镓BMS方案矩阵，重新定义能效与安全

    方案 | 不止于“以一替二”：英诺赛科氮化镓BMS方案矩阵，重新定义能效与安全

    在追求极致能效与功率密度的电池管理领域，传统Si MOS的局限日益凸显。复杂的“背靠背”配置、高导通损耗和寄生参数，已成为系统升级的瓶颈。英诺赛科基于自研VGaN（双向氮化镓）开发的全系列高、低边BMS解决方案，不仅是简单的器件替代，更是从拓扑架构到系统生态的全面革新。 近日，英诺赛科发布最新高边同口BMS方案- INNDBMS120HA1，基于VGaN特性和英诺赛科自研驱动，助力系统创新，为客户

    英诺赛科

    英诺赛科 INNOSCIENCE . 2026-01-27 3619

  • 产品 | 英诺赛科 SolidGaN 新年首发：快充、工业、汽车 “全拿捏”！

    产品 | 英诺赛科 SolidGaN 新年首发：快充、工业、汽车 “全拿捏”！

    在高效能电源设计的浪潮中，氮化镓技术正以前所未有的速度重塑行业格局。近期，英诺赛科四款SolidGaN 产品全新发布，基于第三代InnoGaN 技术打造，涵盖中小功率消费电子、大功率工业电源及车规级应用，全面满足多场景高效、高可靠电源需求。 四款产品除了延续 InnoGaN 器件高速、高效、高功率密度的性能外，更在系统兼容性、可靠性、易用性上实现了重要突破，助力客户以最小改动，最快速度拥抱 Inn

    英诺赛科

    英诺赛科 INNOSCIENCE . 2026-01-13 5 5663

  • 企业 | 恩智浦关闭亚利桑那州ECHO Fab晶圆厂，退出氮化镓5G功率放大器市场

    企业 | 恩智浦关闭亚利桑那州ECHO Fab晶圆厂，退出氮化镓5G功率放大器市场

    据Light Reading报道，恩智浦（NXP）正式宣布将关闭位于美国亚利桑那州钱德勒市的ECHO Fab晶圆厂，并全面退出氮化镓（GaN）技术驱动的5G功率放大器（PA）芯片制造领域。   六年生命周期戛然而止，先进工厂提前退场 ECHO Fab晶圆厂于2020年9月正式投产，作为当时全球最先进的6英寸氮化镓专用生产线，其使命是为5G基站提供高功率密度、高能效的射频功率放大器。恩智浦曾将氮化镓

    氮化镓

    芯查查资讯 . 2025-12-16 3136

  • 技术 | 承压超过1200V，安森美vGaN解锁极致功率密度与效率

    技术 | 承压超过1200V，安森美vGaN解锁极致功率密度与效率

    安森美 (onsemi)  的垂直氮化镓 (vGaN) 晶体管是新一代功率器件，能够以高频率处理极高电压， 效率显著优于传统的硅芯片。 这项技术在行业内处于领先水平。 安森美的这个先进设施占地 66,000 平方英尺， 配备了洁净室和高度专业化工具， 专门用于 vGaN 技术的研发。    安森美已实现vGaN技术的规模化量产 目前市面上的 GaN 器件通常采用横向结构， 即 GaN 层生长在硅或

    功率器件

    安森美 . 2025-12-16 2499

  • 产品 | ST推出高性能700V VIPerGaND/W高压转换器产品

    产品 | ST推出高性能700V VIPerGaND/W高压转换器产品

    在功率电子领域，追求更高效率、更高功率密度和更高工作频率的征程从未停止。传统的硅基功率MOSFET在经过数十年的发展后，已逐渐逼近其材料理论极限。而氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）作为一种宽禁带半导体器件，正以其卓越的材料特性，从物理层面带来了一场革命性的性能飞跃。 材料本征差别 以下列举了硅（Si），碳化硅和氮化镓（GaN）不同的材料特性。 氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材

    ST

    意法半导体工业电子 . 2025-12-05 2870

  • 应用 | 小巧、轻便、高效，安森美垂直GaN解锁功率器件应用更多可能

    应用 | 小巧、轻便、高效，安森美垂直GaN解锁功率器件应用更多可能

    在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。 垂直架构：功率技术新高度 垂直 GaN 创新：vGaN 支持高电压和高频率运行， 效率优于硅芯片 先进制造工厂：GaN 研发工作

    安森美

    安森美 . 2025-12-02 1477

  • 应用 | 新唐高功率 GaN 半导体激光器系列：涵盖 378 至 460 nm 波段，广泛适用于曝光、材料加工、3D 打印等多种应用场景

    应用 | 新唐高功率 GaN 半导体激光器系列：涵盖 378 至 460 nm 波段，广泛适用于曝光、材料加工、3D 打印等多种应用场景

    新唐高功率 GaN 半导体激光器系列： 涵盖 378 至 460 nm 波段，广泛适用于曝光、材料加工、3D 打印等多种应用场景    新唐（Nuvoton）作为半导体激光领域的领先企业，40多年来不断向市场推出创新产品。在光盘用激光光源方面，累计生产和出货量已超过30亿台，为信息化社会的发展做出了卓越贡献。   新唐长期致力于氮化镓（GaN）系材料与砷化镓（GaAs）系材料的开发，积累了丰富的半

    新唐

    新唐MCU . 2025-11-28 4347

  • 企业 | Allegro 与英诺赛科联合推出全 GaN 参考设计，赋能 AI 数据中心电源

    企业 | Allegro 与英诺赛科联合推出全 GaN 参考设计，赋能 AI 数据中心电源

    中国 & 美国，2025 年 11 月 25 日 — 全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一 Allegro，与全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科 (Innoscience) 宣布达成战略合作，推出了一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了 Allegro 的先进栅极驱动器技术和英诺赛科高性能氮化镓。这一创新解决方案有望重新定义下一代 AI 数据中心和边缘计算的

    Allegro

    Allegro微电子 . 2025-11-25 2534

  • 技术 | GaN技术在电机控制中的优势

    技术 | GaN技术在电机控制中的优势

    满足日益增长的高能效和高功率性能需求，同时不断降低成本和尺寸是当今功率电子行业面临的主要挑战。    较新的宽禁带化合物半导体材料氮化镓（GaN）的引入代表功率电子行业在朝着这个方向发展，并且，随着这项技术的商用程度不断提高，其应用市场正在迅猛增长。    高电子迁移率晶体管（HEMT）氮化镓（GaN）的品质因数（FOM）、导通电阻RDS(on)和总栅极电荷（QG）三个参数均优于相应的硅基器件，同

    ST

    意法半导体工业电子 . 2025-11-21 1 2646

  • 技术 | 安森美垂直氮化镓（vGaN） 技术10大高频问答

    技术 | 安森美垂直氮化镓（vGaN） 技术10大高频问答

    在电气化、可再生能源和人工智能数据中心的推动下，电力电子领域正经历一场变革。 安森美（onsemi） 凭借创新的垂直氮化镓 (vGaN) 技术引领这一浪潮，推出的高能效系统重新定义了性能与可靠性的行业标准。本文将解答关于 vGaN 的核心疑问，并阐释该技术对能源与电源解决方案未来发展的影响。 0 1 什么是垂直GaN？它与其他GaN 技术有何不同？目前市面上的GaN 器件通常采用横向结构，即GaN

    安森美

    安森美 . 2025-11-19 2688

  • 企业 | 英飞凌携手海信推出氮化镓电视适配器，赋能高效节能新体验

    企业 | 英飞凌携手海信推出氮化镓电视适配器，赋能高效节能新体验

    英飞凌近日宣布，其高性能氮化镓（GaN）功率器件IGD70R270D2S已成功应用于海信最新推出的43R7Q电视适配器。该产品凭借高效、轻薄、低温等优势，显著提升了电视电源方案的性能，为消费者带来更节能、更紧凑的体验，同时推动电视行业向绿色高效方向发展。      突破传统电源瓶颈 传统电视电源适配器普遍面临效率低、体积大、发热高等问题。海信43R7Q适配器采用英飞凌氮化镓功率器件IGD70R27

    英飞凌

    英飞凌官微 . 2025-10-31 2 3605

  • 应用 | 氮化镓赋能厨电：美的油烟机采用InnoGaN

    应用 | 氮化镓赋能厨电：美的油烟机采用InnoGaN

    双十一购物季即将到来，各大品牌纷纷推出旗舰产品。在美的商城近期主推的美的蒸汽洗AK9pro抽油烟机中，一项突破性技术正悄然改变着家电行业的竞争格局。    美的（Media）AK9pro抽油烟机的电机驱动采用英诺赛科氮化镓芯片，实现了氮化镓技术首次在白色家电电机驱动系统中的量产，也标志着厨房电器正式步入氮化镓高能效时代。    GaN, 重塑油烟机电机强劲内核 传统油烟机大多采用硅基功率器件，其在

    英诺赛科

    英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-10-29 9312

  • 技术 | 从原理到布线：GaN栅极驱动Layout实战，解锁激光雷达性能跃迁

    技术 | 从原理到布线：GaN栅极驱动Layout实战，解锁激光雷达性能跃迁

    激光雷达（Lidar）是一种用于精确测距的激光探测技术。栅极驱动器与GaN器件在最大化激光器发射能力上起到重要作用，为激光雷达带来更高的分辨率。NSD2017是一款适用于激光雷达应用的驱动器，具有强驱动能力、支持极窄脉宽输出以及强抗干扰能力的特点。本文从激光雷达的应用特点出发，介绍NSD2017在应用中PCB设计的注意点。 激光雷达技术概要 汽车自动驾驶中的激光雷达常采用DToF（Direct T

    纳芯微

    纳芯微电子 . 2025-10-17 7 7063

  • 产品 | 英诺赛科发布两款低压GaN电机驱动方案，为机器人、无人机注入超强动力

    产品 | 英诺赛科发布两款低压GaN电机驱动方案，为机器人、无人机注入超强动力

    在追求高效能、小体积的电机驱动应用领域，传统硅基(Si) 功率器件已逐渐触及性能天花板。全球领先的氮化镓功率半导体厂商英诺赛科 (Innoscience)，推出了两款高性能低压电机驱动方案：INNDMD48V25A1 (分立方案) 和 INNDMD48V22A1 (集成方案) ，为机器人、无人机、电动工具等低压电机应用带来革命性突破。 方案简介 最新发布的两款方案均采用48V–60V输入，支持持续

    GaN

    英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-09-12 8517

  • 技术 | 采用 GaN 的 Cyclo 转换器如何帮助优化微型逆变器和便携式电源设计

    技术 | 采用 GaN 的 Cyclo 转换器如何帮助优化微型逆变器和便携式电源设计

    微型逆变器和便携式电源的普及度持续增长，部分原因是人们对更具可持续性且灵活的电源解决方案的需求不断增加。随着最近推出阳台型逆变器（该产品将微型逆变器与小型电池储能系统结合在一起），这两种技术的普及率可能会进一步提升。    本技术文章概述了一种新型单级转换器（称为“cyclo 转换器”），它使微型逆变器和便携式电源的实施更加高效，体积更小，同时还降低了成本。 简介 微型逆变器中的功率转换系统通常采

    TI

    德州仪器 . 2025-08-19 4403

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