英诺赛科 VGaN 系列推出首颗 30V 新品 INV030FQ012A，再一次拓宽 VGaN 产品的电压范围。

INV030FQ012A 采用 FCQFN 4mm*6mm 封装，体积小巧，使用一颗 VGaN 即可替代传统方案中两颗共漏连接的背靠背 NMOS，降低占板面积，为系统板的小型化提供助力。该产品主要应用于过流保护，负载开关等应用场景，其超低导通电阻、宽 SOA 等特性使低损耗，耐短路冲击的优势在应用中更为显著。 

0 1  产品特性

• 双向导通能力
• 先进的超低导通电阻低压技术
• 超小封装体积
• 零 反向恢复充电电量

0 2  产品优势

INV030FQ012A 与传统 MOSFET 相比，具备以下优势： 

• FCQFN 4x6mm 封装，一颗 GaN 能替代两颗 MOSFET，较传统MOSFET 占板面积可缩小 50%；
• Ron(max) 1.2m Ω，超低导通电阻，较传统  MOSFET  减少  50%；
• 具有更宽的  SOA ，鲁棒性高，能耐受短路冲击。

同时，INV030FQ012A 的封装与之前推出的 40V VGaN INN040FQ012A Pin to Pin，可直接替换，给客户更多的电压选择，更灵活地调整系统 BOM。

0 3  应用领域

• 高边负载开关
• 过压保护
• 电池保护

截至目前，英诺赛科已发布 VGaN 系列产品共6款，覆盖电压范围30V~100V，方便客户根据自身的产品定制选择。

新品 INV030FQ012A 当前已进入量产阶段，可通过官网查询详细产品规格书、可靠性报告、仿真模型等相关资料。能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。