方案 | 英诺赛科推出48V系统四相2kW降压电源方案
随着服务器和人工智能应用的发展，CPU/GPU的功率越来越高，为了降低传输损耗，传统供电架构已经从12V升级到48V。受限于服务器内的空间尺寸，需要高功率密度的电源帮助实现从48V到12V的供电转换。 英诺赛科针对48V架构开发了两款行业领先的降压电源方案（四相2kW交错降压电源方案），为更高效、节能的数据中心赋能。 “小身板、大能量” 优势尽显 英诺赛科此次推出的两款降压电源方案利用氮化镓
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英诺赛科 . 2025-03-12 1 880
英诺赛科全系列数据中心产品发布，节能增效再升级！
数据中心是云计算底层最核心的基础设施，肩负着对数据进行集中存储、计算和交换的职责。随着物联网、人工智能等技术的快速发展，数据中心正进一步演化成为智能数据中心，数据和计算量都在指数级增长，能源消耗也急剧增长，提升系统效率和降低能耗成为关键。 宽禁带半导体（第三代半导体）氮化镓（GaN）因其卓越的高频高效低损耗特性，可以大大提升数据中心的供电效率并显著降低能耗。英诺赛科作为全球第三代半导体氮化镓的
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英诺赛科 . 2025-01-16 980
英诺赛科成功上市，氮化镓功率半导体引领者全“芯”启航
北京时间2024年12月30日，氮化镓功率半导体引领者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码02577.HK。上市当天，英诺赛科领导团队共同在香港敲响了开市钟，庆祝公司股票首日上市交易。 英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯
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英诺赛科 . 2024-12-30 3 2 1370
客户认可+1！英诺赛科荣获 OPPO 最具创新奖
11月8日，以“聚力同行·凝创未来”为主题的 OPPO 2024 核心合作伙伴大会在深圳举办。英诺赛科凭借其非凡的研发实力与开创性的精神，成功斩获OPPO 2024最具创新奖。 英诺赛科作为氮化镓革命的领军者，在氮化镓技术发展的浪潮中，凭借卓越的技术实力，有力地推动着行业创新的步伐。双方合作过程中，英诺赛科与OPPO技术团队紧密协作，深度融合，为OPPO众多旗舰产品提供了全链路的氮化镓技术支撑，充
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英诺赛科 . 2024-11-20 1 2 1550
英诺赛科推出30V VGaN，电压范围再拓展
英诺赛科 VGaN 系列推出首颗 30V 新品 INV030FQ012A，再一次拓宽 VGaN 产品的电压范围。 INV030FQ012A 采用 FCQFN 4mm*6mm 封装，体积小巧，使用一颗 VGaN 即可替代传统方案中两颗共漏连接的背靠背 NMOS，降低占板面积，为系统板的小型化提供助力。该产品主要应用于过流保护，负载开关等应用场景，其超低导通电阻、宽 SOA 等特性使低损耗，耐短路冲击
GaN
英诺赛科 . 2024-10-12 1 2 2125
英诺赛科发布40V车规产品，驾驶舱快充首选
英诺赛科基于40V车规平台推出了一款超小封装的氮化镓车规产品 INN040FQ045A-Q（40V/4.5mΩ，FCQFN 3mm*4mm封装），当前已通过AEC-Q101车规级认证。
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-08-08 1 2 8124
英诺赛科回应英飞凌指控
2024年8月3日，英诺赛科在其官网发布官方声明称，其就近期收到的英飞凌在境外提起的一系列专利侵权指控进行了专业且全面的检索、分析和评估，认为英飞凌的相关指控缺乏依据，涉案专利不具备有效性，相关诉讼不会对英诺赛科的现有产品销售和正常经营产生影响。 据悉，按折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率为42.4%；截至2023年12月31日，公司累
英诺赛科
芯查查资讯 . 2024-08-06 3430
英诺赛科120W E-Bike快充方案，革新户外出行体验
英诺赛科开发了一款可应用于 E-Bike 的 120W 充电器方案，采用无风扇设计，利用氮化镓的高频高效特性，提升系统效率解决热的问题，同时高频化实现系统体积的减小
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英诺赛科 . 2024-08-01 4605
美国企业对特定半导体器件及其下游产品提起337调查申请
据中国贸易救济信息网站7月29日消息，美国Infineon Technologies Americas Corp.、美国Infineon Technologies Austria AG根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国际贸易委员会提出申请，主张对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品（Certain Semiconductor Devices and Products C
禁令
芯查查资讯 . 2024-07-30 2595
英诺赛科100V车规级新品+1，持续推进汽车激光雷达市场
英诺赛科已推出适用于自动驾驶激光雷达系统的100V车规级氮化镓芯片 INN100W135A-Q（AEC-Q101认证），目前已在多个终端客户中导入设计。
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英诺赛科 . 2024-07-26 4005
英诺赛科240W LED 驱动方案，能效高、更轻薄
近年来，英诺赛科开发了一系列LED 电源方案，从30W到200W，近期又发布了240W LED电源方案，最高效率达95.6%，与采用Si 器件的同功率电源方案相比，功率密度提高了26%，进一步实现了照明电源高效率、小型化的优势。
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英诺赛科 . 2024-06-14 1 6 3765
英诺赛科基于VGaN技术推出新一代BMS方案
随着低碳环保理念的推行，以及人们对绿色、便捷出行的需求，移动储能与电动小型动力市场得到快速发展，为了提升电池的安全性以及电池的利用效率，电池保护技术（BMS）亟需进一步提升。 氮化镓（GaN）作为一种新型的半导体材料，具备高频、高效、高功率密度和耐高温的特性，能够提高电力系统的转换能效, 目前已经在快充市场充分证明了其优势。此外，氮化镓无寄生体二极管，可实现受控的双向开通与关断，实现传统两颗
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英诺赛科 . 2024-06-11 4275
英诺赛科SolidGaN为OPPO 100W超级闪充助力
OPPO发布的100W SUPERVOOC 超级闪充充电器（Inbox charger）采用了英诺赛科新一代合封氮化镓芯片，可提供最大100W 充电功率，支持AC 100V-240V 宽幅电压，适配OPPO Reno 和 Find X 系列旗舰机型。 OPPO 100W 超级闪充内置英诺赛科700V SolidGaN氮化镓合封产品ISG6103。该产品集成了一颗700V/230mΩ氮化镓功
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英诺赛科 . 2024-03-14 6 3905
思锐智能供货英诺赛科，ALD设备支持8英寸硅基氮化镓晶圆产扩充
7月26日，青岛四方思锐智能技术有限公司（以下简称“思锐智能”)宣布，思锐智能（7月）与英诺赛科签订了一项新的ALD设备采购协议。根据该协议，思锐智能将为英诺赛科供应用于氮化镓半导体晶圆制造前道工艺的Transform系列量产型ALD沉积镀膜设备，支持其8英寸硅基氮化镓晶圆产线的扩充。 据悉，作为一种通用型技术，ALD镀膜工艺对于氮化镓功率器件的性能提升有着显著的增益，例如ALD薄膜可用于
快讯
芯闻路1号 . 2023-07-27 2030
服务传递价值，英诺赛科荣获OPPO质量服务奖
2023年1月，英诺赛科凭借高性能的氮化镓芯片和优秀的服务意识荣获 OPPO 2022年度“质量服务奖”，配合 OPPO 创新性地将低压氮化镓导入手机主板，并实现数百万颗交付，芯片失效率为零。共同开创了氮化镓在消费类电子领域的新起点。 全球领先的智能手机品牌 OPPO 在颁奖时表示： " 英诺赛科团队在过去一年中大力配合低压氮化镓器件在 OPPO 手机端的导入验证工作，主动配合并完成与
英诺赛科
英诺赛科 . 2023-02-01 1245
创新2022，领跑2023！InnoGaN产品应用之旅
英诺赛科
英诺赛科 . 2023-01-16 1550
“芯”产品|英诺赛科Solid GaN系列新品-ISG3201正式发布
为进一步提升数据中心模块电源、电机驱动、D类功率放大器、光伏逆变器及轻混电动汽车等48V电源系统的整体性能，英诺赛科推出高集成半桥驱动功率芯片：Solid GaN系列之100V半桥氮化镓功率芯片新品—ISG3201。 01 ISG3201 产品概述 ISG3201 是一颗耐压 100V 的半桥氮化镓芯片，其内部集成了 2 颗 100V ，导阻 3.2mΩ 的增强型氮化镓和 1 颗 1
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英诺赛科 . 2023-01-12 2915
英诺赛科荣获第十七届“中国芯”优秀技术创新产品奖
1月5日，以“开放创芯 协同共赢”为主题的2022琴珠澳集成电路产业促进峰会暨第十七届“中国芯”颁奖仪式在横琴凯悦酒店举行，并颁发了第十七届“中国芯”优秀产品及企业奖项，来自珠海高新区的6家企业荣获7项大奖，充分展现了高新区集成电路产业发展的最新技术和应用成果。 英诺赛科作为全球领先的硅基氮化镓IDM企业，拥有全球最大的氮化镓晶圆生产与制造基地，已向市场交付超1亿颗高压和低压氮化镓芯
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英诺赛科 . 2023-01-06 1255
“芯”成就|英诺赛科2022大事记盘点
2022 2022年，是英诺赛科成立的第七年，第三代半导体市场也在今年打开了更多新的局面，年关交替之际，让我共同回顾英诺赛科在2022年的大事记。 国内、国际多项荣誉 ANNUAL REPORT 英诺赛科凭借其优秀的产品性能及终端应用表现，于2022年荣获多项国内、国际荣誉： ●年度优秀产品 ●全球电子成就奖 ●江苏省独
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英诺赛科 . 2022-12-31 2230
2022英诺赛科全系列产品，助力绿色能源革命
2022年，在全球“双碳”战略的推动下，第三代半导体GaN也在应用市场中展露锋芒，基于其高频、高效、低能耗的优势，终端应用厂商对GaN的需求也迎来了持续攀升。 英诺赛科作为全球领先的第三代半导体GaN IDM企业，一直致力于GaN功率器件性能及应用领域的突破，于2022年陆续推出了高压、低压等全电压领域产品，在各个终端应用场景都有着出色的市场表现。 InnoGaN Low Volt
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英诺赛科 . 2022-12-16 5385
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