英诺赛科推出30V VGaN，电压范围再拓展
英诺赛科 VGaN 系列推出首颗 30V 新品 INV030FQ012A，再一次拓宽 VGaN 产品的电压范围。 INV030FQ012A 采用 FCQFN 4mm*6mm 封装，体积小巧，使用一颗 VGaN 即可替代传统方案中两颗共漏连接的背靠背 NMOS，降低占板面积，为系统板的小型化提供助力。该产品主要应用于过流保护，负载开关等应用场景，其超低导通电阻、宽 SOA 等特性使低损耗，耐短路冲击
GaN
英诺赛科 . 2024-10-12 1 2 895
英诺赛科发布40V车规产品，驾驶舱快充首选
英诺赛科基于40V车规平台推出了一款超小封装的氮化镓车规产品 INN040FQ045A-Q（40V/4.5mΩ，FCQFN 3mm*4mm封装），当前已通过AEC-Q101车规级认证。
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-08-08 1 2 7740
英诺赛科回应英飞凌指控
2024年8月3日，英诺赛科在其官网发布官方声明称，其就近期收到的英飞凌在境外提起的一系列专利侵权指控进行了专业且全面的检索、分析和评估，认为英飞凌的相关指控缺乏依据，涉案专利不具备有效性，相关诉讼不会对英诺赛科的现有产品销售和正常经营产生影响。 据悉，按折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率为42.4%；截至2023年12月31日，公司累
英诺赛科
芯查查资讯 . 2024-08-06 2915
英诺赛科120W E-Bike快充方案，革新户外出行体验
英诺赛科开发了一款可应用于 E-Bike 的 120W 充电器方案，采用无风扇设计，利用氮化镓的高频高效特性，提升系统效率解决热的问题，同时高频化实现系统体积的减小
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-08-01 3910
美国企业对特定半导体器件及其下游产品提起337调查申请
据中国贸易救济信息网站7月29日消息，美国Infineon Technologies Americas Corp.、美国Infineon Technologies Austria AG根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国际贸易委员会提出申请，主张对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品（Certain Semiconductor Devices and Products C
禁令
芯查查资讯 . 2024-07-30 2095
英诺赛科100V车规级新品+1，持续推进汽车激光雷达市场
英诺赛科已推出适用于自动驾驶激光雷达系统的100V车规级氮化镓芯片 INN100W135A-Q（AEC-Q101认证），目前已在多个终端客户中导入设计。
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英诺赛科 . 2024-07-26 2865
英诺赛科240W LED 驱动方案，能效高、更轻薄
近年来，英诺赛科开发了一系列LED 电源方案，从30W到200W，近期又发布了240W LED电源方案，最高效率达95.6%，与采用Si 器件的同功率电源方案相比，功率密度提高了26%，进一步实现了照明电源高效率、小型化的优势。
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-06-14 1 6 3175
英诺赛科基于VGaN技术推出新一代BMS方案
随着低碳环保理念的推行，以及人们对绿色、便捷出行的需求，移动储能与电动小型动力市场得到快速发展，为了提升电池的安全性以及电池的利用效率，电池保护技术（BMS）亟需进一步提升。 氮化镓（GaN）作为一种新型的半导体材料，具备高频、高效、高功率密度和耐高温的特性，能够提高电力系统的转换能效, 目前已经在快充市场充分证明了其优势。此外，氮化镓无寄生体二极管，可实现受控的双向开通与关断，实现传统两颗
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英诺赛科 . 2024-06-11 2800
英诺赛科SolidGaN为OPPO 100W超级闪充助力
OPPO发布的100W SUPERVOOC 超级闪充充电器（Inbox charger）采用了英诺赛科新一代合封氮化镓芯片，可提供最大100W 充电功率，支持AC 100V-240V 宽幅电压，适配OPPO Reno 和 Find X 系列旗舰机型。 OPPO 100W 超级闪充内置英诺赛科700V SolidGaN氮化镓合封产品ISG6103。该产品集成了一颗700V/230mΩ氮化镓功
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-03-14 6 3345
思锐智能供货英诺赛科，ALD设备支持8英寸硅基氮化镓晶圆产扩充
7月26日，青岛四方思锐智能技术有限公司（以下简称“思锐智能”)宣布，思锐智能（7月）与英诺赛科签订了一项新的ALD设备采购协议。根据该协议，思锐智能将为英诺赛科供应用于氮化镓半导体晶圆制造前道工艺的Transform系列量产型ALD沉积镀膜设备，支持其8英寸硅基氮化镓晶圆产线的扩充。 据悉，作为一种通用型技术，ALD镀膜工艺对于氮化镓功率器件的性能提升有着显著的增益，例如ALD薄膜可用于
快讯
芯闻路1号 . 2023-07-27 1675
服务传递价值，英诺赛科荣获OPPO质量服务奖
2023年1月，英诺赛科凭借高性能的氮化镓芯片和优秀的服务意识荣获 OPPO 2022年度“质量服务奖”，配合 OPPO 创新性地将低压氮化镓导入手机主板，并实现数百万颗交付，芯片失效率为零。共同开创了氮化镓在消费类电子领域的新起点。 全球领先的智能手机品牌 OPPO 在颁奖时表示： " 英诺赛科团队在过去一年中大力配合低压氮化镓器件在 OPPO 手机端的导入验证工作，主动配合并完成与
英诺赛科
英诺赛科 . 2023-02-01 970
创新2022，领跑2023！InnoGaN产品应用之旅
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英诺赛科 . 2023-01-16 1320
“芯”产品|英诺赛科Solid GaN系列新品-ISG3201正式发布
为进一步提升数据中心模块电源、电机驱动、D类功率放大器、光伏逆变器及轻混电动汽车等48V电源系统的整体性能，英诺赛科推出高集成半桥驱动功率芯片：Solid GaN系列之100V半桥氮化镓功率芯片新品—ISG3201。 01 ISG3201 产品概述 ISG3201 是一颗耐压 100V 的半桥氮化镓芯片，其内部集成了 2 颗 100V ，导阻 3.2mΩ 的增强型氮化镓和 1 颗 1
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英诺赛科 . 2023-01-12 1975
英诺赛科荣获第十七届“中国芯”优秀技术创新产品奖
1月5日，以“开放创芯 协同共赢”为主题的2022琴珠澳集成电路产业促进峰会暨第十七届“中国芯”颁奖仪式在横琴凯悦酒店举行，并颁发了第十七届“中国芯”优秀产品及企业奖项，来自珠海高新区的6家企业荣获7项大奖，充分展现了高新区集成电路产业发展的最新技术和应用成果。 英诺赛科作为全球领先的硅基氮化镓IDM企业，拥有全球最大的氮化镓晶圆生产与制造基地，已向市场交付超1亿颗高压和低压氮化镓芯
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英诺赛科 . 2023-01-06 950
“芯”成就|英诺赛科2022大事记盘点
2022 2022年，是英诺赛科成立的第七年，第三代半导体市场也在今年打开了更多新的局面，年关交替之际，让我共同回顾英诺赛科在2022年的大事记。 国内、国际多项荣誉 ANNUAL REPORT 英诺赛科凭借其优秀的产品性能及终端应用表现，于2022年荣获多项国内、国际荣誉： ●年度优秀产品 ●全球电子成就奖 ●江苏省独
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英诺赛科 . 2022-12-31 1305
2022英诺赛科全系列产品，助力绿色能源革命
2022年，在全球“双碳”战略的推动下，第三代半导体GaN也在应用市场中展露锋芒，基于其高频、高效、低能耗的优势，终端应用厂商对GaN的需求也迎来了持续攀升。 英诺赛科作为全球领先的第三代半导体GaN IDM企业，一直致力于GaN功率器件性能及应用领域的突破，于2022年陆续推出了高压、低压等全电压领域产品，在各个终端应用场景都有着出色的市场表现。 InnoGaN Low Volt
英诺赛科
英诺赛科 . 2022-12-16 4210
“芯”动态 | 英诺赛科亮相 Electronica 2022，展示氮化镓新品及创新方案
始于1964年的慕尼黑国际电子元器件博览会（Electronica）是全球电子元器件领域规模最大、影响最广的盛会之一，是电力电子企业及相关行业人士的重要展示与交流平台。Electronica 2022 以“推动可持续发展”为主题，探讨电子行业在未来社会的发展，以及向全电气社会的过渡中行业应该如何发挥至关重要的作用。 为期4天的展会汇集了来自48个国家及地区的2144家参展商，吸引了100个
英诺赛科
英诺赛科 . 2022-12-08 1360
“芯”动态 | 英诺赛科荣获2022全球电子成就奖，氮化镓为“绿色数据中心”赋能
2022年11月10-11日，由 ASPENCORE 举办的2022国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen）在深圳大中华国际交易广场隆重开启，英诺赛科许子俊先生受邀出席第24届高效电源管理及功率器件论坛，发表了主题为《氮化镓助力建设“绿色数据中心”》的演讲。 同时，凭借高频高效的性能及应用端的出色表现，英诺赛科 INN100W032A 产品脱颖而出，荣获2022全球电子成就奖-年度功
英诺赛科
英诺赛科 . 2022-11-12 1225
英诺赛科获近30亿元D轮融资，钛信资本领投
2月17日消息，英诺赛科（苏州）科技有限公司完成近30亿元D轮融资，由钛信资本领投，毅达资本、海通创新、中比基金、赛富高鹏、招证投资等机构跟投。 英诺赛科于2015年成立，是第三代半导体硅基氮化镓领域全球龙头，也是全球唯一实现同时量产氮化镓高、低压芯片的IDM企业。英诺赛科技术处全球第一梯队，产能国内第一，消费级市场中快充产品已领先于市场快速放量，未来数据中心、5G基站、新能源汽车等市场将
融资
芯闻路1号 . 2022-02-17 5 1907
英诺赛科苏州半导体项目顺利开工
6月23日，英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行了开工仪式。项目占地368亩，一期总投资60亿，产品覆盖宽禁带半导体功率器件和射频器件，立志在长三角地区打造集研发、设计、外延生长、芯片制造为一体的宽禁带半导体产业基地。 参加开工仪式的嘉宾有吴江区副区长、汾湖高新区副书记吴琦，吴江区副区长戚振宇，国家开发银行苏州分行副行长吴宜帆，苏州吴江东方国有投资公司董事长顾焱，中国电科集团前副总经
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英诺赛科 . 2018-06-26 975
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