产品 | 英诺赛科发布100V低边驱动IC，拓展VGaN™生态系统
英诺赛科 (Innoscience) 双向 VGaN™提供高可靠性、高性能和高性价比，可支持新型双向电力电子系统。它取代了传统的背靠背 Si MOSFET，显著降低了功率损耗，提高了开关速度，并缩小了电源系统的尺寸，降低了 BOM 成本。 当前，我们正在扩展组件生态系统，通过100V 低边驱动 IC INS1011SD 支持 VGaN™。 INS1011SD + VGaN™ 使 BMS 系统
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英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-08-08 1080
企业 | 英诺赛科与联合电子成立氮化镓 (GaN) 技术联合实验室致力于新能源汽车电力电子系统开发
联合实验室致力于基于GaN的系统设计，构建新能源汽车电力电子系统的未来 英诺赛科利用联合汽车电子的专业系统知识，改进GaN技术 全球领先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化镓）制造供应商英诺赛科（香港联交所代码：02577.HK）与联合汽车电子（以下简称：联合电子）宣布成立联合实验室，利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方在联合电子（苏州研发中心）举行了
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英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-07-30 1 8825
产品 | 功率密度跃升50%！英诺赛科SolidGaN重塑电源设计天花板
全球领先的氮化镓 (GaN) 供应商英诺赛科 (Innoscience) 发布4款基于 700V SolidGaN平台新品：ISG6123TA / ISG6123TP / ISG6124TA / ISG6124TP，采用TOLL，TOLT主流大功率器件封装，兼容传统控制器和驱动器应用生态，实现简单易用。 当前，服务器电源向更高功率爬升（从2kW到6kW）、光伏逆变器追求99%效率、车载OBC挑战3
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英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-07-15 800
方案 | 告别散热器！英诺赛科发布 300W GaN 电机驱动评估板
随着工业 4.0 时代的到来，工厂基础设施不断升级，产能不断扩大，推动了该领域的快速增长。此外，家用电器也必须满足更高的效率和可靠性标准。英诺赛科凭借全球高可靠性的氮化镓，为电源系统设计人员提供了提高效率、减小尺寸和降低 BOM 成本的最有效方法。 全球领先的 GaN（氮化镓）功率半导体供应商英诺赛科推出了 700V INN700TK350B GaN，可轻松替代 MOS 或 IGBT 解决方
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英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-06-30 840
产品 | 英诺赛科顶部冷却En-FCLGA封装产品将彻底改变太阳能和储能应用
100V 新品发布 全球领先的氮化镓 (GaN) 供应商英诺赛科 (Innoscience) 宣布推出两款基于 100V 双冷却 En-FCLGA 封装的新产品：INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD，可实现太阳能微型逆变器、储能系统 (ESS)（直流输入）和最大功率点跟踪 (MPPT) 优化器的最高效率。 两款新品 INN100EA050DAD 和 INN100EA070
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英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-06-25 720
方案 | 重新定义电池管理！英诺赛科VGaN与创新方案为新型BMS赋能
BMS（电池管理系统）是电池系统的核心控制单元，能够通过实施监控电池的电压、电流、温度等参数，优化充放电过程，保障电池的安全性与寿命。BMS被视为电池系统的“大脑”， 支撑着大规模电池组高效运行。根据2025年最新行业报告，储能系统的故障约43%与BMS功能不足或失效有关。而电池系统中的监测、模拟、传感及保护等多种功能的芯片则是其中的关键。 作为全球氮化镓功率芯片的领导者，英诺赛科率先切入B
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英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-06-05 1 1 1555
方案 | 革新AI算力基建：1.2kW 48V GaN方案突破数据中心PUE局限
随着AI 算力需求的指数级增长，其供电解决方案正面临高密度化、智能化和低碳化的核心诉求。氮化镓芯片以其高频高效、小型化、低损耗的优势，可以大幅提升数据中心供电解决方案的功率密度和效率，支持AGI（通用人工智能）时代的可持续算力革命。 英诺赛科作为全球氮化镓工艺创新与功率制造的领导者，早已在数据中心领域开发了完整的产品系列和全链路氮化镓解决方案。继此前推出的2kW降压电源方案后，英诺赛科宣布针
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英诺赛科 . 2025-05-19 1400
企业 | 意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议
❖ 双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术。 ❖ 英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛科在中国的制造产能。 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军企业英诺赛科，共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与
ST
意法半导体中国 . 2025-04-01 1715
方案 | 英诺赛科推出48V系统四相2kW降压电源方案
随着服务器和人工智能应用的发展，CPU/GPU的功率越来越高，为了降低传输损耗，传统供电架构已经从12V升级到48V。受限于服务器内的空间尺寸，需要高功率密度的电源帮助实现从48V到12V的供电转换。 英诺赛科针对48V架构开发了两款行业领先的降压电源方案（四相2kW交错降压电源方案），为更高效、节能的数据中心赋能。 “小身板、大能量” 优势尽显 英诺赛科此次推出的两款降压电源方案利用氮化镓
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英诺赛科 . 2025-03-12 1 2580
英诺赛科全系列数据中心产品发布，节能增效再升级！
数据中心是云计算底层最核心的基础设施，肩负着对数据进行集中存储、计算和交换的职责。随着物联网、人工智能等技术的快速发展，数据中心正进一步演化成为智能数据中心，数据和计算量都在指数级增长，能源消耗也急剧增长，提升系统效率和降低能耗成为关键。 宽禁带半导体（第三代半导体）氮化镓（GaN）因其卓越的高频高效低损耗特性，可以大大提升数据中心的供电效率并显著降低能耗。英诺赛科作为全球第三代半导体氮化镓的
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英诺赛科 . 2025-01-16 2390
英诺赛科成功上市，氮化镓功率半导体引领者全“芯”启航
北京时间2024年12月30日，氮化镓功率半导体引领者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码02577.HK。上市当天，英诺赛科领导团队共同在香港敲响了开市钟，庆祝公司股票首日上市交易。 英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯
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英诺赛科 . 2024-12-30 3 2 2350
客户认可+1！英诺赛科荣获 OPPO 最具创新奖
11月8日，以“聚力同行·凝创未来”为主题的 OPPO 2024 核心合作伙伴大会在深圳举办。英诺赛科凭借其非凡的研发实力与开创性的精神，成功斩获OPPO 2024最具创新奖。 英诺赛科作为氮化镓革命的领军者，在氮化镓技术发展的浪潮中，凭借卓越的技术实力，有力地推动着行业创新的步伐。双方合作过程中，英诺赛科与OPPO技术团队紧密协作，深度融合，为OPPO众多旗舰产品提供了全链路的氮化镓技术支撑，充
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英诺赛科 . 2024-11-20 1 2 2765
英诺赛科推出30V VGaN，电压范围再拓展
英诺赛科 VGaN 系列推出首颗 30V 新品 INV030FQ012A，再一次拓宽 VGaN 产品的电压范围。 INV030FQ012A 采用 FCQFN 4mm*6mm 封装，体积小巧，使用一颗 VGaN 即可替代传统方案中两颗共漏连接的背靠背 NMOS，降低占板面积，为系统板的小型化提供助力。该产品主要应用于过流保护，负载开关等应用场景，其超低导通电阻、宽 SOA 等特性使低损耗，耐短路冲击
GaN
英诺赛科 . 2024-10-12 1 2 2735
英诺赛科发布40V车规产品，驾驶舱快充首选
英诺赛科基于40V车规平台推出了一款超小封装的氮化镓车规产品 INN040FQ045A-Q（40V/4.5mΩ，FCQFN 3mm*4mm封装），当前已通过AEC-Q101车规级认证。
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英诺赛科 . 2024-08-08 1 2 8295
英诺赛科回应英飞凌指控
2024年8月3日，英诺赛科在其官网发布官方声明称，其就近期收到的英飞凌在境外提起的一系列专利侵权指控进行了专业且全面的检索、分析和评估，认为英飞凌的相关指控缺乏依据，涉案专利不具备有效性，相关诉讼不会对英诺赛科的现有产品销售和正常经营产生影响。 据悉，按折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率为42.4%；截至2023年12月31日，公司累
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芯查查资讯 . 2024-08-06 3860
英诺赛科120W E-Bike快充方案，革新户外出行体验
英诺赛科开发了一款可应用于 E-Bike 的 120W 充电器方案，采用无风扇设计，利用氮化镓的高频高效特性，提升系统效率解决热的问题，同时高频化实现系统体积的减小
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英诺赛科 . 2024-08-01 5375
美国企业对特定半导体器件及其下游产品提起337调查申请
据中国贸易救济信息网站7月29日消息，美国Infineon Technologies Americas Corp.、美国Infineon Technologies Austria AG根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国际贸易委员会提出申请，主张对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品（Certain Semiconductor Devices and Products C
禁令
芯查查资讯 . 2024-07-30 3055
英诺赛科100V车规级新品+1，持续推进汽车激光雷达市场
英诺赛科已推出适用于自动驾驶激光雷达系统的100V车规级氮化镓芯片 INN100W135A-Q（AEC-Q101认证），目前已在多个终端客户中导入设计。
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英诺赛科 . 2024-07-26 4940
英诺赛科240W LED 驱动方案，能效高、更轻薄
近年来，英诺赛科开发了一系列LED 电源方案，从30W到200W，近期又发布了240W LED电源方案，最高效率达95.6%，与采用Si 器件的同功率电源方案相比，功率密度提高了26%，进一步实现了照明电源高效率、小型化的优势。
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英诺赛科 . 2024-06-14 1 6 4290
英诺赛科基于VGaN技术推出新一代BMS方案
随着低碳环保理念的推行，以及人们对绿色、便捷出行的需求，移动储能与电动小型动力市场得到快速发展，为了提升电池的安全性以及电池的利用效率，电池保护技术（BMS）亟需进一步提升。 氮化镓（GaN）作为一种新型的半导体材料，具备高频、高效、高功率密度和耐高温的特性，能够提高电力系统的转换能效, 目前已经在快充市场充分证明了其优势。此外，氮化镓无寄生体二极管，可实现受控的双向开通与关断，实现传统两颗
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英诺赛科 . 2024-06-11 5960
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