国星光电联合佛照电工推出33W氮化镓墙插快充新品
9月20日，国星光电联合佛山照明智达电工科技有限公司（简称“佛照电工”）开发的基于第三代半导体氮化镓应用墙插快充产品正式面世，为高品质快充加速普及注入新动能。国星光电与佛照电工联合推出的86面板墙插产品，创新采用了国星光电33W氮化镓技术，该技术主要依托DFN5*6 NSGaN 器件搭建的氮化镓墙插电源，进一步提升了产品的充电效率及安全性能。此款86面板墙插产品在满足新国标CCC认证要求的同时
快讯
芯闻路1号 . 2023-09-22 1 2394
三星购买爱思强MOCVD设备用于氮化镓、碳化硅生产
据电子时报报道，三星电子及其国内晶圆代工厂同行DB Hitek（东部高科）和Key Foundry（启方半导体）将从德国Aixtron（爱思强）采购金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，以进军GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）芯片制造服务市场。 ZDNet Korea日前援引业内人士消息称，爱思强CEO Felix Grawert于今年7月中旬低调访问韩国，并与三大代工厂举行会议，讨论设
快讯
芯闻路1号 . 2023-08-14 3100
思锐智能供货英诺赛科，ALD设备支持8英寸硅基氮化镓晶圆产扩充
7月26日，青岛四方思锐智能技术有限公司（以下简称“思锐智能”)宣布，思锐智能（7月）与英诺赛科签订了一项新的ALD设备采购协议。根据该协议，思锐智能将为英诺赛科供应用于氮化镓半导体晶圆制造前道工艺的Transform系列量产型ALD沉积镀膜设备，支持其8英寸硅基氮化镓晶圆产线的扩充。 据悉，作为一种通用型技术，ALD镀膜工艺对于氮化镓功率器件的性能提升有着显著的增益，例如ALD薄膜可用于
快讯
芯闻路1号 . 2023-07-27 2120
辽宁百思特达氮化镓半导体芯片项目竣工 进入试生产阶段
日前，辽宁百思特达半导体科技有限公司（以下简称“百思特达”）氮化镓半导体芯片项目传来新进展：该项目已进入产品试生产阶段。 盘锦高新技术产业开发区消息显示，百思特达是一家集研发、设计、生产、销售、服务于一体的综合性高科技企业，致力于开创中国半导体氮化镓芯片领域的科技新格局，其位于辽宁省盘锦高新区。该公司投资3亿元建设的氮化镓半导体芯片项目，占地面积125亩，总建筑面积51302.28平方米，
辽宁
芯闻路1号 . 2023-01-11 2465
萨科微宋仕强在华强大讲堂谈第三代半导体，碳化硅氮化镓市场潜力巨大！
华强大讲堂，由华强电子网举办，位于中国电子第一街的华强北电子市场一号楼六楼，是华强北电子人学习的课堂、交流的道场、进步提高的地方。这段时间，华强大讲堂邀请到了金航标kinghelm萨科微slkor总经理宋仕强先生，来华强北大讲堂为大家分享交流了《第三代半导体的现状和发展》，为华强北的电子人带来思想的盛宴，和第三代半导体的专业知识科普。宋仕强先生，是华强北大讲堂的金牌讲师，是华强北商业模式专家、
萨科微
萨科微 . 2022-12-22 1 2 3755
第三代半导体布局提速 国产势力能否“换道超车”？
转自：中国经营网 本报记者 秦枭 北京报道 半导体材料目前已经发展至第三代，从传统Si（硅）功率器件IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金氧半场效晶体管），到以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体。在这条赛道上，企业融资并购、厂商增资扩产、新玩家跑步入场、新项目不断涌现。与半导体市场整体“低迷”的现状不同，第三代半导体市场则焕发着别样生机。 近日，国家第
碳化硅
中国经营报 . 2022-10-08 2348
宏光半导体与协鑫集团达成战略合作
财联社9月8日消息，宏光半导体公告称，公司于9月7日与协鑫集团有限公司订立战略合作框架协议，以展开长期战略合作。根据战略合作框架协议，公司与合作方拟于氮化镓（GaN）功率芯片在新能源领域的应用开展密切合作，包括：(i)合作方或其下属公司将投资公司或公司下属公司的股权，双方建立深度合作；(ii)双方将在境内成立新能源合营公司布局GaN芯片在新能源领域的应用，包括但不限于充电╱换电技术及设备，储能
半导体
鹿鸣新金融 . 2022-09-08 1 2212
2021年全球氮化镓行业市场规模及发展前景分析 下游需求将推动市场规模持续扩大
1、全球氮化镓行业处于起步阶段 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管。氮化镓等第三代半导体材料对于国家的新能源汽车产业、5G通信产业、消费电子产业等诸多产业发展有着重要的影响。202
氮化镓
前瞻 . 2022-06-03 2655
巨头抢滩第三代半导体
图：图虫 来源：21tech 作者：骆轶琪 编辑：张伟贤 延续了一年的第三代半导体发展热潮并未止息，多家功率半导体国际巨头竞相在公布2022财报前后宣布了新建工厂计划。 如Infineon（英飞凌）、STMicroelectronics（意法半导体）都表示将在全球不同国家建设碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）相关工厂。虽然在目前阶段来看，碳化硅的应用和技术发展相对成熟，但氮
半导体
21世纪经济报道 . 2022-02-25 1787
拟筹划购买氮化镓通信基站射频芯片业务 中瓷电子1月17日起停牌
1月16日消息，中瓷电子发布公告称，公司拟筹划以发行A股股份的方式购买中国电子科技集团公司第十三研究所氮化镓通信基站射频芯片业务相关的经营性资产及负债，以及中国电科十三所等股东持有的河北博威集成电路有限公司（以下简称“博威公司”）和北京国联万众半导体科技有限公司（以下简称“国联万众”）的部分股权或全部股权（以下简称“本次交易”）。由于博威公司、国联万众的股东较多，本次交易的交易对方范围尚未最终
氮化镓
芯闻路1号 . 2022-01-16 4929
纳微半导体荣获2022年CES创新奖
氮化镓功率芯片代替传统硅芯片，成就全球最小最快的移动快充。 加利福尼亚州埃尔塞贡多 – 11 月 19 日— 氮化镓 （GaN） 功率芯片的行业领导者纳微半导体（纳斯达克交易代码：NVTS）宣布，旗下采用 GaNSense™ 技术的下一代GaNFast™ 智能氮化镓功率芯片正式荣获 CES® 2022 创新奖 （CES 2022 Innova电子产品、太阳能逆变器、数据中心和电动汽车提供高
纳微半导体
厂商供稿 . 2021-11-25 1579
纳微半导体出席小米技术demoday，共同展望氮化镓应用未来
从移动手机快充到电动汽车，下一代氮化镓功率芯片助力3倍更快充电速度。 加利福尼亚州埃尔塞贡多，2021年10月29日— 10 月 24 日，全球氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体，在北京小米科技园举办的 2021 被投企业 Demo Day 上，展示了下一代功率电源和手机快充产品。 小米目前已经成为全球手机市场领先的智能手机品牌，并在 2021 年 3 月宣布对电动汽车进行为期 10
纳微半导体
厂商供稿 . 2021-11-02 2296
听说用ANKER 65W氮化镓充电很快，四档王路飞回血有救了
日本漫画家尾田荣一郎笔下的《航海王》，至今已连载超过20年，海迷可以说遍布全球各地。而围绕着《航海王》推出的各类周边产品也受到了广大海迷的喜爱。 国内上市3C品牌Anker曾推出了一系列知名IP联名款3C产品，此前充电头网介绍过Anker和皮卡丘联名推出的氮化镓充电器、无线充、快充线等产品。 而此次在Anker国内首场新品发布会上Anker也带来了海贼王联名系列产品，分别为索隆磁吸无线充电宝、乔巴
anker
充电头网 . 2021-06-26 1912
安世半导体拟投资7亿美元，扩大欧洲和亚洲产能
据悉，荷兰安世半导体(Nexperia)计划在未来12~15个月内投资7亿美元，扩大在欧洲和亚洲的产能。从2022年中起，Nexperia拟将其德国晶圆厂产能从每月3.5万片晶圆提高20%。英国晶圆厂的产能将从每月2.4万片晶圆增加10%。 7亿美元的投资将确保提供所需技术和制造能力，以支持不断成长的需求并交付产品。这些投资符合Nexperia在疫情大流行之前制定的国际扩张和增加市占的策略。Nex
安世半导体
中国闪存市场 . 2021-06-24 1810
iqoo是什么充电器？拆解iQOO7的120W适配器
昨日看了小米的氮化镓芯片适配器，今天继续来看iQOO7手机中配备的120W适配器的拆解分析吧。也来看看一款120W的适配器中会有哪些特别的处理方式呢？ 硕大的120W浮雕字样，标明了这款适配器为120W适配器。 拆解分析 iQOO适配器由航嘉生产代工。采用白色PC阻燃材料外壳，外壳表面使用磨砂工艺，顶部为USB充电输出接口，适配器电源输入金属片和USB输出口向适配器一侧偏置。 同样为一体注塑成型制
充电器
eWisetech . 2021-05-14 4644
世界先进：8英寸氮化镓制程研发顺利，最快年底可小量量产
晶圆代工厂世界先进日前于法说会上表示，氮化镓 (GaN) 制程研发上季取得不错的突破，预期快则今年底、慢则明年上半年就能小量量产。 世界先进在 GaN 材料上投资超过 4 年时间，与设备材料厂 Kyma、及转投资 GaN 硅基板厂 Qromis 携手合作，开发可做到 8 英寸的新基底高功率氮化镓技术 GaN-on-QST。 世界先进指出，目前在 QST 基板上取得独家供应，开发成果中，可看到其可靠
世界先进
中国闪存市场 . 2021-05-07 1500
Nexperia第二代650V氮化镓场效应管使80 PLUS®钛金级电源可在2kW或更高功率下运行
功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本 全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装，对于给定RDS（on）值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。级联配置无需复杂的驱动电路，加快了产品上市速度。该器件在硬开关和软开关电路中均具有出色的性能，为设计人员提供极大的灵活性。 Nexperia GaN战略市场总监Dilder Chowdhury解释说：“钛金级
太阳能逆变器
厂商供稿 . 2021-04-28 1427
第三代半导体衬底材料供应商 中图科技科创板IPO进入已问询状态
4月21日，上海证券交易所网站显示，广东中图半导体科技股份有限公司（简称“中图科技”）科创板IPO进入已问询状态。 中图科技是一家面向蓝宝石上氮化镓（GaN on Sapphire）半导体技术的专业衬底材料供应商。公司根据不同的LED芯片应用领域及其外延技术特征进行适配的衬底材料开发，通过图形化结构设计、不同材料组合应用、工艺制程实现等，为GaN LED芯片提供衬底材料综合解决方案。 目前，公司主
氮化镓
电子发烧友整理 . 2021-04-23 1182
Qorvo是如何布局5G射频 持续整合的自屏蔽模块是未来趋势
Qorvo 认为，射频前端模块的持续整合加上自屏蔽模块的应用将是未来射频前端的重要发展趋势。 Qorvo 公布了截至 2020 年 6 月 27 日的 2021 财年第一财季（对应自然年为 2020 年 2 季度）业绩。财报显示，2021 财年第一季度营收为 7.87 亿美元，同比上升 1.53%，Qorvo 首席财务官表示，5G 的推出和公司的运营业绩促使季度业绩远超预期。财报会上，Qorvo
射频
TechSugar . 2020-09-03 1495
- 1
- 2
- 3
- 4