功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装，对于给定RDS（on）值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。级联配置无需复杂的驱动电路，加快了产品上市速度。该器件在硬开关和软开关电路中均具有出色的性能，为设计人员提供极大的灵活性。

Nexperia GaN战略市场总监Dilder Chowdhury解释说：“钛金级是80 PLUS®规格中最严苛的，满载条件下要求达到》91%的效率（半载条件下》96%）。对于2 kW及更高功率的服务器电源应用，使用传统硅器件来实现这种性能水平，电路设计复杂而具有挑战性。Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路，使用更少的器件，并能减少尺寸和系统成本。”

Nexperia GAN041-650WSB GaN FET现已大量供货。

设计人员可以在5月3日至7日举行的PCIM Digital Days期间访问Nexperia的展区，了解Nexperia GaN FET的实际应用。