英诺赛科：如何进行InnoGaN并联设计？
本文将从氮化镓并联设计的关注点、设计形式、并联案例及实验数据进行分析，归纳出氮化镓并联设计的关键要领。
氮化镓
英诺赛科 . 2024-09-24 1270
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
凭借这一突破性的300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长 利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率 300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平 英飞凌科技股份公司近日宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN
功率半导体
英飞凌官微 . 2024-09-14 1 2095
解决方案｜采用氮化镓PFC技术的瑞萨1.2kW高压逆变器解决方案
在智能制造与工业自动化快速发展的趋势下，企业对于电机驱动系统的要求已不再局限于基本的性能表现，而是更加注重系统的能效比、可靠性以及其对整体生产效率的提升作用。针对这一需求，瑞萨推出采用氮化镓功率因数校正（PFC）技术的1.2kW小型高压逆变器解决方案，为工业界带来了高效、节能的新选择。 系统框图 如今，大多数逆变器都采用传统的PFC拓扑结构，这些结构共同特点是使用硅MOSFET或绝缘栅双极晶体
氮化镓
瑞萨电子 . 2024-09-13 2460
英飞凌于马来西亚启用全球最大且最高效的碳化硅功率半导体晶圆厂
2024年8月8日，英飞凌位于马来西亚的新晶圆厂一期项目正式启动运营，建设完成后该工厂将成为全球最大且最具竞争力的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂。
碳化硅
美通社 . 2024-08-08 1 5363
英诺赛科发布40V车规产品，驾驶舱快充首选
英诺赛科基于40V车规平台推出了一款超小封装的氮化镓车规产品 INN040FQ045A-Q（40V/4.5mΩ，FCQFN 3mm*4mm封装），当前已通过AEC-Q101车规级认证。
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-08-08 1 2 7740
英诺赛科回应英飞凌指控
2024年8月3日，英诺赛科在其官网发布官方声明称，其就近期收到的英飞凌在境外提起的一系列专利侵权指控进行了专业且全面的检索、分析和评估，认为英飞凌的相关指控缺乏依据，涉案专利不具备有效性，相关诉讼不会对英诺赛科的现有产品销售和正常经营产生影响。 据悉，按折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率为42.4%；截至2023年12月31日，公司累
英诺赛科
芯查查资讯 . 2024-08-06 2915
罗姆将亮相2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会
罗姆（总部位于日本京都市）将于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：11号馆D14）。
碳化硅
罗姆 . 2024-08-01 5155
英诺赛科240W LED 驱动方案，能效高、更轻薄
近年来，英诺赛科开发了一系列LED 电源方案，从30W到200W，近期又发布了240W LED电源方案，最高效率达95.6%，与采用Si 器件的同功率电源方案相比，功率密度提高了26%，进一步实现了照明电源高效率、小型化的优势。
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-06-14 1 6 3175
英诺赛科基于VGaN技术推出新一代BMS方案
随着低碳环保理念的推行，以及人们对绿色、便捷出行的需求，移动储能与电动小型动力市场得到快速发展，为了提升电池的安全性以及电池的利用效率，电池保护技术（BMS）亟需进一步提升。 氮化镓（GaN）作为一种新型的半导体材料，具备高频、高效、高功率密度和耐高温的特性，能够提高电力系统的转换能效, 目前已经在快充市场充分证明了其优势。此外，氮化镓无寄生体二极管，可实现受控的双向开通与关断，实现传统两颗
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-06-11 2800
德州仪器计划大规模将GaN芯片生产由6英寸转向8英寸
人们普遍认为 GaN 芯片比碳化硅 (SiC) 芯片更昂贵，但这种看法自 2022 年以来发生了转变。
德州仪器
芯查查资讯 . 2024-03-22 3 13 2621
氮化镓企业Odyssey出售大部分资产，最早年底结束业务
该资产出售已获Odyssey董事会批准，预计将在2024年第三季度初完成出售
Odyssey
芯查查资讯 . 2024-03-20 1 1 1901
瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容
增强瑞萨宽禁带专业知识和产品路线图发展，以应对电动汽车、数据中心、人工智能电源以及可再生能源快速增长的市场机遇 Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞萨CEO柴田英利 1月11日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”）于今天宣布双方已达成最终协议，根据该
瑞萨电子
瑞萨电子 . 2024-01-11 2 14 4714
意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值
2023年12月15日，中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。 意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能
GaN
意法半导体 . 2023-12-18 1750
国星光电联合佛照电工推出33W氮化镓墙插快充新品
9月20日，国星光电联合佛山照明智达电工科技有限公司（简称“佛照电工”）开发的基于第三代半导体氮化镓应用墙插快充产品正式面世，为高品质快充加速普及注入新动能。国星光电与佛照电工联合推出的86面板墙插产品，创新采用了国星光电33W氮化镓技术，该技术主要依托DFN5*6 NSGaN 器件搭建的氮化镓墙插电源，进一步提升了产品的充电效率及安全性能。此款86面板墙插产品在满足新国标CCC认证要求的同时
快讯
芯闻路1号 . 2023-09-22 1 1939
三星购买爱思强MOCVD设备用于氮化镓、碳化硅生产
据电子时报报道，三星电子及其国内晶圆代工厂同行DB Hitek（东部高科）和Key Foundry（启方半导体）将从德国Aixtron（爱思强）采购金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，以进军GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）芯片制造服务市场。 ZDNet Korea日前援引业内人士消息称，爱思强CEO Felix Grawert于今年7月中旬低调访问韩国，并与三大代工厂举行会议，讨论设
快讯
芯闻路1号 . 2023-08-14 2525
思锐智能供货英诺赛科，ALD设备支持8英寸硅基氮化镓晶圆产扩充
7月26日，青岛四方思锐智能技术有限公司（以下简称“思锐智能”)宣布，思锐智能（7月）与英诺赛科签订了一项新的ALD设备采购协议。根据该协议，思锐智能将为英诺赛科供应用于氮化镓半导体晶圆制造前道工艺的Transform系列量产型ALD沉积镀膜设备，支持其8英寸硅基氮化镓晶圆产线的扩充。 据悉，作为一种通用型技术，ALD镀膜工艺对于氮化镓功率器件的性能提升有着显著的增益，例如ALD薄膜可用于
快讯
芯闻路1号 . 2023-07-27 1675
辽宁百思特达氮化镓半导体芯片项目竣工 进入试生产阶段
日前，辽宁百思特达半导体科技有限公司（以下简称“百思特达”）氮化镓半导体芯片项目传来新进展：该项目已进入产品试生产阶段。 盘锦高新技术产业开发区消息显示，百思特达是一家集研发、设计、生产、销售、服务于一体的综合性高科技企业，致力于开创中国半导体氮化镓芯片领域的科技新格局，其位于辽宁省盘锦高新区。该公司投资3亿元建设的氮化镓半导体芯片项目，占地面积125亩，总建筑面积51302.28平方米，
辽宁
芯闻路1号 . 2023-01-11 1915
萨科微宋仕强在华强大讲堂谈第三代半导体，碳化硅氮化镓市场潜力巨大！
华强大讲堂，由华强电子网举办，位于中国电子第一街的华强北电子市场一号楼六楼，是华强北电子人学习的课堂、交流的道场、进步提高的地方。这段时间，华强大讲堂邀请到了金航标kinghelm萨科微slkor总经理宋仕强先生，来华强北大讲堂为大家分享交流了《第三代半导体的现状和发展》，为华强北的电子人带来思想的盛宴，和第三代半导体的专业知识科普。宋仕强先生，是华强北大讲堂的金牌讲师，是华强北商业模式专家、
萨科微
萨科微 . 2022-12-22 1 2 3070
第三代半导体布局提速 国产势力能否“换道超车”？
转自：中国经营网 本报记者 秦枭 北京报道 半导体材料目前已经发展至第三代，从传统Si（硅）功率器件IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金氧半场效晶体管），到以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体。在这条赛道上，企业融资并购、厂商增资扩产、新玩家跑步入场、新项目不断涌现。与半导体市场整体“低迷”的现状不同，第三代半导体市场则焕发着别样生机。 近日，国家第
碳化硅
中国经营报 . 2022-10-08 2003
宏光半导体与协鑫集团达成战略合作
财联社9月8日消息，宏光半导体公告称，公司于9月7日与协鑫集团有限公司订立战略合作框架协议，以展开长期战略合作。根据战略合作框架协议，公司与合作方拟于氮化镓（GaN）功率芯片在新能源领域的应用开展密切合作，包括：(i)合作方或其下属公司将投资公司或公司下属公司的股权，双方建立深度合作；(ii)双方将在境内成立新能源合营公司布局GaN芯片在新能源领域的应用，包括但不限于充电╱换电技术及设备，储能
半导体
鹿鸣新金融 . 2022-09-08 1 1692
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