企业 | 英飞凌GaN产品禁止在中国境内销售
2026年6月12日晚间，国产氮化镓（GaN）大厂英诺赛科通过官方公众号宣布，当日，最高人民法院正式发出临时禁令复议裁定书，维持苏州中院针对英飞凌的销售禁令，意味着从此刻起英飞凌相关氮化镓产品被禁止在中国境内销售，英诺赛科取得了专利侵权案的最终胜利。 早在2025年初，英诺赛科就有向江苏省苏州市中级人民法院提起诉讼，指控英飞凌科技（中国）有限公司、英飞凌科技（无锡）有限公司及代理商苏州芯沃科
英飞凌
芯查查资讯 . 21小时前 1 434
企业 | CGD 强强联手恩智浦半导体加速产品上市进程
英国剑桥，2026年6月9日 —— 创新氮化镓（GaN）功率器件全球领导者剑桥氮化镓器件公司（Cambridge GaN Devices，CGD）宣布与恩智浦半导体（NXP® Semiconductors）达成合作，共同加速数据中心和汽车市场的产品开发与上市进程。 作为当前增长最快的应用领域之一，数据中心和新能源汽车市场为GaN技术带来了巨大发展机遇。国际能源署（IEA）预计，到2030年，全球数
氮化镓
剑桥氮化镓器件 . 2026-06-11 1106
产品 | EPC2378 eGaN器件量产，聚焦高密度电源
增强型氮化镓（eGaN®）功率器件的领导者 EPC，宣布其新款 EPC2378 25V eGaN 功率晶体管已进入量产，使高密度电源系统设计人员能够在 DC-DC 转换应用中实现更高效率、更快开关速度和更高功率密度。EPC2378 针对 48V 至 8V 或 5V LLC 转换器次级侧的同步整流器应用进行了优化。除了同类最佳的 410 µΩ 典型 RDS(on) 外，该器件还拥有行业领先的 RDS
GaN
EPC宜普电源 . 2026-06-11 1 798
技术丨为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点
Tom Truman Vice President, Performance Computing Power Division 在数据中心设计的新纪元，人工智能（AI）正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化，而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心，其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进
瑞萨
Renesas瑞萨电子 . 2026-04-15 1 1743
产品 | VIPERGAN器件上新！功率最高100W，持续推动氮化镓技术普及
从快充充电器到工业自动化，氮化镓正成为高功率密度电源设计的核心选择。意法半导体近日推出四款全新VIPERGAN氮化镓功率器件，持续推动氮化镓技术在更广阔领域的落地。 这四款全新VIPERGAN氮化镓功率器件分别为VIPERGAN50W、VIPERGAN65W、VIPERGAN65D以及VIPERGAN100W (B)。相较于前代VIPERGAN50/65/100型号，新款器件将原有的650V
ST
意法半导体工业电子 . 2026-04-10 1806
方案 | 英飞凌推出集成式半桥解决方案CoolGaN™ Drive HB 600 V G5，进一步提升氮化镓的易用性
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列，进一步扩大了其CoolGaN™产品组合。四款新产品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半桥配置并在其中集成了两个600V氮化镓（GaN）开关，带有高低侧栅极驱动器与自举二极管，提供紧凑且散热优化的功
英飞凌
英飞凌官微 . 2026-03-06 5 3080
企业 | VisIC完成超亿元B轮融资，现代汽车等最新参投
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称“HKMC”）作为战略投资者参投。
氮化镓
芯查查资讯 . 2026-01-12 1897
企业 | 恩智浦关闭亚利桑那州ECHO Fab晶圆厂，退出氮化镓5G功率放大器市场
据Light Reading报道，恩智浦（NXP）正式宣布将关闭位于美国亚利桑那州钱德勒市的ECHO Fab晶圆厂，并全面退出氮化镓（GaN）技术驱动的5G功率放大器（PA）芯片制造领域。 六年生命周期戛然而止，先进工厂提前退场 ECHO Fab晶圆厂于2020年9月正式投产，作为当时全球最先进的6英寸氮化镓专用生产线，其使命是为5G基站提供高功率密度、高能效的射频功率放大器。恩智浦曾将氮化镓
氮化镓
芯查查资讯 . 2025-12-16 2919
企业 | 英诺赛科与安森美半导体达成共同加速推进氮化镓产业生态建设的战略合作协议
北京时间12月3日，英诺赛科与安森美半导体共同宣布，双方达成战略合作，共同加速推进氮化镓产业的应用与布局。 此次战略合作，将通过晶圆采购等方式，整合英诺赛科成熟先进的氮化镓制造能力及安森美在系统封装与集成等领域的经验和优势，加速推动氮化镓在新能源汽车、人工智能、数据中心，工业等领域的快速落地。此次合作，有望在未来几年将带来数亿美元的氮化镓销售，并为合作双方在上述关键领域的市场开拓与布局带来先机。
英诺赛科
英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-12-03 1 2611
企业 | 英诺赛科胜诉英飞凌
据英诺赛科官方微信，根据中国国家知识产权局最新审查决定，全球氮化镓龙头英诺赛科（Innoscience）今日正式获得关于其两项核心氮化镓（GaN）专利有效性的胜利结果，该决定明确维持英诺赛科专利权利要求全面有效，驳回了英飞凌（Infineon）提出的无效请求。英飞凌在此案上彻底败诉。据悉，英诺赛科已于今年早些时候对英飞凌发起了基于该两项专利的专利侵权诉讼。
英诺赛科
芯查查资讯 . 2025-11-19 4 3367
企业 | 氮化镓赛道崛起！英诺赛科荣登《麻省理工科技评论》50家聪明公司
2025年9月12日，《麻省理工科技评论》2025全球“50家聪明公司”榜单正式发布，英诺赛科作为第三代半导体领域的领军企业强势上榜。 自 2010 年设立该评选以来，《麻省理工科技评论》始终致力于挖掘兼具技术突破性与行业影响力的标杆企业。曾获此殊荣的企业包括早期的亚马逊、苹果，到近期的英伟达、阿里巴巴等，这些公司都凭借敏锐的技术前瞻性和强大的商业化落地能力，赢得了全球权威认可。 《麻省理工
英诺赛科
英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-09-17 2555
方案 | 大联大诠鼎集团推出两款基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源方案
诠鼎推出两款基于英诺赛科（Innoscience）InnoGaN INN100EA035A氮化镓功率晶体管和INS2002FQ氮化镓半桥驱动IC的48V四相2kW降压电源方案。
氮化镓
大联大 . 2025-09-11 3549
合作 | 纳微与兆易创新达成战略合作，打造智能、高效、高功率密度的数字电源解决方案
作为战略合作的重要组成部分，纳微还将与兆易创新共建联合研发实验室，融合双方的技术专长和生态资源优势，驱动智能、高效电源管理方案的创新升级。
纳微
纳微芯球 . 2025-04-09 1 5670
意法半导体新能源功率器件解决方案：从产品到应用，一文读懂（下篇）
在《意法半导体新能源功率解决方案：从产品到应用，一文读懂（上篇）》文章中，我们着重介绍了ST新能源功率器件中的传统IGBT和高压MOSFET器件，让大家对其在相关领域的应用有了一定了解。接下来，本文将聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半导体产品以及其新能源功率解决方案。 碳化硅MOSFET ST提供丰富的碳化硅器件，到目前共三代产品。第三代器件产品非常丰富，支持650V/750V/900V/120
ST
意法半导体工业电子 . 2025-02-07 7581
英诺赛科成功上市，氮化镓功率半导体引领者全“芯”启航
北京时间2024年12月30日，氮化镓功率半导体引领者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码02577.HK。上市当天，英诺赛科领导团队共同在香港敲响了开市钟，庆祝公司股票首日上市交易。 英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-12-30 3 2 8065
罗姆与台积电合作开发和量产车用氮化镓功率器件
罗姆宣布与台积电就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。
氮化镓
芯查查资讯 . 2024-12-12 1w
客户认可+1！英诺赛科荣获 OPPO 最具创新奖
11月8日，以“聚力同行·凝创未来”为主题的 OPPO 2024 核心合作伙伴大会在深圳举办。英诺赛科凭借其非凡的研发实力与开创性的精神，成功斩获OPPO 2024最具创新奖。 英诺赛科作为氮化镓革命的领军者，在氮化镓技术发展的浪潮中，凭借卓越的技术实力，有力地推动着行业创新的步伐。双方合作过程中，英诺赛科与OPPO技术团队紧密协作，深度融合，为OPPO众多旗舰产品提供了全链路的氮化镓技术支撑，充
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-11-20 1 2 6594
PI 推出1700V氮化镓开关IC，为氮化镓技术树立新标杆
PI推出InnoMux-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN技术制造而成，是业界首款1700V氮化镓开关IC。
氮化镓
PI . 2024-11-05 1 4354
德州仪器日本会津氮化镓工厂投产
10月28日消息，德州仪器 (TI)近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。 随着会津工厂投产，加上德州仪器现有 GaN 制造产能，德州仪器的 GaN 功率半导体自有制造产能将提升至原来的四倍。 德州仪器技术和制造集团高级副总裁 Mohammad Yunus 表示：“基于在 GaN 芯片设计和制造领域数十年的专业知识，我们已成功验证了德州仪器 8 英
TI
芯查查资讯 . 2024-10-30 3528
英诺赛科：如何进行InnoGaN并联设计？
本文将从氮化镓并联设计的关注点、设计形式、并联案例及实验数据进行分析，归纳出氮化镓并联设计的关键要领。
氮化镓
英诺赛科 . 2024-09-24 9608
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