合作 | 纳微与兆易创新达成战略合作，打造智能、高效、高功率密度的数字电源解决方案
作为战略合作的重要组成部分，纳微还将与兆易创新共建联合研发实验室，融合双方的技术专长和生态资源优势，驱动智能、高效电源管理方案的创新升级。
纳微
纳微芯球 . 2025-04-09 1 880
意法半导体新能源功率器件解决方案：从产品到应用，一文读懂（下篇）
在《意法半导体新能源功率解决方案：从产品到应用，一文读懂（上篇）》文章中，我们着重介绍了ST新能源功率器件中的传统IGBT和高压MOSFET器件，让大家对其在相关领域的应用有了一定了解。接下来，本文将聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半导体产品以及其新能源功率解决方案。 碳化硅MOSFET ST提供丰富的碳化硅器件，到目前共三代产品。第三代器件产品非常丰富，支持650V/750V/900V/120
ST
意法半导体工业电子 . 2025-02-07 1405
英诺赛科成功上市，氮化镓功率半导体引领者全“芯”启航
北京时间2024年12月30日，氮化镓功率半导体引领者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码02577.HK。上市当天，英诺赛科领导团队共同在香港敲响了开市钟，庆祝公司股票首日上市交易。 英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-12-30 3 2 1600
罗姆与台积电合作开发和量产车用氮化镓功率器件
罗姆宣布与台积电就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。
氮化镓
芯查查资讯 . 2024-12-12 9113
客户认可+1！英诺赛科荣获 OPPO 最具创新奖
11月8日，以“聚力同行·凝创未来”为主题的 OPPO 2024 核心合作伙伴大会在深圳举办。英诺赛科凭借其非凡的研发实力与开创性的精神，成功斩获OPPO 2024最具创新奖。 英诺赛科作为氮化镓革命的领军者，在氮化镓技术发展的浪潮中，凭借卓越的技术实力，有力地推动着行业创新的步伐。双方合作过程中，英诺赛科与OPPO技术团队紧密协作，深度融合，为OPPO众多旗舰产品提供了全链路的氮化镓技术支撑，充
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-11-20 1 2 1890
PI 推出1700V氮化镓开关IC，为氮化镓技术树立新标杆
PI推出InnoMux-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN技术制造而成，是业界首款1700V氮化镓开关IC。
氮化镓
PI . 2024-11-05 1 1690
德州仪器日本会津氮化镓工厂投产
10月28日消息，德州仪器 (TI)近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。 随着会津工厂投产，加上德州仪器现有 GaN 制造产能，德州仪器的 GaN 功率半导体自有制造产能将提升至原来的四倍。 德州仪器技术和制造集团高级副总裁 Mohammad Yunus 表示：“基于在 GaN 芯片设计和制造领域数十年的专业知识，我们已成功验证了德州仪器 8 英
TI
芯查查资讯 . 2024-10-30 1105
英诺赛科：如何进行InnoGaN并联设计？
本文将从氮化镓并联设计的关注点、设计形式、并联案例及实验数据进行分析，归纳出氮化镓并联设计的关键要领。
氮化镓
英诺赛科 . 2024-09-24 4620
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
凭借这一突破性的300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长 利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率 300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平 英飞凌科技股份公司近日宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN
功率半导体
英飞凌官微 . 2024-09-14 1 3435
解决方案｜采用氮化镓PFC技术的瑞萨1.2kW高压逆变器解决方案
在智能制造与工业自动化快速发展的趋势下，企业对于电机驱动系统的要求已不再局限于基本的性能表现，而是更加注重系统的能效比、可靠性以及其对整体生产效率的提升作用。针对这一需求，瑞萨推出采用氮化镓功率因数校正（PFC）技术的1.2kW小型高压逆变器解决方案，为工业界带来了高效、节能的新选择。 系统框图 如今，大多数逆变器都采用传统的PFC拓扑结构，这些结构共同特点是使用硅MOSFET或绝缘栅双极晶体
氮化镓
瑞萨电子 . 2024-09-13 3920
英飞凌于马来西亚启用全球最大且最高效的碳化硅功率半导体晶圆厂
2024年8月8日，英飞凌位于马来西亚的新晶圆厂一期项目正式启动运营，建设完成后该工厂将成为全球最大且最具竞争力的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂。
碳化硅
美通社 . 2024-08-08 1 6098
英诺赛科发布40V车规产品，驾驶舱快充首选
英诺赛科基于40V车规平台推出了一款超小封装的氮化镓车规产品 INN040FQ045A-Q（40V/4.5mΩ，FCQFN 3mm*4mm封装），当前已通过AEC-Q101车规级认证。
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-08-08 1 2 8190
英诺赛科回应英飞凌指控
2024年8月3日，英诺赛科在其官网发布官方声明称，其就近期收到的英飞凌在境外提起的一系列专利侵权指控进行了专业且全面的检索、分析和评估，认为英飞凌的相关指控缺乏依据，涉案专利不具备有效性，相关诉讼不会对英诺赛科的现有产品销售和正常经营产生影响。 据悉，按折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率为42.4%；截至2023年12月31日，公司累
英诺赛科
芯查查资讯 . 2024-08-06 3485
罗姆将亮相2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会
罗姆（总部位于日本京都市）将于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：11号馆D14）。
碳化硅
罗姆 . 2024-08-01 5680
英诺赛科240W LED 驱动方案，能效高、更轻薄
近年来，英诺赛科开发了一系列LED 电源方案，从30W到200W，近期又发布了240W LED电源方案，最高效率达95.6%，与采用Si 器件的同功率电源方案相比，功率密度提高了26%，进一步实现了照明电源高效率、小型化的优势。
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-06-14 1 6 3885
英诺赛科基于VGaN技术推出新一代BMS方案
随着低碳环保理念的推行，以及人们对绿色、便捷出行的需求，移动储能与电动小型动力市场得到快速发展，为了提升电池的安全性以及电池的利用效率，电池保护技术（BMS）亟需进一步提升。 氮化镓（GaN）作为一种新型的半导体材料，具备高频、高效、高功率密度和耐高温的特性，能够提高电力系统的转换能效, 目前已经在快充市场充分证明了其优势。此外，氮化镓无寄生体二极管，可实现受控的双向开通与关断，实现传统两颗
英诺赛科
英诺赛科 . 2024-06-11 4630
德州仪器计划大规模将GaN芯片生产由6英寸转向8英寸
人们普遍认为 GaN 芯片比碳化硅 (SiC) 芯片更昂贵，但这种看法自 2022 年以来发生了转变。
德州仪器
芯查查资讯 . 2024-03-22 3 13 3011
氮化镓企业Odyssey出售大部分资产，最早年底结束业务
该资产出售已获Odyssey董事会批准，预计将在2024年第三季度初完成出售
Odyssey
芯查查资讯 . 2024-03-20 1 1 2441
瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容
增强瑞萨宽禁带专业知识和产品路线图发展，以应对电动汽车、数据中心、人工智能电源以及可再生能源快速增长的市场机遇 Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞萨CEO柴田英利 1月11日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”）于今天宣布双方已达成最终协议，根据该
瑞萨电子
瑞萨电子 . 2024-01-11 2 14 5444
意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值
2023年12月15日，中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。 意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能
GaN
意法半导体 . 2023-12-18 2095
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