“完美电源开关”的飘然而至,进行了超过2000万小时的设备可靠性测试
在多伦多一个飘雪的寒冷日子里。 我们几个人齐聚在本地一所大学位于地下的高级电力电子研究实验室中，进行一场头脑风暴。有点讽刺意味的是，话题始终围绕着热量，当然不是要生热取暖，而是如何减少功率转换器产生的热量。我们已经将MOSFET和IGBT分别做到了极致，但是我们中没有人对此感到满意。在这个探讨过程中，我们盘点了一系列在高压环境中失败的设备。 在那个雪花漫天飞舞的日子里，我们聚焦于选择新方法和拓扑，
电源开关
未知 . 2018-11-28 895
Veeco携手ALLOS研发硅基氮化镓外延片产品技术
Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 与 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一阶段的合作成果，双方共同努力，致力于为Micro LED生产应用提供业内领先的硅基氮化镓外延片产品技术。 两家公司最近合作的宗旨是，在为全球范围内多家杰出的消费类电子产品公司生产外延片的同时，展示ALLOS 200 mm硅基氮化镓外延片产品技术在Ve
Veeco
未知 . 2018-11-15 960
从LDMOS转到氮化镓的时间窗口只有三年
“现在正处于从LDMOS转到氮化镓的时间窗口，但只有三年。”能讯半导体总经理任勉表示，在氮化镓领域耕耘十二年，能讯半导体迎来关键时间节点，抓住5G基站建设机会，就可以在竞争中占据有利位置。 当前基站与无线回传系统中使用的大功率射频器件（功率大于3瓦），主要有基于三种材料生产的器件，即传统的LDMOS（横向扩散MOS）、砷化镓（GaAs），以及新兴的氮化镓（GaN）。市场调研机构Yole（Yole
氮化镓
未知 . 2018-10-19 835
北方华创揽获氮化镓工艺装备采购订单
近日，北方华创微电子成功获得了位于苏州的一家知名化合物半导体公司批量采购订单，订单包括了ELEDE® 330SG刻蚀机、SW GDE C200刻蚀机、 EPEE550 PECVD在内的数十台设备。本次需求源自苏州一家化合物半导体公司扩产5G基站用氮化镓功放芯片项目，作为中国高性能氮化镓芯片IDM领先企业，该项目将为我国5G通讯基础设施建设提供保障。此次是北方华创微电子在宽禁带化合物半导体领域的重大
半导体
未知 . 2018-09-04 915
氮化镓中使用光电化学刻蚀技术实现高纵横比深沟槽的进展
据麦姆斯咨询报道，近日，日本SCIOCS公司与法政大学报道了其在氮化镓（GaN）中使用光电化学（photo-electro-chemical，简称PEC）刻蚀技术实现高纵横比深沟槽的进展。该小组希望这项技术能够利用GaN在高电场中的高击穿电场和高电子漂移速度等优良特性，为功率电子创造新的器件结构。 深刻蚀用来创建具有p型和n型材料柱的“超结”结构，当结合侧向场效应晶体管时，就会产生超过10kV的击
晶圆
未知 . 2018-09-03 875
日本设立共同研究室 加快新一代功率半导体氮化镓功研发
据报道，共同研究室预计将于2017年3月底前后设置、最初由总计10名左右的研究人员参加。该研究室力争将“氮化镓”这种物质运用在控制电流的新一代半导体功率器件等中。 据了解，“氮化镓”是天野研发的获诺贝尔奖的蓝色发光二级管（LED）的材料。该研究室力争把名古屋大学研制氮化镓结晶的技术与该机构调查物质性质的技术相结合，加快研发进程。 天野是小出在名古屋大学念书时低一届的学弟。两人在名城大学
功率半导体
金羊网 . 2016-11-24 760
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