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  • 市场 | 供不应求态势激励价格成长，1Q26全球前五大NAND Flash品牌合计营收季增83.7%

    市场 | 供不应求态势激励价格成长，1Q26全球前五大NAND Flash品牌合计营收季增83.7%

    根据TrendForce集邦咨询最新NAND Flash产业调查，2026年第一季，全球各云端服务供应商（CSP）为满足建设AI Server基础设施时的高速传输、大容量要求，带动Enterprise SSD需求呈几何倍数成长。此外，因传统HDD持续出现结构性缺货，促使大批订单转向QLC Enterprise SSD。在需求爆发、供给受限的情况下，NAND Flash原厂平均销售单价（ASP）普遍

    NAND

    TrendForce集邦 . 2026-05-25 1 1757

  • 企业 | 铠侠电子停产用于MLC NAND “薄型小尺寸封装”产品

    企业 | 铠侠电子停产用于MLC NAND “薄型小尺寸封装”产品

    3月19日消息，NAND Flash大厂铠侠电子（中国）有限公司近日向客户发布停产通知，宣布“薄型小尺寸封装”（Thin Small Outline Package，简称TSOP）相关产品停产。而该TSOP封装主要用于低容量MLC NAND（每个存储单元中存储 2bit 数据的NAND闪存类型），这也意味着铠侠的低容量MLC NAND可能将停产。 铠侠表示，由于生产能力和基材限制，公司无法生产8G

    铠侠电子

    芯查查资讯 . 2026-03-20 1365

  • 市场 | 内存价格较 2025 年第四季度飙升高达 90%

    市场 | 内存价格较 2025 年第四季度飙升高达 90%

    与 2025 年第四季度相比，截至 2026 年第一季度目前，内存价格已暴涨 80%-90%，其中 DRAM、NAND 及 HBM 均创下历史新高    为缓解成本压力，原始设备制造商（OEM）正减少单款设备的内存配置，或优先推出搭载 LPDDR5 的高端产品线 —— 该领域的价格压力相对可控。    2025 年第四季度，传统 DRAM 利润率已超过 HBM；预计 2026 年第一季度，厂商营业

    内存

    Counterpoint 咨询 . 2026-02-09 2751

  • 企业 | SK海力士于CES 2026亮相面向AI的下一代存储器创新成果

    企业 | SK海力士于CES 2026亮相面向AI的下一代存储器创新成果

    韩国首尔，2026年1月6日——SK海力士6日宣布，公司将于当地时间1月6日至9日，在美国拉斯维加斯举办的“CES 2026”威尼斯人会展中心设立专属客户展馆，并集中展示面向AI的下一代存储器解决方案。    公司表示：“本次展览以‘AI技术创新赋能可持续未来（Innovative AI，Sustainable Tomorrow）’为主题，全面展示专为AI优化的下一代存储器解决方案。公司将依托与全

    HBM

    SK海力士 . 2026-01-06 1 2079

  • 市场 | NAND涨价10%，SSD涨价20%

    市场 | NAND涨价10%，SSD涨价20%

      AI与数据中心需求持续挤压全球存储产能，近日有消息传出，某NAND Flash大厂已启动新一波价格调整。以12月相较11月的实际成交来看，NAND wafer价格月增约一成多，成品端如SSD的调幅约15～20％。       市场一度流传「wafe涨40％、模块价格翻倍」的说法，但供应链认为，40％以上的调幅，较可能反映前期累积调整；至于模块价格全面翻倍，目前尚未在主流交易中获得验证。    

    NAND

    芯查查资讯 . 2025-12-24 1 3 5838

  • 市场 | DDR4报价仍高于DDR5，NAND价格出现单日多调情况

    市场 | DDR4报价仍高于DDR5，NAND价格出现单日多调情况

    根据TrendForce集邦咨询最新发布的存储现货价格趋势报告，DRAM方面，现货市场市况持续波动，DDR4的颗粒报价持续上扬，整体报价仍高于DDR5。虽然价格已经处于高位，但尚未观察到价格回跌迹象。主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s在本周(11/26–12/2)的价格涨幅为10.73%(US$14.914上涨至US$16.514)。 NAND现货市场，在预期供应将极度吃紧且后续价格仍会

    NAND

    TrendForce集邦 . 2025-12-05 1 2086

  • 企业 | 美光中国区裁员，涉及嵌入式、测试、FAE/AE等

    企业 | 美光中国区裁员，涉及嵌入式、测试、FAE/AE等

    据产业链消息，美光（Micron）中国区于8月11日启动裁员，主要涉及国内嵌入式团队研发、测试以及FAE/AE等支持部门，上海、深圳等多地员工受影响。    对此，美光回应指出，鉴于移动NAND产品在市场持续疲软的财务表现，以及相较于其他NAND机会增长放缓，我们将在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发，包括终止UFS5的开发。 美光表示，此项决策仅影响全球移动NAND产品的开发工作，美光将继

    美光

    芯查查资讯 . 2025-08-13 6510

  • 存储 | HBM、DDR5、多层NAND Flash等未来三年的技术发展趋势

    存储 | HBM、DDR5、多层NAND Flash等未来三年的技术发展趋势

    重点内容速览： 1. HBM收益AI需求快速增长，SK海力士一骑绝尘 2.  DRAM技术持续迭代，进入10nm时代 3.  NAND Flash层数不断突破，国内厂商不甘人后   在人工智能的推动下，存储器市场正迎来一场变革，技术的发展节奏明显加快。要知道，当年DRAM等存储器主要就是依赖不断缩小的制程尺寸，来提升存储密度、降低功耗，以及降低成本的。然而在过去10年里，存储器的制程微缩大幅放缓，

    存储

    芯查查资讯 . 2025-03-24 7 2 1.6w

  • 2024年存储器市场持续增长，增幅预计达21%

    2024年存储器市场持续增长，增幅预计达21%

    存储器细分市场持续增长，2024年预计增幅达21%。 在这一类别中，DRAM预计将领跑，增幅为26%，而NAND的增幅则较为温和，预计为9%。

    存储器

    TechInsights . 2024-10-09 6629

  • 2024 MWC上海：江波龙探索存储技术新趋势

    2024 MWC上海：江波龙探索存储技术新趋势

      6月26日至28日，2024 MWC上海在新国际博览中心隆重举行，半导体存储品牌企业江波龙亮相展会，并在现场展示其最新成果，与全球行业精英共同探索存储在移动通信领域的无限可能。 本次展会，江波龙以“存储无界 智联未来”为主题，通过一系列前沿产品展示、新品宣讲和互动体验活动，全面展示公司在存储技术创新和存储应用方面的最新进展。   在产品展示方面，江波龙带来了旗下行业类存储品牌FORESEE全品

    存储器件

    江波龙 . 2024-06-27 2 10 6307

  • 美光：智能家居正在变得越来越智能

    美光：智能家居正在变得越来越智能

    人工智能 (AI) 和物联网 (IoT) 的进步正在彻底改变智能家居。这项技术日益成为主流，您无需精通技术即可享受其带来的益处。拥有智能手机和无线网络，便已足够。   观察、发出指令、控制 我们来快速了解一下智能家居的发展方向。从一开始您就会注意到，智能家居建立在 AI 和机器学习基础上，所有这些都发生在智能边缘设备中。这些设备都需要高性能、低功耗、体积小巧的内存和存储来实现智能决策。   从房屋

    美光

    Micron美光科技 . 2024-06-12 2 4690

  • TrendForce：以三星为首的DRAM产商增加供应 压低DRAM价格

    TrendForce最新报告指出，DRAM市场中，卖家尤其是三星增加了芯片供应，从而压低DRAM价格。 NAND Flash方面，零售市场需求持续低迷，模组厂加大销售力度积极争取成交，价格出现松动，零售市场订单尚未回补，加上晶圆价格已从谷底回升至近八成，现货价格的断崖式下跌恐将持续。

    DRAM

    芯查查资讯 . 2024-05-23 1 9 5677

  • 研发封测一体化布局，江波龙加强存储芯片垂直整合能力

    研发封测一体化布局，江波龙加强存储芯片垂直整合能力

    在三星电子、美光、SK海力士，以及铠侠等国际存储企业在高层数大容量3D NAND Flash、DDR5/LPDDR5、HBM等先进存储与封装技术路线上一路狂奔的时候，国内存储厂商也开始在中小容量存储技术上“安营扎寨”，随时准备攻城略地。   江波龙就是其中之一，他们在2017年就推出了FORESEE微存储产品，布局中小容量存储产品。据公开资料显示，多年来，江波龙持续积极投入存储芯片设计业务，已经构

    江波龙

    芯查查资讯 . 2024-04-28 2 13 8829

  • 铠侠或将在年内IPO

    铠侠或将在年内IPO

    目标最快在今年内于东京证券交易所IPO上市。

    快讯

    芯查查资讯 . 2024-04-17 2 5230

  • 铠侠及西部数据率先提升产能利用率，带动全年NAND Flash供应位元年增率上升至10.9%

    铠侠及西部数据率先提升产能利用率，带动全年NAND Flash供应位元年增率上升至10.9%

    在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利

    存储器件

    芯查查资讯 . 2024-03-20 1 5188

  • NAND或最高涨价20%，三星电子计划与客户重新谈判

    NAND或最高涨价20%，三星电子计划与客户重新谈判

    3月15日消息，业内人士表示NAND的临时交易价格持续上涨，市场仍弥漫着减产带来的担忧，客户正急于确保供应。自去年10月起，NAND价格持续反弹，已连续五个月上涨。   三星电子NAND闪存价格或最高涨到20%。据韩媒ChosunBiz援引业内人士消息，三星电子计划在今年3月至4月期间，与主要移动端、PC端、服务器端客户重新协商价格，目标涨价15%至20%。   近期NAND供需状况逐渐趋向正常，

    快讯

    芯闻路1号 . 2024-03-15 2 10 6497

  • 三星电子将其西安工厂的NAND闪存开工率提高至70%

    三星电子将其西安工厂的NAND闪存开工率提高至70%

    3 月 11 日韩媒 The Elec 报道，三星电子已将西安工厂的闪存开工率提高至 70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地，月产能为 20 万片 300mm 晶圆，占三星整体 NAND 产量的 40%。   目前三星正将西安工厂的工艺升级至 236 层（第 8 代 V-NAND），因此产能本身低于满载。 为了应对 2022 年开始的存储行业恶化，三星在去年下半年将西安工厂

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    芯闻路1号 . 2024-03-12 2 6630

  • 2024年加码投资DRAM/NAND：三星增加25%、SK海力士增加100%

    2024年加码投资DRAM/NAND：三星增加25%、SK海力士增加100%

    12 月 21 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元（约 1482.3 亿元人民币），比 2023 年投资预算增加 25%；而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元（约 290.97 亿元人民币），比今年的投资额增长 100%。   报道指出，三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外，还提高了 2024

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    芯闻路1号 . 2023-12-21 1 8007

  • NAND产品涨超10%！三星再度调涨存储芯片报价

    NAND产品涨超10%！三星再度调涨存储芯片报价

     韩国存储大厂三星电子为了提振NAND Flash芯片市场行情，打算在第四季将NAND芯片价格调涨10％以上，且最快自10月开始涨价。业界人士认为，第四季DRAM及NAND合约价可望看涨10％～15％。     消息称，三星电子最快将从10月签约的新订单开始调涨NAND芯片合约价格，这是继先前宣布NAND芯片减产后，企图提振NAND芯片价格的最新策略。     2022年下半年以来，高通膨及全球经

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    芯闻路1号 . 2023-10-07 1 7 6671

  • 西数与铠侠NAND闪存业务合并进入最后阶段

      西部数据和铠侠（Kioxia）在存储领域的合作伙伴关系已超过了20年，在这期间共同投资NAND闪存的研发和生产。双方各自的产品线也是有侧重点的，以尽可能避免相互之间的竞争。过去一段时间里，双方就NAND闪存生产业务合并进行谈判，已经到了最后阶段。   据相关媒体报道，包括三井住友金融集团、瑞穗金融集团和三菱日联金融集团等银行计划在下个月提交承诺书，为西部数据和铠侠的NAND闪存生产业务合并提供

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    芯闻路1号 . 2023-09-21 1 2 5507

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