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  • 三星计划明年生产第9代V-NAND闪存 沿用双层堆栈架构

    三星计划明年生产第9代V-NAND闪存 沿用双层堆栈架构

      8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层。   报道称，这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。   双层堆栈架构指在 300m

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    芯闻路1号 . 2023-08-18 1 1 2010

  • 三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

    三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

      据电子时报报道，为了克服低迷的存储器市场状况，三星电子计划停止其位于韩国平泽市P1工厂的部分NAND闪存生产设备。   据ZDNet Korea报道，业内人士透露，三星目前正在考虑停止P1工厂NAND Flash生产线部分设备的生产。该生产区主要负责生产128层堆叠的第6代V-NAND。据悉，该设备将停产至少一个月，但可能会延长至2023年下半年。   目前，三星已经减少了主要NAND Fla

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    芯闻路1号 . 2023-08-15 2845

  • SK海力士展示全球首款321层NAND芯片

    SK海力士展示全球首款321层NAND芯片

      8 月 9 日消息，SK 海力士今日宣布，通过 321 层 4D NAND 样品的发布，正式成为业界首家正在开发 300 层以上 NAND 闪存的公司。   SK 海力士宣布，将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。   SK 海力士 321 层 1Tb TLC NAND 介绍如下：   321 层 1Tb TLC NAND 的效率比上一代 238 层

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    芯闻路1号 . 2023-08-09 1 1 2665

  • 台媒：Q3 DRAM合约价格将保持稳定

    台媒：Q3 DRAM合约价格将保持稳定

      据电子时报报道，业内消息人士称，由于大多数存储芯片供应商在与客户就2023年第三季度供应进行谈判时已设法避免大幅降价，预计DRAM合同价格短期内将保持稳定。但NAND闪存供应合同谈判尚未取得太大进展，终端市场需求较弱。   消息人士表示，除三星电子外，存储芯片制造商大多已敲定2023年第三季度DRAM合同价格，目前保持在稳定水平。消息人士还表示，目前NAND闪存市场下滑速度有所放缓，但由于终端

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    芯闻路1号 . 2023-07-25 1 2045

  • 消息称三星将提升NAND晶圆价格

    消息称三星将提升NAND晶圆价格

      据业内消息人士透露，三星已在5月底通知组件客户，将提高NAND晶圆的官方报价。   据台媒电子时报报道，消息人士称，尽管三星计划提高NAND晶圆价格，但并不打算提高固态硬盘的价格，这将挤压模组制造商的利润。   “模组制造商的产品通常比NAND芯片供应商的固态硬盘便宜，如果三星提高NAND晶圆价格，其固态硬盘与模组制造商产品之间的价格差距将缩小，模组制造商将看到生产成本上升。”消息人士解释说道

    三星

    芯闻路1号 . 2023-06-08 1 4200

  • SK 海力士公告第 8 代 3D NAND：堆叠层数超过 300 层，可提高 SSD 性能、降低成本

    SK 海力士公告第 8 代 3D NAND：堆叠层数超过 300 层，可提高 SSD 性能、降低成本

      3 月 18 日消息，SK 海力士（SK Hynix）近日宣布第八代 3D NAND 的详细信息，堆叠层数超过 300 层，预估将于 2024 年年底或者 2025 年年初上市发售。   从 SK 海力士官方公告中获悉，第 8 代 3D NAND 堆叠成熟超过 300 层，容量为 1Tb（128GB），具有三级单元和超过 20Gb / mm^2 的位密度（bit density）。 图片来源:

    SK 海力士

    芯闻路1号 . 2023-03-19 1 3915

  • SK海力士发布2022财年第三季度财务报告

          2022年10月26日，SK海力士发布截至2022年9月30日的2022财年第三季度财务报告。公司2022财年第三季度结合并收入为10.9829万亿韩元，营业利润为1.6556万亿韩元，净利润为1.1027万亿韩元。2022财年第三季度营业利润率为15%，净利润率为10%。2022财年第三季度结合并收入环比减少20.5%，营业利润环比减少60.5%。公司2022财年第二季度结合并收入为

    SK海力士

    芯闻路1号 . 2022-10-26 1 2535

  • 【芯查查热点】Yole：中国正在领跑全球汽车LiDAR市场；2022上半年全球半导体并购总额达206亿美元；瑞萨将收购印度Steradian以扩大其在雷达市场的业务范围

    【芯查查热点】Yole：中国正在领跑全球汽车LiDAR市场；2022上半年全球半导体并购总额达206亿美元；瑞萨将收购印度Steradian以扩大其在雷达市场的业务范围

           1.机构：卖方库存压力沉重，第三季NAND Flash Wafer合约价跌幅扩大至30-35%   2.台积电亚利桑那州主要工厂建设完成   3.国家发改委：瞄准人工智能等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目   4.微软宣布在卡塔尔建设数据中心，创造36000个新就业机会   5.2022上半年全球半导体并购总额达206亿美元   6.被控侵犯INVT公司无线通讯

    NAND

    芯查查热点 . 2022-09-02 1 8 5198

  • 【芯查查热点】传NAND闪存价格将在下半年进一步下跌，季度降幅达近20%；消息称格芯2023年将对部分代工工艺提价8%；台积电3nm芯片或将于2024年放量

    【芯查查热点】传NAND闪存价格将在下半年进一步下跌，季度降幅达近20%；消息称格芯2023年将对部分代工工艺提价8%；台积电3nm芯片或将于2024年放量

          1.传NAND闪存价格将在下半年进一步下跌，季度降幅达近20%   2.消息称格芯2023年将对部分代工工艺提价8%   3.中国生产中断和通胀压力的影响，2022年第二季度西欧个人电脑出货量同比下降18%   4.台积电3nm芯片或将于2024年放量   5.韩国：针对美国《降低通货膨胀法案》考虑向WTO申诉   6.机构：欧洲2023年芯片销售额将以全球最慢的速度增长   7.苹果

    NAND

    芯查查热点 . 2022-08-25 2 13 6803

  • 传SK 海力士正开发基于 238 层 NAND 的 UFS4.0 闪存

    传SK 海力士正开发基于 238 层 NAND 的 UFS4.0 闪存

      8 月 16 日消息，半导体业界人士透露，SK 海力士计划最早明年上半年量产采用 238 层 NAND（V8）的最新 UFS 4.0 闪存。   根据 SK 海力士制定的 UFS 4.0 内存开发计划，其将在 UFS 4.0 闪存上主要搭载 V7 和 V8 NAND，其中 V8 是 SK 海力士开发的世界上首个 238 层 NAND 闪存，与 176 层 NAND（ V7 ）相比能源消耗减少了

    SK 海力士

    芯闻路1号 . 2022-08-16 1749

  • 预计 NAND 闪存需求明年增长 28.9%，供给增长 32%

    预计 NAND 闪存需求明年增长 28.9%，供给增长 32%

      研究机构 TrendForce 预计，DRAM 供过于求的状况在明年将会更严重，预计市场规模增长 8.5%，首次低于 10%，但供给预计增长 14%，价格预计会继续下滑。   研究机构预计供给增速超过需求增速的，不只是 DRAM，NAND 闪存也会供过于求，预计 NAND 闪存的市场需求在明年增长 28.9%，供给增长 32.1%。   不过与 DRAM 供过于求更严重，可能导致价格下滑不同，

    存储

    芯闻路1号 . 2022-08-07 2517

  • 2022 年闪存资本支出预计将达到约1905亿人民币

    IC Insights 预测，今年 NAND 闪存资本支出将增长 8% 至 299 亿美元（约1905亿人民币），超过 2018 年 278 亿美元（约1771亿人民币）的历史新高。 闪存资本支出在 2017 年飙升，当时该行业向 3D NAND 过渡，此后每年资本支出都超过 200 亿美元。2022 年，闪存的资本支出预计将增至 299 亿美元，因为大型供应商和小型供应商将持续保持适度发展的支出

    NAND

    芯闻路1号 . 2022-03-16 2092

  • 宇瞻：预计DRAM合约价提早止跌、NAND缺口扩大

      据台媒报导，存储模组厂商宇瞻总经理张家騉于法人说明会上表示，在存储产品走势上，DRAM为缓慢走升，NAND flash在WD/铠侠事件后，第二季会急速转为供不应求，缺口会扩大很快、价格将急涨，目前看来，产业正向、需求成长，第一季是乐观看待。   宇瞻去年第四季营收21.69亿元（新台币，下同），毛利率13.66%，较上季的16.43%下滑，营利率3.58%、不如上季的6.16%，税后获利800

    DRAM

    中国闪存市场 . 2022-02-26 1 1618

  • NAND 闪存进入 200 层以上竞争，业内人士称三星西安工厂成定价关键

      NAND 闪存厂商都准备在 2022 年底到 2023 年期间推出 200 层以上的芯片产品，这是行业向更高密度的 3D NAND 闪存过渡的里程碑。   2月2日消息，据《电子时报》援引消息人士称，在这些供应商中，三星电子和美光科技可能是首批开始批量生产 200 层以上 3D NAND 闪存芯片的厂商。   该人士表示，三星在韩国平泽的新工厂于 2021 年下半年开始生产，并将在今年提高 1

    NAND

    芯闻路1号 . 2022-02-02 8 2921

  • SK 海力士计划今年将 NAND 出货量增加一倍

      1月30日消息，SK 海力士表示，公司完成收购英特尔 NAND 事业的第一阶段后，预计 NAND 的出货量增加到一倍。   据《日经亚洲评论》报道，SK 海力士预计，这笔 90 亿美元的交易将帮助其吸收英特尔在固态硬盘或 SSD 方面的计算架构技能，这是 NAND 业务的关键部分。据了解，SK 海力士于去年 12 月完成了对英特尔 SSD 部门及其在中国大连的制造工厂的收购，并将其更名为 So

    SK 海力士

    芯闻路1号 . 2022-01-30 3 2986

  • 机构下调一季度NAND闪存价格下滑预期 预计最高下跌13%

      1月29日消息，据国外媒体报道，研究机构此前曾预计，在连续几个季度上涨之后，NAND闪存价格的上涨趋势，在去年四季度有可能终结，今年一季度则会下滑，预计环比下跌10%-15%。   外媒的报道显示，在最新的报告中，预计NAND闪存价格一季度将下滑10%-15%的这一机构，已将下跌的幅度，下调到了8%—13%。   研究机构将一季度全球NAND闪存价格下跌的幅度，较此前的预期下调2个百分点，是因

    NAND

    芯闻路1号 . 2022-01-29 4 2597

  • 机构预计NAND闪存平均价格明年Q1环比下滑10%-15%

      12月21日，据国外媒体报道，市场研究机构预计，在今年四季度预计将环比上涨最多5%的NAND平均销售价格，在明年一季度将大幅下滑。   研究机构预计NAND闪存的平均销售价格，在明年一季度将环比下滑10%-15%，将是明年环比下滑最大的一个季度。   

    NAND

    芯闻路1号 . 2021-12-21 4 2012

  • Arasan推出超低功耗D-PHY IP

      /美通社/ -- 面向当今片上系统（SoC）市场的领先Total IP™解决方案提供商Arasan Chip Systems宣布，其重新设计的第二代MIPI D-PHYSM IP核立即可用于格罗方德（GlobalFoundries）12nm FinFET工艺节点。 Arasan是GlobalFoundries的合作伙伴，后者赞助了多款测试芯片，使Arasan的IP硅得以验证并用于GlobalF

    美通社

    互联网 . 2021-12-13 2790

  • 美光携手联发科率先完成 LPDDR5X 验证

      Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布，MediaTek Inc. ( 联发科技 ) 已在其全新的 5G 旗舰智能手机芯片天玑 9000 平台上完成了对美光 LPDDR5X DRAM 内存的验证。   美光由此成为首家送样并验证该款业界最快、最先进移动内存的半导体厂商，并已出货首批基于1α 节点的 LPDDR5X 样片。美光同时也是

    Micron Technology

    互联网 . 2021-11-22 1328

  • NAND 闪存价格有望在明年趋于稳定 但下半年依然紧张

      9 月 22 日消息，据报道，产业链人士此前曾多次预计，NAND 闪存的价格，在今年二季度将止跌回升，下半年持续上涨。   而对于明年 NAND 闪存的价格走势，有产业链方面的人士日前表示，将趋于稳定。   NAND 闪存的价格在明年趋于稳定，也就意味着需求相对稳定，NAND 闪存供应商的业绩，也会相对稳定，不会因价格变动而大幅波动。   但这一产业链方面的人士也表示，NAND 闪存的供应，在

    NAND

    芯闻路1号 . 2021-09-23 1639

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