受5G的影响 DRAM与NAND将迎来增长
12 月 22 日讯,据韩媒报道,市场研究公司预测,基于固态硬盘密度和性能提升,明年全球 NAND 闪存需求将增加,5G 通信、人工智能、深度学习和虚拟现实将引领明年全球 DRAM 和 NAND 闪存市场的增长。 目前存储器合约价格不一定会出现急涨,但整体存储器供应链库存水位降低至尾声,随着需求稳健上扬,5G 及服务器应用在第 2 季成长力道转强,预计 2020 年下半 DRAM 与 NAND F
NAND
与非网 . 2019-12-23 955
随着存储产业行情回暖 美光预计2020年DRAM和NAND Flash行业也将改善
美光科技公布截至2019年11月28日的2020财年第一季度业绩,营收及盈利均超市场分析师预期,分析师此前平均预期营收为49.9亿美元,平均预期每股收益是0.47美元。 美光强调,最近已收到所有对华为出货请求的许可证,这些许可证使美光能够为某些不受限制的产品提供支持,同时还可以为华为的移动设备和服务器提供新产品,不过提供新产品还需要一定的时间。 受以上消息激励,美光盘后股价大涨5%,截止美国时间1
存储
闪存市场 . 2019-12-20 1420
三星持续投资闪存芯片 加剧与NAND市场的差异化
12 月 11 日讯,近日,三星电子闪存芯片项目二期第二阶段 80 亿美元投资正式启动。据悉,三星电子一期投资 108 亿美元,建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目;二期项目总投资 150 亿美元,主要制造闪存芯片。 其中,第一阶段投资约 70 亿美元,明年 3 月竣工投产;第二阶段投资 80 亿美元,2021 年下半年竣工。二期项目建成后将新增产能每月 13 万片,新增产值 300 亿元,解
三星
与非网 . 2019-12-12 1240
中国芯国产进程加速 刺激了NAND Flash和DRAM战略布局速度的加快
12 月 9 日讯,2020 年 SK 海力士将进行一系列的人事调动和业务重组,为实现从开发、制造,以及业务的后期处理等统一的管理,会将 DRAM 和 NAND Flash 两大开发部门整合在一起。 重组后,SK 海力士首席半导体技术专家 Jin Kyo-won 将提升为开发制造总裁,负责 DRAM 和 NAND Flash 从开发到批量生产,提高运营效率。 SK 海力士是重要的 NAND Fla
NAND
与非网 . 2019-12-10 1050
内存行业衰退 未来是否会恢复市场尚未可知
由于将 NAND 作为固态硬盘上的巨额支出,业界最新一次的周期波动很大。此外,DRAM 的支出也不小,逻辑芯片代工厂都保持了相当不错的发展速度。 在内存行业的悠久历史中,这显然是一个较强的上升周期之一。这种强度使得一些经验不足的管理层和分析师表认为,该行业不再具有周期性。这次衰退期的情况跟以前不同,基本上每家公司都在亏损,甚至有一些公司倒闭,这次衰退期使所有行业公司全年(甚至更长时间)的收入大幅削
内存
与非网 . 2019-12-02 985
美光Micron i300 microSDXC UHS-I工业microSD卡 可满足边缘存储需求
美光科技公司(Micron Technology,Inc.)推出了大容量工业microSD卡 – i300 1TB microSDXC UHS-I ,可满足视频监控市场和其他工业应用的边缘存储需求。 该卡基于该公司的96层3D QLC NAND技术,与集中式存储架构相比,现在使中小型部署在相机中拥有主存储的价格更低。它使视频监控系统的用户能够在设备上和边缘捕获并存储3个月以上的高质量视频素材。 美
美光
中国存储网 . 2019-11-21 1030
随着5G物联网的正式普及 NAND闪存将迎来新的增长点
半导体行业一直是科技行业的重头,尤其是今年开始,半导体行业的重要性愈发显得突出,随着 5G 物联网的正式普及,又会带动新的一波增长趋势。 近日,根据可靠消息,半导体行业巨头三星正考虑对其在中国西安兴建的二期半导体工厂进行额外投资,据透露,三星计划明年将存储器芯片设施的资本支出小幅增加至 65 亿美元。有消息称,三星西安二期工厂已安装部分设备并开始试运行,以检查量产前的情况,预计将在 2020 年
NAND
与非网 . 2019-11-20 915
三星电子提高NAND闪存价格 短时间内将无法恢复
三星电子计划将其NAND闪存价格提高10%,原因是日本政府对半导体材料出口限制导致生产中断的担忧日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。 最近,在东芝发生停电事故后,三星电子的供需状况有所改善。此外,NAND闪存库存已经减少到四周,大约是DRAM库存的一半,而NAND闪存需求在价格大幅下降后这几天正在上升。 这个项目的价格此时并没有下降。适用于公司间交易的合同价格在今年6月份停止了7个月,当时12
NAND
中国存储网 . 2019-11-18 885
宜鼎推出针对高阶市场应用的储存方案3TS5-P 采用全新的3D NAND TLC
2019年9月25日 – 全球工控储存大厂宜鼎国际,将推出针对高阶市场应用的储存方案3TS5-P,采用3D NAND TLC ,并符合JESD219负载标准,特别针对高速读写和长时间运作进行耐用测试,并优化硬件与固件设计,平均故障间隔时间 (MTBF)高于业界标准,为巨量数据用户与高阶应用提供更耐久的读写负荷需求。此外,全新的3D NAND TLC SSD系列支持各种外型规格,并特别设计动态温控调
SSD
中国存储网 . 2019-11-18 1150
慧荣科技第三季度SSD同比增长45% 单季营收创下新高
据消息,近日慧荣科技(NasdaqGS: SIMO) 公布2019年第三季财报,第三季营收1亿1,317万美元,较上一季大幅成长20%,毛利率49.8%,达到先前预估的高标。税后净利2,443万美元,每单位稀释之美国存托凭证(ADS)盈余0.69美元(约新台币21元)。 与上一季相比,SSD控制芯片营收成长近15%,创历史新高,eMMC/UFS控制芯片营收也成长近40%,而SSD解决方案营收则较上
SSD
中国存储网 . 2019-11-15 1055
NOR Flash价格持稳 19纳米SLC NAND量产
非挥发性快闪存储器大厂旺宏董事长表示,近期NOR Flash价格持稳,看好5G基地台及终端设备将会采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAND Flash市场开始扩大出货,19纳米制程月投片量已超过1万片,其中19纳米4Gb SLC NAND已大量出货给美国客户,第四季在订单陆续到位下将扩大出货量。 存储器厂旺宏将于周四(24日)召开法说,公布第3季财报,市场除关注第4季及明年营运展望
存储器
钜亨网 . 2019-11-12 1145
东芝存储高管:NAND市场规模达4060亿美元,中国厂商2-3年还追赶不上
9月30日消息,据国外媒体报道,全球第二大NAND闪存芯片制造商东芝存储高管:中国内存厂商在二三年内赶上不容易(Toshiba Memory)认为市场供应过剩的局面已经终结,此前的供应过剩已将利润率挤压至10年来的最低水平。 东芝存储技术执行官柳茂知在深圳举行的2019年度中国闪存市场峰会上接受采访时表示:“对于新来者来说,在最近两三年内迎头赶上并不容易。” 该公司预计,NAND市场供应过剩将
长江存储
网易科技 . 2019-09-30 1100
记忆体模组厂2Q表现各异 下半年冲刺市况回温
尽管第2季记忆体位元出货量成长,但受到市场报价持续下跌,记忆体模组厂营运挑战增加,但各家业者在不同策略及发展的表现各异。 工控记忆体模组厂宜鼎国际第2季毛利率冲上32.32%,单季获利维持高档,而创见资讯第2季营收季减14%,本业获利则微幅成长,但受到DRAM、NAND Flash价格续挫影响,威刚第2季毛利率降至8.49%,十铨第2季在出货量及市占率拉升下单季反转亏。 宜鼎国际布局人工智慧物联网
DRAM
Digitimes . 2019-08-12 1040
西部数据表示NAND产能已接近全部恢复
据Anandtech消息,西部数据周三表示,其与合作伙伴东芝存储器(TMC),已成功将日本四日市园区的几乎所有合资生产线恢复至正常运营。事件对晶圆和制造设备的损害将使西数的损失达到3.39亿美元。 6月15日,日本四日市13分钟的意外停电造影响了西数和TMC共同运营的生产设备。该事件损坏了加工过的晶圆以及公司的生产设施。西数在6月底表示,此次事故将使其第三季度的NAND晶圆供应量减少约6 EB(e
NAND
LONG . 2019-08-03 970
西部数据宣布受损工厂已恢复生产 损失达3.4亿美元
8月2日,西数公司今天宣布,6月中旬因为断电导致日本地区5座NAND闪存晶圆厂停产的事故基本上恢复运营,此次事件损失了大约6EB容量的NAND闪存,约合3.4亿美元。 当地时间6月15日下午6点25分,日本5座NADN闪存工厂发生断电事故,持续13分钟,但是工厂却一直停产,直到21日上午才部分恢复。 发生事故的工厂为东芝与西数合资,双方合资的晶圆厂从2017年开始建设,去年才正式投产。受影响的工厂
闪存
未知 . 2019-08-03 895
海力士收购Intel 缓解断供压力
近日,据报道,传海力士正在跟Intel谈判,海力士想收购整个Intel大连工厂和3D NAND业务。 海力士计划收购Intel位于中国大连的Fab 68工厂。知情人士透露,“根据目前进展,海力士正在跟Intel谈判,海力士想收购整个Intel大连工厂和3D NAND业务,Intel只保留与XPoint相关的技术。” 海力士正处在高速扩张阶段,突然被日本断供,急需寻找救命方案。 一方面,Intel大
NAND
yxw . 2019-07-12 1075
NAND价格反弹 威刚开始囤货限量供应
近日,台湾存储器模组厂威刚否认了暂停出货SSD的传闻,并表示为应对目前NAND Flash价格上扬,在前景有待观察的情形下,将限量供货,并优先支持老客户。 随着NAND Flash供应商陆续紧缩供给,加上日本对韩国禁运光刻胶等3项关键半导体材料,市场掀起一波NAND Flash抢货潮, NAND Flash价格开始反弹。 随后有消息指出,由于NAND Flash 价格开始走强,威刚对SSD 后市看
半导体
yxw . 2019-07-11 1430
三星Q2利润下滑56% 存储芯片业务受贸易战影响出现下滑
根据美国CNBC最新报道,三星电子周五表示,由于内存芯片的价格和需求持续疲软,截至6月份的三个月的利润较上年同期减少了一半以上。 这家全球最大的智能手机制造商和内存芯片供应商表示,营业利润为6.5万亿韩元(55亿美元),略高于业界预计的6万亿韩元,但较上年同期下降约56%。 用于移动手持设备和企业服务器的存储器组件是三星的主要盈利业务。 专家们表示,整个半导体行业正在经历一段时间的库存调整,这使得
DARM
CNBC . 2019-07-05 1035
东芝工厂停电事件损失出炉,对NAND Flash市场有何影响?
6月15日,东芝存储器公司NAND Flash工厂于当地时间下午6点25分发生断电事故,大概花了13分钟之后就恢复供电了,然而工厂在恢复供电后一直处于停产状态。 由于日本四日市工厂的意外停电,影响西部数据和东芝存储器公司闪存制造厂的生产运营,预计此事件将导致西部数据NAND Flash晶圆供应量减少6EB当量。 以西部数据预估的减少6EB当量推算,大约是64亿GB当量。据中国闪存市场ChinaFl
东芝
YXQ . 2019-07-01 920
紫光在四川建设3D NAND Flash厂 总投资将超过2000亿元
近日,根据紫光官方消息,紫光集团联席总裁王慧轩在接受采访时表示,紫光在四川布局宏大,总投资将超过2000亿元,主要包括服务器芯片、安全芯片、存储芯片和移动通讯相关芯片的研发,建设周期将长达3-5年。 目前正在建设的存储3D NAND Flash厂,一期建设完毕后会有一个月10万片产能,三期全部完工后每月产能30万片。 紫光成都存储芯片项目于2018年10月中旬动工,预计2020年12月主体完工,该
NAND
yxw . 2019-07-01 1015
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