SCM将取代闪存成为首选的高速存储介质
存储级内存（SCM）克服了NAND闪存的局限性，因而势必会取而代之。 存储级内存（SCM）这种RAM能够像NAND闪存那样保保存其内容，但兼具DRAM的速度，最终将会取代闪存成为首选的高速存储介质。 这是HPE旗下3PAR存储部门副总裁兼总经理Ivan Iannaccone的预测。不过他补充道，这需要借以一段时日。 他说：“这不会在一夜之间发生。SCM变得经济上可行只是时间问题，但最终会取而代之。
NAND
cc . 2019-02-11 1165
SCM比NAND闪存更快，但仍然很昂贵
存储级存储器（SCM）克服了NAND闪存的局限性，这使得接管成为必然。 存储级存储器（SCM），能够如同NAND闪存一样保留其内容的能力，也能有像DRAM一样的的速度，这使得它最终将取代闪存作为首选的高速存储介质。 这就是HPE 3PAR存储单元副总裁兼总经理Ivan Iannaccone的预测。但他补充说，这需要一些时间。 “这不会在一夜之间发生; 它变得经济可行只是时间问题，但它最终会接管。也
NAND
lq . 2019-01-28 1185
预测2019年电子行业和IT行业的未来
“2019年电子行业和IT行业的未来比往常更难预测。” 经常听到这种哀叹的声音。尽管影响力很大，但中美之间的贸易摩擦被认为具有极高的不确定性。从影响未来决策者的想法来看，这是一种不可预测的情况。 在这种情况下，中国的半导体产业正在稳步启动。中国在全球生产电子产品的半导体消费量已达到全球总消费量的50％左右。但是，国内消费远远大于国内供应，国内生产仅占13％的需求。中国每年从海外进口2600亿美元。
NAND
cc . 2019-01-27 975
NANDFlash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平 近乎腰斩
2018年，NAND闪存全年供过于求，价格一直下跌，导致西数、东芝等厂商毛利率大幅下滑。如今到了2019年，情况会有所好转吗？ 近日，集邦科技旗下半导体研究中心DRAMeXchange发布调查报告指出，2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现难见起色，预计去年的产能过剩依然难以缓解。 调查指出，2018年NAND闪存供过于求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出，NAND闪存总体资本支出
闪存
工程师吴畏 . 2019-01-14 945
宏茂微电子实现3D NAND芯片封测规模量产
2019新年伊始，紫光“官宣”旗下紫光宏茂微电子成功实现大容量企业级3D NAND芯片封测的规模量产。 与此同时，紫光集团也积极在业内进行“合纵连横”，打造紫光存储生态圈，使其存储棋局渐成气候。 “零到一”的突破 本土封测一大跳跃 2018年的紫光可谓是顺风顺水：长江存储进展顺利，自主研发的32层64G 3D NAND芯片将于2019年量产；南京、成都存储芯片工厂也相继动工；苏州SSD工厂同样在开
NAND
cc . 2019-01-11 1345
紫光宏茂微电子宣布成功实现大容量企业级3DNAND芯片封测的规模量产
1月7日，紫光集团官方微信公众号发文，宣布旗下紫光宏茂微电子（上海）有限公司宣布成功实现大容量企业级3D NAND芯片封测的规模量产。 资料显示，紫光宏茂的前身宏茂微电子（上海）有限公司原为台湾南茂科技的全资子公司，2017年6月紫光集团通过旗下全资子公司西藏紫光国微出资收购其48%股权，成为其最大股东并实际主导经营。 2018年7月4日，宏茂微电子正式完成工商登记变更，公司名称由“宏茂微电子（上
芯片
工程师吴畏 . 2019-01-09 1180
DRAM价格垄断调查转至NAND Flash捆绑销售
先前反垄断局针对DRAM三大业者，三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)展开反垄断嫌疑调查，据悉最近调查已告一段落，调查与开罚的理由，也从原先的DRAM价格垄断转至NAND Flash捆绑销售。 据了解，国内相关单位对三大DRAM业者并非以垄断DRAM价格，而是以NAND Flash捆绑销售嫌疑进行调查，认定三大业者向华为等国内手机
NAND
cg . 2018-12-29 985
今年一直在跌价的NAND闪存，预计三星本季度盈利会下滑7.6%
Q4季度的内存降价，再加上今年一直在跌价的NAND闪存，预计三星本季度盈利会下滑7.6%，但是全年积累之下，三星今年的利润依然会达到62.6万亿韩元，创造历史最好记录。 持续上涨两年多的DRAM内存价格在今年Q4季度终于由涨转跌了，三星、SK Hynix及美光三大内存芯片供应商都在想方设法应对即将到来的降价周期，这三家公司已经确定会削减明年的资本支出，不再大幅增加内存产能以减缓内存降价趋势。 Q4
闪存
lq . 2018-12-28 980
内存、闪存价格回归理智 三星、SK海力士、美光合计2019年减产
这两年，DRAM芯片和内存条价格经历了一波疯涨，如今已经慢慢回归理智，而在另一方面，NAND闪存产能一直很充裕，SSD固态硬盘的价格也是持续走低，性价比越来越高。 但是这对于内存、闪存芯片厂商来说，并不是好消息，三星电子、SK海力士、美光三大巨头就不约而同地要开始刻意控制产能了。 美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的季度财务电话会议上表示，当前DRAM内存芯片市场查能过剩、库存持续增
DRAM
f . 2018-12-23 1245
预估明年第一季NAND Flash合约价将再跌10%
TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)分析，2018年NAND Flash供货商3D 64层产品良率稳定，产出高于预期。然于年底旺季时中美贸易冲突升温、英特尔CPU缺货以及苹果新机出货量不如预期等因素迭加，导致旺季不旺。 展望2019年上半年，尽管原厂对扩充产能态度保守，甚至开始抑制扩产，但由于淡季影响，加上市场库存水位仍高，供过于求的情况只会更加显著，预估第一季NAND F
NAND
cg . 2018-12-20 1090
长江存储投产32层3D NAND，计划2020年进入128层堆叠
根据消息报道，武汉长江存储有望按计划在今年年底投产32层3D NAND，力争未来几年实现30万片每月的晶圆产能目标。 目前世界上存储器芯片市场主要由美、日、韩主导，是高度垄断的寡头市场格局，长江存储的成立就是希望打破这一行业垄断。 资料显示，长江存储成立于2016年，总投资达40亿美元。依照长江存储的目标，2023年要实现每月30万片晶圆的产能，年产值1000亿元，快速提升国产自给率。 此外，也有
NAND
未知 . 2018-11-21 1155
对三星，SK海力士及镁光的反垄断调查获重要进展
国务院新闻办公室于2018年11月16日（星期五）上午10时举行新闻发布会，请国家市场监督管理总局副局长、国务院反垄断委员会秘书长甘霖，国家市场监督管理总局反垄断局局长吴振国介绍中国《反垄断法》实施十周年有关情况及展望，并答记者问。 中国日报记者： 请问吴局长，今年上半年中国反垄断执法机构启动了对三星、镁光、海力士等公司的反垄断调查，主要是存储芯片价格异常上涨，目前调查进展如何？有没有什么情况向公
NAND
未知 . 2018-11-19 1380
2019年整体闪存平均销售单价下滑40%
CINNO Research对闪存供应商及其上下游供应链调查显示，在64层的3D-NAND良率更为成熟，需求端受到中美贸易战压缩的情况下，NAND Flash行业供过于求的情况持续加剧，各家厂商以更为积极的降价来刺激出货成长，也因此第三季度闪存平均销售单价普遍较第二季度下滑15-20%，而位元出货量则是在第二季度基期较低的关系，第三季成长幅度来到20-25%，整体第三季闪存产值达到172亿美元，季
闪存
未知 . 2018-11-13 850
NAND闪存面临限制,英特尔的3D XPoint战略
当英特尔在1988年推出第一批NOR芯片时，闪存开始声名鹊起。并且，NOR为三年后的NAND闪存铺平了道路。在所有半导体技术中，NAND的部署速度史无前例，在短短十年内，从18亿美元增长到180亿美元。到2017年，该技术创造500亿美元收入，这是创历史记录，相当于1990年全球半导体市场的总和。NAND闪存无疑是大市场。 但随着业界开发出多种新的存储技术作为潜在替代品，这种局面即将发生改变。
半导体
未知 . 2018-10-16 1280
DRAM制程产能滞后 技术是很大问题
据报导，三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资，日前传出将延至2019年，取而代之的是对现有产线进行补强投资，期望获利维持一定水平。SK海力士2018年下半，则是将投资重心集中于NAND Flash，NAND Flash新厂投资进度正在加速，DRAM只会进行小规模补强与转换投资。(参见DIGITIMES《韩国存储器厂重整投资步伐 三星DRAM新产线投资放缓、SK海力士加
DRAM
未知 . 2018-10-14 1555
三星采取保守策略，DRAM投资大减，NAND闪存持续增投
集微网消息，据日媒报道指出，因市场预期DRAM价格将在2019年之后呈现下跌趋势，三星恐将采取更为保守的策略。2019年，三星恐将减少在半导体设备上的投资额，其中DRAM的投资额预估减少20%以上，而在NAND Flash上的投资仍将持续增加。 DRAM增长趋势或将放缓 今年1-8月，DRAM的均价不断上扬，对此，半导体调研机构IC Insights认为，DRAM的平均售价（以及随后的市场增长）已
DRAM
未知 . 2018-10-10 1465
英特尔70%的3D NAND快闪存储器来自大连晶圆厂
英特尔2006年与大连市政府达成合作协定，2007年起在大连投资25亿美元，建设12英寸晶圆厂，主要负责处理器封装测试，2010年大连晶圆厂正式落成。 处理器大厂英特尔（Intel）在2015年宣布，其总投资55亿美元的大连的Fab 68晶圆厂第2期工程改造为NAND Flash快闪存储器工厂之后，现在宣布已经正式投产。未来，主要将生产96层堆叠的3D NAND Flash快闪存储器，积极追赶竞争
英特尔
未知 . 2018-09-29 1035
NAND存储器跌破两年前价位，国内厂商能否决胜于新一轮周期回转？
集微网消息，“NAND Flash存储器的价格刚刚跌破了两年前（2016年）的价格，现在NAND Flash价格下跌的还不是很离谱，仅仅跌破两年前的价格而已。” 资深存储行业人士日前向集微网记者表示，NAND Flash价格未来还有进一步下探的空间，即使其价格再跌20%，也不足为奇。 来源：中国闪存市场ChinaFlashMarket 今年以来，NAND Flash价格持续下滑的趋势。据中国闪存市
NAND
未知 . 2018-09-25 1055
SK海力士计划明年增产96层3D NAND闪存
SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。 SK海力士已投资15万亿韩元（约135亿美元）在清州建设M15工厂，主要生产72层和96层3D NAND闪存。据外媒报道，随着M15工厂的建成，SK海力士将加速大规模生产第五代96层3D NAND闪存。 报道称，纪念工厂的建成仪式将于9月17日
NAND
未知 . 2018-09-07 1025
3D NAND技术的应用发展趋势
在价格和竞争压力期间，3D NAND供应商正准备迎接新的战斗，相互竞争下一代技术。 随着新玩家进入3D NAND市场 - 中国的长江存储（以下简称：YMTC），竞争正在加剧。 在中国政府拨款数十亿美元的支持下，YMTC最近推出了其首款3D NAND技术。 此举加剧了对新进入者可能影响市场恶化的担忧。 3D NAND业务正在走向长期供过于求和价格下跌的局面。 3D NAND是当今平面NAND闪存
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未知 . 2018-08-27 1315
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