IC Insights 预测，今年 NAND 闪存资本支出将增长 8% 至 299 亿美元（约1905亿人民币），超过 2018 年 278 亿美元（约1771亿人民币）的历史新高。

闪存资本支出在 2017 年飙升，当时该行业向 3D NAND 过渡，此后每年资本支出都超过 200 亿美元。2022 年，闪存的资本支出预计将增至 299 亿美元，因为大型供应商和小型供应商将持续保持适度发展的支出水平。

NAND资本支出占 2022 年整个 IC 行业资本支出预测 1904 亿美元（约1.2万亿人民币）的 16%，仅落后于晶圆代工。不过晶圆代工预计将占今年IC行业资本支出的 41%。

新建和最近升级的 NAND 闪存工厂包括三星的 Pyeongtaek Lines 1 和 2（也用于 DRAM 和代工）；三星在中国西安的二期投资；铠侠在日本岩手的 Fab 6 (Flash Ventures) 和 Fab K1；和美光在新加坡的第三家闪存工厂。此外，SK 海力士为其 M15 工厂的剩余空间配备 NAND 闪存。

随着 NAND 闪存供应商准备从 2022 年底到 2023 年期间进入 200 层以上设备的竞争，将需要新的晶圆厂和新设备。三星和美光可能是第一批在今年晚些时候开始量产 200 层设备的公司。此外，这两家公司和 SK 海力士目前都在量产 176 层 NAND。三星位于中国西安的晶圆厂将成为领先 NAND 的关键制造地点，拥有两个晶圆厂，每个晶圆厂全面投产后每月可生产12万片晶圆。随着对企业存储应用的日益关注，SK 海力士预计将在 2023 年迁移到 196 层。

图片来源：IC Insights官网