技术 | 区域控制器迈向“标配”时代，安森美为区域控制构筑坚实技术底座
当软件定义汽车（SDV）从概念走向规模化落地，一场深刻的电子电气架构革命正在席卷整个汽车产业。传统的分布式ECU架构已难以支撑智能汽车的算力需求与功能迭代，"中央计算+区域控制"的新型架构正以惊人的速度成为行业主流。据最新数据显示，2025年中国市场前装标配区域控制器（ZCU）的车型交付量已达289.90万辆，同比增长92.79%，年度渗透率突破10%。这一标志性节点意味着，ZCU正从高端车型的"
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安森美 . 2026-05-28 1246
技术 | 功率密度升至2.4kW/L：拆解11kW矩阵式OBC的实现路径
随着全球电动汽车市场对充电效率与架构灵活性的要求不断提升，OBC技术正迎来从繁至简的变革。为了深度拆解这一前沿趋势，我们将通过两篇系列文章介绍11 kW矩阵式OBC创新方案。本文将聚焦安森美（onsemi）11kW 矩阵式 OBC 核心技术详解与器件应用解析。 11kW矩阵式车载充电机－硬件设计师访谈 Daniel Goldmann拥有电气工程与信息技术专业的工学学士（B.Eng.）和理学硕士（M
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安森美 . 2026-04-16 1260
技术 | 碳化硅赋能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 我们已经介绍了👉碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。 👉三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。 👉SiC Cascode JFET的动态特性、SiC C
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安森美 . 2026-04-15 791
方案 | Vision China 2026：安森美智能感知方案赋能3D深度感知、机器人应用升级
随着全球制造业加速迈向高端化、智能化，机器视觉作为“工业之眼”，其在精度、速度及复杂环境下的适应性被赋予了更高期待。在这场全球视觉风向标盛会Vision China 2026上，安森美（onsemi）通过一系列革新性成像方案，展示了如何凭借先进感知技术，推动应用创新实现跨越式提升。 从 iToF 深度感知、短波红外穿透视界，到全局快门消除运动伪影、SmartROI 技术大幅降低系统功耗，再到
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安森美 . 2026-03-26 2072
技术 | 碳化硅赋能浪潮教程：SiC JFET驱动工业与服务器电源革新
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第一部分，将重点介绍碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。 碳化硅如何革新电源设计 工业电源设备，本质上就像一座本地化的电力精炼厂。试想这样一个场景：如果原油通过管道直接输送
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安森美 . 2026-03-25 1687
企业 | 传安森美发布涨价函
市场上传出疑似安森美发布的涨价函。内容显示鉴于原材料、制造、能源及基础设施成本持续上升，安森美将自 2026 年 4 月 1 日起，对部分产品实施价格调整。 更新后的价格将适用于：2026 年 4 月 1 日及之后下达的所有新订单，以及计划于 2026 年 4 月 1 日及之后出货的现有未交订单。 网传涨价函如下： 原文翻译如下： 主题：价格调整通知——自 2026 年 4 月 1 日起生
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芯查查资讯 . 2026-03-17 1 2114
技术 | 电动汽车快速充电教程：破解兆瓦级充电的核心技术挑战
《实现电动汽车快速充电教程》从技术层面深入探讨驱动下一代电动汽车充电系统的架构设计与相关器件。重点涵盖兆瓦级电动汽车充电技术背后的设计挑战与创新、分立式方案和功率集成模块 (PIM) 方案如何助力构建可扩展、 高效且可靠的快速充电基础设施。 本文为系列内容第一部分，将介绍电力消耗趋势、电动汽车充电架构演进、兆瓦级充电系统架构等。 全球电力消耗重新进入上升通道 为了满足交通运输行业的实际需求， 州际
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安森美 . 2026-03-05 1582
技术 | AI数据中心高压中间母线拓扑选型：堆叠式/ 单相/ 三相 LLC性能对比
本白皮书将重点围绕实现上述目标的转换器拓扑结构与半导体技术展开探讨。 内容主要聚焦于原边的拓扑选择与半导体器件；副边假定采用低压硅基 MOSFET ， 并配置为中心抽头电流倍增器或全桥结构。本文将介绍转换器拓扑、系统规格、转换器损耗等。 转换器拓扑谐振式转换器拓扑具有超高的功率密度， 但代价是在宽输入或输出电压范围内效率降低。 由于高压 IBC具有固定的输入输出电压比以及对超高功率密度的需求，
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安森美 . 2026-02-27 1890
技术 | AI数据中心高压中间母线转换器应用选型：横向 GaN HEMT 、 SiC MOSFET与SiC Cascode JFET对比
随着AI数据中心向更高功率密度和更高效能源分配演进 ，高压中间母线转换器 （ HV IBC） 正逐渐成为下一代云计算供电架构中的关键器件。 本文针对横向GaN HEMT 、 碳化硅MOSFET 及SiC Cascode JFET （CJFET ） 三类宽禁带功率器件， 在近1 MHz 高频开关条件下用于高压母线转换器的性能展开对比分析。 重点评估了导通损耗、 开关特性、 栅极电荷损耗及缓冲电路
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安森美 . 2026-02-26 1715
技术 | 安森美工业图像传感器供电方案教程：电源树设计
本文将介绍电源树的作用、电源树的特性要求、考虑噪声影响等。 电源树的作用 为图像传感器系统选择合适的电源管理元器件时， 需借助一种称为电源树（ power tree） 的架构设计工具。 通过仔细研读各器件规格书，并按正确顺序推导公式， 可确保为电源树选配恰当的稳压器件。 电源系统的核心功能——及其所包含的电源稳压器——在于安全地将来自电网或电池的直流输入电压， 转换为图像传感器等精密电子元件
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安森美 . 2026-02-25 1792
企业 | 安森美公布 2025 年第四季度及全年业绩
安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)公布其2025年第四季度及全年财务业绩，要点如下： 第四季度收入为 15.30亿美元 第四季度公认会计原则(以下简称“GAAP”) 和 非GAAP 毛利率分别为 36.0%和38.2% 第四季度GAAP 营业利润率和非GAAP营业利润率分别为 13.1%和19.8% 第四季度GAAP 每股摊薄收益和非GAAP 每股摊薄收益分别为 0
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安森美 . 2026-02-10 3269
方案 | 效率、成本、可靠性三重突破：安森美SiC方案赋能储能系统升级
在全球储能产业加速扩张与技术迭代的浪潮中， 安森美（onsemi） 聚焦功率半导体的创新，围绕储能核心需求持续发力，在效率提升、成本控制、场景适配等关键维度形成核心竞争力，为储能行业发展提供坚实技术支撑。 储能逆变器在效率、成本与适应性之间的平衡 随着全球储能装机规模的持续扩张，储能逆变器正面临效率提升、成本控制及复杂场景适配的多重挑战。据安森美电源方案事业部战略业务拓展 Hank Zhao介绍，
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安森美 . 2026-01-28 1911
技术 | 传感器芯片正以“感算一体”与定制化突破机器人感知边界
随着机器人技术从工业自动化向服务、医疗、特种作业等多领域深度渗透，传感器作为机器人的“感知器官”，其性能直接决定了机器人的环境认知、精准控制与自主决策能力。而传感器芯片作为核心部件，更是成为影响机器人响应速度、精度、功耗及稳定性的关键因素。 安森美（onsemi）模拟与混合信号事业部业务拓展高级经理Henry Yang表示：“当前机器人行业对传感器芯片的需求已升级为全场景适配，且不同场景的性
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安森美 . 2026-01-23 1 1834
功率电路进阶教程：为什么要使用固态断路器？
本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。作为系列教程的第一部分， 本文将介绍浪涌电流、应对不断攀升的电力需求、为什么要使用固态断路器。 引言 断路器的第二大关键作用 ， 可能是在每次电路通电的瞬间 ， 抑制电流浪涌， 从而有效保护电子器件
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安森美 . 2026-01-14 2 1953
技术 | 聚焦固态断路器核心：安森美SiC JFET特性深度解读
输配电系统与各类灵敏用电设备的安全运行，离不开对长时间过载与瞬态短路故障的妥善防护。这些风险若未及时管控，轻则导致设备损坏，重则引发系统瘫痪。随着电力系统电压等级持续提升、电动汽车高压化趋势加剧，电路中可能出现的最大故障电流已达到前所未有的水平，对保护装置的响应速度与耐受能力提出了更严苛的要求，超快速交流/直流断路器由此成为关键需求。 在过去很长一段时间里，机械断路器（EMB）始终是这类保护场
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安森美 . 2026-01-08 2639
应用 | 从电网到GPU：安森美以SiC与垂直GaN突破AI数据中心能效极限
人工智能 (AI) 正在迅速发展，并渗透到我们日常生活的方方面面，从内容生成到客服聊天机器人皆是如此。与此同时，数据处理量大幅激增，而数据处理很大程度上依赖于强大的计算基础设施。此外，AI 模型在投入使用前，需要在先进的数据中心内完成训练和推理。 在现代化的数据中心内，通常容纳了成千上万台高性能服务器，它们的运行和散热都需要消耗大量电力。随着 AI 的快速发展，数据中心的能源消耗也急剧膨胀，引
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安森美 . 2025-12-23 2758
技术 | 安森美推出新型散热封装技术，提升高功耗应用能效
顶部冷却（Top-cool）封装为电动汽车、太阳能基础设施和储能系统带来卓越的散热性能、可靠性及设计灵活性。
顶部冷却封装
安森美 . 2025-12-11 2072
技术 | EliteSiC栅极驱动器匹配全指南：关键设计要点解析
本指南旨在针对各类高功率主流应用，提供为 SiC MOSFET匹配栅极驱动器的专业指导，同时探索减少导通损耗与功率损耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在导通和关断过程中的电压与电流效率。 电源应用和拓扑 这些主流应用的功率范围从 ~10kW 到 ~5MW 不等。它们高度依赖电源开关和栅极驱动器来实现高效可靠的运行。 ►光伏 ►电动汽车 (EV) 充电 ► HEV/EV 主驱逆变器 ►电机驱动
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安森美 . 2025-12-04 1645
企业 | 英诺赛科与安森美半导体达成共同加速推进氮化镓产业生态建设的战略合作协议
北京时间12月3日，英诺赛科与安森美半导体共同宣布，双方达成战略合作，共同加速推进氮化镓产业的应用与布局。 此次战略合作，将通过晶圆采购等方式，整合英诺赛科成熟先进的氮化镓制造能力及安森美在系统封装与集成等领域的经验和优势，加速推动氮化镓在新能源汽车、人工智能、数据中心，工业等领域的快速落地。此次合作，有望在未来几年将带来数亿美元的氮化镓销售，并为合作双方在上述关键领域的市场开拓与布局带来先机。
英诺赛科
英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-12-03 1 2520
应用 | 小巧、轻便、高效，安森美垂直GaN解锁功率器件应用更多可能
在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。 垂直架构：功率技术新高度 垂直 GaN 创新：vGaN 支持高电压和高频率运行， 效率优于硅芯片 先进制造工厂：GaN 研发工作
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安森美 . 2025-12-02 1316
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