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  • 消费电子推动SOI工艺发展，超越FinFET有多难？

    中国至少已浮出三家晶圆厂将采用 SOI 工艺先进制程。根据 MarketsandMarkets 最新预估，SOI 市场在 2022 年市场价值将达 18.6 亿美元，2017-2022 年期间平均复合成长率将达 29.1%。其中，亚太区晶圆厂将是主力客户。 SOI 之所以能快速增长，主要来自消费类电子市场增长、成本下降以及芯片对于低工耗功能的需求快速攀升。尤其来自 12 吋晶圆的需求将于 2022

    SOI

    来源：互联网 . 2017-04-14 930

  • 中国半导体工艺落后国际大厂 谈突破先了解FinFET和胡正明

    日前，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏（MSD），显著降低源漏寄生电阻，从而将N/PMOS器件性能提高大约30倍，使得驱动性能达到了国际先进水平。基于本研究成果的论文被2016年IEEE国际电子器件大会（IEDM）接收，并在IEDM的关键

    FinFET

    cnbeta . 2017-01-13 1400

  • 10纳米FinFET工艺制程的Exynos8895呼之欲出

    据悉高通会在CES 2017上公开更多骁龙835详细信息，而备选首发机型也基本已经确认，包括小米6、三星Galaxy S8等。不过，在移动芯片领域，高通并不是唯一的参与者，三星同样是最大的半导体厂商之一，不仅为高通代工生产 Snapdragon 835 芯片，自家也有 Exynos 产品线，而三星为明年准备的旗舰芯片正是 Exynos 8895。 有关三星 Exynos 8895 芯片的细节悄然被

    exynos8895

    网站整理 . 2016-12-29 940

  • 物联网应用带动FD-SOI制程快速增长

    　　物联网（IoT）应用将带动全耗尽型（Fully Detleted）制程技术加速成长。为满足低功耗、低成本、高效能之设计需求，格罗方德（GlobalFoundries）除持续发展14纳米及7纳米鳍式晶体管（FinFET）制程技术外，也投入全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）市场，并推出22纳米及12纳米FDX制程平台，抢攻物联网商机。 　　格罗方德技术长暨全球研发资深副总裁Gary Patton

    FD-SOI制程

    新电子 . 2016-11-17 955

  • 半导体技术的突破将使网速有千百倍成长空间

    　　半导体领域FinFET技术发明人胡正明说，由于半导体技术的突破，网际网路的速度和普及度还有千百倍的成长空间。 　　在中国大陆乌镇举行的第3届世界互联网大会，今年首次举办“世界互联网领先科技成果发布活动”，由海内外网路专家组成的专家征集并评选出15项最尖端的技术成果和最具创新性的商业模式。胡正明及其率领的研究团队，在半导体微型化的突破成就是其中之一。 　　胡正明率领的美国加州大学柏克莱分校团队，

    FinFET

    中央社 . 2016-11-17 800

  • 芯片毁于噪声（二）FinFET使噪声效应叠加

    书接上回，FinFET 技术已经成为工艺尺寸继续减小的主要动力。“在可预见的未来，极低的工作电压与漏电流使得 FinFET 工艺成为 CMOS 工艺的标准架构，” ANSYS 应用工程高级总监 Arvind Shanmugavel 说道，“但上述优点是有代价的—电源噪声问题变得突出。一方面，10 纳米或 7 纳米的 FinFET 器件在供电电压（Vsupply）为 500mV 时也能可靠地工作；另

    电迁移

    -- . 2016-09-23 650

  • 判断FinFET、FD-SOI与平面半导体制程的市场版图还早

    　　要判定FinFET、FD-SOI与平面半导体制程各自的市场版图还为时过早… 　　尽管产量仍然非常少，全空乏绝缘上覆矽（fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）制程有可能继Globalfoundries宣布12纳米计画（参考阅读）之后快速成长；而市 场研究机构InternaTIonal Business Strategies （IBS）资深分析师Ha

    FinFET

    eettaiwan . 2016-09-14 1375

  • 下一个制程节点：7nm的战火越烧越旺

    虽然曾在激烈竞争中于关键性技术节点 28nm 和 14nm 落后于人，但作为目前全球第二大半导体代工厂，Globalfoundries(格罗方德)毫无疑问在技术方面仍有其独到之处。随着摩尔定律的放缓，业界越来越多的探讨着未来半导体的技术走向。   摩尔定律是否还能继续？FinFET 技术能够走多远？FD-SOI 技术到底是否可行？EUV 何时才能突破进入实际使用?近日，记者在比利时布鲁塞尔专访了格

    半导体代工厂

    -- . 2016-06-14 695

  • Globalfoundries下一代FD-SOI制程正在研发

    　　Globalfoundries技术长Gary Patton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。 　　晶圆代工业者Globalfoundries技术长Gary Patton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽（fully-depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）制程技术可望今年稍晚上市，而目前该

    FD-SOI制程

    engadget . 2016-05-27 835

  • 三星半导体高层揭露晶圆代工技术蓝图

    　　三星半导体（Samsung Semiconductor Inc.，SSI）的高层透露了该公司晶圆代工厂技术蓝图细节，包括将扩展其FD-SOI产能，以及提供现有FinFET制程的低成本替代方案。 　　而 其中最受瞩目的就是三星将开发低成本14纳米FinFET制程（14纳米LPC），该公司已经出货了超过50万片的14纳米制程晶圆，并将该制程的应用扩 展到网路/伺服器以及汽车等领域，但三星的晶圆代工

    三星半导体

    eettaiwan . 2016-04-26 1005

  • 在FinFET的重围下，FD-SOI的翻牌机会在哪里？

    半导体工艺节点不断向前推进，在 28nm 以下大部分芯片厂商选择将自己的产品从平面工艺转向立体工艺，即从 bulk CMOS 工艺向 FinFET 工艺迈进，而且 FinFET 工艺得到了台积电等代工厂以及 EDA 工具厂商的大力支持，高通的芯片已进入量产阶段，ARM 在 7nm 与台积电签订长期合作协议，由此可见 FinFET 工艺的生态链越来越完整。   相对而言，虽然 FD-SOI 工艺也得

    FD-SOI

    -- . 2016-03-18 950

  • 7nm将成台积电力压英特尔主战场

    　　安谋（ARM）与台积电共同宣布一项为期多年的协议，针对7奈米FinFET制程技术进行合作，包括支援未来低功耗、高效能运算系统单晶片（SoC）的设计解决方案。 这项协议延续先前采用ARM ArTIsan 基础实体IP之16奈米与10奈米FinFET的合作。 　　事实上，以台积电目前先进制程之生产时程来看，属于同一世代的10奈米、7奈米进度已经追上，甚至超越竞争对手英特尔（Intel）。 　　台积

    7nm

    Digitimes . 2016-03-17 1085

  • 中芯国际：28nm赚来的第一桶金就在今年

    小编语：中芯国际的28nm终于落地，虽然相对于国外大厂要慢了不少，但是可见追赶的脚步，而且目前国内的芯片在这一个工艺级别上还是可以满足用户需求的，随着订单越来越高，工艺水平也会随之改观。   中国晶圆代工业者中芯国际(SMIC)日前表示，该公司预期来自28奈米制程的第一笔营收将于今年底入袋；中芯执行长邱慈云在近日的第二季财报发表会上透露，该公司将在第三季开始最先进的28奈米制程商业化量产，并预期该

    台积电

    -- . 2015-08-14 1365

  • 半导体厂商的豪门恩怨：GF与AMD为何分手？

    　　近日Global Foundries(以下简称GF)宣布其14nm FinFET和22nm FD-SOI工艺都取得了突破，成功量产，这似乎为半导体代工厂GF近数年的颓势带来一股希望，不过在笔者看来，GF未必能就此扭转命运，不过是GF与那些半导体厂商豪门恩怨的延续。 　　GF的发展历史 　　2008年AMD将自己的半导体制造业务拆分成立GF，阿联酉阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)持有GF的大

    Global Foundries

    网站整理 . 2015-07-25 1145

  • 探秘大基金，下一个集成电路投资目标瞄准谁

    　　自去年国家集成电路产业投资基金（以下简称大基金）成立，至今已募集资金1300多亿元，提前并超额完成了基金的募集任务。正是因为“手握重金”，坊间对于大基金的传言不绝于耳。更有业者担心大基金的投资会不会遍地开花，甚至会毁了中国整个集成电路产业。据最接近大基金的业内资深人士透露，这个担心是多余的，大基金的“国家战略+市场化运营”的机制以及股权投资基金业的游戏规则决定了它不会这么干！ 　　市场上的私募

    FinFET

    电子发烧友 . 2015-07-21 960

  • FinFET和FD-SOI两个在一起才更配哦！

      在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体业者应该不是选择FinFET就是FD-SOI制程技术；不过既然像是台积电(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圆代工厂，必须要同时提供以上两种制程产能服务客户，有越来越多半导体制造商也正在考虑也致力提供“两全其美”的制程技术。 例如飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)最近就透露，

    半导体

    来源：互联网 . 2015-07-06 1670

  • Synopsys Galaxy设计平台支撑了90%的FinFET设计量产

    新思科技公司（Synopsys, Inc.）日前宣布：其Galaxy Design Platform设计平台支撑了90%基于FinFET设计的量产流片。全球超过20家行业领导性企业已经使用该平台成功地完成了超过100次FinFET流片。包括三星电子（Samsung）、英特尔代工部门（Intel Custom Foundry）、Global Foundries以及其它晶圆代工厂通过使用Galaxy

    Synopsys Galaxy

    来源：互联网 . 2015-03-26 845

  • 三星成FD-SOI工艺救命稻草？

    不少代工厂都宣称已经从意法半导体那里获得了FD-SOI技术的授权，然后就再没动静了。 GlobalFoundries在两年前就发表了这样的声明，三星在去年的设计自动化会议上也做出了类似的声明，但是这两家公司从那以后就再也没有给出更多的关于FD-SOI的消息。当然，关于14/16nm，人们最关注的还是FinFET，但事实上，把设计迁移到FinFET上的案例也相当少。 很多设计还是停留在28nm或更大

    工艺

    -- . 2015-02-11 1580

  • 半导体巨头积极投入20nm 设备厂抢单大战在即

    　　随着台积电、英特尔、三星等半导体大厂将在明年微缩制程进入20纳米以下世代，设备厂也展开新一波的抢单计划。 　　在应用材料于其SEMVision系列设备上引进首创缺陷检测扫瞄电子显微镜（DRSEM）技术后，另一设备大厂科磊（KLATencor）21日宣布，同步推出新一化光学及电子束晶圆缺陷检测系统。随着两大设备厂已抢进台积电及英特尔供应链，对于国内设备厂汉微科来说竞争压力大增。 　　虽然半导体市

    格罗方德

    工商时报 . 2013-08-27 1415

  • ARM 14nm FinFET颠簸路：或倒在低功耗上？

    　　自从ARM决定从行动装置跨足到伺服器市场后，无不加快自己在制程技术上的脚步，好能跟Intel一决高下，不过当然还是必须协同主要合作夥伴（台积电与三星）的技术进度。对ARM来说，去年年底宣布成功试产（TapeOut）14nmFinFET制程技术的三星，将是有助于提高自家处理器效能的关键，但目前仍有技术上的问题必须克服。 　　日前ARM已正式对外公布2013年Q1财报，营收同样继续维持成长，主要营

    14nm

    本站整理 . 2013-04-27 1020

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