FinFET潜力与风险并存 知名厂商畅谈发展策略
在新思科技（Synopsys）于美国硅谷举行年度使用者大会上，参与一场座谈会的产业专家表示，鳍式电晶体（FinFET）虽有发展潜力，但也有风险，而且该技术的最佳时机尚未达到。 来自晶圆代工业者Globalfoundries 的技术主管指出，该种3D电晶体架构将在14纳米制程节点带来性能的提升，功耗也会比目前28纳米制程降低60%；不过也有其他与会专家指出，该种电晶体架构因为电容增加，使得一
FinFET
本站整理 . 2013-04-01 960
16nm/14nm FinFET技术:开创电子业界全新纪元
FinFET技术是电子业界的新一代先进技术，是一种新型的多重闸极3D电晶体，提供更显着的功耗和效能优势，远胜过传统平面型电晶体。Intel已经在22nm上使用了称为叁闸极（tri-gate）的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET制程。虽然这项技术具有巨大的优势，但也带来了一些新的设计挑战，需要整个半导体设计生态系统的广泛研发和深层协作，才能够成功。 FinFE
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本站整理 . 2013-03-28 900
FinFET技术大规模应用水到渠成？没那么简单
FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术，是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET工艺。虽然该技术具有巨大的优势，但也带来了一些新的设计挑战，它的成功，将需要大量的研发和整个半导体设计生态系统的深层次合作。
3D晶体管
电子工程专辑 . 2013-03-15 795
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