• 查一下
  • 开通会员
  • 新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4 纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程，助力加速射频芯片设计

    新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4 纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程，助力加速射频芯片设计

      摘要： 全新参考流程针对台积公司 N4PRF 工艺打造，提供开放、高效的射频设计解决方案。 业界领先的电磁仿真工具将提升WiFi-7系统的性能和功耗效率。 集成的设计流程提升了开发者的生产率，提高了仿真精度，并加快产品的上市时间。   加利福尼亚州桑尼维尔，2023年10月30日 - 新思科技（Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码: SNPS）近日宣布，携手是德科技（Keysigh

    新思科技

    新思科技 . 2023-10-30 2060

  • Arasan推出超低功耗D-PHY IP

      /美通社/ -- 面向当今片上系统（SoC）市场的领先Total IP™解决方案提供商Arasan Chip Systems宣布，其重新设计的第二代MIPI D-PHYSM IP核立即可用于格罗方德（GlobalFoundries）12nm FinFET工艺节点。 Arasan是GlobalFoundries的合作伙伴，后者赞助了多款测试芯片，使Arasan的IP硅得以验证并用于GlobalF

    美通社

    互联网 . 2021-12-13 2800

  • Nerissa Draeger博士：全包围栅极结构将取代FinFET

    FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比，与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道更容易控制。但是，随着3nm和5nm技术节点面临的难题不断累积，FinFET的效用已经趋于极限。     晶体管缩放的难题 在每个技术节点，设备制造商可以通过缩小晶体管的方法来降低器件面积、成本和功耗并实现性能提升，这种方式也称为PPAC（功

    FinFET

    来源：互联网 . 2021-01-25 915

  • 传统元件结构尺寸已经接近极限，FD-SOI才是出路？

    为求低功耗、高能效及高性价比之元件，市场逐渐开发出 FD-SOI(完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管)结构；而 FD-SOI 构造主要以 SOI 晶圆为核心，透过传统 Si 芯片制程方式，进而以水平式晶体管架构，取代线宽较大(16～12nm)之 FinFET 元件。   进一步分析 FD-SOI 市占情形，在各厂商相继投入开发资源下，2018 年整体元件市场规模达 160 亿美元，预估 2019 年整

    FD-SOI

    -- . 2019-05-22 1305

  • 中芯国际南方FinFET工厂建成!

    中芯国际今天下午发布了2019年第一季度报告。报告期内，公司实现营收6.69亿美元，同比下降19.5%；实现利润2437.7万美元，同比下降10%。公司预计第二季度的收入环比增加17%至19%，毛利率介于18%至20%的范围内。 中芯国际联席首席执行官，赵海军博士和梁孟松博士评论说：“过去两年以来，公司处于调整期。透过优化和改革，提升内在实力，研发显著提速。我们积蓄的能量和竞争力，将加速我们接下来

    中芯国际

    YXQ . 2019-05-16 955

  • 益华计算机宣布已与台积电合作 助推台积电5纳米FinFET制程技术制造交付

    Cadence客制/类比工具获得台积电领先业界的5纳米制程技术认证，这些工具包括Spectre加速平行模拟器（APS）、Spectre eXtensive分割模拟器（XPS）、Spectre RF选项、Spectre电路模拟器、Voltus-Fi客制电源完整性解决方案、Pegasus验证系统以及VirtuosoR客制IC设计平台，其中包括Virtuoso布局套装EXL、Virtuoso原理图编辑器

    台积电

    工程师吴畏 . 2019-05-07 945

  • 三星宣布已完成5纳米FinFET工艺技术开发

    4月16日，三星官网发布新闻稿，宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发，现已准备好向客户提供样品。 与7纳米工艺相比，三星的5纳米FinFET工艺技术提供了高达25%的逻辑面积效率提升。同时由于工艺改进，其功耗降低了20%、性能提高了10%，从而使芯片能够拥有更具创新性的标准单元架构。 跨越到5纳米工艺，除了在功率性能区域（PPA）的数据提高之外，客户还可以充分利用EUV（极紫外光刻）技术，推

    三星

    工程师吴畏 . 2019-04-16 1360

  • 三星Exynos旗舰行动处理器将很快亮相 将采用7纳米FinFET制程技术

    就在华为麒麟 980、苹果 A12 处理器之后，三星 Exynos 旗舰行动处理器也要朝 7 纳米制程节点前进了。随着 2019 年三星旗下的智能型手机 Galaxy S10 和 Galaxy S10 Plus 即将推出，南韩媒体预计，三星 Exynos 旗舰行动处理器将很快亮相。 根据南韩媒体《ETnews》报导，三星下一代 Exynos 旗舰处理器将采用 7 纳米 FinFET 制程技术，加入

    处理器

    网络整理 . 2018-11-07 1235

  • 中芯国际透露14纳米制程取得重大进展

    近日，中芯国际发布了2018年中期业绩报告，报告显示，2018年上半年营收达17.22亿美元，同比增长11.5%。毛利为4.38亿美元，同比增长5.6%。股东应占溢利降至8097.6万美元；同比减少23.7%，每股收益为0.02美元。 报告中披露，上半年中芯国际来自中国地区客户的收入增长占不含技术授权总收入的56.3%，相比2017年同期46%，收入升幅为23.9%。报告期内，中芯国际的付运晶圆增

    中芯国际

    网络整理 . 2018-08-31 810

  • GlobalFoundries宣布将暂停所有7纳米FinFET技术的研发

    全球 7 纳米战局又传震撼消息，GlobalFoundries 宣布将暂停所有 7 纳米 FinFET 技术的研发，这代表大客户 AMD 产品将全数委由台积电代工，且未来参与 7 纳米战局的芯片大厂仅剩英特尔、台积电和三星三家。 半导体高端技术是个烧钱的游戏，要不要玩下去，对许多厂商都是个困难的决定，三星、台积电这些一线大厂没有选择的权利，只能一路玩到底，但联电已经用行动宣布退出高端工艺的竞赛，停

    纳米

    未知 . 2018-08-31 950

  • 格芯退出7纳米制程研发后 晶圆代工市场格局将如何转变

    全球第二大半导体晶圆代工厂格芯宣布，将在7纳米FinFET先进制程发展无限期休兵。联电之后半导体大厂先进制程竞逐又少一家，外界担忧将对全球代工晶圆产业造成什么影响，集邦咨询（TrendForce）针对几个面向进行分析。 晶圆代工市场格局将如何转变？ 参与7纳米制程竞逐厂商，包括龙头台积电、格芯、三星及英特尔，各厂分别预定在2018年提供代工业者7纳米节点的对应技术，让设计业者有较多的选择，可扩大在

    台积电

    网络整理 . 2018-08-31 1040

  • 中芯国际再获技术重大突破

    8月9日，中芯国际公布了在14纳米FinFET技术开发上获得的重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。除了28纳米PolySiON和HKC，28纳米HKC+技术开发也已完成。28纳米HKC持续上量，良率达到业界水平。 另外中芯国际集成电路制造有限公司公布了截至二零一八年六月三十日止三个月的综合经营业绩。 二零一八年第二季的销售额为捌亿玖仟零柒拾万美元，较二零一八年第一季的捌亿参仟壹

    中芯国际

    网络整理 . 2018-08-18 735

  • 中芯国际Q2财报：第二季度营收、净利双丰收

    8月9日，中芯国际发布其2018年第二季度报。公告显示，中芯国际第二季度不仅营收、净利双增长，14纳米制程更是获得重大进展！ 第二季度营收、净利双丰收 根据公告，中芯国际2018年第二季度实现营收8.91亿美元，同比增长18.6%、环比增长7.2% ；归母净利润为5159.9万美元，同比增长42.3%、环比增长75.6%。 第二季度中芯国际不含技术授权收入影响的销售额为8.38亿美元，同比增长11

    中芯国际

    未知 . 2018-08-12 855

  • ANSYS宣布14纳米FinFET制程技术获联电认证

    ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem获联华电子（UMC）的先进14纳米FinFET制程技术认证。ANSYS和联电透过认证和完整套装半导体设计解决方案，支援共同客户满足下一代行动和高效能运算（HPC）应用不断成长的需求。 此次ANSYS取得联电的认证包括萃取、电源完整性和可靠度、讯号电子迁移（signal EM）以及自发热（self-heat）分析。联电的14纳米Fi

    联电

    网络整理 . 2018-07-17 955

  • 全数字锁相环 (ADPLL)设计

    6月12日，由工业和信息化部人才交流中心主办，IC智慧谷、上海林恩信息咨询有限公司承办，南京江北新区人力资源服务产业园、中国半导体行业协会集成电路分会、上海集成电路技术与产业促进中心协办的第65期国际名家讲堂在上海举办，来自加利福尼亚大学洛杉矶分校（UCLA）的著名教授Behzad Razavi为中国的学员们带来了高性能锁相环设计短期高级课程。 PLL电路是用于生成与输入信号相位同步的新的信号电路

    pll

    未知 . 2018-07-10 1495

  • 中芯国际与一线阵营代差巨大 如何摆脱“空芯”之痛？

    中国最大的晶圆代工厂中芯国际目前最新的14纳米FinFET制程已接近研发完成阶段，其试产的良率已经可以达到95%。距离2019年正式量产的目标似乎已经不远了。但半导体人才储备不足依然是中芯国际面临的重要问题。                                  中芯国际与一线阵营代差巨大 中芯国际成立于2000年，是中国大陆技术最全面、配套最完善、规模最大的集成电路制造企业，成立以来

    中芯国际

    未知 . 2018-06-25 1040

  • 三星被判侵犯FinFET工艺专利 须赔偿4亿美元

    根据美国德克萨斯州联邦法院的裁决，三星电子侵犯了一家韩国大学关于双栅极FinFET半导体工艺的技术专利，必须赔偿4亿美元。 韩国科学技术院(KAIST)在美国的授权机构起诉三星电子，称其曾经宣称要与韩国大学共同研究FinFET(鳍式场效应晶体管)技术，但很快就放弃，改变主意从Intel那里购买授权，不过三星还是使用了他们的技术，却并非付费。 法院认可了这一起诉，责令三星电子赔偿4亿美元。事实上，陪

    三星

    未知 . 2018-06-22 1120

  • 胡正明表示,集成电路能耗方面依然有1000倍的降低空间

    2018年三星、台积电将量产7nm工艺，未来的5nm甚至3nm工艺也露出了曙光，预计在2020年之后开始量产。多年来业界一直在追求半导体工艺不断降低线宽，不过在FinFET晶体管技术发明人胡正明教授看来，线宽微缩总有极限，可以从其他方面推进集成电路发展，比如能耗方面依然有1000倍的降低空间。 胡正明是美国加州大学伯克利分校教授，IEEE院士、美国工程院院士、中科院外籍院士，他是FinFET工艺的

    集成电路

    网络整理 . 2018-06-02 1185

  • 三星计划2021年量产GAA电晶体

    三星电子(Samsung Electronics)计划于2021年量产FinFET电晶体架构的后继产品——采用3nm制程节点的环绕式闸极(gate-all-around；GAA)电晶体。在上周二(5月22日)举行的年度代工技术论坛上，这家韩国巨擘重申将在今年下半年使用极紫外光(EUV)微影开始7nm生产的计划。 自2000年代初以来，三星和其他公司一直在开发GAA技术。GAA电晶体是场效电晶体(F

    三星

    未知 . 2018-05-30 1155

  • 中芯国际14纳米FinFET量产时间曝光，能迎头赶上？

    2017 年 11 月底中芯国际完成权益类组合融资交易，合计募集资金 9.72 亿美元，创下 2004 年 IPO 以来最大金额的权益类融资，且除兆易创新外，包括大唐控股、国家集成电路产业基金等均积极参与， 代表两大股东对于未来中芯国际发展的战略性支持，也突显中芯国际在中国半导体业发展蓝图上将持续扮演关键的角色。 事实上，2017 年 11 月兆易创新公布将以不超过 7000 万美元的额度来认购中

    兆易创新

    -- . 2017-12-11 810

  • 1
  • 2
  • 3
23456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142