产品 | 新洁能宽SOA MOSFET HO系列
随着市场对高性能功率半导体器件宽SOA MOSFET需求的日益增长，新洁能（NCE）产品研发部门推出HO系列MOSFET产品，优化了SOA工作区间，可满足热插拔、缓启动、电子保险丝、电机驱动、BMS等具体电路应用要求。产品通过优化器件结构设计、采用特殊的工艺制程，解决了高功率场景下效率、热管理与可靠性的平衡难题。 核心技术优势 1.超强线性区短路电流，短路能力实测对比 使用宽SOA HO系列代
MOSFET
无锡新洁能股份有限公司 . 2025-03-03 805
新洁能 Gen.5 Trench MOSFET PMOS 30V 系列介绍
新洁能研发团队持续创新，中低压沟槽型工艺平台推出增强型MOSFETG5系列新品，电压涵盖20-60V系列产品，N型沟道和P型沟道，不同功率级别的众多封装外形系列产品,已在8英寸和12英寸产线成功量产，本次着重推介PMOS 30V产品型号。 G5系列在已有沟槽型工艺平台基础上，芯片具有超高成度，超短沟道长度特点。产品采用超高元胞密度、超小线宽独特设计，使得单位芯片面积内电流密度增加，集成度较
新洁能
无锡新洁能股份有限公司 . 2024-08-14 5265
650V Gen.7 IGBT “V”系列产品介绍
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。 新洁能Gen.7 IGBT系列产品为匹配不同应用需求，开发了不同参数特点的产品系列，今天要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非
IGBT
无锡新洁能股份有限公司 . 2024-06-20 1 4 3780
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