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  • 技术 | 三星公布下一代内存与存储技术

    技术 | 三星公布下一代内存与存储技术

    三星电子在2026年OCP全球峰会上展示了下一代内存与存储技术，此举彰显了该公司在提升人工智能（AI）基础设施以及加强与全球科技企业合作方面的努力。    会上，这家韩国科技巨头与AMD共同演示了内存扩展解决方案，并展出了与AI芯片厂商Groq和英伟达相关的产品。 新战略覆盖三大领域 随着AI模型日益庞大、AI代理承担的任务愈发复杂，市场对更大内存容量、更快的数据处理速度以及更高效的存储需求不断增

    三星

    科创板日报 . 3小时前 336

  • 企业 | 美光发布2026年报：美国出口管制持续影响销售，中国网络安全审查与稀土管制风险，长江存储诉美光获德国法院支持

    企业 | 美光发布2026年报：美国出口管制持续影响销售，中国网络安全审查与稀土管制风险，长江存储诉美光获德国法院支持

    当地时间10月9日，美国存储芯片企业美光科技（Micron Technology）向美国证券交易委员会（SEC）提交2026财年Form 10-K年度报告，报告期截至9月3日。    美光在报告中披露了美国出口管制、中美贸易摩擦、中国网络安全审查、关键矿产供应链以及中国半导体企业竞争等方面的风险，同时披露了长江存储在德国专利诉讼中取得的最新进展。 一、美国出口管制持续影响部分客户销售 美光表示，美

    美光

    出口管制合规研究 . 2026-10-10 1 3899

  • 企业 | 希捷和东芝，竞购TDK业务

    企业 | 希捷和东芝，竞购TDK业务

    据彭博社报道，希捷科技和东芝正在竞购TDK的硬盘磁头业务，交易金额达数十亿美元。对希捷而言，此次收购将扩大其自身生产的硬盘磁头供应；但对东芝来说，TDK是其硬盘磁头的唯一来源。如果希捷收购TDK的硬盘磁头业务，东芝的硬盘业务将依赖于希捷的供应。    TDK是全球唯一一家独立的硬盘磁头供应商，也是东芝硬盘磁头组件的唯一供应商。相比之下，希捷和西部数据自行生产磁头，必要时也会从TDK采购。近年来，T

    存储

    半导体行业观察 . 2026-10-09 1862

  • 企业 | 三星Q3营收800亿美元，较去年同比增长785.2%

    企业 | 三星Q3营收800亿美元，较去年同比增长785.2%

    10月8日，三星电子发布了2026年第三季度初步业绩指引，预计营收利润约为107.4万亿韩元（约合801.7亿美元），成为韩国企业历史上首次单季营业利润突破100万亿韩元大关的企业。    三星电子预计，其三季度营收约为195万亿韩元，同比增长126.6%，环比增长13.7%，但低于市场预期的200.4万亿韩元；合并营业利润约为107.4万亿韩元，较上年同期的12.17万亿韩元暴涨782.5%，环

    三星

    芯查查资讯 . 2026-10-09 1162

  • 产品 | 澜起科技成功量产DDR5第五子代RCD芯片

    产品 | 澜起科技成功量产DDR5第五子代RCD芯片

    澜起科技今日宣布，其DDR5第五子代寄存时钟驱动器芯片（RCD05）已成功实现量产。该产品面向高性能DDR5 RDIMM内存模组，旨在满足数据中心、AI服务器等应用对高带宽、高可靠性内存系统日益增长的需求。 该RCD05芯片符合JEDEC DDR5RCD05规范，支持8000 MT/s的数据传输速率，较上一代RCD04产品提升约11%，为下一代服务器平台提供更充裕的带宽支撑。产品集成高性能、低抖动

    澜起科技

    澜起科技 . 2026-09-28 903

  • 技术 | 从数据到 Token：Arm 解读边缘 AI 的计算与存储

    技术 | 从数据到 Token：Arm 解读边缘 AI 的计算与存储

    9 月 23 日，在 GMIF 2026 全球存储器行业创新峰会上，Arm 全球存储业务负责人 John Xavier Lionel 发表了题为《从数据到 Token：重塑边缘 AI 的计算与存储架构》的主题演讲，围绕生成式人工智能（AI）时代计算与存储的演进趋势分享了最新洞察。 AI 正在重塑存储需求   随着 AI 模型规模不断扩大、上下文长度持续增长以及并发用户数量快速增加，存储正成为影响

    Arm

    Arm . 2026-09-24 1155

  • 技术 | 长鑫第五代DRAM技术平台正式量产，24GB LPDDR5X量产产品展出

    技术 | 长鑫第五代DRAM技术平台正式量产，24GB LPDDR5X量产产品展出

    9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产。 此次大会展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24GB，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。   据介绍，该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，

    长鑫存储

    芯查查资讯 . 2026-09-20 1449

  • 市场 | 存储供需失衡短期难解，新增产能或要等到2028

    市场 | 存储供需失衡短期难解，新增产能或要等到2028

    随着人工智能应用从数据中心进一步扩展至终端装置与机器人，美光科技高层指出，内存已成为限制AI系统效能的核心瓶颈。由于新建晶圆厂与洁净室需要长时间，加上内存制程高度复杂，产业供需失衡恐怕要到2028年后才会逐步迎来实质新增产能。   美光执行长（CEO）高级顾问Sumit Sadana近日接受分析师Patrick Moorhead访问时，针对AI时代的内存供需、资本支出及未来市场需求进行说明。   

    美光

    芯查查资讯 . 2026-09-20 1393

  • 原厂 | 华邦电子砸75亿元收购英飞凌存储器业务 将重启Spansion品牌

    原厂 | 华邦电子砸75亿元收购英飞凌存储器业务 将重启Spansion品牌

    9月17日消息，华邦电子宣布，将收购英飞凌旗下NOR Flash与F-RAM业务100%股权，基础对价11.2亿美元（约合75亿元人民币）。 根据双方声明，此次交易以无现金、无债务为基础，全部以现金结算，预计2027年下半年完成，仍需获得监管机构批准。   此次出售的业务主要服务汽车、工业及基础设施客户，是英飞凌在存储器领域的重要资产。该业务对存储器可靠性和长供货周期要求较高，是专用存储器市场的核

    华邦电子

    芯查查资讯 . 2026-09-17 1491

  • 研报 | 2H26 NOR Flash价格走势分化，高容量产品涨幅预估达90-110%

    研报 | 2H26 NOR Flash价格走势分化，高容量产品涨幅预估达90-110%

    产业洞察 根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，NOR Flash市场正经历近十年来最重要的供需结构转变；在AI占据多数产能的情况下，叠加高端应用需求升级，供应商NOR Flash位元产出增加有限，预估2026年下半年供需仍旧失衡，整体合约价格维持在高点，高容量产品价格甚至可能翻倍成长。    TrendForce集邦咨询表示，即便相关供应商皆已提高资本支出并扩产，新增产能必须经过制

    NOR Flash

    TrendForce集邦咨询 . 2026-09-15 1659

  • 市场 | 2Q26 DRAM产业营收季增59.5%，供给扩张仍不及需求成长

    市场 | 2Q26 DRAM产业营收季增59.5%，供给扩张仍不及需求成长

    根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2026年第二季由于Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价显著上涨，推升整体DRAM产业营收季增59.5%，近1,547.3亿美元。    随着LLM模型训练、AI推理刺激AI Server需求，HBM3e、LPDDR5X和高容量RDIMM出货同步成长，Agentic AI应用则带动各容量规格的RDIMM拉货。供给方面，原厂库

    DRAM

    TrendForce集邦咨询 . 2026-09-07 1750

  • 市场 | 长江存储全球市占第三，2026年Q2 NAND Flash市场规模环比大涨73%

    市场 | 长江存储全球市占第三，2026年Q2 NAND Flash市场规模环比大涨73%

    随着AI工作负载从训练向推理扩展，企业级SSD成为存储刚需，支撑原厂NAND Flash出货量持续增长。然而，原厂对NAND Flash产能扩张态度趋于保守且结构性倾斜于DRAM/HBM，使得NAND Flash新增产能有限。2026年二季度，由于全球NAND Flash市场在AI需求的拉动下仍然存在供给缺口，原厂继续保有强劲的议价权，带动产品平均售价（ASP）大幅增长，且价格涨幅显著跑赢出货量增

    存储

    闪存市场 . 2026-09-07 2345

  • 技术 | 以“存”代算：英特尔KV Shrink如何将TTFT最高提升5倍？

    技术 | 以“存”代算：英特尔KV Shrink如何将TTFT最高提升5倍？

    随着大模型上下文窗口从 4K、32K 快速迈向 128K 乃至百万级 token，长文档、多轮对话、RAG 与 Agent 已成为主流用法。然而上下文越长、并发越高，推理系统在 KV Cache 存储上的压力就越突出，这成为了制约吞吐、延迟与成本的关键瓶颈。    本文由英特尔-道客联合实验室出品，系统阐述长上下文推理中的 KV Cache 存储之困，介绍英特尔 KV Shrink 分层卸载与硬件

    英特尔

    英特尔商用 . 2026-09-01 1736

  • 企业 | 传铠侠拟投资1万亿日元在日本建造新厂

    企业 | 传铠侠拟投资1万亿日元在日本建造新厂

      由于AI普及，带动内存需求激增，日本NAND型闪存大厂铠侠(Kioxia)传出将投资超过1万亿日元，在岩手县兴建新厂房，增产NAND Flash。       据报导，铠侠利用四日市工厂(三重县四日市市)和北上工厂(岩手县北上市)生产NAND Flash，其中北上工厂有2座厂房，第2厂房(K2)于2025年9月投产，而铠侠决定在北上工厂内兴建第3座厂房(K3)。       消息人士称，新厂将

    铠侠

    半导体前线 . 2026-08-31 1162

  • 市场 | 2Q26全球前五大NAND Flash品牌合计营收季增77%，达688.7亿美元

    市场 | 2Q26全球前五大NAND Flash品牌合计营收季增77%，达688.7亿美元

    根据TrendForce集邦咨询最新NAND Flash产业研究，2026年第二季AI Server采购力度维持稳健，尤其Enterprise SSD需求旺盛，导致整体NAND Flash市场供不应求，原厂得以借由议价机制大幅调涨产品平均销售单价（ASP）。因此，在已上市NAND Flash品牌中，前五大厂商合计营收季增77%，达688.7亿美元。   展望第三季营收概况，尽管智能手机、PC终端因

    NAND

    TrendForce集邦咨询 . 2026-08-19 1365

  • 企业 | 亮相FMS 2026，康盈半导体以全系列存储产品响应AI时代需求

    企业 | 亮相FMS 2026，康盈半导体以全系列存储产品响应AI时代需求

    随着端侧、边缘AI应用快速落地，AI产业的竞争不只局限于数据中心高端HBM，端侧与边缘侧的存储正成为新的竞争焦点，从穿戴设备等消费终端、边缘主机到工业装备，多形态节点对存储的场景适配能力提出了全新考验。   美国硅谷当地时间8月4-6日，FMS 2026（Future of Memory and Storage）全球闪存峰会在圣克拉拉如期举行。作为全球存储领域极具影响力的行业盛会，本届峰会汇集全球

    存储

    芯查查资讯 . 2026-08-11 1729

  • 市场 | 预估iPhone 18 Pro成本大增近40%，苹果或调整毛利策略以稳健出货

    市场 | 预估iPhone 18 Pro成本大增近40%，苹果或调整毛利策略以稳健出货

    根据TrendForce集邦咨询最新手机产业研究，由于以存储器为首的零部件价格上涨，推升Apple（苹果）将发布的iPhone 18系列整机成本。以该系列的256GB版本BOM（物料清单）成本为例，预估年增幅度达38%左右，整机售价势必提高。为避免影响消费者购买意愿，Apple可能借由降低毛利的方式控制售价涨幅，以换取市占扩张。 分析近两代iPhone Pro系列256GB的BOM成本，存储器占比

    存储

    TrendForce集邦咨询 . 2026-08-10 1274

  • 企业 | 存储聚变：江波龙亮相FMS 2026，聚焦三大端侧AI场景综合应用

    企业 | 存储聚变：江波龙亮相FMS 2026，聚焦三大端侧AI场景综合应用

    美国硅谷当地时间8月4日至6日，FMS 2026于美国圣克拉拉会议中心盛大启幕。江波龙以“端侧AI 存储聚变”为参展主题，聚焦AI BOX智能体主机、AI PC个人终端、AI Mobile移动嵌入式三大核心端侧AI应用场景，全方位展示端侧AI存储全新落地形态与商业化能力。 AMD联合调优，自研存储软硬件协同方案赋能智能体算力升级 针对当前端侧大模型本地部署普遍面临的内存容量瓶颈、带宽不足、KV C

    江波龙

    江波龙 . 2026-08-06 2604

  • 方案 | SK海力士与闪迪发布HBF首个标准规范 在“FMS 2026”展示面向AI的存储解决方案

    方案 | SK海力士与闪迪发布HBF首个标准规范 在“FMS 2026”展示面向AI的存储解决方案

    联盟成立6个月后发布HBF首个标准规范，谷歌与Tenstorrent参与，生态体系进一步扩大 SK海力士副社长金千成、姜郁成于峰会开幕日发表主题演讲，提出基于“分层内存”的下一代AI基础设施解决方案 与谷歌DeepMind、闪迪举行圆桌论坛，围绕“借助HBF突破内存墙”展开探讨 展台首次公开第十代375层4D NAND闪存，其性能功耗比提升2.5倍“通过HBF拓展内存与存储边界，助力构建提高系统整

    SK海力士

    SK海力士 . 2026-08-04 3094

  • 技术 | LPDDR6 vs. LPDDR5 vs. LPDDR5X的区别是什么？

    技术 | LPDDR6 vs. LPDDR5 vs. LPDDR5X的区别是什么？

    随着内存技术不断升级，智能手机、平板电脑、超轻薄笔记本以及可穿戴设备等产品正朝着更高性能、更低功耗的方向发展。    作为移动设备内存的主流标准，LPDDR（Low Power Double Data Rate，低功耗内存）在性能与能效之间发挥着关键作用。而最新发布的 LPDDR6，则将移动内存技术提升到了新的高度。    与上一代 LPDDR5 和 LPDDR5X 相比，LPDDR6 在数据传输

    新思科技

    新思科技 Synopsys . 2026-07-23 4690

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