2023年中国IGBT芯片行业技术市场现状及发展趋势分析 IGBT主要有三个发展方向
1、IGBT芯片技术发展历程及趋势：大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性 从20世纪80年代至今，IGBT芯片经历了7代升级，从平面穿通型(PT)到沟槽型电场-截止型(FS-Trench)，芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从600V提高到6500V以上。IGBT技术的整体发展趋势是大电流、高电压、低损耗、高频率、功能
IGBT芯片
前瞻产业研究院 . 2023-02-15 1 6670
先进半导体冀中国每年销售占比增长20%
先进半导体总裁王庆宇於记者会上表示，希望加大力度发展中国市场。 中国每年销售占比增长20%，因过去半导体於中国市场有双位数的增长，高於海外市场。而目前公司欧美销售占比约75%，中国及台湾市场为约25%，他补充，如后者增长20%，料占比会达至30%，对公司而言，比例仍然少，故认为增长空间大。 王氏又指，中国与海外用消费类电子的芯片价格虽有差价，但公司专注於应用在新能源汽车及高铁等高技术芯片，
先进半导体
来源：互联网 . 2015-03-15 1085
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