1、IGBT芯片技术发展历程及趋势：大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性

  从20世纪80年代至今，IGBT芯片经历了7代升级，从平面穿通型(PT)到沟槽型电场-截止型(FS-Trench)，芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从600V提高到6500V以上。IGBT技术的整体发展趋势是大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性。

  2、不同代际IGBT芯片产品对比情况

  随着技术的升级，IGBT芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小，断态电压由第一代的600V升至第七代7000V。

  不同代际的IGBT芯片产品应用情况也有所不同：

  3、中国IGBT芯片企业技术布局情况

  中国IGBT产品与国际巨头英飞凌、三菱电机等差距在10年以上，步入第5代后，预计差距将缩短为10年，第6/7代产品差距将在5年以内。从中国IGBT芯片行业代表性企业从技术格局来看，斯达半导应用第七代IGBT技术，电压覆盖范围为100-3300V;华微电子布局第六代IGBT技术，电压覆盖范围为360-1350V;士兰微、时代电气、宏微科技应用第五代IGBT技术;新洁能主要应用第四代IGBT技术。

  4、中国IGBT芯片行业科研投入水平：研发费用占营业收入比重整体不超过15%

  以宏微科技、斯达半导、士兰微、时代电气为主要代表企业分析，2018-2021年，我国IGBT芯片行业研发费用从0.1元到19亿元不等，研发费用占营业收入比重整体不超过15%。其中，时代电气在科研投入规模和占比均位于行业前列，2021年，公司研发投入为17.85亿元，占收入比重的11.81%。

  IGBT芯片技术“门槛”高，不仅涉及设计、制造、封装三个高精尖技术领域，而且难度大、周期长、投入高。高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上，技术壁垒较强;IGBT芯片设计制造、模块封装、失效分析、测试等IGBT产业核心技术仍掌握在发达国家企业手中。我国要想实现IGBT芯片的技术突破，企业需要持续增加研发投入，减少与国际头部厂商IGBT芯片的代际差异。

  5、中国IGBT芯片行业技术趋势：IGBT主要有三个发展方向

  从行业整体发展规律而言，IGBT发展趋势主要是降低损耗和降低成本。

  从结构上讲，IGBT主要有三个发展方向：

  1)IGBT纵向结构：非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型;

  2)IGBT棚极结构：平面棚机构、Trench沟槽型结构;

  3)硅片加工工艺：外延生长技术、区熔硅单晶。