• 查一下
  • 开通会员

  • 生益科技与和美精艺战略合作签约仪式成功举行

    近日，广东生益科技股份有限公司与深圳和美精艺科技有限公司战略合作签约仪式在松山湖厂区举行，生益科技集团营销中心总裁曾红慧与和美精艺总经理岳长来分别代表公司签署协议。和美精艺副总经理居永明、生益集团营销中心相关业务人员共同参与并见证签约。 生益科技与和美精艺于2009年进行业务往来，10年来，双方共同发展、合作共赢，此次战略合作签约成功，标志着生益科技与和美精艺在高端封装材料等领域将进行更深入的携手

    闪存

    yxw . 2019-06-08 765

  • 一加7将全系标配UFS3.0闪存

    5月16日消息，一加在北京举办新品发布会，一加7 Pro和一加7正式亮相。 官方介绍，一加7集成了一加7 Pro许多强大配置和卓越功能。该机搭载高通骁龙855旗舰平台，最高配备12GB内存（搭载RAM Boost加速技术），全系标配UFS 3.0闪存，后置4800万超清双摄，支持OIS光学防抖，支持Warp闪充。 值得注意的是，一加还为一加7特别定制了全新配色珐琅红，这是一加7独有的配色，极具辨识

    闪存

    工程师吴畏 . 2019-05-16 800

  • 怎样测试手机的读写速度 UFS3.0又有哪些优势

    近日旗舰新机一加7的参数已经曝光了不少，其中一项就是一加7全系将会采用UFS 3.0。 根据刘作虎微博的回应，采用了UFS 3.0的一加7在读写速度上大大提升，实际测试安装刺激战场只需要7秒。 虽然其中也有软件优化的适配，但也从侧面反映出了UFS 3.0在读写方面的巨大优势。可能有不少读者朋友在选购的时候并不太了解这方面，今天我们就从两方面带大家简单读懂闪存读写速度。 不同闪存规格定义 手机读写速

    闪存

    工程师吴畏 . 2019-05-10 2150

  • 国产存储厂商长江存储预计在第三季度量产64层3D闪存

    据Digitimes报道，长江存储（YMTC）将于年底前投入64层3D闪存的量产工作。其中风险试产预计三季度启动，目前良率已经实现了显著爬升。 64层芯片量产后，长江存储的主要精力会转移到128层上，后者有望在2020年大规模投产。 同时，长江存储正与紫光集团沟通，希望能够获得SSD、UFS存储芯片等产品的品牌建设和自主经营权。报道称，此前，采用长江存储闪存生产的SSD由紫光存储负责经销。 此前，

    闪存

    工程师吴畏 . 2019-05-08 625

  • 一加7Pro确认搭载UFS3.0闪存

    由于三星Galaxy Fold延期发售，一加7 Pro有望成为首款配备UFS 3.0闪存芯片并上市销售的旗舰机。 来自XDA线人投递的最新爆料显示，一加7 Pro确定将搭载UFS 3.0闪存。 按照三星公布的测试数据，UFS 3.0闪存（512GB容量）的顺序读取速度高达2100MB/s、写入高达410MB/s，随机读速63K IOPS、写速68K IOPS，较最快的UFS 2.1（1TB）分别提

    闪存

    工程师吴畏 . 2019-05-05 1035

  • 三星GalaxyFold闪存读取速度达976MB/s 存储性能鲁大师跑分超5万分

    4月16日消息，鲁大师公布了三星Galaxy Fold跑分。该机综合性能跑分达到了417716分，其中存储性能达到了新高度，超过了5万分（具体为50977）。 如图所示，三星Galaxy Fold闪存读取速度达到了976MB/s，写入速度达到了310MB/s。 该机搭载512GB UFS 3.0闪存，这是全球首款搭载UFS 3.0闪存的旗舰产品。其它规格方面，三星Galaxy Fold搭载高通骁龙

    闪存

    工程师吴畏 . 2019-04-17 1210

  • NAND闪存从去年开始降价,今年以来依然是“跌跌不休”

    全球半导体行业在2017、2018年的产值分别突破了4000亿、5000亿美元大关，这主要是存储芯片过去两年大涨价推动的，特别是DRAM及NAND闪存。好消息是NAND闪存从去年开始降价，今年以来依然是“跌跌不休”。 对消费者来说，NAND降价是好事，因为可以买到更便宜的SSD硬盘，但是对国内发展NAND闪存芯片的公司来说，全球NAND降价对他们的压力更大。这次存储芯片降价是不是对中国闪存公司的打

    闪存

    YXQ . 2019-04-04 805

  • IC Insights发表2019~2023全球晶圆产能报告

    IC Insights发表2019~2023全球晶圆产能报告指出，就2018年使用的总表面积而言，12英寸晶圆是主流。 新建晶圆厂也以12英寸为主， 2019年全球将有9座12英寸（300mm）晶圆厂开业，其中5座来自中国， 预计2020年还将新增6座。 全球晶圆厂自2013年ProMOS关闭两座晶圆厂后，造成当年12英寸厂数量减少，从那以后每年12英寸晶圆厂都持续增加。从2008年开始，12英寸

    闪存

    lp . 2019-04-04 1200

  • 西数开发低延迟闪存(LLF),用于与英特尔的傲腾存储竞争

    据报道，西数正在开发自己的LLF低延迟闪存，与传统的3D NAND相比，它将提供更高的性能和耐用性，最终用于与英特尔的傲腾存储竞争。 在本周的活动上，西数谈到了其新的低延迟闪存NAND。该技术旨在实现3D NAND和DRAM之间的性能。LLF闪存将具有微秒级的延迟，采用SLC或者MLC颗粒。 西数表示，LLF闪存的成本比DRAM低10倍，但是按照每GB价格计算，3D内存的成本仍是3D NAND的2

    闪存

    YXQ . 2019-03-25 760

  • IC Insights发布全新报告:今年全球将有9家晶圆厂开业,5家来自中国

    权威半导体第三方调研机构IC Insights日前发布全新报告称，今年全球将有9座12英寸（300mm）晶圆厂开业，其中5座来自中国，预计2020年还将新增6座。这15座12英寸晶圆新厂将用于生产存储产品DRAM和NAND闪存，以及晶圆代工。 报告称，12英寸晶圆厂从2008年开始占据业界主要晶圆尺寸，随着今年9座新的晶圆厂开业，全球12英寸晶圆厂总数将升至121座。根据IC Insights预计

    半导体

    杨湘祁 . 2019-03-19 1245

  • 西部数据正开发低延迟闪存 旨在与英特尔傲腾产品展开竞争

    外媒报道称，存储大厂西部数据（WD）正在开发自家的低延迟闪存，与传统 3D NAND 相比，其能够带来更高的性能和耐用性，旨在与英特尔傲腾产品展开竞争。在本周的 Storage Field Day 上，西数透露该技术介于 3D NAND 与 DRAM 之间，类似于英特尔傲腾和三星 Z-NAND 。其访问延迟在微妙级，使用 1-bit 或 2-bit 的存储单元。 作为一款性能向的定制设备，LLF

    英特尔

    工程师吴畏 . 2019-03-14 1085

  • 三星宣布开始量产单芯片1TB容量的UFS存储产品 读取速度最高1000MB/s

    天字一号闪存企业三星电子今天（1月30日）宣布开始量产单芯片1TB容量的UFS存储产品，主力用于智能手机。 2017年11月，三星宣布量产单芯片容量512GB的 eUFS闪存，去年，三星Galaxy Note 9就用上它。不过，由于S10系列2月20日就要发布了，从时间上判断，应该来不及用上刚出炉的1TB UFS，可能会选择和坚果R1类似的方式、即使用两片512GB。 三星计算后表示，1TB可存储

    闪存

    工程师吴畏 . 2019-02-11 1400

  • NANDFlash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平 近乎腰斩

    2018年，NAND闪存全年供过于求，价格一直下跌，导致西数、东芝等厂商毛利率大幅下滑。如今到了2019年，情况会有所好转吗？ 近日，集邦科技旗下半导体研究中心DRAMeXchange发布调查报告指出，2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现难见起色，预计去年的产能过剩依然难以缓解。 调查指出，2018年NAND闪存供过于求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出，NAND闪存总体资本支出

    闪存

    工程师吴畏 . 2019-01-14 950

  • 今年一直在跌价的NAND闪存，预计三星本季度盈利会下滑7.6%

    Q4季度的内存降价，再加上今年一直在跌价的NAND闪存，预计三星本季度盈利会下滑7.6%，但是全年积累之下，三星今年的利润依然会达到62.6万亿韩元，创造历史最好记录。 持续上涨两年多的DRAM内存价格在今年Q4季度终于由涨转跌了，三星、SK Hynix及美光三大内存芯片供应商都在想方设法应对即将到来的降价周期，这三家公司已经确定会削减明年的资本支出，不再大幅增加内存产能以减缓内存降价趋势。 Q4

    闪存

    lq . 2018-12-28 990

  • 非易失性存储器的分类和未来发展预测

    非易失性存储器是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失者的电脑存储器。非易失性存储器中，依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准，可分为二大类产品，即ROM和Flash memory。 目前主流的基于浮栅闪存技术的非易失性存储器技术有望成为未来几年的参考技术。但是，闪存本身固有的技术和物理局限性使其很难再缩小技术节点。在这种环境下，业界试图利用新材料和新概念发明一种更好的存储器技术，以替代闪

    闪存

    f . 2018-12-23 975

  • 今日要闻，国内封测厂异军突起，锤子拖欠酷派巨款

    1.465亿！京东方宣布在重庆开建第三条6代线AMOLED生产线 在日前的投资者关系会议上，京东宣布开建第三条6代线AMOLED生产线，总投资465亿元，自此京东方在OLED面板上累计投资高达1395亿元，在成都、绵阳及重庆建设三条OLED生产线。 京东方公司宣布在重庆建设投资重庆第6代柔性AMOLED生产线项目，与成都6代线和绵阳6代线总投资相同，均为465亿元，设计产能相同，均为48K/月。随

    led

    工程师李察 . 2018-12-01 885

  • 全闪存增长放缓 NetApp业绩不受影响

    在面对起伏不定的货币汇率走势、全面爆发的中/美贸易战以及全闪存阵列销售增长幅度放缓等负面因素的前提下，NetApp公司仍然拿出了一份令人满意的第二季度运营答卷。 NetApp公司凭借其作为内部部署与云计算世界之间数据管理服务桥梁的Data Fabric产品实现了出色表现——在截至今年10月26日的周期之内，其营收为15.17亿美元，较上年同期增长7%。 产品销售额增长11%，目前达到9.13亿美元

    闪存

    未知 . 2018-11-21 710

  • 2019年整体闪存平均销售单价下滑40%

    CINNO Research对闪存供应商及其上下游供应链调查显示，在64层的3D-NAND良率更为成熟，需求端受到中美贸易战压缩的情况下，NAND Flash行业供过于求的情况持续加剧，各家厂商以更为积极的降价来刺激出货成长，也因此第三季度闪存平均销售单价普遍较第二季度下滑15-20%，而位元出货量则是在第二季度基期较低的关系，第三季成长幅度来到20-25%，整体第三季闪存产值达到172亿美元，季

    闪存

    未知 . 2018-11-13 875

  • 英特尔的“二战”之路离不开中国市场,国产存储器企业阵队的成形

    近日，英特尔大连厂(Fab68)非易失性存储二期项目投产启动仪式在大连举行。同时，英特尔宣布新工厂采用世界最先进的96层堆叠3D NAND闪存芯片制造技术实现量产，并将会成为英特尔NAND闪存的最核心生产基地，贡献大约70％的产能。 该厂于2015年10月开建，将原用于处理器的封装测试改建为用于生产NAND闪存芯片，总投资55亿美元（约合人民币380亿元）。 近年来全球DRAM技术持续发展，闪存芯

    英特尔

    未知 . 2018-09-28 1070

  • Intel发布了首款消费级QLC固态硬盘660p，目前第一代良率只有48%

    据消息报道，本月初，Intel发布了首款消费级QLC固态硬盘——660p。 性能上达到主流M.2 NVMe的水准，最高连续读写速度可达1800MB/s。同时，价格相当给力，512GB卖99.99美元（约合683元）。 不过，有消息报道称，接近IMFlash闪存工厂（Intel/美光合资）的人士透露，目前第一代64层QLC闪存的良率只有48%，也就是生产出来的成片过半报废。对比之下，64层TLC闪存

    闪存

    未知 . 2018-09-05 900

  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
12356789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263646566676869707172737475767778798081828384858687888990919293949596979899100101102103104105106107108109110111112113114115116117118119120121122123124125126127128129130