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  • 复旦大学周鹏-刘春森团队实现超快闪存的规模集成和极限微缩

    复旦大学周鹏-刘春森团队实现超快闪存的规模集成和极限微缩

    人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度在百微秒级，无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将速度提升一千倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存。然而，如何实现规模集成、走向实际应用极具挑战。    从界面工程出发，团队在国际上首次验证了1kb超快闪存阵列集成验证，并证明了超快特性可延伸至亚10纳米。北京时间8月12日下午5点，相关

    复旦大学

    复旦大学微电子学院 . 2024-08-13 1 5635

  • NAND或最高涨价20%，三星电子计划与客户重新谈判

    NAND或最高涨价20%，三星电子计划与客户重新谈判

    3月15日消息，业内人士表示NAND的临时交易价格持续上涨，市场仍弥漫着减产带来的担忧，客户正急于确保供应。自去年10月起，NAND价格持续反弹，已连续五个月上涨。   三星电子NAND闪存价格或最高涨到20%。据韩媒ChosunBiz援引业内人士消息，三星电子计划在今年3月至4月期间，与主要移动端、PC端、服务器端客户重新协商价格，目标涨价15%至20%。   近期NAND供需状况逐渐趋向正常，

    快讯

    芯闻路1号 . 2024-03-15 2 10 3331

  • 西数与铠侠NAND闪存业务合并进入最后阶段

      西部数据和铠侠（Kioxia）在存储领域的合作伙伴关系已超过了20年，在这期间共同投资NAND闪存的研发和生产。双方各自的产品线也是有侧重点的，以尽可能避免相互之间的竞争。过去一段时间里，双方就NAND闪存生产业务合并进行谈判，已经到了最后阶段。   据相关媒体报道，包括三井住友金融集团、瑞穗金融集团和三菱日联金融集团等银行计划在下个月提交承诺书，为西部数据和铠侠的NAND闪存生产业务合并提供

    快讯

    芯闻路1号 . 2023-09-21 1 2 2984

  • 三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，超 300 层

    三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，超 300 层

       8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层。   报道称，这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。   而三星即将生产的超 30

    快讯

    芯闻路1号 . 2023-08-18 1 2239

  • SK海力士展示全球首款321层NAND芯片

    SK海力士展示全球首款321层NAND芯片

      8 月 9 日消息，SK 海力士今日宣布，通过 321 层 4D NAND 样品的发布，正式成为业界首家正在开发 300 层以上 NAND 闪存的公司。   SK 海力士宣布，将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。   SK 海力士 321 层 1Tb TLC NAND 介绍如下：   321 层 1Tb TLC NAND 的效率比上一代 238 层

    快讯

    芯闻路1号 . 2023-08-09 1 1 2680

  • 三星或提高512Gb NAND闪存晶圆报价 涨幅为15%

    三星或提高512Gb NAND闪存晶圆报价 涨幅为15%

      据业内消息人士透露，三星最近通知客户，其打算将512Gb NAND闪存晶圆的报价提高到1.60美元，这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。   据台媒电子时报报道，三星提出的512Gb NAND闪存晶圆单价为1.60美元，比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%。但消息人士称，鉴于上游和下游NAND闪存库存消耗缓慢，三星将难以说服买家接受提价。   据悉，三星在近日的财报会上

    快讯

    芯闻路1号 . 2023-08-02 1 1 2580

  • 好消息！国产SLC存储芯片再次突破8Gb，5G、物联网行业获强力支撑

      国产芯片又传来好消息，近日，存储芯片企业江波龙表示，其自主研发了SLC闪存芯片，容量从512Mb扩展到了8Gb。      闪存芯片通常分为SLC、MLC、TLC三种，他们之间有一定区别，各有优缺点。   其中的SLC=Single-Level Cell，其优点是速度快、寿命长，约10万次擦写寿命，缺点是价格贵，成本约是MLC的3倍以上。   MLC=Multi-Level Cell，速度和寿

    芯片

    万大叔 . 2023-04-17 3150

  • 铠侠将于今年第四季度量产高密度工业级闪存产品

    铠侠将于今年第四季度量产高密度工业级闪存产品

      日本存储半导体厂商铠侠日前宣布，将量产高密度工业用闪存产品。   公司方面称，新产品将使用最新一代铠侠 BiCS FLASH 3D 闪存技术，采用三阶储存单元（TLC）形式，132-BGA封装，密度范围512Gb-4Tb。   针对电信、网络和嵌入式计算等工业应用的环境适应性要求，新产品可在-40°C 至 +85°C 的温度范围内正常工作。   据介绍，铠侠工业级闪存产品还将提供密度较低，但可

    铠侠

    芯闻路1号 . 2022-09-17 1988

  • NAND产业版图大重组中

         时隔六年，存储设备巨头西部数据或将再次作出重大战略调整。在本月发布的一份官方声明中，西部数据表示，可能会将自己拆分为一家专注于传统计算机 HDD 机械硬盘的公司，和一家 NAND 闪存公司。   西部数据总部位于美国加州圣何塞，当前业务主要为 HDD 机械硬盘和 NAND 闪存，并在两大市场拥有强大市场地位。      2021 年二季度数据显示，西部数据在机械硬盘领域的出货量为业界第二

    nand

    DeepTech深科技 . 2022-06-21 1752

  • 月产能13万片12吋晶圆，三星西安NAND Flash二期项目扩建完成

      摘要：4月2日消息，据韩国媒体BusinessKorea报导，近日，三星电子位于中国西安的第二座NAND Flash闪存工厂已完成扩建，并开始全面生产。      4月2日消息，据韩国媒体BusinessKorea报导，近日，三星电子位于中国西安的第二座NAND Flash闪存工厂已完成扩建，并开始全面生产。   报道称，三星西安NAND Flash闪存第二工厂自3月初以来一直在满负荷运转，每

    nand flash

    芯智讯 . 2022-04-02 2855

  • 集邦：受铠侠与西部数据原料污染影响，Q2 NAND Flash价格将上涨5-10%

      集邦咨询发布的报告显示，由于买卖双方库存略偏高，再加上笔记本电脑、智能手机等受近期俄乌战事和通货膨胀影响，NAND Flash需求面持续转弱。然而，在铠侠与西部数据于2月上旬原材料受污染事件影响下，行业整体供给明显下降，成为今年第二季度NAND Flash价格上涨5-10%的关键。   具体而言，在2022年第二季度，预计eMMC合约价上涨3-8%，UFS价格涨幅约3-8%，Enterpris

    国际资讯

    芯闻路1号 . 2022-03-31 1354

  • 时创意推出新一代eMMC嵌入式闪存

      2022年3月，深圳市时创意电子有限公司宣布推出新一代eMMC嵌入式存储芯片产品，已正式量产。该产品基于长江存储第三代512Gb TLC 3D NAND打造，具备高密度，高速率，高可靠性等优点，广泛应用在手机、平板电脑等嵌入式存储领域，具备广阔的市场前景。   随着5G和人工智能技术的应用范围越来越广，移动设备对存储芯片的性能、容量和数据稳定性等要求不断提高，市场对更大容量、更高性能和更低成本

    闪存

    芯闻路1号 . 2022-03-30 1468

  • 铠侠扩建北上工厂，西部数据或参与投资

      据外媒报道，铠侠控股（原东芝存储控股）23日宣布，将在位于岩手县的“北上工厂”进行扩建，建设第二座生产厂房，以增加闪存的产量。整个扩建工程预计明年完工。   据有关人士透露，扩建计划预计总投资约为1万亿日元（约525.4亿人民币）。与日本三重县四日市的闪存工厂类似的是，美国半导体公司西部数据将参与投资，投资比例等细节将在未来详述。   此外，持有铠侠40%投票权的东芝上个月正式要求铠侠控股尽快

    国际资讯

    芯闻路1号 . 2022-03-23 3597

  • 西数、铠侠闪存工厂遭污染，美光 NAND 芯片价格大涨

      2 月 17 日消息，西部数据及其生产合作伙伴铠侠近日表示，用于闪存芯片生产的材料受到污染，影响了日本两家工厂的生产。   据报道，供应链透露，美光通知 NAND 芯片合约、现货价上涨。其中，合约价上涨 17% 至 18%，现货价涨幅达 25% 以上，这也是目前已知最高的涨价幅度。   西部数据 2 月 14 日向客户发布通知，宣布立即上调所有 Flash 产品价格。但涨价幅度并未透露。   

    西数

    芯闻路1号 . 2022-02-17 2825

  • 苹果SSD供应商遭受污染问题，闪存存储价格有望飙升

      由于Western Digital和Kioxia的NAND生产设施的污染问题，SSD价格可能会在全球范围内上涨，Apple设备可能会受到影响。 （图片来源于网络)   西部数据表示，由于1月份在日本的两家工厂使用了受污染的材料，它已经损失了6.5 EB的BiCS 3D NAND闪存。这些设施由西部数据及其合作伙伴Kioxia共同运营，Kioxia以前是东芝的一部分。造成污染的原因以及预计何时恢

    苹果

    芯闻路1号 . 2022-02-14 1 3585

  • 西部数据、铠侠闪存产线受污染停工，恐導致NAND Flash價格波動

         西部数据和铠侠（Kioxia）昨日宣布，两座闪存工厂因材料受污染停工。有研究机构指出，西部数据与铠侠去年第三季的合计市占高达32.5%，在此事件的影响下将可能使第二季NAND Flash价格转为翻涨5~10%。   2月9日，西部数据及其生产合作伙伴铠侠表示，用于闪存芯片生产的材料受到污染，导致其位于日本四日市和北上市的两家工厂停工。   铠侠预计传统2D闪存的出货不会受到影响，3D N

    西部数据

    DeepTech深科技 . 2022-02-11 2727

  • NAND 闪存进入 200 层以上竞争，业内人士称三星西安工厂成定价关键

      NAND 闪存厂商都准备在 2022 年底到 2023 年期间推出 200 层以上的芯片产品，这是行业向更高密度的 3D NAND 闪存过渡的里程碑。   2月2日消息，据《电子时报》援引消息人士称，在这些供应商中，三星电子和美光科技可能是首批开始批量生产 200 层以上 3D NAND 闪存芯片的厂商。   该人士表示，三星在韩国平泽的新工厂于 2021 年下半年开始生产，并将在今年提高 1

    NAND

    芯闻路1号 . 2022-02-02 8 2926

  • SK海力士计划2022年将NAND出货量增加一倍

      据报道，SK 海力士表示，公司完成收购英特尔NAND业务后，预计 NAND 的出货量增加到一倍。   SK海力士预计，这笔90亿美元的交易将帮助其吸收英特尔在固态硬盘或SSD方面的计算架构技能，这是NAND业务的关键部分。   据了解，SK海力士于去年12月完成了对英特尔SSD部门及其在中国大连的制造工厂的收购，并将其更名为Solidigm。

    闪存

    芯闻路1号 . 2022-01-31 22 3600

  • SSD 固态有望迎新低，TrendForce 预计 NAND 闪存 Q1 跌价 8~13%

      1 月 29 日消息，据国外媒体报道，研究机构 TrendForce 此前曾预计，在连续几个季度上涨之后，NAND 闪存价格的上涨趋势，在去年四季度有可能终结，今年一季度则会下滑，预计环比下跌 10%-15%。 （图片来源于网络）   外媒的报道显示，在最新的报告中，预计 NAND 闪存价格一季度将下滑 10%-15% 的这一机构，已将下跌的幅度，下调到了 8%—13%。   研究机构将一季度

    闪存

    芯闻路1号 . 2022-01-29 2 3498

  • 机构下调一季度NAND闪存价格下滑预期 预计最高下跌13%

      1月29日消息，据国外媒体报道，研究机构此前曾预计，在连续几个季度上涨之后，NAND闪存价格的上涨趋势，在去年四季度有可能终结，今年一季度则会下滑，预计环比下跌10%-15%。   外媒的报道显示，在最新的报告中，预计NAND闪存价格一季度将下滑10%-15%的这一机构，已将下跌的幅度，下调到了8%—13%。   研究机构将一季度全球NAND闪存价格下跌的幅度，较此前的预期下调2个百分点，是因

    NAND

    芯闻路1号 . 2022-01-29 4 2602

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