日本存储半导体厂商铠侠日前宣布,将量产高密度工业用闪存产品。
公司方面称,新产品将使用最新一代铠侠 BiCS FLASH 3D 闪存技术,采用三阶储存单元(TLC)形式,132-BGA封装,密度范围512Gb-4Tb。
针对电信、网络和嵌入式计算等工业应用的环境适应性要求,新产品可在-40°C 至 +85°C 的温度范围内正常工作。
据介绍,铠侠工业级闪存产品还将提供密度较低,但可靠性更高、读写速度更快的单阶储存单元 (SLC) 型号。

日本存储半导体厂商铠侠日前宣布,将量产高密度工业用闪存产品。
公司方面称,新产品将使用最新一代铠侠 BiCS FLASH 3D 闪存技术,采用三阶储存单元(TLC)形式,132-BGA封装,密度范围512Gb-4Tb。
针对电信、网络和嵌入式计算等工业应用的环境适应性要求,新产品可在-40°C 至 +85°C 的温度范围内正常工作。
据介绍,铠侠工业级闪存产品还将提供密度较低,但可靠性更高、读写速度更快的单阶储存单元 (SLC) 型号。
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