2016：期盼IP发展能有更多新火花
商用IP已成为当今SoC设计公认的主流，很难想像若没有广大IP供应商生态系统所提供的高品质处理器、DSP、汇流排架构、DDR控制器、记忆体巨集、标准元件、I/O控制器、高速PHY与主要类比介面，大部份现今各大电子平台是否仍会存在。而2016年商用IP是否也将如同以往，各家供应商只期望在各方面推进一点就好？答案是对、也是不对。 我们应该都能预期全球电子创新周期的发展趋势——更高的产品密度、更多晶
Cadence
eettaiwan . 2016-02-05 1640
湿蚀刻设备竞争格局已定，Veeco独孤求败？
TSV（矽穿孔）技术在 3D IC 中，可谓扮演相当吃重的角色，由于摩尔定律的关系，半导体制程的不断突破，晶片业者不断提升电晶体密度，同时又面临晶片尺寸极为有限的情况下，水平面积毕竟还是有其极限，所以半导体业者们才从垂直方向下手，以整合更多的电晶体，进一步提升晶片整体效能。 Veeco 属于半导体沉积与蚀刻设备供应商，在该设备市场中，属于领导角色，有鉴于市场中诸多半导体业者陆续将 TSV 投入
摩尔定律
来源：互联网 . 2015-10-23 1075
IBM 7纳米芯片的呐喊：摩尔定律依然有效
IBM周四宣布了一项重大的芯片技术突破，实现了7纳米工艺。这项技术突破了10纳米这一重要障碍，并证明整个行业仍然可以遵循所谓的“摩尔定律”展开创新。 IBM的研发团队使用了一种名为硅锗的新型混合结构，将芯片的基础组件压缩到7纳米级别。 这类项目可以令未来的计算设备价格更低，性能更强。除了IBM之外，英特尔等其他企业也在努力开发类似的技术。IBM通过此举证明，为了满足大数据的需求，投
IBM
来源：互联网 . 2015-07-10 900
摩尔定律尚存“一息” 核心市场将由PC转向手机？
由英特尔（Intel）创办者之一Gordon Earle Moore在1965年提出的摩尔定律，预测IC上的电晶体密度大约每2年就会增加1倍，提出至今刚好50年。曾有多次有人指出摩尔定律失效，但日本微细加工研究所所长汤之上隆表示，摩尔定律迄今依然适用，认为这定律失效只是市场典范转移的错觉。 关于摩尔定律失效最常见的说法，出自国际半导体技术发展蓝图协会ITRS在2010年提出的报告，认为电晶
PC
Digitimes . 2015-06-30 1015
摩尔定律：我这一辈子（上）
如果将摩尔定律比为一个人，到今年他已经是个50岁的中年人了。在这五十年中电子产业遵循着摩尔定律获得了巨大的进步，然而在今天人们也会想知道摩尔定律是否已经过时，它还能不能适应时代继续对于未来电子产业发展起到指导作用。在本文的上篇中我们将回到上世纪60年代，看看摩尔是在什么样的时代背景与实践中提出了摩尔定律，发现摩尔定律中不被重视的另一面。 半个世纪前，一个名叫戈登摩尔的年轻工程师仔细观察了
电子元件
来源：互联网 . 2015-04-08 1040
摩尔定律终结时，芯片开发工程师要具备什么能力
在于美国德克萨斯州奥斯汀举行的第50届设计自动化大会（DAC 2013）上，本届新设了名为“SKY（Short Key notes）Talk”的6场30分钟短暂主题演讲。笔者聆听了其中的一场，题目为“What a chip designer needs at the end of Moore’s Law”。 演讲者为美国国防部高级研究计划局（Defense Advanced Researc
gpu
日经技术在线 . 2013-06-11 1165
半导体科技突破关键？替代材料助力10nm制程
半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层（Epitaxy Layer）普遍采用的矽材料，在迈入10纳米技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗（Ge）和三五族（III-V）元素可有效改善电晶体通道的电子迁移率，提升芯片效能与省电效益，已被视为产业明日之星。 应用材料半导体事业群Epitaxy KPU全球产品经理Saurabh
10nm
新电子 . 2013-03-15 955
摩尔定律“垂而不死”：多次被预言将失效
2007年戈登·摩尔在英特尔开发论坛 日裔理论物理学家加来道雄近日预言，半年世纪以来为IT业定调的摩尔定律大约只剩10年生命，因为硅技术的物理极限已经临近;某个节点过后，计算能力无法再如此提升。 这听上去非常耳熟。每隔几年，就会有人重提“物理极限将至、摩尔定律活不过10年”的说法。 该定律1965年由英特尔(微博)创始人戈登·摩尔提出，它不是一种解释科学的精确定律，更像是
摩尔定律
外滩画报 . 2012-05-18 370
2.5D IC封装超越摩尔定律
近日，有两家公司同时发布了在芯片封装方面的革命性突破：一个是意法半导体宣布将硅通孔技术(TSV)引入MEMS芯片量产，在意法半导体的多片MEMS产品(如智能传感器、多轴惯性模块)内，硅通孔技术以垂直短线方式取代传统的芯片互连线方法(无需打线绑定)，在尺寸更小的产品内实现更高的集成度和性能。另一个则是赛灵思宣布通过堆叠硅片互联 (SSI) 技术，将四个不同 FPGA 芯片在无源硅中介层上并排互联
封装
本站整理 . 2011-11-01 980
- 1
- 2
- 3
- 4