铠侠及西部数据率先提升产能利用率，带动全年NAND Flash供应位元年增率上升至10.9%
在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利
存储器件
芯查查资讯 . 2024-03-20 1 2561
字节跳动投资国产存储芯片公司昕原半导体
3月14日消息，据媒体报道，最新的企业记录显示，字节跳动已悄然投资国产存储芯片公司昕原半导体，成为该公司的第三大股东。 报道表示，字节跳动发言人证实了这一此前未经报道的投资，并表示这是为了帮助推进该公司虚拟现实头显设备的开发。 上周一家在新加坡注册的字节跳动旗下公司已成为昕原半导体的股东，字节跳动已间接持股9.5%，成为昕原半导体的第三大股东。 官网显示，昕原半导体（上海）有限公司成立
快讯
芯闻路1号 . 2024-03-14 3 17 3551
三星电子将其西安工厂的NAND闪存开工率提高至70%
3 月 11 日韩媒 The Elec 报道，三星电子已将西安工厂的闪存开工率提高至 70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地，月产能为 20 万片 300mm 晶圆，占三星整体 NAND 产量的 40%。 目前三星正将西安工厂的工艺升级至 236 层（第 8 代 V-NAND），因此产能本身低于满载。 为了应对 2022 年开始的存储行业恶化，三星在去年下半年将西安工厂
快讯
芯闻路1号 . 2024-03-12 2 3566
韩媒：HBM良率低、产量堪虑
3月6日消息，韩媒DealSite报道，高带宽内存（HBM）的良率远低于传统内存产品，通过NVIDIA质量测试（qualification test）的难度大增，让市场对产量感到忧虑。美光（Micron）、SK 海力士（SK Hynix）等HBM厂商面临良率低迷窘境，为了通过NVIDIA次世代AI GPU的质量测试，彼此正在激烈竞争。 HBM良率高低，主要跟堆栈架构的复杂程度有关，这牵涉到多重
快讯
芯闻路1号 . 2024-03-06 1 3 3221
长鑫存储开始生产18.5nm工艺DRAM芯片，全球产能占比将达10%
去年末，长鑫存储（CXMT）正式推出了LPDDR5系列产品，其中包括了12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片，成为了国内首家自主研发并生产LPDDR5的厂家。 长鑫存储并没有放慢技术研发的步伐，甚至还加快了速度。据DigiTimes报道，长鑫存储在合肥的新工厂已经开始量产采用18.5nm工艺的DRAM芯片，第一期生产线已经接近满
快讯
芯闻路1号 . 2024-01-26 3 42 1w
三星2023全年利润暴跌85%
1月10日媒体报道，韩国三星电子公司1月9日发布的初步数据显示，2023年营业利润为6.54万亿韩元（约合356亿元人民币），同比下降84.92%。按年度计算，这是自2008年全球金融危机爆发时的6.03万亿韩元以来的最低水平。数据还显示，三星电子去年销售额为258.16万亿韩元，同比下滑14.58%。 预计三星将在本月晚些时候发布完整的财务报告以及业务细分数据。 图注：三星芯片业务拖累业
快讯
芯闻路1号 . 2024-01-10 2 6 3979
机构预估2024年第一季DRAM合约价季涨幅13-18%
1月8日消息，TrendForce集邦咨询发文表示，2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13-18%，其中Mobile DRAM持续领涨。目前观察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原厂认为持续性减产仍有其必要，以维持存储器产业的供需平衡。 PC DRAM方面，由于DDR5订单需求尚未被满足，同时买方预期DDR4价格会持续上涨，带动买方拉货动能延续，然受到机种逐渐升级至DDR5影响，对DDR4
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芯闻路1号 . 2024-01-08 2 6 3764
2024年加码投资DRAM/NAND：三星增加25%、SK海力士增加100%
12 月 21 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元（约 1482.3 亿元人民币），比 2023 年投资预算增加 25%；而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元（约 290.97 亿元人民币），比今年的投资额增长 100%。 报道指出，三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外，还提高了 2024
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芯闻路1号 . 2023-12-21 1 4384
明年一季度Mobile DRAM、eMMC/UFS均价涨幅将扩大至18~23%，手机厂商备料带动
据TrendForce集邦咨询预估，2024年第一季Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC/UFS）均价季涨幅将扩大至18~23%。同时，不排除在寡占市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况下，进一步垫高涨幅。 观察2024年第一季中国智能手机OEM的生产规划仍稳健，由于存储器价格涨势明确，带动买方积极扩大购货需求，以建设安全且相对低价的库存水位。 TrendForce集邦咨询进
存储器件
集邦咨询 . 2023-12-19 4185
三星一名前官员因技术泄露收到逮捕令
12月18日消息，一名前三星电子官员收到了逮捕令，该官员被指控泄露半导体技术信息。首尔中央地方法院确认了逮捕令的签发，凸显了韩国加大了打击工业间谍活动的力度。该逮捕令是在检察官对这名身份不明的官员采取法律行动后批准的，他们怀疑其参与向外界提供18纳米DRAM存储芯片技术。 首尔中央地方法院周六上午发表声明，确认法官签发逮捕令的决定。上周三要求逮捕令的检察官估计，技术泄漏造成的潜在损失约为2.3
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芯闻路1号 . 2023-12-18 3314
长鑫存储实现国内DDR5零突破
2023年11月28日，据长鑫存储官网显示，长鑫存储推出了最新 LPDDR5 DRAM 存储芯片，是国内首家推出自主研发生产的 LPDDR5 产品的品牌，实现了国内市场零的突破，同时也令长鑫存储在移动终端市场的产品布局更为多元。 官网显示，长鑫存储LPDDR5系列产品包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。12GB LPDD
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芯闻路1号 . 2023-11-29 2 15 4909
机构：NVIDIA产品HBM3、HBM4验证时间表
TrendForce 的 HBM 市场研究显示，为了更妥善健全的供应链管理，NVIDIA 也规划加入更多 HBM 供货商，三星（Samsung）HBM3（24GB）预定 12 月完成验证，HBM3e 进度依时间轴排列如下表，美光（Micron）7 月底提供 8hi（24GB）NVIDIA 样品、SK 海力士（SK hynix）8 月中提供 8hi（24GB）样品、三星 10 月初提供 8hi（24
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芯闻路1号 . 2023-11-28 1 4549
机构预估明年DRAM、NAND Flash需求位元将同比增长13%及16%
8月30日，TrendForce集邦咨询发文表示，预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续，尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。预估在2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗，通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤而显得相对需求疲弱，有鉴于2023年基期已低，加上部分存储器产品价格已来到相对低点，预估DRAM及NAND Flash需求位元年成
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芯闻路1号 . 2023-08-30 1 3124
曼彻斯特大学研究人员制造出油墨可印刷2D半导体
曼彻斯特大学研究团队开发出一种水性和喷墨可印刷2D材料油墨的生产方法。这种方法可将来自实验室的2D晶体异质结构产品引入现实世界中，如智能包装应用和识别标签。值得注意的是，这些油墨是生物相容型的，此属性将其用途扩展至生物医学医用。 除了石墨烯，该团队成功地剥离和印刷了一系列2D半导体，包括MoS2、WS2和六方氮化硼（h-BN）。使用这种方法，该团队已开发出高效的光检测器和可编程逻辑存储器件（能够存
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中国国防科技信息网 . 2017-02-04 1460
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