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  • X-FAB与派恩杰达成长期战略合作，共同推动全球SiC产业发展

      2021年9月6日，模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布，双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系，此前双方已经合作近三年时间。   X-FAB总部位于欧洲，是全球第一家提供150mm SiC工艺的代工企业。X-FAB符合汽车品质的生产环境可以帮助客户生产制造出高品质、高性能，并且能快速上市的器件。

    SiC

    厂商供稿 . 2021-09-07 1743

  • Nexperia第二代650V氮化镓场效应管使80 PLUS®钛金级电源可在2kW或更高功率下运行

    功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本 全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装，对于给定RDS（on）值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。级联配置无需复杂的驱动电路，加快了产品上市速度。该器件在硬开关和软开关电路中均具有出色的性能，为设计人员提供极大的灵活性。 Nexperia GaN战略市场总监Dilder Chowdhury解释说：“钛金级

    太阳能逆变器

    厂商供稿 . 2021-04-28 1672

  • 制造高压变频器的关键技术问题和解决办法

    一、 引言 低压变频器已经取得企业界的认可，正在走向大面积普及之路。高压变频器市场正在启动，前景十分好，以前这一产品完全依赖进口，近几年，随着人们对高压变频器的认识越来越深入，市场需求迅速增加。国内变频器生产商奋起直追，已涌现出几个品牌。我公司是开始研制高压变频器较早的单位之一， 6000V级的高压变频器已有多台正在正常运转，通过了天津发配电及电控设备检测所和国家电控配电设备质量监督检验中心的检验

    功率器件

    中国电源网 . 2020-08-18 1895

  • 中子嬗变掺杂

    前面我们提到了常见的两种掺杂方式：扩散和离子注入。今天我们来聊一聊两外一种掺杂方式——中子嬗变掺杂(NTD，Neutron Transmutation Dopin)   名字听起来就很高端，首先我们来看一下什么是嬗变(shàn biàn)。   嬗变：指一种元素通过核反应转变为另一种元素。再结合掺杂(是将一定数量的杂质掺入到半导体材料的工艺，是为了改变半导体材料的电学特性，从而得到所需的电学参数)

    功率器件

    -- . 2020-07-06 2445

  • FPGA或SoC电源的应用中的集成柔性功率器件使用

    工业电子产品的发展趋势是更小的电路板尺寸、更时尚的外形和更具成本效益。由于这些趋势，电子系统设计人员必须降低印刷电路板（PCB）的尺寸和成本。使用现场可编程门阵列（FPGA）和片上系统（SoC）的工业系统需要多个电源轨，同时面临小尺寸和低成本的挑战。集成柔性功率器件可以为这种应用显著降低成本，减小解决方案尺寸。 集成柔性功率器件在同一封装内包含多个DC/DC转换器。这些DC/DC转换器可以是单个封

    功率器件

    与非网电路城论坛 . 2020-05-10 1560

  • 伺服驱动器工作原理和控制方式

    伺服驱动器的基本功能是电动机驱动和信号反馈。现在多数伺服驱动器具有独立的控制系统，一般采用数字信号处理器、高性能单片机、FPGA等作为主控芯片。控制系统输出的信号为数字信号，并且信号的电流较小，不能直接驱动电动机运动。 伺服驱动器还需要将数字信号转换为模拟信号，并且进行放大来驱动电动机运动。伺服驱动器内部集成了主控系统电路、基于功率器件组成的驱动电路、电流采集电路、霍尔传感器采集电路，以及过电压、

    伺服驱动器

    网络整理 . 2020-03-10 1255

  • 华虹半导体新进展：全国首条 12 英寸功率器件生产线建成投片

    与非网 9 月 17 日讯，随着首批 12 英寸硅片进入工艺机台，开始 55 纳米芯片产品制造，华虹半导体（无锡）有限公司（华虹七厂）作为华虹集团在上海市域以外的第一个项目投入量产，这标志着项目将由工程建设期正式迈入生产运营期。   这个实现当年开工、当年主厂房结构封顶，17 个月建成投片项目，使华虹集团成为全国第一家也是唯一一家在连续两年里建成两条 12 英寸生产线的企业集团，吸引了全球主流设备

    硅片

    -- . 2019-09-17 1860

  • 中芯绍兴项目开工奠基，中国特色工艺布局加速

    据麦姆斯咨询报道，2018年5月18日，中芯集成电路制造（绍兴）项目举行开工奠基仪式，浙江省绍兴市委书记马卫光、市委副书记、市长盛阅春、中芯国际联合首席执行官赵海军博士、首席财务官高永岗博士、战略发展中心资深副总裁葛红等出席仪式。 中芯集成电路制造（绍兴）项目开工奠基仪式现场 随着智能化社会的到来，智能化设备中应用广泛的微机电系统（MEMS）和功率器件市场需求激增，目前处于供不应求的状态。中芯集成

    mems

    未知 . 2018-05-22 1175

  • 中芯国际绍兴项目开工，中国特色工艺布局加速

    2018 年 5 月 18 日，中芯集成电路制造（绍兴）有限公司首个 8 寸厂房项目举行奠基仪式。中芯国际联席首席执行官赵海军博士主持，中芯国际首席财务官高永岗博士、战略发展中心资深副总裁葛红、绍兴市委书记马卫光、市长盛阅春出席。   中芯国际联席首席执行官赵海军博士表示，“中芯绍兴项目从 3 月 1 日签署合资协议至举行奠基仪式，只有短短 79 天，这充分体现了绍兴市政府在发展集成电路产业上的决

    MEMS

    -- . 2018-05-22 2585

  • IGBT的崛起——国产功率器件的曙光

    　　IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT 器件（绝缘栅双极型晶体管）是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现

    功率器件

    华强电子网 . 2014-08-05 1145

  • 专家分享：高效高可靠LED驱动设计的心得

    　　一、不要使用双极型功率器件 　　DougBailey指出由于双极型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一个，所以一些设计师为了降低LED驱动成本而使用双极型功率器件，这样会严重影响电路的可靠性，因为随着LED驱动电路板温度的提升，双极型器件的有效工作范围会迅速缩小，这样会导致器件在温度上升时故障从而影响LED灯具的可靠性，正确的做法是要选用MOSFET器件，MOSFET器件的使用寿命要

    功率器件

    我爱方案网 . 2014-05-12 1205

  • 中国半导体产业观察之IGBT

    　　IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT 器件（绝缘栅双极型晶体管）是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现

    功率器件

    SERIChina . 2012-02-17 1430

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