湿蚀刻设备竞争格局已定，Veeco独孤求败？
TSV（矽穿孔）技术在 3D IC 中，可谓扮演相当吃重的角色，由于摩尔定律的关系，半导体制程的不断突破，晶片业者不断提升电晶体密度，同时又面临晶片尺寸极为有限的情况下，水平面积毕竟还是有其极限，所以半导体业者们才从垂直方向下手，以整合更多的电晶体，进一步提升晶片整体效能。 Veeco 属于半导体沉积与蚀刻设备供应商，在该设备市场中，属于领导角色，有鉴于市场中诸多半导体业者陆续将 TSV 投入
摩尔定律
来源：互联网 . 2015-10-23 1205
半导体厂商关注，TSV应用爆发一触即发
TSV技术应用即将遍地开花。随着各大半导体厂商陆续将TSV立体堆叠纳入技术蓝图，TSV应用市场正加速起飞，包括影像感应器、功率放大器和处理器等元件，皆已开始采用；2013年以后，3D TSV技术更将由8寸晶圆逐渐迈向12寸晶圆应用。 三维（3D）硅穿孔（Through Silicon Via， TSV）的应用已相当广泛，目前至少用于包含影像感应器、快闪记忆体、动态随机存取记忆体（DRAM）
3D晶体管
新电子 . 2013-01-27 1150
高通和英特尔介绍用在移动SOC的TSV三维封装技术
在“NEPCON日本2013”的技术研讨会（研讨会编号：ICP-2）上，英特尔和高通分别就有望在新一代移动SoC（系统级芯片）领域实现实用的 TSV（硅通孔）三维封装技术发表了演讲。两家公司均认为，“三维封装是将来的技术方向”，不过目前存在较多课题，实用化估计要到2015年以后。 英特尔在个人电脑用微处理器领域拥有绝对领先的市场份额，但在逐渐成为互联网终端主角的智能手机和平板电脑所使用的S
TSV
日经技术在线 . 2013-01-22 1225
编辑视点：日本TSV技术能否再现辉煌？
在日本，硅通孔（TSV：Through Silicon Via）技术从10多年前开始就备受业界关注。比如，日本超尖端电子技术开发机构（ASET）从1999年度起就在通过名为“超高密度电子SI”的研究项目推进TSV相关开发。2008年东芝在全球率先开始量产凭借TSV实现小型化的CMOS图像传感器。 如上所述，在TSV技术研发方面，最初是日本走在了前面，但之后，TSV的用途并没有多大的扩展，在
编辑视点
技术在线 . 2012-04-18 1275
分析：TSV 3D IC面临诸多挑战
2016年将完成多种半导体异质整合水平 TSV3DIC技术虽早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技术水准皆尚未成熟情况下，TSV3DIC技术发展速度可说是相当缓慢，DIGITIMESResearch分析师柴焕欣分析，直至2007年东芝（Toshiba）将镜头与CMOSImageSensor以TSV3DIC技术加以堆栈推出体积更小的镜头模块后，才正式揭开TSV3DIC实用化的
3DIC
eettaiwan . 2012-02-21 950
晶圆级封装(WLP)及采用TSV的硅转接板商机无限
法国元件调查公司Yole Developpement公司MEMS及半导体封装领域的分析师Jerome Baron这样指出：在处于半导体前工序和后工序中间位置的“中端”领域，具有代表性的技术包括晶圆级封装（WLP）及采用TSV（硅通孔）的硅转接板等，潜藏着新的商机。 中端领域的技术之所以变得重要，原因之一是封装基板的成本暴涨。例如，倒装芯片BGA（FC-BGA）的芯片成本为1美元，而封装基板的成本多
硅通孔
电子发烧友 . 2011-08-28 965
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